「バンドギャップ半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

温度が変動してもそのバンドギャップをほぼ一定の状態に保持することができ、しかも製造が容易な混晶半導体とその製造方法およびそれを用いた半導体レーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a mixed-crystal semiconductor which can maintain a band gap to almost the constant condition even if temperature varies and can be manufactured easily, and also to provide a method of manufacturing the same and a semiconductor laser using the same. - 特許庁

第１の酸化物半導体膜及び、第１の酸化物半導体膜に接して第１の酸化物半導体膜よりバンドギャップが大きい第２の酸化物半導体膜の積層構造を有する層を酸化物半導体層として用いた。例文帳に追加

A semiconductor device includes as an oxide semiconductor layer, a layer with a multilayer structure including a first oxide semiconductor film and a second oxide semiconductor film with a larger band gap than the first oxide semiconductor film and in contact with the first oxide semiconductor film. - 特許庁

半導体装置は、基板１１の上に基板１１側から順次形成された第１の窒化物半導体層１３Ａ及び第１の窒化物半導体層１３Ａと比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１３Ｂを含む半導体層積層体１３を備えている。例文帳に追加

The semiconductor device includes a semiconductor layer laminate 13 including a first nitride semiconductor layer 13A and a second nitride semiconductor layer 13B which has a greater band gap than the first nitride semiconductor layer 13A, formed on a substrate 11 in sequence from the side of the substrate 11. - 特許庁

当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれる電子供与体（ドナー）となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもバンドギャップが大きい。例文帳に追加

The stacked body of the oxide semiconductor has a wider band gap than that of a silicon semiconductor. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体材料の基板１上に、組成比で９０％以上の二酸化珪素膜を母体とし且つ１０％以下の窒素で主に構成される絶縁膜４を形成した絶縁膜構造体であって、絶縁膜４とワイドバンドギャップ半導体材料基板１との界面近傍において、珪素組成比、及び、炭素組成比が急激に変化する遷移領域を有する。例文帳に追加

In the insulating film structure formed with, on a substrate 1 of a wideband gap semiconductor material, an insulating film 4 using a silicon dioxide film ≥90% at a composition ratio as a matrix, and mainly formed of nitrogen ≤10% includes a transition region where a silicon composition ratio and a carbon composition ratio rapidly change in the vicinity of an interface between the insulating film 4 and the wideband gap semiconductor material substrate 1. - 特許庁

上記シリコンデバイス（11）及びワイドバンドギャップ半導体デバイス（12）は、該シリコンデバイス（11）で発生した熱を流体の強制対流の上流側で放熱し、該ワイドバンドギャップ半導体デバイス（12）で発生した熱を上記流体の強制対流の下流側で放熱するように設けられている。例文帳に追加

The silicon device (11) and the wideband gap semiconductor device (12) are provided so as that heat generated in the silicon device (11) is radiated at the upper stream side of the forced convection of the fluid and so as that heat generated in the wideband gap semiconductor device (12) is radiated at the lower stream side of the forced convection of the fluid. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルの電極にサステインパルス電圧を供給するサステイン回路を備え、このサステイン回路に、シリコン半導体に比べてバンドギャップが広いシリコンカーバイト（ＳｉＣ）、ダイヤモンド、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などのワイドバンドギャップ半導体で作られたスイッチング素子を用いる。例文帳に追加

This plasma display device is provided with the sustaining circuit supplying a sustaining pulse voltage to electrodes of a plasma display panel and switching elements which are made of a wide band-gap semiconductor such as silicon carbide (SiC), diamond, gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO) whose band gaps are wider as compared with that of a silicon semiconductor are used in the sustaining circuit. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体層上に形成されるオーミック電極を有する電子デバイスであって、高温かつ短時間のアニール処理によっても、従来のオーミック電極並に低いコンタクト抵抗を有するオーミック電極を備えた、小型・高性能のワイドバンドギャップ半導体電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a small-sized high-performance wide band gap semiconductor electronic device which has an ohmic electrode that is formed on a wide band gap semiconductor layer and that has contact resistance as low as that of a conventional ohmic electrode even when subjected to an annealing process under a high temperature for a short time. - 特許庁

