「シリコンナノ結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

シリコンナノ結晶構造体の作製方法及び作製装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SILICON NANO CRYSTAL STRUCTURE - 特許庁

シリコンナノ結晶構造体の形成方法及び形成装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SILICON NANO-CRYSTALLINE STRUCTURE - 特許庁

固相エピタキシル成長によって、きわめて簡単な工程で効率的に、複数のシリコンナノ結晶細線を有するシリコンナノ結晶材料を製造する方法及びそのシリコンナノ結晶材料を実現する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently manufacturing a silicon nano-crystal material having a plurality of silicon nano-crystal wires by a solid phase epitaxial growth in an extremely simple process, and to provide a silicon nano-crystal material by the method. - 特許庁

内部に球状のシリコンナノ結晶が点在する、発光材料として利用可能なシリコンナノワイヤを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon nanowire in which spherical silicon nanocrystals are scattered internally and which can be used as a luminescent material. - 特許庁

300℃以下の温度で結晶性のシリコンナノワイヤーが生成するシリコンナノワイヤーの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing silicon nanowires, by which crystalline silicon nanowires are formed at a temperature of ≤300°C. - 特許庁

シリコンナノ結晶を有する、希土類元素がドープされた酸化物前駆体を生成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING RARE EARTH ELEMENT-DOPED OXIDE PRECURSOR HAVING SILICON NANOCRYSTAL - 特許庁

シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化物ＥＬ装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon nanocrystal embedded silicon oxide EL device, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

各シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層は、約５〜３０％のシリコン過剰濃度を有する。例文帳に追加

Each silicon nanocrystal embedded SiOx film has a silicon excess concentration of about 5-30%. - 特許庁

シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜上には、透明上部電極を形成する。例文帳に追加

A transparent top electrode is formed over the plurality of silicon-embedded SiOx film layers. - 特許庁

該シリコンナノワイヤは、一次元構造の結晶シリコンナノワイヤにＯ^２＋イオンを注入してから不活性ガス雰囲気下にアニールしてその内部にシリコンナノ結晶を析出させ、その後、加熱と共に水素プラズマ処理することにより得られる。例文帳に追加

The silicon nanowire is obtained by implanting O^2+ ions into a crystalline silicon nanowire of a one-dimensional structure, depositing silicon nanocrystals within the nanowire by annealing the nanowire in an inert gas atmosphere, and carrying out hydrogen plasma treatment with heating. - 特許庁

酸素あるいは窒素で終端されたシリコンナノ結晶構造体の形成方法とこれにより形成された酸素あるいは窒素で終端されたシリコンナノ結晶構造体例文帳に追加

PROCESS FOR FORMING SILICON NANOCRYSTAL STRUCTURE TERMINATING IN OXYGEN OR NITROGEN AND THE SILICON NANOCRYSTAL STRUCTURE FORMED THROUGH THE SAME - 特許庁

シリコンナノ結晶の作製方法、シリコンナノ結晶、フローティングゲート型メモリキャパシタ構造の作製方法、及びフローティングゲート型メモリキャパシタ構造例文帳に追加

SILICON NANO CRYSTAL, MANUFACTURING METHOD THEREOF FLOATING-GATE MEMORY CAPACITOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

金属（Ｍ）とシリコン（Ｓｉ）の合金を、熱処理によってシリコンナノ結晶と金属シリサイド化合物ナノ結晶に相分離させ、直径１０ｎｍ以下のシリコンナノ結晶と金属シリサイドのナノ結晶が凝集しているシリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶凝集半導体材料を製造する。例文帳に追加

The method includes subjecting an alloy of metal (M) and silicon (Si) to phase separation through a heat treatment into silicon nanocrystals and metal silicide compound nanocrystals, and thereby manufacturing silicone nanocrystals and a metal silicide nanocrystals aggregated semiconductor material in which silicon nanocrystals having a diameter of 10 nm or less and metal silicide nanocrystals are aggregated. - 特許庁

本発明は、ナノ結晶の粒径制御性、薄膜内充填密度及び終端安定性に優れたシリコンナノ結晶構造体を低温（６００℃以下）のドライプロセスのみで生産性よく作製可能な新規なシリコンナノ結晶構造体の作製方法及び装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method and a device for manufacturing a novel silicon nano crystal structure which can manufacture a silicon nano crystal structure which is excellent in the grain diameter controllability of a nano crystal, charge density in a thin film and termination stability with good productivity only in a dry process at a low temperature (600°C or below). - 特許庁

