「"まくあい"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

幕あいの演奏例文帳に追加

a musical performance given during an intermission  - EDR日英対訳辞書

幕間に行う劇例文帳に追加

a play performed during an intermission  - EDR日英対訳辞書

幕間の出し物が少し長過ぎた。例文帳に追加

The divertissement was a bit lengthy.  - Weblio英語基本例文集

幕合いが二十分ある例文帳に追加

There is a twenty minutes' interval between the acts.  - 斎藤和英大辞典

幕合いの幻灯広告例文帳に追加

a short advertisement aired during the interval between programs  - EDR日英対訳辞書

1.2 幕間小話: エラーと例外例文帳に追加

1.2 Intermezzo: Errors and Exceptions  - Python

1.2 幕間小話: エラーと例外例文帳に追加

1.2 Intermezzo: Errors and  - Python

それらの弁当は、芝居の幕間（まくあい）・幕の内に観客が食べるものなので、いつしか「幕の内弁当」と呼ばれるようになったとされる。例文帳に追加

The bento were eaten during the intermission, makuai or makunouchi in Japanese, which resulted in the name 'Makunouchi-bento.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

更に、第１絶縁膜ＩＬ１は、第２絶縁膜ＩＬ２および第３絶縁膜ＩＬ３よりも、シリコン基板１に対して及ぼす応力が小さい。例文帳に追加

Further, the first insulating film IL1 has less stress exerted on the silicon substrate 1 than the second insulating film IL2 and the third insulating film IL3. - 特許庁

第２の層間絶縁膜ＩＬ２は第１の層間絶縁膜ＩＬ１上に選択的に形成されている。例文帳に追加

A second interlayer insulating film IL2 is selectively formed on the first interlayer insulating film IL1. - 特許庁

その後層間絶縁膜（ＩＬＤ）１１０および金属内絶縁膜（ＩＭＤ）１１２が堆積される。例文帳に追加

Afterwards, a layer insulating film (ILD) 110 and an intra-metal insulating film (IMD) 112 are deposited. - 特許庁

この幕間は2つの楽章の間に入る例文帳に追加

This interludes intervenes between the two movements  - 日本語WordNet

幕間に奏される軽い音楽例文帳に追加

the light music that is played during an intermission of a play or other performance  - EDR日英対訳辞書

(上方の歌舞伎狂言で)幕あいの寸劇例文帳に追加

an interlude between parts of a Japanese kabuki-kyogen play  - EDR日英対訳辞書

話のつじつまがうまく合いすぎて,かえって不審である例文帳に追加

of talk, to be more coherent than usual  - EDR日英対訳辞書

多層コレステリック薄膜ＩＩの製造方法例文帳に追加

MULTILAYER CHOLESTERIC THIN FILM AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

上層電極dＢには陽極酸化で第１絶縁膜ＩＮＳ１とトンネル絶縁膜である第３絶縁膜ＩＮＳ３が成膜される。例文帳に追加

A first insulating film INS1 and a third insulating film INS3 which is a tunnel insulating film are formed as films on the upper electrode dB by anodic oxidation. - 特許庁

シリコン基板１上に第１配線用絶縁膜ＩＭ１を形成し、第１配線用絶縁膜ＩＭ１に配線溝ＴＭ１を形成する。例文帳に追加

An insulating film IM1 for first wiring is formed on a silicon substrate 1, and a wiring groove TM1 is formed in the insulating film IM1 for the first wiring. - 特許庁

第３の層間絶縁膜ＩＬ３は第１および第２の層間絶縁膜ＩＬ１、ＩＬ２上を覆うように形成され、かつ上面が平坦化されている。例文帳に追加

A third interlayer insulating film IL3 is formed to cover the first and second interlayer insulating films IL1 and IL2 and its top surface is flattened. - 特許庁

貴方は上手く相手から情報を聞くことが出来ると思う。例文帳に追加

I think that you listen to information from other people well.  - Weblio Email例文集

演劇またはオペラの幕間の演奏用に作られた短い器楽曲例文帳に追加

a short piece of instrumental music composed for performance between acts of a drama or opera  - 日本語WordNet

翌年、条約勅許問題では朝幕間の調停に努めた。例文帳に追加

The following year, he mediated between the imperial court and the bakufu on the issue of the imperial grant for concluding a treaty.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

