「りん化インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

抵抗率が０．８〜１０×１０^-3Ωｃｍ程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、且つ絶縁性酸化物を含有する。例文帳に追加

The indium oxide sputtering gate for the highly resistant transparent conductive film to deposit the highly resistant transparent conductive film with the resistivity of about 0.8-10×10^-3Ω-cm contains indium oxide and tin oxide as necessary, and also contains an insulating oxide. - 特許庁

酸化インジウムと必要に応じて錫を含有すると共にバリウムを含有する酸化物焼結体を具備するスパッタリングターゲットを用いて成膜された透明導電膜であって、酸化インジウムと必要に応じて錫を含有すると共にバリウムを含有する。例文帳に追加

This is the transparent conductive membrane which is film-formed by using a sputtering target equipped with an oxide sintered body that contains indium oxide, and tin according to need, and which contains barium, and tin according to need, and contains barium. - 特許庁

スパッタリング法によるインジウムと亜鉛を含む酸化物の透明導電膜の製造方法であって、酸化インジウムと酸化亜鉛を主成分とするターゲットの表面の平行磁場強度を４００Ｏｅ（エルステッド）未満に保持してスパッタすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the transparent electroconductive film of an oxide containing indium and zinc by using a sputtering technique includes sputtering the target containing indium oxide and zinc oxide as main components while keeping the magnetic field in parallel to the target surface in a strength lower than 400 Oe (oersted). - 特許庁

酸化インジウム結晶中にＺｎが固溶した又は未固溶のＩｎリッチ相と酸化亜鉛結晶中にＩｎが固溶した又は未固溶のＺｎリッチ相の２相の組織を備えていることを特徴とするインジウム−亜鉛系酸化物からなるスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target composed of an indium zinc oxide has a two-phase structure consisting of an In-enriched phase where Zn is allowed or not allowed to enter into solid solution in an indium oxide crystal and a Zn-enriched phase where In is allowed or not allowed to enter into solid solution in a zinc oxide crystal. - 特許庁

結晶構造が、実質的にビックスバイト構造を示す酸化インジウムからなり、前記酸化インジウムにガリウム原子が固溶しており、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．１０〜０．１５である酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲット材とする。例文帳に追加

The oxide sintered body which is made of indium oxide whose crystal structure is substantially a bixbyite structure, has a gallium atom solid-dissolved in the indium oxide and has an atomic ratio Ga/(Ga+In) of 0.10 to 0.15, is used as a target material for sputtering. - 特許庁

かかる酸化ガリウム粉末は、酸化インジウム粉末との嵩密度の差が小さいため、酸化インジウム粉末などと混合した際に均一に混合させることができ、均質な混合焼結体、例えばスパッタリングターゲットを作製することができる。例文帳に追加

Since this gallium oxide powder has a bulk density whose difference from that of indium oxide powder is small, it can be mixed uniformly when it is mixed with indium oxide powder or the like, and a homogeneous mixed sintered compact, for example, a sputtering target, can be produced. - 特許庁

酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と、インジウム酸マグネシウム粉末及び／又はスズ酸マグネシウム粉末とを混合した混合物、又は、酸化インジウム−酸化スズ複合酸化物粉末と、インジウム酸マグネシウム粉末及び／又はスズ酸マグネシウム粉末とを混合した混合物を成形した後、焼結して得られる実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｍｇ及びＯからなる焼結体を用いてスパッタリングターゲットを構成する。例文帳に追加

The sputtering target is composed of a sintered body substantially consisting of In, Sn, Mg and O, which compacts a mixture of powders of indium oxide and tin oxide, and powders of magnesium indate and/or magnesium stanate, or a mixture of a composite oxide powder of indium oxide-tin oxide, and powders of magnesium indate and/or magnesium stanate, and then sintering the compact. - 特許庁

その後不活性ガス及びメタンガスを流しながら、引き続き、９５０℃〜１０５０℃に１０分〜３０分間加熱することにより、リン化インジウムナノワイヤーの表面に炭素膜を堆積させることで、リン化インジウムナノワイヤーを炭素膜で被覆する。例文帳に追加

