「バンドギャップ半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

ＤＦＢレーザＬＤ１〜ＬＤ８における各発振波長と光変調器１４におけるバンドギャップ波長との波長差Δλが一定になるように、光変調器１４に対するオフセットバイアスの印加、及び半導体レーザチップ１５の温度制御を行うようにした。例文帳に追加

Application of an offset bias with respect to an-optical modulator 14 and the temperature control of a semiconductor laser chip 15 are conducted, such that the difference in wavelength Δλ between respective wavelengths in DFB lasers LD1 to LD8 and the bandgap wavelength becomes constant. - 特許庁

多重量子井戸層中の各量子井戸層のバリア層のバンドギャップ波長を不均一にすることで、各量子井戸層に分布するキャリアの量を均一化し、光出力及び変調特性を向上させた光半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor device capable of uniformizing carrier amounts distributed in respective quantum well layers by ununiformizing band gap wavelengths of barrier layers of the respective quantum well layers in a multiquantum well layer, and capable of enhancing an optical output and a modulation characteristic. - 特許庁

平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。例文帳に追加

To form a semiconductor material at a low cost, which has a smooth surface, high density and large strength, and as for a band gap, can correspond to a wide-range wavelength between a wide gap due to silicon nanocrystals and a narrow gap due to silicide nanocrystals. - 特許庁

広い波長範囲（例えば１２ｎｍ以上の範囲）において、１つの変調器でＤＦＢレーザの発振波長とバンドギャップ波長との波長差Δλが同一となるように変調することができる半導体レーザ装置及びその駆動方法を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device and its drive method, which can modulate so that difference in wavelength Δλ between oscillation wavelength of a DFB laser and a bandgap wavelength becomes the same, using a single modulator, over a wide range of wavelengths (for example, a range of 12 nm or larger). - 特許庁

ＣＰＭ測定の際、ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料に光を照射することで生成される光励起キャリアを、試料に設けられた測定用の２電極に加えて設けられた第３の電極に正のバイアス電圧を印加することにより瞬時に追い出す。例文帳に追加

During CPM measurement, a photoexcited carrier generated by irradiating with light a sample having low optical responsivity, such as a wide-bandgap semiconductor is instantaneously excluded by applying positive bias voltage to a third electrode provided in the sample in addition to a second electrode for measurement. - 特許庁

この半導体装置は、シリコン基板１に形成された一対のソース領域２およびドレイン領域３と、ソース領域２とドレイン領域３との間に形成され、シリコン基板１よりもバンドギャップの大きいチャネル領域４とを備えている。例文帳に追加

This semiconductor device is provided with a source region 2 and a drain region 3 in a pair formed in a silicon substrate 1 and with a channel region 4 which is formed between the source region 2 and the drain region 3 and has a larger band gap than that of the silicon substrate 1. - 特許庁

一方、半導体素子１は、電子走行層１４のバンドギャップよりも大きなエネルギを持つ光を空乏領域１７に受けた状態で、空乏領域１７に電子２０と正孔とが生成されることでドレイン電極１１・ソース電極１２間が導通する。例文帳に追加

While in the semiconductor element 1, the region between the drain electrode 11 and the source electrode 12 is conductive by generating electrons 20 and holes in the depletion region 17 under the condition that the depletion region 17 is irradiated with light having larger energy than a bandgap in the electronic transit layer 14. - 特許庁

ゲートトレンチ底部のゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止し、長期信頼性が高く、かつ、ショットキーダイオードを内蔵させることが容易であって、さらに、高耐圧な周辺耐圧構造を有するワイドバンドギャップ半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a wide band gap semiconductor device which prevents breakdown of a gate insulating film on a bottom of a gate trench, provides long-term reliability, is easy to embed a Schottky diode, and has a high voltage-proof peripheral voltage withstanding structure. - 特許庁

電磁波導波路を構成する半導体層のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長光であって導波路を伝搬するか導波路上に照射される電磁波に対して、外部からの操作によって比較的容易に伝搬状態を制御できる光学素子である。例文帳に追加

