「バンドギャップ半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

導波路１３の内部にテラヘルツ波を伝播させ、変調用光源１４により、半導体のバンドギャップに相当する波長を含む光を導波路１３の外側面に照射する。例文帳に追加

The terahertz wave is propagated to the inside of the waveguide 13, and light containing the wavelength corresponding to the band gap of the semiconductor is applied to the outside surface of the waveguide 13 by the modulating light source 14. - 特許庁

この方法によれば、室温においても深いトラップ準位を評価することができ、ワイドバンドギャップを用いた半導体装置の性能向上を目的とした評価に利用することができる。例文帳に追加

According to this method, the level of a deep trap can be evaluated even at room temperature, and this can also be utilized for the evaluation aiming at performance improvement of the semiconductor device, using a wide band gap. - 特許庁

光電変換装置を構成する金属酸化物半導体のバンドギャップ内に不純物準位を形成せず、トラップによる特性劣化やキャリア移動度の低下が無く、導電性の向上を図ること。例文帳に追加

To enhance conductivity by preventing impurity levels from being formed in the band gap of a metal oxide semiconductor which constitutes a photoelectric converter so that characteristic deterioration or carrier mobility reduction does not occur caused by trapping. - 特許庁

バンドギャップエネルギの低い良質の活性層を備え、発光効率の高い安定な発光を得ることのできるＧaＮ系化合物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a GaN compound semiconductor light-emitting element which with a good active layer with low-band gap energy, provides stable light- emission with efficiency. - 特許庁

チップをワイドバンドギャップ半導体によって構成した場合でも、該チップで発生する熱によって耐熱温度の低い部品が熱的な損傷を受けないような構成の電力変換装置を得る。例文帳に追加

To obtain an electric power conversion apparatus having a structure which prevents components having low heatproof temperatures from being thermally damaged by heat generated in a chip even when the chip is formed by a wideband gap semiconductor. - 特許庁

かかる構成によれば、ナノ結晶粒と当該ナノ結晶粒を構成する前記半導体のアモルファス層とのバンドギャップ差に起因する量子井戸が形成され、光電変換効率の高い光電変換装置となる。例文帳に追加

In the configuration, a quantum well caused by a band gap difference between the nanocrystal grain (d) and the amorphous layer of the semiconductor composing the nanocrystal grain (d) is formed, so that the photoelectric conversion device having a high photoelectric conversion rate can be obtained. - 特許庁

電源スイッチは、モノリシックまたはハイブリッドに実装され得、シングルまたはマルチチップのワイドバンドギャップ電源半導体モジュールにビルトインされた制御回路と一体化され得る。例文帳に追加

The power switches can be implemented monolithically or hybridly, and may be integrated with a control circuit built in a single- or multi-chip wide bandgap power semiconductor module. - 特許庁

陰極２２として用いられる半導体材料が、バンドギャップが３．０ｅＶ以上であれば、可視光領域でほぼ透明であり、透明電極として用いることが可能となる。例文帳に追加

In the band gap of the semiconductor material used for the cathode 22 is not less than 3.0 eV, it is transparent in the visible light region and can be used for the transparent electrode. - 特許庁

回路パターン１０ａ，１０ｂ上で、半導体スイッチング素子であるＩＧＢＴ１ａ，１ｂと炭化ケイ素で構成されたワイドバンドギャップデバイスであるＦＷＤ２ａ，２ｂとが逆並列に接続されている。例文帳に追加

IGBTs(Insulated Gate Bipolar Transistor) 1a and 1b as semiconductor switching elements and FWDs 2a and 2b as wide bandgap devices formed of silicon carbide are connected in reverse parallel on circuit patterns 10a and 10b. - 特許庁

物体で反射された近赤外域の光を受けてその物体を撮像するための撮像装置７０であって、受光層３のバンドギャップ波長が１．６５μｍ以上、３．０μｍ以下の半導体受光素子１０を備える。例文帳に追加