基板と、前記基板上に具備された第１^＋＋型多結晶シリコン層と、前記第１^＋＋型多結晶シリコン層から成長した第１型シリコンナノワイヤを含む第１型シリコンナノワイヤ層と、前記第１型シリコンナノワイヤ層が具備された基板上に具備された真性層と、前記真性層上に具備された第２型ドーピング層と、を含む太陽電池が提供される。例文帳に追加

The solar cell is provided which includes: a substrate; a first^++ type polycrystalline silicon layer equipped on the substrate; a first type silicon nano-wire layer including a first type silicon nano-wire grown from the first^++ type polycrystalline silicon layer; an intrinsic layer provided on the substrate having the first type silicon nano-wire layer; and a second type doping layer equipped on the intrinsic layer. - 特許庁

高量子効率シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化物を用いた光導波路および光増幅方法例文帳に追加

OPTICAL WAVEGUIDE USING HIGH QUANTUM EFFICIENCY SILICON NANOCRYSTAL EMBEDDED SILICON OXIDE, AND OPTICAL AMPLIFYING METHOD - 特許庁

エルビウムドープシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化物導波路およびその製造方法、並びにそれを備えた集積回路例文帳に追加

ERBIUM-DOPED SILICON NANOCRYSTALLINE-EMBEDDED SILICON OXIDE WAVEGUIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME - 特許庁

傾斜接合シリコンナノ結晶を有するシリコン酸化物を備えた発光装置およびその製造方法例文帳に追加

LIGHT EMITTING DEVICE WITH SILICON OXIDE EMBEDDED WITH GRADED JUNCTION SILICON NANOCRYSTAL, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

多層のシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層は、ＨＤＰＥＣＶＤプロセスにより堆積する。例文帳に追加

The plurality of silicon nanocrystal embedded SiOx film layers are deposited using a high density plasma-enhanced chemical vapor deposition (HD PECVD) process. - 特許庁

本発明は、表面に欠陥が少なく安定性の高い絶縁層を有するとともに、結晶性に優れたシリコンナノ結晶粒を形成することができ、しかも結晶の粒径制御性、充填密度に優れ、かつドライプロセスのみで生産性よく形成可能なシリコンナノ結晶構造体の作製方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon nano-crystal structure by which silicon nano-crystal grains each having an insulation layer having less defects and high stability on the surface, and having excellent crystallinity can be formed, and further, the grain diameter controllability and packing density of the crystals are excellent, and the formation thereof can be performed with high productivity only by a dry process. - 特許庁

シリコン集積回路の製造プロセスを用いてシリコン基板上に作製可能であって、発光効率が高く、形成されたシリコンナノ結晶構造体の表面を確実に酸素または窒素で終端させて、酸素又は窒素で終端されたシリコンナノ結晶の粒径を１〜２ｎｍの精度で制御でき、かつ、その単位面積あたりの密度を増加させることができ、簡便にかつ安価にシリコンナノ結晶構造体を製造する。例文帳に追加

To easily and inexpensively form a silicon nanocrystal structure terminating in oxygen or nitrogen which can be formed on a silicon substrate employing a process for manufacturing a silicon integral circuit and shows a high luminous efficiency wherein particle size of the silicon nanocrystals can be controlled to an accuracy of 1-2 nm and density per unit area can be increased by surely terminating the surface of the formed structure by oxygen or nitrogen. - 特許庁

結晶性を高めるとともに、表面荒れが抑制された酸素で終端されたシリコンナノ結晶構造体のアニール方法と基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an annealing method of a silicon nano-crystal structure which is terminated with oxygen, in which crystallinity is enhanced and surface roughness is suppressed, and to provide a manufacturing method of a substrate. - 特許庁

中間バンドギャップ遷移層を有するシリコンナノ結晶含有酸化シリコン膜を備えた電界発光素子の製造方法および電界発光素子の操作方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF ELECTROLUMINESCENT ELEMENT EQUIPPED WITH SILICON NANOCRYSTAL EMBEDDED SILICON OXIDE FILM HAVING MID-BANDGAP TRANSITION LAYER, AND OPERATION METHOD OF ELECTROLUMINESCENT ELEMENT - 特許庁