To provide an optical element which can comparatively easily control a propagating state of an electromagnetic wave, being wavelength light with a photon energy lower than a band-gap energy of a semiconductor layer constituting an electromagnetic waveguide, and propagating through the waveguide or made to irradiate the waveguide, with an operation from the outside. - 特許庁

ホウ素がドープされたｐ形ダイヤモンド層と、バンドギャップが５．４７ｅＶ超であり、酸化物、フッ化物、またはこれらの混合物からなる正孔流出阻止層と、電子注入層とが順次積層された構造を有することを特徴とするダイヤモンド半導体発光素子。例文帳に追加

A diamond semiconductor light-emitting device has a structure where a boron-doped p-type diamond layer, a hole-outflow blocking layer having a band gap exceeding 5.47 eV and formed of an oxide, a fluoride or a mixture of an oxide and an fluoride, and an electron injection layer are sequentially stacked. - 特許庁

そして、ゲート電極１０６を、第２の窒化物半導体よりも小さなバンドギャップを有するｎ型不純物が積極的に注入された高濃度ｎ型Ｇａ_aＩｎ_1-aＮゲート電極１０６ａ、ゲート電圧伝送用電極１０６ｂによって構成する。例文帳に追加

Then, the gate electrode 106 composed of a high-concentration n-type Ga_aIn_1-aN gate electrode 106a which has a smaller band gap than the second nitride semiconductor has and in which an n-type impurity is positively implanted, and an electrode 106b for gate voltage transmission. - 特許庁

電荷蓄積領域として機能する絶縁膜積層体のバンドギャップ構造を長期間維持し、優れたデータ保持特性と、高速でのデータ書換え性能と、低消費電力での動作性能と、高い信頼性と、を同時に兼ね備えたＭＯＳ型半導体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a MOS semiconductor memory device maintaining a band gap structure of an insulating film laminate serving as a charge storage region for a long period of time, and combining all of excellent data holding characteristics, a high-speed data rewrite performance, an operation performance with a lower power consumption, and a high reliability. - 特許庁

基板２ａおよび活性層５を有し、活性層５から発するレーザ光のエネルギーが、基板２ａのバンドギャップエネルギーよりも小さい値に設定された半導体レーザ装置において、基板２ａのキャリア濃度は、２．２×１０^１８ｃｍ^−３以上に設定されている。例文帳に追加

The semiconductor laser device has a substrate 2a and the active layer 5, and is constituted so that an energy of the laser light emitted from the active layer 5 is set to a value smaller than a band-gap energy of the substrate 2a, wherein the carrier concentration for the substrate 2a is set to ≥2.2×10^18 cm^-3. - 特許庁

電流注入により発光する活性層５が、その活性層５よりバンドギャップエネルギーが大きい材料からなるｎ形クラッド層４およびｐ形クラッド層６により挟持される構造で、前記活性層５がＺｎと、Ｏと、Ｏ以外のVI族の元素を含む化合物半導体からなっている。例文帳に追加

The active layer 5, in which a light is generated by current injection is pinched by an N-type clad layer 4 and a P-type clad layer 6, whose band gap energy is larger than the active layer 5, which is composed of compound semiconductor containing Zn, O and group VI elements other than O. - 特許庁

コレクタに電源電圧が接続されるＮＰＮトランジスタ１０，１２を用いたバンドギャップ回路を採用して、ＮＰＮトランジスタ１０，１２のトランジスタ活性領域と、その他の信号処理回路を構成する半導体素子とを、同じ高電圧フローティングブロック１９内に集積化する。例文帳に追加

The transistor active regions of NPN transistors 10, 12 and semiconductor devices constituting other signal processing circuits are integrated in the same high-tension floating block 19, by adopting a band gap circuit using the NPN transistors 10, 12 to the collectors, of which the power supply is each connected. - 特許庁

電界効果型トランジスタは、ソース・ドレイン間のチャネル領域２３が少なくとも２つ以上の直列に接続された細分化チャネル領域２３１〜２３２からなり、少なくとも２つの細分化チャネル領域２３１〜２３２の半導体材料のバンドギャップが異なっている。例文帳に追加

The field effect transistor has, between a source and a drain, a channel region 23, constituted of at least two or more series-connected subdivided channel regions 231 to 232, and semiconductor materials of at least two subdivided channel regions 231 to 232 are different in band gap. - 特許庁