Thereafter, each indium phosphide nanowire is covered with the carbon film by depositing the carbon film on the surface of each indium phosphide nanowire by subsequently heating the indium phosphide nanowires at 950-1,050°C for 10-30 min while making an inert gas and methane gas flow. - 特許庁

実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットであって、酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、又は酸化インジウム−酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、成形した後、焼結してなる焼結体を加工するＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を用いる。例文帳に追加

This Mg-containing ITO sputtering target has a composition consisting essentially of In, Sn, Mg and O and can be manufactured by using a method wherein indium oxide powder, tin oxide powder and basic magnesium carbonate powder are mixed or indium oxide - tin oxide powder and basic magnesium carbonate powder are mixed, formed and sintered and the resultant sintered body is subjected to working. - 特許庁

酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末、又は酸化インジウムー酸化スズ粉末と、水酸化マグネシウム粉末とを混合・成形した後、焼結してなる焼結体を加工することを特徴とする、実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲット／蒸着材の製造方法例文帳に追加

The Mg-containing ITO sputtering target and evaporation material, consisting essentially of In, Sn, Mg and O, can be manufactured by mixing an indium oxide powder and a tin oxide powder or an indium oxide - tin oxide powder with a magnesium hydroxide powder, compacting and sintering the resultant powder mixture, and fabricating the resultant sintered compact. - 特許庁

この課題は、インジウム、亜鉛およびガリウムの少なくとも１つの三元系混合酸化物を含有する、インジウム、亜鉛およびガリウムの酸化物の混合物を有するスパッタリングターゲットであって、インジウム、亜鉛およびガリウムの三元系混合酸化物の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも５０質量パーセントであり、且つ、アモルファス相の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも２０質量パーセントである、スパッタリングターゲットによって解決される。例文帳に追加

The sputtering target including a mixture of oxides of indium, zinc and gallium contains at least one ternary mixed oxide of indium, zinc, and gallium, in which the ratio of the ternary mixed oxide of indium, zinc and gallium is at least 50 mass% relative to the total mass of the mixture, and the ratio of an amorphous phase is at least 20 mass% relative to the total mass of the mixture. - 特許庁

酸化亜鉛及び酸化スズ、又は、酸化亜鉛、酸化スズ及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、金属又は合金がスパッタリングターゲット全体に分散して存在するスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target includes zinc oxide and stannic oxide, or includes zinc oxide, stannic oxide and indium oxide; and makes a metal or an alloy dispersed in the whole sputtering target. - 特許庁

透明導電膜等を形成するために使用されるＩＸＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛の複合酸化物）スパッタリングターゲットスクラップ又はＩＸＯスパッタリングターゲットの製造時に発生する研磨粉等のＩＸＯスクラップ中の不純物、特に亜鉛を効率良く除去し、高純度のインジウムを回収する。例文帳に追加

To remove impurities, particularly zinc in the scrap of an IXO (multiple oxide of indium oxide and zinc oxide) sputtering target used for depositing a transparent electroconductive film or the like or an IXO scrap such as abrasive powder generated at the time of producing an IXO sputtering target with high efficiency, and to recover indium having high purity. - 特許庁

酸化インジウム粉を含む金属酸化物の粉末を水に良好に分散させる分散剤を提供するとともに、酸化インジウムを含有し、かつ、密度の高いスパッタリングターゲットを、季節変動による製造環境の変化に左右されずに、高い生産効率で、効率的に製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dispersing agent which satisfactorily disperses the powder of a metal oxide including indium oxide powder, and to provide a method for efficiently producing a sputtering target comprising indium oxide and having high density at high productive efficiently without depending on the change of the production environment caused by the variation of the seasons. - 特許庁

酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末を含む混合粉末からなる原料粉末を焼成してスパッタリングターゲットを製造する際に、少なくとも酸化インジウムを１１００℃〜１３００℃で仮焼して原料の混合粉末とし、この混合粉末を前記仮焼した温度から１５０℃以上高い温度で焼成する。例文帳に追加

