「バンドギャップ半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

ｐ型キャップ層からｐ型クラッド層にかけての電流通路が、バンドギャップが異なる少なくとも３層の半導体層で構成されているストライプ状のリッジを有し、ｐ型クラッド層の頂上の幅が２.５μｍ以下であり、動作電流における素子の微分抵抗値が８Ω以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。例文帳に追加

In the semiconductor laser diode, a current path from a p-type cap layer to a p-type clad layer has a stripe ridge comprising a semiconductor layer of at least three layers each having a different band gap wherein the width at the top of the p-type clad layer is 2.5 μm or less and the differential resistance of an element is 8 Ω or less at the working current. - 特許庁

少なくとも、陽極３と、量子ドット１１を有する発光層５と、陰極４とをその順で有する発光素子１であって、その発光層５は、量子ドット１１よりもバンドギャップが大きい半導体微粒子１２を含み、その半導体微粒子１２の粒径が量子ドット１１の粒径よりも大きいように構成して、上記課題を解決した。例文帳に追加

This light emitting element 1 has at least a positive electrode 3, the luminescent layer 5 having the quantum dot 11, and a negative electrode 4 in this order, and the luminescent layer 5 contains a semiconductor particle 12 having a band gap larger than that of the quantum dot 11, and the particle diameter of the semiconductor particle 12 is larger than the particle diameter of the quantum dot 11. - 特許庁

多結晶半導体ダイヤモンド薄膜等のワイドバンドギャップ半導体を使用し、紫外線等の波長が短い光の強度を測定する光強度測定装置及び光強度測定方法において、信頼性が高く、低コストであり、迅速且つ正確な測定が可能な光強度測定装置及びこの光強度測定装置を使用した光強度測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable and low-cost light intensity measuring device and a light intensity measuring method using the device for measuring a light of short wavelength such as ultraviolet using a wide band gap semiconductor such as a diamond membrane of polycrystalline semiconductor, capable of promptly and precisely carrying out a measurement. - 特許庁

漏光防止部材４は、半導体材料と当該半導体材料とは屈折率の異なる材料の組み合わせからなる周期構造を有し、受光素子２の厚み方向に直交する面内の全方向において受光素子２の受光波長に対してフォトニックバンドギャップを有するフォトニック結晶により構成されている。例文帳に追加

The light leak prevention member 4 is formed of photonic crystal in which has a cyclic structure composed of a combination of a semiconductor material and a material differing in refractive index from the semiconductor material and has a photonic band gap to the light reception wavelength of the light receiving element 2 in all directions in a plane crossing the thickness of the light receiving element 2 at right angles. - 特許庁

可視の情報パターン１２を有する情報記録媒体１１が所定位置に載置され又は送り込まれると、発光ダイオード１３から発行する半導体量子ドットのバンドギャップよりもエネルギーが高い励起光Ｈ１を情報パターン１２に照射し半導体量子ドットを熱膨張させる。例文帳に追加

When the information recording medium 11, having the visible information patterns 12, is loaded on or transmitted to a predetermined position, the information patterns 12 is irradiated with excited light H1, with energy higher than that of the band gap of a semiconductor quantum dot to be issued from a light-emitting diode 13 to thermally expand the semiconductor quantum dot. - 特許庁

面型光−光スイッチ、光非線形反射鏡、あるいは光非線形吸収体を構成する光非線形媒質として半導体薄膜結晶を用い、主たる動作に関与する光の波長に対応するフォトンのエネルギーがその半導体薄膜のバンドギャップエネルギーよりも８０ｍｅＶ以上高いエネルギーとなるように設定する。例文帳に追加

Semicondcutor thin film crystal is used as an optical nonlinear medium which constitutes a surface type light-light switch, an optical nonlinear reflector, or a nonlinear absorber and the energy of a photon corresponding to the wavelength of light concerned with main operation is set to be ≥80 meV higher than the band gap energy of its semiconductor thin film. - 特許庁