Ｇａ組成ｘが０＜ｘ＜０．５を満たすＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがＩｎＡｓより大きく、十分な電気伝導性を持ったｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を得る。例文帳に追加

By forming an In_1-xGa_xAs polycrystalline thin film whose Ga composition x satisfies 0<x<0.5 on a glass substrate or a plastic substrate by a molecular beam deposition method, an n type III-V compound semiconductor polycrystalline thin film having the band gap larger than InAs and the sufficient electric conductivity is obtained. - 特許庁

スイッチング素子１３，１５をワイドバンドギャップ半導体で構成するなどして、リアクトル１１のエネルギーの蓄積及び放出を高速で切り替えても、リアクトル１１のコアが粉末状の軟磁性材料からなる成形体であるため、渦電流損失を抑制できる。例文帳に追加

Since the core of the reactor 11 is a molded body formed of the powdery soft-magnetic material, eddy current loss can be suppressed, even if the accumulation and the discharge of the energy of the reactor 11 are switched at a high speed, by forming the switching elements 13, 15 of wide band cap semiconductors. - 特許庁

突入電流抑制回路８は、ワイドバンドギャップ半導体からなり、直流電源回路１のインダクタＬ１に発生する電圧によりオン・オフが制御されるスイッチング素子Ｑ１と、電源投入時の突入電流を抑制するサーミスタｔｈ１とを具備する。例文帳に追加

The inrush-current suppressing circuit 8 comprises a wide bandgap semiconductor, and is equipped with a switching element Q5 which controls the switching between on and off by a voltage induced by an inductor L1 in a DC power supply circuit 1, and a thermistor th1 for suppressing inrush current at turn-on. - 特許庁

ｎ型半導体層１５０を、透明電極層１６０と同材質の酸化インジウムおよび酸化亜鉛を主要成分とし、仕事関数の差が０．３ｅＶ未満、エネルギーバンドギャップの差が０．２ｅＶ未満の非晶質薄膜に形成する。例文帳に追加

The n-type semiconductor layer 150 is formed of an amorphous thin film having, as principal components, indium oxide and zinc oxide the same material as the transparent electrode layer 160, wherein a difference in a work function is less than 0.3 eV and a difference in an energy bandgap is less than 0.2 eV. - 特許庁

中間層は組成比を変化させることによってバンドギャップを変化できるので、中間層にＧａＡｓ半導体を使用する場合に比べて、第１のおよび第２のクラッド層と中間層との界面のヘテロ障壁が縮小される。例文帳に追加

Since the band gap of the intermediate layer can be changed by changing the compositional ratio, the hetero-barrier of the interface between the first and second clad layers and the intermediate layer can be shortened in comparison with the case of using the GaAs semiconductor for the intermediate layer. - 特許庁

中間層は組成比を変化させることによってバンドギャップを変化できるので、中間層にＧａＡｓ半導体を使用する場合に比べて、第１のおよび第２のクラッド層と中間層との界面のヘテロ障壁が低減される。例文帳に追加

The composition ratio of the intermediate layer is changed to change a band gap, so that a hetero barrier on the boundary between the first and second clad layers and the intermediate layer can be reduced as compared when a GaAs semiconductor is used as an intermediate layer. - 特許庁

その第１の発光部６上にコンタクト層５を介して、第２の発光波長で定まる活性層１３をその活性層１３よりバンドギャップの大きいクラッド層１２、１４により挟持する半導体積層部からなる第２の発光部１６が設けられている。例文帳に追加

A second light emission part 16 formed of a semiconductor laminate part composed of an active layer 13 determined by a second emission wavelength and pinched by clad layers 12 and 14 which have each a larger band gap than the active layer 13, being formed on the first light emission part 6 through the intermediately of a contact layer 5. - 特許庁

ｐ形クラッド層４の活性層７と反対側に、ｐ形クラッド層４とバンドギャップの異なるｐ形半導体層２が、ストライプ状のコンタクト層３を介して、ストライプ状のコンタクト層３の部分以外でｐ形クラッド層４と接触するように設けられている。例文帳に追加