ｐ型オーミック電極にＳｅ層を有することにより、ＳｅのフェルミレベルＥｆとワイドバンドギャップｐ型半導体の価電子帯との障壁Φｂが最も低い構成となり、ワイドバンドギャップのｐ型半導体に従来の高い仕事関数を有する金属層を設けたものよりもはるかに低い抵抗を有するオーミックコンタクトを実現することが可能となる。例文帳に追加

A p-type ohmic electrode is provided with an Se layer to maximally lower a barrier Φb of an Se Fermi level Ef and a wide band gap p-type semiconductor valence, so that the wide band gap p-type semiconductor can have an ohmic contact with a resistance far lower than that of a conventional ohmic electrode provided with a metal layer having a high work function. - 特許庁

バンドギャップエネルギーが４００nm以下の波長範囲にあるｎ−型光半導体粒子をポリシロキサンと混合し、該半導体のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを有する波長の光を照射してポリシロキサンを架橋させた可視光領域に特定の光吸収帯を有さない光学用ポリシロキサン。例文帳に追加

There is provided an optical polysiloxane having no specific light-absorption band in the visible light range, which is formed by mixing a polysiloxane with n-type photosemiconductor particles whose band gap energy is in the wavelength range of below 400 nm and crosslinking the polysiloxane by irradiating light of a wavelength having an energy above the band gap energy of the semiconductor. - 特許庁

半導体素子は、エピタキシャル成長で形成された半導体層１１と、この半導体層１１上にエピタキシャル成長で形成され、半導体層１１より広いバンドギャップを有する酸化物障壁層１２とから成る積層構造を備えている。例文帳に追加

The semiconductor device is provided in a multilayered structure, which consists of the semiconductor layer 11 formed by epitaxial growth and an oxide barrier layer 12 which is formed on the semiconductor layer 11 by epitaxial growth, and has a larger band gap than the semiconductor layer 11. - 特許庁

本発明による半導体素子の製造方法は、ハロゲン族元素を含むガスを用いてワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層１２の表面を清浄化する工程（Ａ）と、半導体層１２の表面に酸化物層１４を形成する工程（Ｂ）とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor element comprises a process (A) of cleaning the surface of the semiconductor layer 12 consisting of a wide band gap semiconductor using gas containing a halogen group element, and a process (B) of forming an oxide layer 14 on the surface of the semiconductor layer 12. - 特許庁

負荷を直接駆動する半導体素子を含む電力増幅部を備えたオーディオアンプにおいて、前記半導体素子は、バンドギャップエネルギーの大きさが１．９ｅＶ以上、望ましくはさらにホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）のうち少なくとも１つの元素を含む半導体材料により構成された半導体素子を用いる。例文帳に追加

The audio amplifier has a power amplifier including a semiconductor device for directly driving the load. - 特許庁

半導体装置１００は、バンドギャップを異にする窒化物半導体層６、１０が積層されている半導体積層部１１を有しており、半導体積層部１１が素子領域１００ａと素子領域１００ａの周囲に形成されている素子分離領域１００ｂを備えている。例文帳に追加

A semiconductor device 100 has a semiconductor multilayer portion 11 where nitride semiconductor layers 6 and 10 having different band gaps are laminated, and the semiconductor multilayer portion 11 has an element region 100a and an element isolation region 100b formed around the element region 100a. - 特許庁

トランジスタを形成するための半導体材料としてシリコン半導体よりも禁制帯幅（バンドギャップ）の広い半導体材料を用い、好ましくは、かかる半導体材料のキャリア供与体となる不純物の濃度を低減することでオフ電流の低減を図る。例文帳に追加

A semiconductor material whose band gap is larger than that of a silicon semiconductor is used for a semiconductor material for forming the transistor, and preferably, the concentration of an impurity which serves as a carrier donor of the semiconductor material is reduced, thereby reducing the off-current. - 特許庁

ゲート電極直下の半導体層（ｐ^+-ＡlＧaＮ層６）を、他の半導体層（ｎ-ＡlＧaＮ層５）を形成する半導体材料よりもバンドギャップの大きい半導体材料、例えばＡlＧaＮを用いて、縦型構造のＧＴＯやＩＧＢＴからなるパワーデバイスを実現する。例文帳に追加

Related to a semiconductor layer (p+-AlGaN layer 6) just below a gate electrode, a semiconductor material whose band gap is larger than that forming other semiconductor layer (n-AlGaN layer 5), for example AlGaN, is used to provide a power device comprising GTO and IGBT of vertical structure. - 特許庁