照射部による照射で生じた半導体基板表面近傍のフォトキャリアの濃度高低パターンが、半導体基板01のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の電磁波02に対して複素屈折率が異なるパターンを生じさせることによって、このパターン上に照射される電磁波02の空間伝搬状態を制御する。例文帳に追加

A concentration height pattern of a photocarrier near the semiconductor substrate surface generated through the irradiation by the irradiation sections causes the pattern different in the complex refractive index from the electromagnetic waves 02 of the wavelength having the photon energy lower than that of the band gap energy of the semiconductor substrate 01, thereby controlling the space propagation state of the electromagnetic waves 02 with which the surface of the pattern is irradiated. - 特許庁

基板１上に、窒化物半導体からなるｎ型層、活性層、及びｐ型層が積層されてなる窒化物半導体発光素子において、互いにバンドギャップエネルギーの異なる複数の活性層５、７、９の間に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントが共にドープされたキャリア発生層６、８を形成する。例文帳に追加

In the nitride semiconductor light-emitting device in which an n-type layer made of a nitride semiconductor, an active layer, and a p-type layer are laminated on a substrate 1, carrier generation layers 6, 8 doped with n-type dopants and p-type dopants are formed among a plurality of active layers 5, 7, and 9 having mutually different band gap energy. - 特許庁

その後、図１（ｄ）に示すように、透明結晶基板１の他表面側から多層半導体層１０のバンドギャップエネルギよりも小さなエネルギの光として単色光のレーザ光ＬＢを多層半導体層１０を通してカソード電極６およびアノード電極７それぞれに照射することでカソード電極６およびアノード電極７をアニールするアニール工程を行う。例文帳に追加

Then, an annealing process is performed, where the cathode and anode electrodes 6, 7 are annealed by applying laser beams LB of monochromatic light as light having energy smaller than the band gap energy of the multilayer semiconductor layer 10 from the other surface side of the transparent crystal substrate 1 to the cathode and anode electrodes 6, 7 through the multilayer semiconductor layer 10 as shown in Fig.1(d). - 特許庁

複数のIII族元素を含む窒化物半導体層が凹凸のある基体表面上に形成されてなることにより、上記窒化物半導体層におけるIII族元素の組成比、バンドギャップエネルギ、屈折率、導電性、抵抗率の少なくとも一つが、上記基体の凹凸に対応して、層内で変化するようにする。例文帳に追加

A nitride semiconductor layer including a plurality of group III elements is formed on an uneven surface of a substrate so that at least one of composition ratios of the group III elements in the nitride semiconductor layer, band gap energy, refractive index, electrical conductivity and resistivity is changed in the layer in response to unevenness of the substrate. - 特許庁

本発明の半導体レーザは、半導体基板４９上に形成された活性層５１と、上記活性層５１を有するウエハを劈開することにより形成された一対の劈開端面５５と、少なくとも一方の上記劈開端面５５上に形成され上記活性層５１より大きいバンドギャップエネルギーを有しかつ上記活性層５１より格子定数が小さい窓層５０と、を備える。例文帳に追加

This semiconductor laser is provided with an active layer 51 formed on a semiconductor substrate 49, a pair of cleaved end surfaces 55 that are formed by cleaving a wafer comprising the active layer 51, and a window layer 50 that is formed on at least one of the cleaved end surfaces 55 and has the band gap energy larger than that of the active layer 51 and the lattice constant smaller than that of the active layer 51. - 特許庁

本半導体レーザ素子は、歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子であって、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０４の一部に量子井戸層５を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ・エネルギー以上で有る。例文帳に追加

This semiconductor laser element is provided with an active layer having a distorsion multiplex quantum well structure, and a quantum well layer 5 is provided in a part of a p-InP clad layer 104, and a difference in energy between electrons at a first quantum level in the quantum well layer and a hole is larger than the band gap energy of the barrier layer in the active layer. - 特許庁

活性層９５上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層９６ａをアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層９６ｂを同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層９６ｂよりもバンドギャップの大きいもので形成する。例文帳に追加

