「まくあい」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Ｂｉ：ＹＩＧ膜６の上には、Ａｕ膜８が形成される。例文帳に追加

An Au film 8 is formed on the Bi:YIG film 6. - 特許庁

次に、Ｔｉ膜１８上にＴｉＮ膜３２を形成する。例文帳に追加

A TiN film 32 is then formed on the Ti film 18. - 特許庁

ＳｉＯＣ膜の形成方法およびＳｉＯＣ膜例文帳に追加

SIOC FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME - 特許庁

Ｓｉ薄膜の作製方法、Ｓｉ薄膜、及び太陽電池例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING Si THIN FILM, Si THIN FILM, AND SOLAR BATTERY - 特許庁

ＳｉＣＮ膜を覆うように、ＳｉＣＯ膜が形成される。例文帳に追加

A SiCO film is formed so as to cover the SiCN film. - 特許庁

ＩＴＯ透明導電膜の成膜方法およびＩＴＯ導電膜付き基板例文帳に追加

ITO TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM DEPOSITION METHOD, AND SUBSTRATE WITH ITO CONDUCTIVE FILM - 特許庁

化合物膜８は、例えばＥｒＳｉ、ＰｔＳｉ、ＴｉＳｉ又はＮｉＳｉ膜等からなり、化合物膜９は、例えばＮｉＳｉ膜、ＣｏＳｉ膜又はＴｉＳｉ膜等からなる。例文帳に追加

A chemical compound film 8 is composed of ErSi, PtSi and TiSi or NiSi films, for example, and a chemical compound film 9 is composed of NiSi and CoSi or TiSi films, for example. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物膜の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体素子例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE FILM, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

これにより、Ｔｉ膜１８とＳｉＯ_２層間膜１３との間にＴｉＯ_２膜３１が形成される。例文帳に追加

Thereby, a TiO_2 film 31 is formed between the Ti film 18 and the SiO_2 interlayer film 13. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物膜の製造方法、ＩＩＩ族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE FILM, GROUND FILM FOR MANUFACTURING THE GROUP III NITRIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

ハードマスクにＴｉＳｉＮ（珪化窒化チタン）膜またはＴｉＳｉＮ膜とＴｉＳｉ膜との積層膜を用いる。例文帳に追加

A TiSiN(titanium silicide nitride) film or a laminated film of TiSiN film and TiSi film is used as a hard mask. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物膜、エピタキシャル基板、及び多層膜構造例文帳に追加

GROUP III NITRIDE FILM, EPITAXIAL SUBSTRATE AND MULTILAYER FILM STRUCTURE - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶膜及びその成膜方法例文帳に追加

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体の成膜方法及び成膜装置例文帳に追加

METHOD FOR FORMING FILM OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND FILM-FORMING EQUIPMENT - 特許庁

成膜室１３は、パッタ法によって基板に酸化膜であるＳｉＯ_2膜を成膜するＳｉＯ_2膜成膜部１３ａとイオンプレーティング法によって基板にＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜成膜部１３ｂとから構成される。例文帳に追加

The deposition chamber 13 comprises a deposition chamber 13a where an SiO_2 film is deposited on the substrate by sputtering and an ITO film deposition chamber 13b where an ITO film is deposited on the substrate by an ion plating method. - 特許庁

Ｃｕ膜２ｂの上にはＳｉＣＮ膜３ａ、ＳｉＣＯ膜３ｂおよびＳｉＯＣ膜４ａが順に設けられており、ＳｉＯＣ膜４ａはＳｉＣＮ膜３ａおよびＳｉＣＯ膜３ｂよりも低誘電率な絶縁膜である。例文帳に追加

A SiCN film 3a, a SiCO film 3b, and a SiOC film 4a are provided, in this order, on the Cu film 2b, and the SiCO film 4a is an insulating film having a dielectric constant lower than those of the SiCN film 3a and the SiCO film 3b. - 特許庁

ＳｉＯ２膜の成膜方法及び該方法により成膜されたＳｉＯ２膜を備えた物品例文帳に追加

METHOD FOR DEPOSITING SiO2 FILM AND ARTICLE WITH SiO2 FILM DEPOSITED BY THE METHOD - 特許庁

上層の金属膜７としては、例えばＮｉ膜、Ｃｏ膜又はＴｉ膜を形成する。例文帳に追加

As the metal film 7 of the upper layer, an Ni film, a Co film or a Ti film is formed, for example. - 特許庁

Ｔｉバリア膜１５ａの膜厚は、ＴｉＮバリア膜１５ｂの膜厚よりも大きくする。例文帳に追加

The film thickness of the Ti barrier film 15a is made larger than that of the TiN barrier film 15b. - 特許庁

配向制御膜３としては、Ｔｉ膜、Ｔａ膜、Ｒｕ膜又はＭｇＯ膜等を形成する。例文帳に追加

A Ti film, a Ta film, a Ru film, or a MgO film or the like is formed as the orientation control film 3. - 特許庁

Ｉｒ膜２３を形成した後、このＩｒ膜２３上にＩｒ酸化膜を形成する。例文帳に追加

After an Ir film 23 is formed, an Ir oxide film is formed on the Ir film 23. - 特許庁