第一の半導体材料としての炭化珪素半導体基体１００と、この炭化珪素半導体基体１００上の第一主面側に、炭化珪素とはバンドギャップの異なる第二の半導体材料として、Ｎ−型の多結晶シリコンからなるＮ−型多結晶シリコン層３Ａが形成される。例文帳に追加

This semiconductor device is provided with a silicon carbide semiconductor substrate 100 as a first semiconductor material, and an n-type multi-crystal silicon layer 3A constituted of n-type multi-crystal silicon as second semiconductor materials whose band gap is different from that of silicon carbide on the first main face side of the silicon carbide semiconductor substrate 100. - 特許庁

また、少なくとも一部が第２の半導体領域に接続され、第１の半導体領域に挟まれて形成され、第２の半導体領域より幅の狭い、複数の第２導電型の第３のワイドバンドギャップ半導体領域３２を備えている。例文帳に追加

The semiconductor rectifier device also includes a plurality of third wideband gap semiconductor regions 32 of the second conductivity type, at least a portion of which is connected to the second semiconductor regions, which is formed on a region sandwiched by the first semiconductor regions, and whose width is narrower than that of the second semiconductor region. - 特許庁

本発明は、所定のバンドギャップを有する第１の半導体層と、これと同一又はこれより大きなバンドギャップを有する第２の半導体層とを互いに接合してなる半導体素子において、第１の半導体層から第２の半導体層へ、接合障壁を越えて少数キャリアとして漏れて行くオーバーフローキャリアを、少ない不純物添加濃度において抑圧することが可能な半導体素子および半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To suppress an overflow carrier being leaked, as a minor carrier, from a first semiconductor layer to a second semiconductor layer over a junction barrier having lower impurity doping concentration in a semiconductor device, where a first semiconductor layer with a prescribed band gap and a second semiconductor layer having a band gap that is the same or larger than the first semiconductor layer are joined with each other. - 特許庁

化合物半導体基板１に形成され、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層３とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間に位置する活性層４を備え、活性層４とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間にｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するバリア層５を有する。例文帳に追加

The ZnSe-based light-emitting element formed on a compound semiconductor substrate 1 has an active layer 4, positioned between an n-type ZnMgSSe clad layer 3 and a p-type ZnMgSSe clad layer 6 and has a barrier layer 5, having a band gap larger than the band gap of the p-type ZnMgSSe clad layer between the active layer 4 and the p-type ZnMgSSe clad layer 6. - 特許庁

そして、ｐ形クラッド層４とそのｐ形クラッド層４と接するｐ形半導体層２とが、それぞれ動作電圧に対してヘテロバリア狭窄（ＨＢＢ）構造を形成するバンドギャップを有する材料からなっており、ストライプ状のコンタクト層３がその中間のバンドギャップを有する材料からなると共に、薄く形成されている。例文帳に追加

The p-type clad layer 4 and the p-type semiconductor layer 2, which is in contact with the layer 4 are respectively made of materials, having band gaps which form hetero-barrier constricting (HBB) structure for working voltage and the contact layer 3 is made of a material having an intermediate band gap and formed thinly. - 特許庁

該素子は、活性層２５から離れた位置において、活性層１５よりもバンドギャップエネルギーが高い層１８、２０中に、活性層１５とほぼバンドギャップが等しく、かつＡｓ、ＰおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む窒化ガリウム系半導体層１９を有する。例文帳に追加

The device has a gallium-nitride-based semiconductor layer 19 containing at least one type that has nearly the same band gap as the active layer 15 and is selected from a group consisting of As, P, and Sb in layers 18 and 20 having a higher band gap energy than the active layer 15 at a position separated from an active layer 25. - 特許庁

半導体基板２上に、酸化物３ｂと、酸化物３ｂに囲まれた酸化物３ｂよりバンドギャップが小さいドット状の酸化物３ａとから構成される高誘電ゲート絶縁膜３を形成し、酸化物３ａと酸化物３ｂのバンドギャップ差に起因して生じるローカルポテンシャルミニマムに電子を蓄積する。例文帳に追加

A high dielectric gate insulation film 3 comprising an oxide 3b and dotted oxides 3a which are surrounded by the oxide 3b and each of which has a narrower bandgap than that of the oxide 3b is formed on a semiconductor substrate 2, and the electrons are accumulated in a local potential minimum generated by the difference between the bandgap of the oxide 3a and that of the oxide 3b. - 特許庁