A first p-type clad layer 96a of a p-type clad layer 96 provided on the layer 95 is formed of a p-type nitride semiconductor containing an aluminum and a gallium and a second p-type clad layer 96b is formed of the similar p-type nitride semiconductor and having larger band gap than that of the first p-type clad layer 96b. - 特許庁

電子走行層がＧａＮ系化合物半導体層からなり、電子供給層が電子走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいＧａＮ系化合物半導体層からなる高電子移動度トランジスタであって、前記電子走行層はＩｎを１×１０^19ｃｍ^-3以上、５×１０^20ｃｍ^-3以下含む。例文帳に追加

The high electron mobility transistor comprises the electron transit layer made of a GaN compound semiconductor layer, and an electron supply layer made of a GaN compound semiconductor layer having a larger band gap energy than that of the electron transit layer in such a manner that the electron transit layer contains an In of 1×10^19 to 5×10^20 cm^-3. - 特許庁

被帯電物１０に対向して設置されている電子放出素子１４は、３．６０ｅＶ以上か１．３０ｅＶ以下のエネルギーバンドギャップの半導体層１６及び薄膜絶縁層１８と、薄膜絶縁層１８表面側に形成された薄膜電極２０と、半導体層１６裏面側に形成された基板電極２２とを有している。例文帳に追加

An electron discharge element 14 arranged oppositely to the object 10 to be charged has a semiconductor layer 16 having an energy band gap of ≥3.60 eV or ≤1.30 eV, a thin film insulation layer 18, a thin film electrode 20 formed on the surface side of the layer 18, and a substrate electrode 22 formed on the rear side of the layer 16. - 特許庁

本発明の太陽電池は、ｐ型及びｎ型の半導体を接合してなる太陽電池において、ｐ型半導体は、バンドギャップ幅において1.5eV以上のワイドバンドを有し、ギャップ中に不純物準位とは異なる中間準位を形成したカルコパイライト構造を持つワイドバンド化合物であることを特徴とするものである。例文帳に追加

In a solar battery comprising p-type and n-type semiconductors jointed, the p-type semiconductor is a wide-band compound having a wide band of 1.5 eV or more, in a band gap width and having a chalcopyrite structure forming an intermediate level different from the impurity level in a gap. - 特許庁

活性層（１５）上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層（９６ａ）をアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層（９６ｂ）を同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層（９６ｂ）よりもバンドギャップの大きいもので形成する。例文帳に追加

A first p-type clad layer 96a in a p-type clad layer 96 provided on the active layer 15 comprises a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium and a second p-type clad layer 96b comprises a similar p-type nitride semiconductor having a band gap larger than that of the first p-type clad layer 96a. - 特許庁

電界効果トランジスタは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１３と、第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、第１の窒化物半導体層１３と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４の上に形成された結晶性の窒化シリコンからなる第１の絶縁膜１５と、第１の絶縁膜１５の上に形成された第２の絶縁膜１６とを備えている。例文帳に追加

The field effect transistor includes: a first nitride semiconductor layer 13 formed on a substrate 11; a second nitride semiconductor layer 14 formed on the first nitride semiconductor layer 13 with a larger band gap compared to the first nitride semiconductor layer 13; a first insulating film 15 composed of a crystalline silicon nitride and formed on the second nitride semiconductor layer 14; and a second insulating film 16 formed on the first insulating film 15. - 特許庁

個別ワイドバンドギャップ半導体デバイスが、制御電流の印加で伝導状態と不伝導状態との間を切替えるように構成される一次バイポーラデバイス段、および制御電流を生成し、かつ一次バイポーラデバイス段に制御電流を供給するように構成されるバイポーラドライバ段を含む。例文帳に追加