On the side of the p-type clad layer 4 opposite to the active layer 7, a p-type semiconductor layer 2 having a band gap which is different from that of the clad layer 4 is provided so that the layer 2 comes into contact with the clad layer 4, at portions other than stripe-like contact layers 3 via the contact layers 3. - 特許庁

ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とＧａＡｓバッファ層との界面における急激なバンドギャップ不連続による抵抗成分増加を抑制し、より高出力の光素子を得ることができる化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor epitaxial wafer in which the increase of resistance components caused by the rapid discontinuity of a band gap in the interface between an AlGaInP clad layer and a GaAs buffer layer is suppressed, and a photoelement of higher output can be obtained, and to provide a production method therefor. - 特許庁

Ｎ^-型ドレイン領域１中に、Ｎ^-型ドレイン領域１とはバンドギャップの異なるＰ^+型ポリシリコンで形成され、第一主面から第二主面へ向かって伸びる柱状のヘテロ半導体領域４が、間隔を置いて並んで複数形成されている。例文帳に追加

A plurality of columnar hetero semiconductor regions 4, which are formed with P^+ type polysilicon having a band gap different from that of the N^- type drain region 1, are provided at intervals in the N^- type drain region 1 and extend from the first main surface to a second main surface. - 特許庁

選択成長により一括して光導波路３を形成する光変調器集積半導体レーザにおいて、レーザ部１０と変調器部１１の境界に、バンドギャップ及び膜厚がテーパー状に変化する光導波路３の遷移領域９を形成する。例文帳に追加

In a light modulator integrated semiconductor laser in which an optical waveguide 3 is formed collectively by selective growth, a transition area 9 of the optical waveguide 3 in which a band gap and film thickness vary in a tapered manner is formed at boundary between a laser part 10 and a modulator part 11. - 特許庁

不純物注入光吸収層は、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド層側に向かって、層毎にバンドギャップ・エネルギーが小さくなる組成を有し、かつ不純物濃度が低くなる複数層１０４Ａ、Ｂ、Ｃの半導体積層構造として形成されている。例文帳に追加

The impurity implanted photoabsorbing layer 104 in the composition reducing the band gap energy per payer from n type layer clad layer side to p type clad layer side to be formed in semiconductor laminated structure of multiple layers 104A, B, C reducing the impurity concentration. - 特許庁

有害物質水銀を含まないワイドバンドギャップ半導体のAl_xGa_1-xN/AlN多重量子井戸（MQW）層を電子線で励起して励起状態の多重量子井戸から深紫外光を得る従来の深紫外光源において、有害なＸ線を阻止して、発光効率を高める。例文帳に追加

To block harmful X rays and increase the light emission efficiency in a conventional deep UV source arranged so that an Al_xGa_1-xN/AlN multiple quantum well (MQW) layer of a wide band gap semiconductor having no harmful substance mercury is excited by an electron beam to obtain deep UV light from the multiple quantum well staying in its excitation state. - 特許庁

ゲートトレンチ７ａの深さより深いソースショットキートレンチ７ｂが前記ゲートトレンチ７ａの表面パターンを表面で取り巻く環状パターンを有し、前記ソースショットキートレンチ７ｂが底部に接するｐ^+型領域３００を備えるワイドバンドギャップ半導体装置。例文帳に追加

The wide band gap semiconductor device includes a p+ type region 300 having an annular pattern in which a source Schottky trench 7b deeper than a gate trench 7a surrounds a surface pattern of the gate trench 7a on a surface, and the source Schotkky trench 7b is in contact with a bottom. - 特許庁

半導体光増幅器中にバルク結晶よりなる複数の活性層と、前記複数の活性層の間に前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する、少くとも一のスペーサ層が介在し、前記複数の活性層の各々は伸張歪を蓄積することを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor optical amplifier has a plurality of active layers made of bulk crystal, and at least one spacer layer having a band gap larger than that of the active layers is interposed between these active layers, and in this case, each active layer stores stretch strain. - 特許庁

本発明のモニタリング装置１は、センサ２と、このセンサ２が接続され且つワイドバンドギャップ半導体を使用した発振器を備えたインタフェース３と、インターフェース３とは別に配置され且つインターフェース３から出力された発振信号を処理する演算装置４とを備えている。例文帳に追加