本発明は、発光層に当接する発光層よりバンドギャップエネルギーの小さい電流層、発光層よりバンドギャップエネルギーの大きい電流層を量子井戸、量子格子、又は量子ドット構造のいずれかで構成して電流密度を高くし、発光層に不純物が進入することを防止した光半導体素子を提供することにある。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor element in which current density is enhanced by constituting a current layer having band gap energy lower than that of a light emitting layer abutting against the light emitting layer, and a current layer having band gap energy higher than that of the light emitting layer of any one of quantum well, quantum lattice, or quantum dot structure, and dopant is prevented from advancing into the light emitting layer. - 特許庁

ｐｎ接合を構成するためのｎ^+ ＧａＡｓ層４とｐ^+ ＧａＡｓ層８とを備えた薄膜半導体エピタキシャル基板１において、ｎ^+ ＧａＡｓ層４の面４ａに、ｎ^+ ＧａＡｓ層４のバンドギャップ値よりも大きいバンドギャップ値を有するｉ−ＩｎＧａＰ層５を設けることにより、逆方向耐圧電圧特性を改善した。例文帳に追加

In the thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 having an n+GaAs layer 4 for composing a p-n junction, and a p+GaAs layer 8, an i-InGap layer 5 having a bandgap that is larger than that of the n+GaAs layer 4 is provided on a surface 4a of the n+GaAs layer 4, thus improving reverse withstand voltage characteristics. - 特許庁

一対のクラッド層で挟まれた活性層を備えた半導体レーザ素子において、少なくとも、そのレーザ共振器端面近傍領域に水素原子が含まれており、且つ、レーザ共振器端面近傍領域の活性層のバンドギャップが、レーザ共振器内部領域の活性層のバンドギャップよりも大きくてなることを特徴とする。例文帳に追加

In the semiconductor laser element having an active layer sandwiched by a pair of clad layers, hydrogen atoms are contained at least in the region close to the edge of its laser oscillator and the band gap of the active layer in the region close to the edge of the laser oscillator is larger than the band gap of the active layer in the inner region of the laser oscillator. - 特許庁

レーザー光２の光源として、試料たる半導体のバンドギャップ未満のエネルギーを有する光を射出するレーザーダイオード１ａを採用する。例文帳に追加

A laser diode 1a for emitting light having energy below a band gap of a semiconductor which is a sample is adopted as a light source of the laser beam 2. - 特許庁

Ｓｉ基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されているショットキーバリアダイオードであって、バッファー層は、立方晶リン化ホウ素層である。例文帳に追加

A wide-band gap semiconductor is formed on the Si substrate through the intermediary of a buffer layer to form the Schottky barrier diode, and the buffer layer is a cubic boron phosphide layer. - 特許庁

高いスペクトル強度の波長線分は、当該エネルギーバンドギャップを持つ半導体の部分の厚みが十分確保されているので、効率的に吸収することができる。例文帳に追加

Wavelength line segments of high spectrum intensity can be efficiently absorbed because the thickness of a semiconductor having the energy band gap is sufficiently ensured. - 特許庁

Ｃｕ_2Ｏ結晶を含み、銅（Ｃｕ）及び酸素（Ｏ）以外の第３の元素を含有させることによってバンドギャップを２．１ｅＶ以上とした半導体材料により上記課題を解決することができる。例文帳に追加

The semiconductor material contains Cu_2O crystals, and has a band gap of ≥2.1 eV by incorporating the third element other than copper (Cu) and oxygen (O) therein. - 特許庁

センサ組立体は、外側ハウジングの中に配置された少なくとも１つの広バンドギャップ半導体デバイス２５６を備えるバッファ回路２５０も含む。例文帳に追加

The sensor assembly also includes a buffering circuit 250 comprising at least one wide bandgap semiconductor device 256 positioned within the outer housing. - 特許庁

冷陰極電子エミッタは、高濃度にｎ＋ドーピングされたワイドバンドギャップ（ＷＢＧ）の半導体、ｐドーピングされたＷＢＧ領域、および低い仕事関数を持つ金属層を含む。例文帳に追加

The cold cathode electron emitter comprises a wide band gap (WBG) semiconductor that is n+ doped in high concentration, p doped WBG region, and a metallic layer having a low work function. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体チップ１の電極表面２の端部に、直接的に又は電極パッド２０を介して間接的にボンディングワイヤ９を接続する。例文帳に追加