The method for manufacturing the sputtering target by firing a raw mixture powder containing an indium oxide powder and an stannic oxide powder comprises the steps of: calcining at least indium oxide at 1,100°C to 1,300°C; preparing the raw mixture powder by using the calcined powder; and firing the mixture powder at a temperature 150°C or higher than the calcination temperature. - 特許庁

なお、基板は、ＧａＡｓの他に、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）およびアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）のうちの少なくとも１種を含む混晶により構成する。例文帳に追加

Also, the substrate is configured of not only GaAs but also at least one type of aluminum arsenide (AlAs), indium phosphide (InP), gallium antimonide (GaP) and antimonide (GaSb). - 特許庁

（Ｃ）が、２０〜１００ｎｍの一次粒径を持ち、アルミニウムドープ酸化亜鉛、アンチモン酸亜鉛、アンチモンドープ酸化錫、インジウムドープ酸化錫、リンドープ酸化錫及び／又は酸化アンチモンが好ましい。例文帳に追加

The component (C) has 20-100 nm primary particle diameter, and is preferably aluminum-doped zinc oxide, zinc antimonate, antimony-doped tin oxide, indium-doped tin oxide, phosphorus-doped tin oxide and/or antimony oxide. - 特許庁

ポリエステル等のプラスチックフィルム、その上に設けられたインジウム−スズ複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛複合酸化物等の透明導電層、および透明導電層の上に設けられたポリチオフェン、ポリピロール及びポリアニリン等の導電性高分子層からなる、色素増感型太陽電池の対極。例文帳に追加

The counter electrode for the dye-sensitized solar cell is constructed of a plastic film such as polyester, indium-tin compound oxide (ITO) provided on it, a transparent conductive layer such as indium-zinc compound oxide, and a conductive polymer layer such as polythiophene, polypyrrole, and polyaniline provided on the transparent conductive layer. - 特許庁

透明基板上に、Ｓｎ含有酸化インジウム膜をスパッタリング法により形成する工程と、チャンバー中の酸素ガスのガス圧を３００Ｐａ以上とし、酸素ガスより生成したプラズマ中に、前記Ｓｎ含有酸化インジウム膜付き基板を曝露する工程とを、含むことを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法である。例文帳に追加

The manufacturing method of a substrate with a transparent conductive film includes: a step of depositing an Sn-containing indium oxide film on a transparent substrate by a sputtering method; and a step of exposing the substrate having the Sn-containing indium oxide film in plasma generated from gaseous oxygen while the gas pressure of gaseous oxygen in a chamber is ≥300 Pa. - 特許庁

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＺｎＧａ_２Ｏ_４で表される化合物及びＩｎＧａＺｎＯ_４で表される化合物含むスパッタリングターゲット。例文帳に追加

A sputtering target contains oxides of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a compound expressed as ZnGa_2O_4 and a compound expressed as InGaZnO_4. - 特許庁

直流スパッタリング可能な硫化亜鉛−ケイ素とチタンの複合酸化物−酸化インジウム系焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target for the formation of an optical logging protection film made of sintered bodies composed of zinc sulfide-silicic and titanic compound oxide-indium oxide, and capable of DC sputtering. - 特許庁

直流スパッタリング可能なカルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素−酸化インジウム系焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target for formation of an optical logging protection film which is made of zinc chalcogenide/silicon dioxide/indium oxide- based sintered compact and is capable of DC sputtering. - 特許庁

酸化インジウムと酸化錫を主成分とする焼結体であって、さらに酸化ケイ素又は酸化チタンの少なくとも一方を含有することを特徴とする高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target for a high resistance transparent, electroconductive film comprises a sintered compact consisting essentially of indium oxide and tin oxide, and contains at least either silicon oxide or titanium oxide as well. - 特許庁

ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、Ｇａ_2 Ｏ_3 とＩｎ_2 Ｏ_3 とＳｎＯ_2 との総量に対して、ガリウムをＧａ_2 Ｏ_3換算で０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ_2 Ｏ_3 換算で０．１〜３０モル％含有する透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The stannic-oxide based, transparent electroconductive film containing gallium and indium, includes gallium of 0.1-30 mol% as Ga2O3 and indium of 0.1-30 mol% as In2O3 against the total volume of Ga2O3, In2O3, and SnO2, and a manufacturing method, and a sputtering target are also provided. - 特許庁

