「りん化インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

リン化インジウム以外のインジウム化合物の発がん性は不明であるが、発がん性はインジウムに起因していると考えられる。例文帳に追加

Carcinogenicity of other compounds than indium phosphide is unknown but is thought indium as cause of carcinogen. - 厚生労働省

リン化インジウムナノ構造物の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF INDIUM PHOSPHIDE NANO STRUCTURE - 特許庁

酸化インジウム系スパッタリングターゲットの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING INDIUM OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET - 特許庁

リン化インジウムを直接合成する方法。例文帳に追加

To provide a method of directly synthesizing indium phosphide. - 特許庁

リン化インジウムナノチューブの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING INDIUM PHOSPHIDE NANO-TUBE - 特許庁

また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム又はリン化インジウムからなることが好ましい。例文帳に追加

The object to be polished is preferably of sapphire, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide, or indium phosphide. - 特許庁

酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法例文帳に追加

INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER, SPUTTERING TARGET USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER - 特許庁

マイクロコンタクト・プリンティングによるパターン化されたインジウム亜鉛酸化物フィルムおよびインジウムすず酸化物フィルムの形成方法例文帳に追加

METHOD FOR DEPOSITING INDIUM ZINC OXIDE FILM AND INDIUM TIN OXIDE FILM PATTERNED BY MICRO-CONTACT PRINTING - 特許庁

酸化インジウム亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化インジウム亜鉛系薄膜例文帳に追加

INDIUM-ZINC-OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND INDIUM-ZINC-OXIDE-BASED THIN FILM - 特許庁

酸化インジウム亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化インジウム亜鉛系薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide an indium-zinc-oxide-based sputtering target; a manufacturing method therefor; and an indium-zinc-oxide-based thin film. - 特許庁

炭素膜で被覆されたリン化インジウムナノワイヤー及びその製造方法例文帳に追加

INDIUM PHOSPHIDE NANOWIRE COVERED WITH CARBON FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

酸化インジウム粉末およびＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法例文帳に追加

INDIUM OXIDE POWDER AND METHOD FOR MANUFACTURING ITO SPUTTERING TARGET - 特許庁

燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。例文帳に追加

When dry etching of indium phosphide is performed, dry etching is performed by using etching gas including chlorine atoms and oxygen atoms, etch rate of indium phosphide gallium is reduced, selectivity of indium phosphide and indium phosphide gallium is increased, and microfabrication of an element is performed. - 特許庁

酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET CONTAINING INDIUM OXIDE - 特許庁

シリコン基板上にリン化インジウム層を形成する方法例文帳に追加

PROCESS FOR FORMING INDIUM PHOSPHIDE LAYER ON SILICON SUBSTRATE - 特許庁

①IARCではリン化インジウムとしての発がん性はグループ2Aと分類した。例文帳に追加

① IARC classified indium phosphide as Group 2A (probable) human carcinogen. - 厚生労働省

リン化インジウム粉末とインジウム粉末の混合物４を不活性ガス気流中で９５０℃〜１０５０℃に０．５時間〜０．８時間加熱してリン化インジウムナノワイヤーを合成する。例文帳に追加

Indium phosphide nanowires are synthesized by heating a mixture 4 of an indium phosphide powder and an indium powder at 950-1,050°C for 0.5-0.8 h in an inert gas stream. - 特許庁

ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップから水酸化インジウム又はインジウムを効率良く回収する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently recovering indium hydroxide or indium from a scrap containing high purity indium oxide generated at the manufacturing or after use of ITO sputtering target. - 特許庁

酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜例文帳に追加

INDIUM OXIDE-ZINC OXIDE-MAGNESIUM OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM - 特許庁

ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの原料化合物を効率よく低コストで処理する。例文帳に追加

To efficiently treat a raw-material compound, such as gallium arsenide, gallium phosphide and indium phosphide, at low cost. - 特許庁

酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット例文帳に追加

INDIUM OXIDE SINTERED COMPACT, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME - 特許庁

金属スズ含有酸化インジウム焼結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法例文帳に追加

METALLIC TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

あるいは、スパッタリングによる成膜で形成され、結晶質の酸化インジウムを主成分とし、タングステンを含む酸化物透明導電膜において、実質的に全てのタングステンが酸化インジウムのインジウムに対し置換されている。例文帳に追加

In the other way, film-formation is formed by spattering, and crystallized indium oxide is contained as essential component and in the oxide transparent conductive film containing the tungsten, substantially the whole tungsten is substituted to the indium in the indium oxide. - 特許庁

酸化インジウム中に酸化ジルコニウム０．１〜５重量％含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とするスパッタリングターゲット。例文帳に追加

In this sputtering target, 0.1-5 wt.% of zirconium oxide is included in indium oxide, and the zirconium oxide forms a solid solution in the indium oxide. - 特許庁

下地層は、酸化インジウム焼結体をターゲットとして直流スパッタリング法で成膜し、ＩＴＯ層は４重量％の酸化錫を含む酸化インジウム焼結体にアーク放電プラズマを照射して蒸着により成膜する。例文帳に追加

For the ITO transparent conductive film 21 an indium oxide layer 22 as a substrate and the ITO film 23 are laminated on the color filter 24. - 特許庁