An individual wide bandgap semiconductor device includes a primary bipolar device stage configured to be switched between a conduction state and non-conduction state by application of a control current, and a bipolar driver stage configured to generate the control current and to supply the control current to the primary bipolar device stage. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチ素子であって、ドレインとソースとゲートとを有し、前記ゲートをドライブする信号と前記ゲートとの間にコンデンサと抵抗の直列回路を介して接続され、前記ドレインと前記ゲートとの間に、ダイオードと電圧制限回路からなるゲート電圧クランプ回路とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The gate drive circuit includes a switch element including a wideband gap semiconductor having a drain, a source, and a gate, and connected between the gate and a signal which drives the gate through a series circuit of a capacitor and a resistor, and a gate voltage clamp circuit provided between the drain and the gate and composed of a diode and a voltage limit circuit. - 特許庁

本体ケースに設けられた吸気口３からファン４によって流入する空気により冷却される直流電流基板５と、直流電流基板５を通過した空気により冷却される加熱コイル７と、直流電離基板５から加熱コイル７の間の空気の流路以外にワイドバンドギャップ半導体を使用したスイッチング素子を有するインバータ基板９とを備える。例文帳に追加

The induction heating cooking device comprises a direct current substrate 5 cooled by air which inflows from an inlet port 3 provided on a body case by a fan 4, a heating coil 7 cooled by air which passed through the direct current substrate 5, and an inverter substrate 9 which has a switching element which utilizes the wide band gap semiconductor on a channel other than an air channel between the direct current substrate 5 and the heating coil 7. - 特許庁

バンドギャップを構造設計した電荷捕捉メモリーセルは、プラチナゲートのような金属又は金属化合物のゲートから、酸化アルミニウムのような高い誘電定数を有する材料のブロッキング層によって隔離され、チャンネルを含む半導体本体から改良されたトンネリング誘電体によって隔離される電荷捕捉素子を有する。例文帳に追加

A charge trapping memory cell whose band gap structure has been designed includes a charge trapping element that is separated from a metal or metal compound gate, such as a platinum gate, by a blocking layer of material having a high dielectric constant, such as aluminum oxide, and separated from a semiconductor body including a channel by an improved tunneling dielectric material. - 特許庁

加熱コイル２４と共振コンデンサ２５との間の接続点Ａを所定の電位にクランプして２個のスイッチング素子１４、１５の一方及び加熱コイル２４と共に直列ループ回路を形成するクランプダイオード２６を備え、直列ループ回路を形成するスイッチング素子とクランプダイオード２６がワイドバンドギャップ半導体で形成されている。例文帳に追加

The induction heating cooker includes a clamp diode 26 forming a series loop circuit with either of two switching elements 14 and 15 together with a heating coil 24 in a situation that a connection point A between the heating coil 24 and a resonance capacitor 25 is clamped to a predetermined potential, and the switching elements and the clamp diode 26 forming the series loop circuit are formed by a wideband gap semiconductor. - 特許庁

発光波長がフォトニック結晶のフォトニックバンドギャップの波長域内にある２波長半導体レーザ素子１０１の出力光１３１、１３２が合波導波路の２つの入力端に各々結合され、合波導波路の出力端から合波された２波長の出力光１３３が出射される。例文帳に追加

The output light rays 131 and 132 of a two-wavelength semiconductor laser element 101 the light emitting wavelength of which falls within the wavelength region of the photonic band gap of the photonic crystal are respectively coupled with the two input terminals of the multiplexed waveguide, and multiplexed two- wavelength output light 133 is emitted from the output terminal of the waveguide. - 特許庁

この半導体発光素子は、井戸層１ａと障壁層１ｂとを含む量子井戸構造を有するＳＱＷ発光層（活性層）１を備え、井戸層１ａのバンドギャップエネルギは、ピエゾ電界によるバンドの傾きを抑制するように、井戸層１ａの厚み方向の中心に対して非対称に変化されている。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element comprises an SQW emission layer (active layer) 1 having a quantum well structure including a well layer 1a and a barrier layer 1b wherein the band gap energy of the well layer 1a is varied asymmetrically to the center of the well layer 1a in the thickness direction so that inclination of band due to a piezoelectric field is suppressed. - 特許庁

制御装置２は、ゲート電極４３へのゲート電圧を調節してチャネル領域３６において電子９１を移動させるとともに、チャネル領域３６において電子９１を移動させているときに、チャネル領域３６のバンドギャップより大きいエネルギーの光を光源５が半導体層３３に照射するように光源５を制御する。例文帳に追加