The bonding wire 9 is connected directly or indirectly via an electrode pad 20 to the end of the electrode surface 2 of the wide-band gap semiconductor chip 1. - 特許庁

そして、スイッチング素子として用いられるトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を、チャネル形成領域に含んでいる。例文帳に追加

A transistor used as the switching element includes, in a channel formation region, a semiconductor having bandgap wider than silicon and an intrinsic carrier density lower than silicon. - 特許庁

変調用光源１４が、導波路１３を形成する半導体のバンドギャップに相当する波長を含む光を、導波路１３の外側面に照射可能に設けられている。例文帳に追加

A modulating light source 14 is provided to apply light containing a wavelength corresponding to a band gap of the semiconductor forming the waveguide 13 to the outside surface of the waveguide 13. - 特許庁

この電位段差は、バンドギャップの小さな半導体がメサ側面に露出しても、その部分の電位降下量を抑制し、デバイス動作に不都合なリーク電流を低減できる、という機能をもたらす。例文帳に追加

The potential step functions to suppress a potential descending amount of a mesa side surface even when a semiconductor having small band gap is exposed to the mesa side surface, thereby the leak current inconvenient to the device operation can be reduced. - 特許庁

つまり、ｎ型化合物半導体層１０３は、そのバンドギャップとｎ型ドーピングが、熱励起キャリアの拡散を抑制するように調整されている。例文帳に追加

Namely, the n-type compound semiconductor layer 103 has its band gap and n-type doping adjusted to suppress the diffusion of the thermally excited carrier. - 特許庁

第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。例文帳に追加

The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole. - 特許庁

半導体基板２と光吸収層３との間には、光吸収層３より大きいエネルギーバンドギャップを有し、ＡｌＧａＳｂからなるｐ^＋型の正孔ブロック層４が形成されている。例文帳に追加

A p+ type hole block layer 4 with an energy band gap larger than the light absorption layer 3 and made of AlGaSb is formed between the semiconductor substrate 2 and the light absorption layer 3. - 特許庁

光非吸収層１３Ａは発振波長λ_０に相当するエネルギーよりも大きなバンドギャップを有するｐ型半導体からなり、レーザ光の定在波の腹の位置に設けられている。例文帳に追加

The light non-absorption layer 13A is formed of a p-type semiconductor having a band gap larger than energy equivalent to an oscillation wavelength λ_0 and provided at the antinode of standing wave of a laser beam. - 特許庁

傾斜バンドギャップ層（２４）を供給することにより、電極層（２３）がＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）上に直接形成された場合に生じるショットキー障壁の形成を防ぐ。例文帳に追加

By feeding the inclined band gap layer 24, formation of a Schottky barrier generated when the electrode layer 23 is directly formed on the III-V group semiconductor layer 22 can be prevented. - 特許庁

薄膜形成の際の反応圧力を変化させることなく、非晶質または微結晶合金半導体薄膜の厚み方向のバンドギャップを高精度に制御してプラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する。例文帳に追加

To form a thin film by the plasma CVD method by accurately controlling a band gap in the thickness direction of an amorphous or microcrystal alloy semiconductor thin film without changing a reaction pressure when forming the thin film. - 特許庁

超格子層１４は、第１の薄膜及び該第１の薄膜と分極特性が異なり且つ第１の薄膜と比べてバンドギャップが大きい半導体からなる第２の薄膜とが交互に積層されている。例文帳に追加

The superlattice layer 14 is formed by alternately laminating a first thin film and a second thin film made of a semiconductor having a polarization characteristic different from the first thin film and larger in band gap than the first thin film. - 特許庁

Ｓｉ等の不純物をドープする量を抑えるとともに、効率よくキャリアの発生を促すことができるバンドギャップ構造を有する窒化物半導体発光素子を提案することを目的とする。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light emitting device having a band gap structure for efficiently accelerating production of a carrier by suppressing an amount of doping impurity such as Si. - 特許庁

基板の成長後にバンドギャップを制御することによって、広い波長帯域の光を安定的に提供することができる量子井戸構造の半導体光源を提供する。例文帳に追加

To provide the semiconductor optical source of a quantum well structure capable of stably providing the light of a wide wavelength band by controlling a band gap after the growth of a substrate. - 特許庁