絶縁膜Ｉ３内には、第３層配線Ｗ３が形成されている。例文帳に追加

In the insulation film I3, a third layer wiring W3 is formed. - 特許庁

第１の層間絶縁膜ＩＩ４の最上面ＩＳＦが平坦化される。例文帳に追加

An uppermost surface ISF of the first interlayer insulation film II4 is flattened. - 特許庁

上記絶縁膜ＩＩ４の表面には凹部ＴＲが形成されている。例文帳に追加

A recess TR is formed on the surface of the insulating film II4. - 特許庁

シリコン基板１上に高耐圧絶縁膜ＩＨ１を形成した後、高耐圧絶縁膜ＩＨ１の表面を削って膜厚を薄くし、高耐圧絶縁膜ＩＨ１と隣接するようにして中耐圧絶縁膜ＩＭ１を形成する。例文帳に追加

After a high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed on a silicon substrate 1, a surface of the high-breakdown-voltage insulating film IH1 is ground to decrease the thickness of the film, and an intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed adjacent to the high-breakdown-voltage insulating film IH1. - 特許庁

能や歌舞伎を観覧する人々が幕間（まくあい）にこの特製の弁当を食べていたため「幕の内弁当」と呼ばれるようになったという説が有力である。例文帳に追加

There is a theory that the name Makunouchi-bento comes from the fact that people who saw Noh and Kabuki (traditional drama performed by male actors) enjoyed this special bento during intervals (between acts), that is, Makuai, and this theory is widely accepted..  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

層間絶縁膜ＩＬは酸化シリコンを主体とする絶縁膜であり、特に、第２絶縁膜ＩＬ２はリンおよびホウ素を含み、第３絶縁膜ＩＬ３はリンを含む。例文帳に追加

The interlayer insulating film IL is an insulating film that is mainly made of silicon oxide, wherein especially the second insulating film IL2 contains phosphorus and boron, while the third insulating film IL3 contains phosphorus. - 特許庁

有機ＥＬ素子用の室温成膜した積層型透明導電膜（ＩＴＯ膜／金属膜／ＩＴＯ膜又は金属膜／ＩＴＯ膜）や非加熱下で形成したＩＴＯ膜上に酸化錫膜が表面層として設けられる。例文帳に追加

The tin oxide film is formed on the laminated transparent conductive film (ITO film/metal film/ITO film, or metal film/ITO film) formed at room temperature, or formed on the ITO film formed without heating, as a surface layer. - 特許庁

高耐圧絶縁膜ＩＨ１は、熱酸化法によって、シリコン基板１の主面より内側から外側に至るようにして形成し、中耐圧絶縁膜ＩＭ１は高耐圧絶縁膜ＩＨ１より薄くなるようにして形成する。例文帳に追加

The high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed through thermal oxidation from inside to outside of a principal surface of the silicon substrate 1, and the intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed so as to be thinner than the high-breakdown-voltage insulating film IH1. - 特許庁

本発明の塗装板は、基材の表面に、有機系樹脂を含む下層被膜（ＩＩＩ）と、無機成分を含む平均膜厚が１．０〜５．０μｍのバリア被膜（ＩＩ）と、無機・有機複合体中に光触媒を含有した平均膜厚が０．５〜４．０μｍの表層被膜（Ｉ）と、が順次積層されており、バリア被膜（ＩＩ）は、表層被膜（Ｉ）よりも軟質の被膜である。例文帳に追加

The barrier film (II) is a film softer than the surface layer film (I). - 特許庁

ＧａＮ結晶膜、ＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法例文帳に追加

GaN CRYSTAL FILM, AND III-FAMILY ELEMENT NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

絶縁膜ＩＬはオーミック電極ＯＭＥａ〜ＯＭＥｄの一部上に形成されている。例文帳に追加

The insulation film IL is formed on one part of the ohmic electrodes OMEa-OMEd. - 特許庁

配線ＩＣ２ａ〜ＩＣ２ｄは、絶縁膜ＩＬ上および配線ＩＣ１ａ〜ＩＣ１ｄ上に形成されている。例文帳に追加

The wirings IC2a-IC2d are formed on the insulation film IL and the wirings IC1a-IC1d. - 特許庁