本発明のＥＬ装置の製造方法は、基板底部電極の形成、および、基板底部電極上へのシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層（ＳｉＯｘ膜層：ｘは０より大きく２未満）の多層形成を含む。例文帳に追加

The manufacturing method of the EL device includes formation of a substrate bottom electrode, and formation of a plurality of silicon nanocrystal embedded silicon oxide layers (SiOx film layer: x is larger than 0 and less than 2) on the substrate bottom electrode. - 特許庁

次いで、好ましくはシリコン基板１１を４００〜８００℃に加熱した状態で、アモルファスシリコン層１３をシランガスに暴露して、高密度化及び微細化されたシリコンナノ結晶１４を形成する。例文帳に追加

Subsequently, the amorphous silicon layer 13 is exposed to silane gas under a condition that the silicon substrate 11 is heated to 400-800°C preferably to form the highly dense and fine silicon nano crystal 14. - 特許庁

本発明の太陽電池は、液体シリコン前駆体に結晶質シリコンナノ粒子を分散し、基板１０３上に塗布又は印刷した後、熱処理して液体シリコン前駆体を非晶質シリコン１０４に変形させて形成する。例文帳に追加

The solar cell is manufactured by: dispersing crystalline silicon nanoparticles in a liquid silicon precursor; coating the dispersion on a substrate 103 or printing the substrate with the dispersion; and heating the coated or printed substrate to modify the liquid silicon precursor into amorphous silicon 104. - 特許庁

反応性の単分子膜で被覆したシリコンナノ微粒子を用いたシリコンペーストを選択的に塗布し、レーザー照射することにより、単分子膜を分解除去し、微粒子から再結晶化されたポリシリコン薄膜を用いてＴＦＴを形成することを特徴とする。例文帳に追加

To provide a TFT, and the like, formed by selectively applying silicon paste using silicon nano fine particles coated by a reactive single molecular film, decomposing and removing the single molecular film by having laser irradiated, and by using a recrystallized polysilicon thin film from the fine particles. - 特許庁

酸素で終端されたシリコンナノ結晶構造体を、９５０℃以上１２５０℃以下、かつ、窒素また希ガスから選ばれる第一のガスと酸素との混合ガスが、前混合ガスに対する酸素の濃度が１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であるガス雰囲気下でアニール処理する。例文帳に追加

The silicon nano-crystal structure which is terminated with oxygen, is annealed at 950°C or above and 1,250°C or below and under gas atmosphere in which the concentration of oxygen to a mixed gas of first gas selected from nitrogen or noble gas and oxygen is 10 ppm or higher and 100 ppm or less. - 特許庁

その後、高周波電界の印加を中止し、プラズマ処理チェンバ内を酸化性ガス雰囲気あるいは窒化性ガスの雰囲気に置き換え、再び、高周波電界を印加して前記の基板上に形成されているシリコン薄膜のプラズマ酸化処理あるいはプラズマ窒化処理を行うシリコンナノ結晶構造体の形成方法。例文帳に追加

Then, the silicon thin film is subjected to plasma oxidation or plasma nitriding treatment by discontinuing the application of the high-frequency electric field, replacing the atmosphere inside the chamber with an oxidizing or nitriding gas atmosphere and resuming the application of the high-frequency electric field. - 特許庁

電子ビームを用いた極微細パターンを形成する必要なく、簡単な方法で単結晶シリコンナノワイヤを形成し、基板から分離されたナノワイヤを他の酸化膜又は絶縁膜が形成されたシリコン基板などに転写させることで複雑なナノワイヤ位置合わせ工程やＳＯＩウエハーが不要な低コストの半導体ナノワイヤ素子を大量に製造することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a large quantity of semiconductor nano wire elements eliminating a complicated nano wire positioning step and an SOI wafer at a low cost, with no necessity of forming an extremely fine pattern using electronic beams, and by forming a single crystal silicon nano wire by an easy method, transferring the nano wire separated from a substrate onto an other oxide film or a silicon substrate formed with an insulating film. - 特許庁