A monitoring device 1 includes: a sensor 2; an interface 3 to which the sensor 2 is connected, and which comprises an oscillator using a wide band gap semiconductor; and an arithmetic unit 4 arranged separately from the interface 3, and processing an oscillation signal output from the interface 3. - 特許庁

波長多重伝送装置の光源として用いる単一縦モード半導体レーザ素子において、活性層のバンドギャップによって決定する利得ピーク波長と、活性層の実効屈折率と回折格子の間隔によって決定する発振波長のずれを小さくし、発振効率を高くする。例文帳に追加

To reduce the difference between a gain peak wavelength determined by a band gap of an active layer and an oscillation wavelength determined by an effective refractive index of the active layer and an interval between diffraction gratings, in a single longitudinal mode semiconductor laser device used as a light source for a wavelength division multiplex transmission apparatus, and hence improve oscillation efficiency. - 特許庁

突起物２から放射された高エネルギーの電子は、ｐｎ接合素子４内で、半導体のバンドギャップエネルギー程度の低エネルギーの多数の電子正孔対に変換されるので、高電圧、小電流の電気エネルギーが、低電圧、大電流の電気エネルギーに変換される。例文帳に追加

The high-energy electron emitted from the projection 2 is converted into many paired electron-positive hole of low energy nearly equal to band gap energy of a semiconductor in the pn junction element 4, so the high-voltage and small-current electric energy is converted into the low-voltage and large-current electric energy. - 特許庁

このような半導体レーザにおいて、第１ガイド層４、第２ガイド層８のEg（バンドギャップエネルギー）と活性層６のEgとの差が、第１クラッド層３、第２クラッド層９のEgと活性層６のEgとの差の０．６６倍以下となるようにする。例文帳に追加

In such a semiconductor laser, the difference between the Eg (band gap energy) of the first guide layer 4 and the second guide layer 8 and the Eg of the active layer 6 is made 0.66 times or less of the difference between the Eg of the first cladding layer 3 and the second cladding layer 9 and the Eg of the active layer 6. - 特許庁

金属酸化物窓層（透明導電膜）を備えた構造の半導体発光素子において、寿命が短く急速に劣化してしまうことを防止し、つまり高信頼性であり、且つ中間バンドギャップ層を設けなくても順方向電圧が低く、再現性良く製造できる構造とする。例文帳に追加

To form a reliable structure that prevents rapid deterioration because of a short lifetime, and can be manufactured with improved reproducibility having a low forward voltage even if an intermediate band gap layer is not formed in a semiconductor light-emitting device in a structure having a metal oxide window layer (transparent conductive layer). - 特許庁

ワイドバンドギャップを有する半導体材料を使用しているため耐電圧特性等に優れ、大電力に使用すること等が可能、その上フラットバンドの位置も適切で、界面準位の低下が発生せず、高速作動する電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an electronic device which is so excellent in voltage endurance characteristics as to be usable to high electric power, and where the position of a flat band is so proper as to avoid occurrence of lowering of an interface level to operate at high speed by using a semiconductor material having a wide band gap. - 特許庁

半導体レーザ装置の製造工程の中で、共振器端面近傍のバンドギャップを拡大するために、不純物の拡散を行なったり、共振器端面にレーザ光を照射したりしなくても、ＣＯＤ防止に有効な窓構造を実現する。例文帳に追加

To provide a window structure which is effective in COD prevention without diffusing an impurity or irradiating a resonator end surface with laser light so as to expand a band gap nearby the resonator end surface in a process of manufacturing a semiconductor laser device. - 特許庁

また、好ましくは、前記リサーフ構造は、前記ｐ型半導体層上に形成されたアンドープのキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成され該キャリア走行層とはバンドギャップエネルギーが異なるキャリア供給層とを備える。例文帳に追加

In addition, preferably, the RESURF structure has an undoped carrier scanning layer formed on the p-type semiconductor layer, and a carrier supplying layer formed on the carrier scanning layer and which has band gap energy different from that of the carrier scanning layer. - 特許庁