次に、第２のＳｉＯ_2膜４上に第１のＴｉ膜５及びＴｉＮ膜６を順次形成する。例文帳に追加

A first Ti film 5 and a TiN film 6 are formed one by one on the second SiO2 film 4. - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族半導体多層膜及びその製造方法例文帳に追加

III-V SEMICONDUCTOR MULTILAYER FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

窒化ガリウム等のＩＩＩ族窒化物の成膜方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING FILM OF GROUP III NITRIDE SUCH AS GALLIUM NITRIDE - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体薄膜およびその製造方法例文帳に追加

GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND ITS FABRICATION - 特許庁

これによりＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を得る。例文帳に追加

Thus, the group III nitride semiconductor film is obtained. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体薄膜とその製造方法例文帳に追加

III NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体の成膜方法およびその装置例文帳に追加

FORMING METHOD AND DEVICE OF III NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体膜を成長する方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物薄膜の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING GROUP III NITRIDE THIN FILM - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物膜の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE FILM - 特許庁

ＩＩＩＶ族窒化物膜の製造方法および製造装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING IIIV NITRIDE- BASED FILM - 特許庁

式（ＩＩＩ）で示されるマクロライド化合物。例文帳に追加

The macrolide compound represented by formula (III) is provided. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物膜の製造方法例文帳に追加

METHOD OF PRODUCING GROUP III NITRIDE FILM - 特許庁

有機ＥＬ素子用の室温成膜した積層型透明導電膜（ＩＴＯ膜／金属膜／ＩＴＯ膜又は金属膜／ＩＴＯ膜）や非加熱下で形成したＩＴＯ膜上に酸化錫膜が表面層として設けられる。例文帳に追加

The tin oxide film is formed on the laminated transparent conductive film (ITO film/metal film/ITO film, or metal film/ITO film) formed at room temperature, or formed on the ITO film formed without heating, as a surface layer. - 特許庁

ＣＶＤによるＴｉ膜を成膜した後、ＴｉＮ膜等の他の膜を成膜する場合に、Ｔｉ成膜が低温であってもこれらの間の膜剥がれを防止することができる成膜方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a film-forming method capable of preventing the peel-off between films even if a Ti film formation is at low temperature, when film-forming a Ti film by CVD before film-forming other films, such as a TiN film. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体薄膜、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびＩＩＩ族窒化物半導体薄膜の製造方法例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM - 特許庁

基板上にＤＣスパッタ装置により１５０〜３５０℃の温度でＴｉ膜５、ＴｉＯＮ膜６、Ｔｉ膜７、Ａｌ−Ｓｉ合金膜８、Ｔｉ膜９およびＴｉＯＮ膜１０を順次成膜する。例文帳に追加

A Ti film 5, a TiON film 6, a Ti film 7, an Al-Si alloy film 8, a Ti film 9 and a TiON film 10 are formed at 150-350°C on a substrate using a DC sputtering apparatus. - 特許庁

それらの弁当は、芝居の幕間（まくあい）・幕の内に観客が食べるものなので、いつしか「幕の内弁当」と呼ばれるようになったとされる。例文帳に追加

The bento were eaten during the intermission, makuai or makunouchi in Japanese, which resulted in the name 'Makunouchi-bento.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

バリアー膜は、第１金属シリサイド膜上に形成されるＴｉＮ膜と、ＴｉＮ膜と金属膜との間に介在されるバッファ層と、を備える。例文帳に追加

The barrier film has the TiN film formed on the first metal silicide film and the buffer layer provided between the TiN film and the metal film. - 特許庁

絶縁性基板１０１上に成膜したＳｉ窒化膜１０２、Ｓｉ酸化膜１０３の上に非晶質Ｓｉ膜１０４を成膜する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 104 is formed on a silicon nitrogen film 102 and a silicon dioxide film 103 formed on an insulating substrate 101. - 特許庁

前記金属シリサイド膜が、ＷＳｉ_ｘ膜、ＴｉＳｉ_ｘ膜、ＭｏＳｉ_ｘ膜、ＮｉＳｉ_ｘ膜、ＴａＳｉ_ｘ膜、ＣｕＳｉ_ｘ膜、および、ＣｏＳｉ_ｘ膜（ここで、ｘは任意の数）のうちいずれか１種であることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, the metal silicide film is any one kind of a WSi_x film, a TiSi_x film, an MoSi_x film, an NiSi_x film, a TaSi_x film, a CuSi_x film, and a CoSi_x film(where, x is an arbitrary number). - 特許庁

ＧａＮ膜生成方法及び半導体素子並びにＩＩＩ族窒化物の薄膜生成方法及びＩＩＩ族窒化物の薄膜を有する半導体素子例文帳に追加

GaN FILM GENERATING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, THIN FILM GENERATING METHOD OF GROUP III NITRIDE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING THIN FILM OF GROUP III NITRIDE - 特許庁

熱酸化膜とＣＶＤ酸化膜との間に、リンガラス膜を形成する。例文帳に追加

A phosphorus glass film is formed between the thermally oxidated film and the CVD oxide film. - 特許庁

ＤＬＣ膜又はＳｉＯ２膜、容器及びＣＶＤ成膜装置例文帳に追加

DLC FILM OR SiO2 FILM, VESSEL AND CVD FILM DEPOSITION SYSTEM - 特許庁