The control unit 2 transfers electrons 91 in the channel region 36 by adjusting the gate voltage applied to the gate electrode 43 as well as controls a light source 5 so as to illuminate the semiconductor layer 33 with light having energy greater than the bandgap when the electrons 91 are transferred in the channel region 36. - 特許庁

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。例文帳に追加

A semiconductor device has: an AlGaN buffer layer 18 provided on an SiC substrate 10 and that has an acceptor concentration (Na) higher than a donor concentration (Nd); a GaN electron transit layer 14 provided on the AlGaN buffer layer 18; and an AlGaN electron supply layer 16 provided on the GaN electron transit layer 14 and that has a band gap larger than that of GaN. - 特許庁

シリコン基板上に絶縁層を介して電極を形成したＭＩＳ構造を有する半導体装置において、絶縁層は、熱励起した電子によるトンネル電流を低くするバンドギャップが４．５ｅＶ以上のＳｉ_3 Ｎ_4 膜２と、フェルミ準位近傍からのトンネル電流を低くする誘電率３０以上のＴｉＯ_2 膜３とを積層した構造からなる。例文帳に追加

In a semiconductor device having MIS structure where an electrode is formed on a silicon substrate through an insulating layer, the insulating layer is formed by stacking a Si3N4 film 2 whose band gap for reducing tunnel current by thermally excited electrons is not less than 4.5 eV, and a TiO2 film 3 whose permittivity for reducing tunnel current from the vicinity of a Fermi level is not less than 30. - 特許庁

炭化珪素からなるワイドバンドギャップ半導体基板１１、２１と、基板の主面側に設けられたソース電極１５，２５及びゲート電極１７，２７と、基板の裏面上に設けられたドレイン電極１８，２８とを有する縦型ＭＯＳＦＥＴの第１のスイッチング素子１と、同構造の第２のスイッチング素子２をその主面側同士を重ねて構成する。例文帳に追加

A first switching element 1 of a longitudinal MOSFET including wide-band gap semiconductor wafers 11, 21 each being composed of a silicon carbide, source electrodes 15, 25 and gate electrodes 17, 27 provided on the principal surface side of each wafer and drain electrodes 18, 28 provided on the rear surface of each wafer, and a second switching element 2 of the identical structure are constituted, by mutually overlapping their principal surface sides. - 特許庁

半導体基板１００の上にバッファ層１０１、バッファ層１０２、第１下側クラッド層１０３、第２下側クラッド層１０４、活性層１０５、第１上側クラッド層１０６、エッチングストップ層１０７、第２上側クラッド層１０８、中間バンドギャップ層１０９、キャップ層１１０がこの順で積層してある。例文帳に追加

Buffer layers 101 and 102, a first lower clad layer 103 and a second lower clad layer 104, an active layer 105, a first upper clad layer 106, an etching stop layer 107, a second upper clad layer 108, an intermediate band gap layer 109, and a cap layer 110 are laminated in this sequence on a semiconductor substrate 100. - 特許庁

具体的には、電極表面２及び電極パッド２０をいずれもアルミニウムにより形成し且つ電極表面２及び電極パッド２０の合計の厚さを１０μｍとした場合におけるワイドバンドギャップ半導体チップ１の電流密度と同等又はそれ以上の電流密度が得られるよう、電極パッド２０の厚さが設定される。例文帳に追加

In more concrete, thickness of the electrode pad 20 is set to obtain current density identical to or higher than the current density of the wide-band gap semiconductor chip 1, when the electrode surface 2 and electrode pad 20 are formed of aluminum and the total thickness of the electrode surface 2 and electrode pad 20 is 10 μm. - 特許庁

基板の表面にバッファ層を介して形成された半導体エピタキシャル膜のキャリア濃度をフォトルミネッセンスで非破壊検査する方法において、該基板のバンドギャップエネルギーより低いエネルギーをもつ励起光を該基板の裏面側から照射し、フォトルミネッセンスを該基板の裏面から検出することを特徴とする。例文帳に追加