ポルフィリン、クロリン、バクテリオクロリン、又はテトラピロール関連化合物とテクネチウム^99、ガドリニウム、インジウム^111や放射性ヨウ素のような放射性元素との化学的組合わせである組成物を用いる。例文帳に追加

A composition obtained by chemically bonding porphyrin, chlorin, bacteriochlorin or a tetrapyrrole-related compound with a radioactive element such as technetium99, gadolinium, indium111 or radioactive iodine is used. - 特許庁

金属亜鉛、酸化亜鉛及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、前記金属亜鉛がスパッタリングターゲット中で分散しているスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target comprises metal zinc, zinc oxide and indium oxide, wherein the metal zinc is dispersed into the sputtering target. - 特許庁

インジウム、錫、亜鉛、酸素を含有し、六方晶層状化合物、スピネル構造化合物及びビックスバイト構造化合物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target contains indium, tin, zinc and oxygen, and includes a hexagonal layered compound, a spinel structure compound and a bixbyite structure compound. - 特許庁

トップコート層１１に含有される金属粉末としては、鱗片状アルミニウム粉末１５や酸化スズ粉末及び酸化インジウム粉末からなる金属酸化物粉末１６を含む。例文帳に追加

As the metal powder contained in the topcoat layer 11, there is a scaly aluminum powder 15 or a metal oxide powder 16 comprising a tin oxide powder and an indium oxide powder. - 特許庁

β−アリールエチルアミン化合物とアルデヒド化合物とを、触媒量のイッテルビウムトリフラートまたはインジウムトリフラートの存在下で反応させることを特徴とする、テトラヒドロイソキノリン化合物の製造方法。例文帳に追加

This method for producing the tetrahydroisoquinoline compound comprises together reacting a β-arylethylamine compound and an aldehyde compound in the presence of a catalytic amount of ytterbium triflate or indium triflate. - 特許庁

低抵抗かつ高屈折率の透明導電酸化物膜を直流スパッタリング法により工業的に生産可能な酸化インジウムスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide an indium-oxide-based sputtering target with which a transparent electroconductive oxide film having low resistance and a high refractive index can be industrially produced by a direct-current sputtering technique. - 特許庁

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、新規酸化物結晶相を含む、外観が良好なスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。例文帳に追加

To provide an oxide for a sputtering target comprising an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn), comprising a new oxide crystal phase, and having satisfactory appearance. - 特許庁

透明導電膜の製造方法は、酸化インジウムを含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。例文帳に追加

In the method for producing a transparent conductive film, using a sputtering composite target comprising an oxide base component including indium oxide and carbon base components, a transparent conductive film is formed on the substrate. - 特許庁

実質的にＩＺＯスパッタリングターゲットとしての特性を損なうことなく酸化インジウム−酸化亜鉛の原料粉末からの工程の短縮を行い、生産性を向上させコストを低減できる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method which improves productivity and reduces a cost by curtailing a manufacturing process of indium oxide-zinc oxide from powder starting materials without essentially impairing the characteristics as an IZO sputtering target. - 特許庁

高速電子デバイスや光学デバイス用材料として有用な化学的に不活性な、炭素膜で被覆されたリン化インジウムナノワイヤー及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide indium phosphide nanowires each covered with a chemically inert carbon film, which are useful as a material for a high-speed electronic device or an optical device, and a method for producing the same. - 特許庁

ドープ形態の固有導電性重合体およびインジウムを含む化合物であって、該固有導電性重合体が、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、およびそれらの誘導体からなる群より選択される、化合物。例文帳に追加

This compound contains the intrinsic electroconductive polymer in the form of dope and indium, wherein the intrinsic electroconductive polymer is a compound selected from the group consisting of polyaniline, polythiophene, polypyrrole, and their derivatives. - 特許庁