また、薄膜の走査線上部電極ＧＬ−Ｈをトンネル絶縁膜ＩＮＳ２の上に成膜する。例文帳に追加

A thin film scanning line upper electrode GL-H is formed on a tunnel insulating film INS2. - 特許庁

Ｌｏｗ−ｋ膜ＩＩ２の上面に、パターニングされたハードマスク層ＨＭが形成される。例文帳に追加

A patterned hard mask layer HM is formed on the upper surface of a Low-k film II2. - 特許庁

バリア層ＢＲは層間絶縁膜ＩＬとＣｕ配線ＷＲとの間に設けられている。例文帳に追加

The barrier layer BR is provided between the interlayer insulating film IL and Cu wiring WR. - 特許庁

銅配線層ＣＬ１は層間絶縁膜ＩＩ２の表面の配線溝ＩＴ１内に形成されている。例文帳に追加

A copper interconnection layer CL1 is formed in an interconnection trench IT1, on the surface of an interlayer insulating film II2. - 特許庁

配線ＩＣ１ａ〜ＩＣ１ｄは、オーミック電極ＯＭＥａ〜ＯＭＥｄ上で絶縁膜ＩＬが形成されていない部分であって、絶縁膜ＩＬの側面に接触する位置に形成されている。例文帳に追加

The wirings IC1a-IC1d are formed on portions, where the insulation film IL is not formed on the ohmic electrodes OMEa-OMEd, and at positions which contact the side surface of the insulation film IL. - 特許庁

ハードマスク層ＨＭをマスクとしてＬｏｗ−ｋ膜ＩＩ２にエッチングが施されてＬｏｗ−ｋ膜ＩＩ２に配線用溝ＴＲが形成される。例文帳に追加

The Low-k film II2 is etched using the hard mask layer HM as a mask to form a groove TR for wiring layer on the Low-k film II2. - 特許庁

第２の層間絶縁膜ＩＬ２の半導体基板ＳＵＢの主表面からの最上部の位置が、第１の層間絶縁膜ＩＬ１の上記主表面からの最上部の位置よりも高い。例文帳に追加

The highest position of the second interlayer insulating film IL2 above the main surface of the semiconductor substrate SUB is higher than the highest position of the first interlayer insulating film IL1 above the main surface of the semiconductor substrate SUB. - 特許庁

基板Ｓ１には電極Ｅ１、絶縁膜ＩＳ１、安定化膜ＳＴ１が形成されており、絶縁膜ＩＳ１と安定化膜ＳＴ１の膜厚の合計を３００Å〜１５００Åの範囲とする。例文帳に追加

An electrode E1, an insulating film IS1 and a stabilizing film ST1 are formed on the substrate S1 and the total film thickness of the insulating film IS1 and the stabilizing film ST1 is 300-1,500 Å. - 特許庁

更に、第２絶縁膜ＩＬ２とシリコン基板１の主面ｆ１とは、第１絶縁膜ＩＬ１によって隔てられ、互いに接しないようにして形成されている。例文帳に追加

In addition, the second insulating film IL2 and the main top side f1 of the silicon substrate 1 are separated by the first insulating film IL1, being formed never to come in contact with each other. - 特許庁

高耐圧絶縁膜ＩＨ１は高耐圧ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜として、中耐圧絶縁膜ＩＭ１は中耐圧ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜として形成する。例文帳に追加

The high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed as a gate insulating film of a high-breakdown-voltage MIS transistor, and the intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed as a gate insulating film of an intermediate-breakdown-voltage MIS transistor. - 特許庁

透光性基板上に形成された酸化インジウム系透明導電膜（Ｉ）を下地として、その上に、酸化インジウム系透明導電膜を保護するための酸化亜鉛系透明導電膜（ＩＩ）、次いで凹凸性に優れた酸化亜鉛系透明導電膜（ＩＩＩ）が順次形成された三層積層構造とする。例文帳に追加

A transparent conductive film laminate has a three-layer laminated structure in which an indium oxide transparent conductive film (I) formed on a translucent substrate is used as a base, and a zinc oxide transparent conductive film (II) for protecting the indium oxide transparent conductive film and a zinc oxide transparent conductive film (III) having excellent concavo-convex properties are formed in sequence on the indium oxide transparent conductive film. - 特許庁