The imaging apparatus 70 images an object by receiving a near-infrared region light reflected by the object and includes a semiconductor light-receiving element 10 of which light-receiving layer 3 has a bandgap wavelength of 1.65 μm or more and 3.0 μm or less. - 特許庁

また、該貼り合せ対象層５０の第二主表面に活性層５よりもバンドギャップエネルギーが大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型透明素子基板９０が貼り合される。例文帳に追加

Further, an (n) type transparent element substrate 90 made of a group III-V compound semiconductor having larger band gap energy than the active layer 5 is stuck on the second main surface of the layer 50 to be stuck. - 特許庁

ゲート電流制限抵抗器４４５は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、接合ゲートトランジスタのゲートに入力されるゲート電流を制限する。例文帳に追加

A gate current limit resistor 445 is coupled to a gate input of the wide bandgap semiconductor junction gate transistor when used, and limits the gate current input to a gate of the junction gate transistor. - 特許庁

ｎ型クラッド層を一部無秩序化してバンドギャップ、ひいては屈折率の変動を抑制し、安定した拡がり角が得られる半導体レーザを実現する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser capable of partially disordering n-type clad layers, suppressing the fluctuations of band gap and, consequently the refractive index, and obtaining a stable spreading angle. - 特許庁

また、ｐ型クラッド層７及びｎ型クラッド層９は活性層８よりもバンドギャップエネルギーＥｇが大きな組成式Ｍｇ_ｚＺｎ_１−ｚＯ（０≦ｚ＜１）からなる化合物半導体で形成されている。例文帳に追加

The p-type clad layer 7 and the n-type clad layer 9 are formed from a compound semiconductor of a composition equation Mg_zZn_1-zO (0≤z<1) whose band gap energy Eg is larger than the active layer 8. - 特許庁

半導体基板のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の電磁波に対して、外部からの操作によって比較的容易に光学特性、機能等を変更ないし制御できる光学素子である。例文帳に追加

To provide an optical element of which the optical characteristics, functions, etc., can be relatively easily changed or controlled by operation from the outside with respect to electromagnetic waves having photon energy lower than that of the band gap energy of a semiconductor substrate. - 特許庁

半導体は、温度上昇によってバンドギャップ波長が長波長にシフトするので、特定の波長において、温度上昇と共に吸収係数がさらに増大する。例文帳に追加

In the semiconductor, since the band gap wavelength shifts to longer wavelength side due to a temperature raise, in a specific wavelength, the absorption coefficient is further increased as the temperature rises. - 特許庁

シリコンまたはゲルマニウムよりもバンドギャップが大きく、真性キャリア密度が低い半導体で、耐圧性の高さが要求される回路を作製する。例文帳に追加

A semiconductor with a larger band gap and a lower intrinsic carrier concentration than silicon or germanium is used for manufacturing of circuit which is required to have a high pressure resistance. - 特許庁

配線抵抗が低い銅を含む配線に、バンドギャップが広く、且つキャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を接続してトランジスタを作製すればよい。例文帳に追加

The transistor may be manufactured by connecting a highly purified oxide semiconductor having a wide band gap and a low carrier concentration to wiring containing copper having low wiring resistance. - 特許庁

光吸収層１０３は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有して基板１０１とは格子定数が異なる半導体から構成されて歪みを有している。例文帳に追加

The optical absorption layer 103 has a band gap energy corresponding to a wavelength of targeted light, is composed of a semiconductor with a lattice constant different from that of the substrate 101, and has distortion. - 特許庁

ＭＲＥＬは、バンドギャップが小さく電子移動度が高い層であり、例えばＺｎＯなどの半導体やＢｉなどの半金属からなる層が該当する。例文帳に追加

A MREL is a layer of a low band gap, high electron mobility semiconductor such as ZnO or a semimetal having those characteristics such as Bi. - 特許庁

加熱コイル及び加熱コイル駆動回路の冷却を少ない冷却ファンの風量で効率的に行い、且つワイドバンドギャップ半導体を使用した信頼性の高い誘導加熱調理器を提供する。例文帳に追加