半導体Ｐチャネル層ＳｉＧｅの上の、少なくともゲート誘電体層ＳｉＯを含む制御電極とを含む半導体であって、ゲート誘電体層ＳｉＯは、隣り合う層（半導体Ｐチャネル層ＳｉＧｅまたは任意的にキャップ層Ｓｉ）のバンドの端部から、この層のバンドギャップの中央に向かって、エネルギの関数として指数関数的に減少する欠陥レベルＥ_ｔを有する。例文帳に追加

The semiconductor includes a control electrode containing at least a gate dielectric layer SiO on a semiconductor P-channel layer SiGe, wherein the gate dielectric layer SiO has a defect level E_t, which decreases exponentially as function of energy, from the band edges of the adjacent layer (being the semiconductor P-channel layer SiGe, or optionally a capping layer Si) toward the center of the band gap of the layer. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体材層１４とその上に配置されるコンタクト領域２０との間に実質的なオーミックコンタクト領域を形成するための半導体デバイスをアニーリングする方法は、約２時間以上のアニーリング時間に亘って約９００℃以下のアニーリング温度に半導体デバイスをさらす工程を含む。例文帳に追加

A method of annealing a semiconductor device so as to form a substantially ohmic contact region between a wide band gap semiconductor layer 14, and a contact region 20 positioned thereon includes a process of subjecting the semiconductor device to an annealing temperature of ≤approximately 900°C extending over an annealing time of approximately two hours or longer. - 特許庁

半導体からなるベース層６と、ベース層６よりバンドギャップが大きい半導体からなるコレクタ層４の間に、ベース層６と同じ半導体のスペーサ層５が挿入されたへテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記スペーサ層５はベース層６のドーピング濃度より低濃度にドープされていることを特徴とする。例文帳に追加

In the heterojunction bipolar transistor, to which a spacer layer 5 of the same semiconductor as a base layer is inserted between a base layer 6, consisting of a semiconductor and a collector layer 4 consisting of the semiconductor whose band gap is larger than the base layer 6, the spacer layer 5 is doped to concentration lower than the doping concentration of the base layer 6. - 特許庁

本面発光型半導体レーザ素子は、一対の下部多層膜反射鏡、及び上部多層膜反射鏡を半導体基板上に有する垂直共振器型の半導体レーザ素子であって、少なくとも一方の多層膜反射鏡が、半導体基板の格子定数より格子定数が大きい化合物半導体層と、半導体基板の格子定数より格子定数が小さい化合物半導体層とのペアで形成され、かつペアを構成する化合物半導体層のバンドギャップ波長が、レーザ発振波長より小さい。例文帳に追加

The vertical resonator type semiconductor laser element comprises a pair of upper and lower multilayer reflectors disposed on a semiconductor substrate wherein at least one multilayer reflector is formed of a pair of compound semiconductor layers having a lattice constant larger than that of the semiconductor substrate and a lattice constant lower than that of the semiconductor substrate, respectively, and the band gap wavelength of the pair of compound semiconductor layers is shorter than the laser oscillation wavelength. - 特許庁

本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成され、バンドギャップが生成されたグラフェンを有するチャネル領域と、チャネル領域の両側に形成され、チャネル領域のグラフェンに比して小さいバンドギャップが生成されたグラフェンを有するソース／ドレイン領域と、ソース／ドレイン領域のチャネルに接する部分の上に、夫々形成された第１および第２のゲート電極と、を備えることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device includes a substrate, a channel region formed on the substrate and having a graphene where a band gap is generated, source/drain regions formed on both sides of the channel region and each having a graphene where a band gap smaller than that of the graphene of the channel region is generated, and first and second gate electrodes formed on parts in contact with channels of the source/drain regions, respectively. - 特許庁

ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。例文帳に追加

The method of manufacturing the ZnO-based semiconductor device includes the processes of: preparing a substrate; supplying Zn, O and N on the upper side of the substrate; supplying an element which is added to ZnO when necessary to change a band gap; and forming a ZnO-based semiconductor layer doped with N to exhibit n-type conductivity with increased n-type carrier concentration as compared with the case that doping with N is not performed. - 特許庁