Excitation light having energy that is lower than the band gap energy of a substrate is applied from the rear side of the substrate and photoluminescence is detected from the rear of the substrate in a method for non-destructively inspecting the carrier concentration of the semiconductor epitaxial film formed on the front of the substrate via a buffer layer by photoluminescence. - 特許庁

シリコン半導体による受光センサ部１を有する固体撮像装置であって、受光センサ部１の光電変換素子を構成する空乏化領域を構成する第１導電型のウエル領域１３の受光面側にβ−ＦｅＳｉ_２等のシリコンに比しバンドギャップが小さく赤外領域に高い吸収性を有する金属シリサイド層２０を設ける。例文帳に追加

In the solid-state imaging apparatus having a light receiving sensor section 1 of silicon semiconductor, a metal silicide layer 20 having a band gap smaller than that of silicon such as β-FeSi_2 and exhibiting high absorptivity in infrared region is provided on the light receiving surface side of a first conductivity type well region 13 constituting a depletion region which constitutes a photoelectric conversion element in the light receiving sensor section 1. - 特許庁

インジウムを含むＧａＮ系化合物半導体のｎ＋１層障壁層（ｎは１以上の自然数）と、インジウムを含むＧａＮ系化合物半導体からなり障壁層より小さいバンドギャップエネルギーを有するｎ層の井戸層を有し、ｍ番目（１≦ｍ≦ｎ）井戸層が、ｍ番目障壁層とｍ＋１番目障壁層の間に隣接し配設される量子井戸構造を有する発光層を備えるＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造方法。例文帳に追加

On manufacturing of a light-emitting element 300, provided with a luminous layer 306 comprising a plurality of GaN compound semiconductor layers each containing In, growth is interrupted for a prescribed period after formation of well layers and barrier layers, when the luminous layer 306 is formed from a plurality of well layers and barrier layers. - 特許庁

本発明では、半導体基板上に、磁気ヘッドに記憶信号を通電するための磁気ヘッド駆動回路と、同磁気ヘッド駆動回路から磁気ヘッドに通電する記憶信号の電圧を制限するためのストッパー回路とを形成してなる磁気記憶デバイスにおいて、ストッパー回路に、半導体基板内部のバンドギャップ電圧に比例する電圧によって記憶信号の電圧を制限するための帰還回路を設けることにした。例文帳に追加

In a magnetic storage device in which a magnetic head driving circuit for inputting a storage signal to a magnetic head and a stopper circuit for restricting voltage of a storage signal inputted to the magnetic head from the magnetic driving circuit are formed on a semiconductor substrate, the stopper circuit is provided with a feedback circuit for restricting voltage of a storage signal by voltage being proportional to band gap voltage inside a semiconductor substrate. - 特許庁

本発明は、基材と、上記基材上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、かつ少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、上記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、バンドギャップが２．０ｅＶ以上である無機化合物および金属を含有する半導体緩衝層と、上記半導体緩衝層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。例文帳に追加

The organic electroluminescent element comprises: a substrate; a first electrode layer formed on the substrate; the organic electroluminescent layer formed on the first electrode layer and having at least a light emitting layer; a semiconductor buffer layer formed on the organic electroluminescent layer and containing an inorganic compound having a band gap of 2.0 eV or above and metal; and a second electrode layer formed on the semiconductor buffer layer. - 特許庁

本発明は、基材と、上記基材上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、かつ少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、上記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、バンドギャップが２．０ｅＶ以上である無機化合物および金属を含有する半導体緩衝層と、上記半導体緩衝層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。例文帳に追加

The organic electroluminescent device includes a base material, a first electrode layer formed on the base material, the organic electroluminescent layer formed on the first electrode layer and having at least a light emitting layer, a semiconductor buffer layer formed on the organic electroluminescent layer and containing an inorganic compound and metal of which band gaps are 2.0 eV or more, and a second electrode layer formed on the semiconductor buffer layer. - 特許庁