「バンドギャップ半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

精密なワイドバンドギャップ半導体のエッチング例文帳に追加

PRECISE ETCHING OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体縦型ＭＯＳＦＥＴ例文帳に追加

WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体デバイス用ゲート駆動部例文帳に追加

GATE DRIVE FOR WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

バンドギャップ回路及びこれを具備する半導体装置例文帳に追加

BAND GAP CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE SAME - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ワイドバンドギャップ逆阻止ＭＯＳ型半導体装置例文帳に追加

WIDE BANDGAP REVERSE BLOCK MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体装置とその製造方法例文帳に追加

WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

このコンタクト層３がｐ形クラッド層４のバンドギャップとｐ形半導体層２のバンドギャップとの間のバンドギャップを有し、順次バンドギャップが変化する勾配を有するように形成されている。例文帳に追加

The contact layers 3 are formed, so that the layers 3 have band gaps which lie between those of the clad layer 4 and semiconductor layer 2 and the band gaps have a successively changing gradient. - 特許庁

浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップは、半導体基板のバンドギャップより小さいことが好ましい。例文帳に追加

Band gap of a semiconductor material forming the floating gate is preferably smaller than the band gap of the semiconductor substrate. - 特許庁

浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップは、半導体層のバンドギャップより小さいことが好ましい。例文帳に追加

Band gap of a semiconductor material forming the floating gate is preferably smaller than the band gap of the semiconductor layer. - 特許庁

第３のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは、第１のIII族窒化物系半導体のバンドギャップより大きい。例文帳に追加

A band gap of the third group III nitride system semiconductor is larger than a band gap of the first group III nitride system semiconductor. - 特許庁

第２の半導体層１３ｂは、第１の半導体層１３ａにおける最小のバンドギャップも大きいバンドギャップを有する。例文帳に追加

The second semiconductor layer 13b has a band gap larger than the smallest band gap in the first semiconductor layer 13a. - 特許庁

第２のIII族窒化物半導体材料のバンドギャップＥ１５は第１のIII族窒化物半導体材料のバンドギャップＥ１３より大きい。例文帳に追加

The band gap E15 of a second group III nitride semiconductor material is larger than the band gap E13 of a first group III nitride semiconductor material. - 特許庁

第３のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは、第２のIII族窒化物系半導体のバンドギャップ以上である。例文帳に追加

A band gap of the third group III nitride system semiconductor is larger than a band gap of the second group III nitride system semiconductor. - 特許庁

そして、第１の半導体領域（領域４ｂ）は、そのバンドギャップが第２および第３の半導体領域（領域４ｃ）のバンドギャップよりも小さい。例文帳に追加

Then the band gap of the first semiconductor region 4b is smaller than those of the second and third semiconductor regions 4c. - 特許庁

バンドギャップレファレンス回路及び同回路を有する半導体装置例文帳に追加

BAND GAP REFERENCE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE CIRCUIT - 特許庁

１．７ｅＶ前後のバンドギャップを有する化合物半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor having a band gap of approximately 1.7 eV. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体縦型ＭＯＳＦＥＴとその製造方法。例文帳に追加

WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

バンドギャップが広いことを特徴とする有機半導体化合物例文帳に追加

ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUND WITH WIDE BAND GAP - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体は、ｎ型３Ｃ−ＳｉＣ又はＧａＮである。例文帳に追加

The wide-band gap semiconductor is formed of n-type 3C-SiC or GaN. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE HAVING LAMINATED WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）との界面における傾斜バンドギャップ層（２４）のバンドギャップは、実質的にＩＩＩ−Ｖ族半導体層のバンドギャップに等しい。例文帳に追加

The band gap of th inclined band gap layer 24 located on the interface of the III-V group semiconductor layer 22 is substantially equal to the band gap of the III-V group semiconductor layer. - 特許庁

ＺｎＯ系半導体層は、可視光の発光ピーク波長を持ち、ＺｎＯのバンドギャップと同等なバンドギャップを持つ。例文帳に追加

A ZnO based semiconductor layer has an emission peak wavelength in visible light, and has a band gap equivalent to that of ZnO. - 特許庁

III−Ｖ族化合物半導体層１４のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ２）は、ＧａＡｓ基板１２のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１）よりも大きい。例文帳に追加

The band gap energy (Eg2) of the group third-fifth compound semiconductor layer 14 is larger than the band gap energy (Eg1) of the GaAs board 12. - 特許庁

上記第２半導体膜は、第１エネルギーバンドギャップよりも大きな第２エネルギーバンドギャップを有している。例文帳に追加

The second semiconductor film has a second energy band gap larger than the first energy band gap. - 特許庁