電解質膜は、リン酸スズなどの無機プロトン伝導体と、当該無機プロトン伝導体を結着するインジウムスズ酸化物／リン酸複合体とを有する。例文帳に追加

This electrolyte membrane has an inorganic proton conductor such as tin phosphate, and an indium oxide/phosphoric acid complex which binds the inorganic proton conductor. - 特許庁

液体封止引上法、縦型ボート法又は横型ボート法により、再現性良く、且つ高収率で燐化インジウム単結晶を得ることを可能にする。例文帳に追加

To obtain an indium phosphide single crystal in a high yield with good reproducibility by a liquid encapsulating Czochralski method, a vertical boat method, or a horizontal boat method. - 特許庁

インジウム、錫及、亜鉛及び酸素を含有し、Ｘ線回折（ＸＲＤ）によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測されることを特徴とするスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target is characterized in that it contains indium, tin, zinc and oxygen and only a peak ascribed to a bixbyite structure compound is practically observed by X-ray diffraction (XRD). - 特許庁

前記（ａ）層はインジウムとスズとの酸化物からなり、これらの薄膜層は真空蒸着、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の手法による。例文帳に追加

The (a) layer is made of an oxide of indium and tin, and these thin film layers are formed by a technique of vacuum deposition, ion plating, sputtering or the like. - 特許庁

第１ループ回路は、ＣＭＯＳゲートを用いて実施され、第２ループ回路およびチューニング回路は、燐化インジウム・ゲートを用いて実施されている。例文帳に追加

A first loop circuit is implemented using CMOS gates, and a second loop circuit and the tuning circuit are implemented using indium phosphide gates. - 特許庁

直径１０μｍ以上の酸化スズの凝集粒子数が０．２７ｍｍ^2あたり１個以下である、実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体を有するスパッタリングターゲットを用いる。例文帳に追加

The sputtering target having a sintered compact which is composed essentially of indium, tin and oxygen and in which the number of agglomerated particles of tin oxide of ≥10 μm diameter is ≤1 piece/0.27 mm^2 is used. - 特許庁

インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）で構成される酸化物であり、各金属元素の原子比が、０．０４≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．５７、０．２９≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ）≦０．７３、０．０４≦Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．３３、の範囲にある焼結体スパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target of the sintered body is formed of an oxide including indium (In), tin (Sn) and nickel (Ni), in which an atom ratio of each metal element is in a range of 0.04≤In/(In+Sn+Ni)≤0.57, 0.29≤Sn/(In+Sn+Ni)≤0.73 and 0.04≤Ni/(In+Sn+Ni)≤0.33. - 特許庁

本発明は、シリコン基板上に高品質のエピタキシャルリン化インジウム層を形成する方法とこの方法によって形成された半導体デバイスを提供するものである。例文帳に追加

A process for forming the high-quality epitaxial indium phosphide layer on a silicon substrate can generate the relatively large (e.g. maximum diameter of 300 mm), high-quality indium phosphide film equipped with a relatively high mechanical stability provided by the silicon substrate. - 特許庁

触媒として酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化ゲルマニウム、酸化錫、酸化インジウムのうち少なくとも一種を用い、ナフトールとアルコールとを該アルコールが超臨界状態になる条件下で反応させるアルキル化ナフトールの製造方法。例文帳に追加

This method for producing an alkylated naphthol comprises using at least one kind of strontium oxide, calcium oxide, barium oxide, germanium oxide, tin oxide and indium oxide as a catalyst and reacting naphthol with an alcohol under a condition to make the alcohol in a supercritical state. - 特許庁

硫化亜鉛粉末とリン化インジウム粉末の混合物をグラファイト製容器に入れ、不活性ガスを流しながら、1250±50℃に50±20分間加熱して、硫化亜鉛ナノワイヤーの枝状部を有するリン化亜鉛ナノリボンを製造する。例文帳に追加

The mixture of zinc sulfide powder and indium phosphide powder is put in a graphite-made vessel and heated at 1,250±50°C for 50±20 minutes while making an inert gas flow in the graphite-made vessel to produce the zinc phosphide nanoribbon having the branch-shaped part of the zinc sulfide nanowire. - 特許庁