従来のリン化インジウム基板上における高品質リン化インジウム薄膜成長による方法の特徴であるウエハサイズが小さく、脆く、且つ高価であるという固有の問題点を克服すること。例文帳に追加

To solve the problems inherent to a conventional process for growing a high-quality indium phosphide thin film on a indium phosphide substrate, such as smallness of a wafer and brittleness and expensiveness of the substrate. - 特許庁

ループアンテナは、透明性を有する導電性材料である酸化インジウムスズや、酸化インジウム亜鉛等をスパッタリング装置などで薄膜形成する。例文帳に追加

The loop antenna is film-formed with indium tin oxide or indium zinc oxide, which is a transparent conductive material, using a sputtering apparatus. - 特許庁

スパッタ時のノジュールの発生を抑制できる酸化インジウムスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム焼結体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an indium oxide sputtering target which can suppress the generation of nodules upon sputtering, and to provide an indium oxide sintered compact and a method for producing the same. - 特許庁

ＩＸＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップからインジウムを効率よく回収する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently recovering indium from high purity oxidized indium-containing scrap generated at the time of producing an IXO sputtering target or after its use. - 特許庁

ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップからインジウムを効率良く回収する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently recovering indium from high purity indium oxide-containing scrap generated at the time of producing an ITO sputtering target or after its use. - 特許庁

発光母体として硫化亜鉛又は、窒化ガリウム又は、燐化ガリウム又は、燐化インジウム、付活剤としてテルビウム、ユーロピウム等を使用する。例文帳に追加

Zinc sulfide, gallium nitride, gallium phosphide or indium phosphide is employed as the matrix, and terbium, europium, etc., are used as the activator. - 特許庁

炭素膜は化学的に安定なので、リン化インジウムナノワイヤーの酸化を防止して、性状が劣化することを防ぐ。例文帳に追加

The carbon film can prevent the deterioration of the properties of the indium phosphide nanowires by preventing the oxidation of them since it is chemically stable. - 特許庁

（二十）　アルミニウム、ガリウム若しくはインジウムの有機金属化合物又は燐、砒素若しくはアンチモンの有機化合物例文帳に追加

(xx) Organometallic compounds of aluminum, gallium, or indium, or organic compounds of phosphorus, arsenic, or antimony  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ＩＴＯ膜形成用酸化錫−酸化インジウム粉末及びＩＴＯ膜形成用スパッタリングターゲット例文帳に追加

TIN OXIDE-INDIUM OXIDE POWDER FOR FORMING ITO FILM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING ITO FILM - 特許庁

導電性接着剤において、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、熱可塑性樹脂と、カップリング剤と、インジウムフィラーとを含むこととした。例文帳に追加

The conductive adhesive comprises a thermoset resin, a curing agent, a thermoplastic resin, a coupling agent, and an indium filler. - 特許庁

酸化インジウム−酸化セリウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電膜の製造方法例文帳に追加

INDIUM OXIDE-CERIUM OXIDE BASED SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

または、封止剤であるＢ_2Ｏ_3に酸化インジウムおよび／または酸化リンを添加し、液体封止チョクラルスキー法でＩｎＰ単結晶を育成する。例文帳に追加

Or, indium oxide and/or phosphorus oxide is added to B2O3 as a sealing agent and the InP single crystal is grown by the liquid encapsulating Czochralski method. - 特許庁

製造方法として、酸化インジウムおよび／または酸化リンを含む原料を用いてＩｎＰ単結晶を育成する。例文帳に追加

The substrate is manufactured by growing an InP single crystal by using a source material containing indium oxide and/or phosphorous oxide. - 特許庁

下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target contains an oxide A shown below, and indium oxide (In_2O_3) having a bixbyite type crystallite structure. - 特許庁

強度の高い酸化インジウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high strength sputtering target of indium oxide-zinc oxide-based sintered compact and a method of manufacturing the same. - 特許庁

ターゲットのライフを伸ばすことができ、また、高密度なスパッタリングターゲットを得ることができる酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an indium oxide-tin oxide powder capable of extending the service life of a target and obtaining a high-density sputtering target, a sputtering target using it, and a method of manufacturing the indium oxide-tin oxide powder. - 特許庁

III−Ｖ族化合物半導体膜は、III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共に、Ｖ族元素として砒素、燐及び窒素を含む。例文帳に追加

The III-V compound semiconductor film contains gallium and indium as group III elements and arsenic, phosphorus, and nitride as group V elements. - 特許庁

第３の化合物半導体層２３ａ、２３ｂは、ガリウム元素、インジウム元素、窒素元素、砒素元素、及び燐元素を含む。例文帳に追加

The 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b contain gallium elements, indium elements, nitrogen elements, arsenic elements, and phosphorus elements. - 特許庁

酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットを、高い密度を維持して、かつ、高い生産効率で得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for obtaining a sputtering target containing indium oxide at high production efficiency while maintaining high density. - 特許庁

リン化インジウム材料に高濃度のシリコンをドーピングしたサブコレクタ層１２上にパッシベーション層１４が形成される。例文帳に追加

A passivation layer 14 is formed on a sub-collector layer 12 where silicon of high concentration is doped in an indium phosphide material. - 特許庁