III族窒化物結晶層１５のバンドギャップＥ（１５）は窒化ガリウム半導体層のバンドギャップＥ（ＧａＮ）より大きい。例文帳に追加

A band gap E(15) of the group-III nitride crystal layer 15 is larger than a band gap E(GaN) of the gallium nitride semiconductor layer. - 特許庁

電流狭窄層１６のバンドギャップは、ｐ型半導体領域１８のバンドギャップより大きい。例文帳に追加

The band gap of the current constricting layer 16 is larger than that of the p-type semiconductor region 18. - 特許庁

バリア層２６は、隣接し下にある半導体層２４のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する。例文帳に追加

The barrier layer 26 has a wider bandgap than the bandgap of the conductor layer 24 which is adjacent to and under the barrier layer. - 特許庁

また、半導体４は、バンドギャップが小さくなるようバンドギャップ低減処理が施されているのが好ましい。例文帳に追加

Furthermore, the semiconductor 4 is preferably processed by band-gap reduction, so that its band gap becomes small. - 特許庁

ｉ型半導体領域２３はｎ型半導体領域２１とｐ型半導体領域２２との間に設けられており、ｉ型半導体領域２３のバンドギャップは、ｎ型半導体領域２１のバンドギャップ及びｐ型半導体領域２２のバンドギャップより小さい。例文帳に追加

The i-type semiconductor region 23 is attached between the n-type semiconductor region 21 and the p-type semiconductor region 22, and a bandgap of the i-type semiconductor region 23 is smaller than that of each of the n-type semiconductor region 21 and the p-type semiconductor region 22. - 特許庁

半導体のバンドギャップ見積もり方法、半導体シミュレーション方法及び記録媒体例文帳に追加

BAND GAP ESTIMATING METHOD FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR SIMULATION METHOD AND RECORDING MEDIUM - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を用いた絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE USING WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

発光領域に比べてバンドギャップが広い窓領域を有する窓構造の半導体レーザ素子において、裏面側窓領域のバンドギャップを、前面側窓領域のバンドギャップよりも狭くする。例文帳に追加

A band gap of a rear side window region is made narrower than that of a front side window region in the semiconductor laser element with a window structure having a window region whose band gap is wider than a light emitting region. - 特許庁

共ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。例文帳に追加

The bandgap of the co-doped MgZnO layer 3 is formed so as to be larger than the bandgap of the undoped ZnO layer 2 which is the smallest bandgap in the semiconductor layer other than the co-doped layer. - 特許庁

Ｎｉを使用して基板とワイドバンドギャップ半導体とのショットキー接合を行っている。例文帳に追加

The substrate and the wide-band gap semiconductor compose a Schottky junction, using Ni. - 特許庁

モータ制御装置（10）は、スイッチ素子（14）がワイドバンドギャップ半導体素子である。例文帳に追加

In the motor controller (10), the switch element (14) is a wide band gap semiconductor element. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体としては、ＳｉＣ、ＧａＮ、またはダイヤモンドを用いることができる。例文帳に追加

As the wide band gap semiconductor, SiC, GaN or diamond can be used. - 特許庁

化合物半導体である混晶系の組成比を変えることでバンドギャップを制御する。例文帳に追加

The band gap is controlled by changing the composition ratio of a mixed crystal system of a compound semiconductor. - 特許庁

光子バンドギャップ材料と蛍光材料を含んでいる半導体発光素子例文帳に追加

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT COMPRISING PHOTONIC BAND GAP MATERIAL AND FLUORESCENT MATERIAL - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体における常時オフ集積ＪＦＥＴ電源スイッチおよび作成方法例文帳に追加

NORMALLY-OFF INTEGRATED JFET POWER SWITCHES IN WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS AND METHODS OF MAKING THE SAME - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体材料からなる基板へのオーミック接続形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ohmic connection forming method to a substrate consisting of a wideband gap semiconductor material. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体に存在する深いトラップ準位を室温におて評価する。例文帳に追加

To evaluate, at room temperature, the level of a deep trap existing in a wide band gap semiconductor. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体における、オーミックコンタクト抵抗を低減することを目的とする。例文帳に追加

To reduce an ohmic contact resistance in a wide band gap semiconductor. - 特許庁

常時オフＶＪＦＥＴ集積電源スイッチを含むワイドバンドギャップ半導体デバイスの提供。例文帳に追加

To provide wide bandgap semiconductor devices including normally-off VJFET integrated power switches. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体からなる母体半導体１１が、ＩＩＩ族窒化物半導体のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する酸化物からなる外層１３により被覆されている蛍光体。例文帳に追加

This fluorophor is characterized by covering a matrix semiconductor 11 comprising a group III element nitride semiconductor with an outer layer 13 comprising an oxide having a larger handicap than the handicap of the group III element nitride semiconductor. - 特許庁