To provide an induction heating cooking device which has high reliability by efficiently cooling a heating coil and a heating coil driving circuit with small air flow from cooling fan, and by utilizing a wide band gap semiconductor. - 特許庁

III族窒化物半導体電子デバイス１１では、チャネル層２１はＡｌＧａＮからなると共に、バリア層２３はチャネル層２１より大きなバンドギャップのＡｌＧａＮからなる。例文帳に追加

In the group III nitride semiconductor electronic device 11, a channel layer 21 is made of AlGaN and a barrier layer 23 is made of AlGaN having a larger band gap than that of the channel layer 21. - 特許庁

現在の薄膜太陽電池で吸収しきれていない光を有効に利用するために、バンドギャップが2eV以上3eV未満でありｐｎ両極性に電気特性を制御できる半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor having a band gap ranging from 2 eV inclusive to below 3 eV and capable of controlling electric characteristics to both pn polarities, in order to utilize light that is not completely absorbed by the currently available thin film solar battery. - 特許庁

Ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いたゲート絶縁膜において、バンドギャップ中の準位の発生を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a high-k material is used for a gate insulating film, and the occurrence of an impurity state in a band gap is suppressed. - 特許庁

第一層の深層側には、第一層よりも小さいバンドギャップを有するＧａＮ系半導体からなる第二層Ｓ２をヘテロ接合し、第一層に両極側の電極Ｐ１、Ｐ２を設けて光導電素子とする。例文帳に追加

At the deep-layer side of a first layer, a second layer S2 consisting of the GaN-based semiconductor with a smaller band gap than that of the first layer is subjected to heterojunction, and electrodes P1 and P2 of both pole sides are provided in the first layer as a photoconductive element. - 特許庁

活性層の形成面では、活性層よりもバンドギャップ・エネルギーの大きい半導体層として、ＩｎＰ埋め込み層３４が、中央領域の活性層の側縁からリッジ側面まで連続して設けられている。例文帳に追加

On the formation surface of active layer, an InP embedded layer 34 is continuously provided from the side edge of the active layer in the central region to the ridge side surface, as a semiconductor laser whose band gap energy is larger than that of the active layer. - 特許庁

金属と半導体材料間に適度な抵抗値のｐ型オーミック接触電極を形成させ、バンドギャップの大きい発光ダイオードの性能が制限されないＧａＮ系の発光ダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a GaN based light emitting diode in which a p-type ohmic contact electrode having an appropriate resistance is formed between a metal and a semiconductor material in order to prevent the performance of a light emitting diode having a large band gap from being limited. - 特許庁

非混和領域に起因する制約がバンドギャップに関して存在しないエッチング停止層を備える半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element which is provided with an etching stop layer where no restriction caused by a nonmixing region exists on the band gap, and its manufacturing method. - 特許庁

受光面側とは反対側の端に位置する障壁層３３に隣接させて、障壁層３３よりもバンドギャップが小さく、井戸層３４よりも厚さの大きな第３の半導体層を設ける。例文帳に追加

The third semiconductor layer having a band gap smaller than that of the barrier layer 33 and thicker than the well layer 34 is provided contiguously to the barrier layer 33 located at the end on the side opposite to the light receiving surface side. - 特許庁

このような半導体混晶４は３００℃以下の低温成長温度の調節によってＺｎ_x Ｃ_y Ｏ_z の組成ｘ、ｙ及びｚを調節し、バンドギャップを広くすることが可能である。例文帳に追加

The mixed crystal 4 has x, y and z for its composition of ZnxCyOz adjusted by adjusting the lowgrowing temperature to 300°C or lower to increase its band gap. - 特許庁

小型化すると共に、低オン抵抗、低損失特性を有し、ゲート絶縁膜にかかる電界集中を緩和して耐圧低下を抑制し、ターンオフ時のアバランシェ破壊耐量が大きいワイドバンドギャップ半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a wide-band gap semiconductor device that is made compact, has low ON-resistance and low loss characteristics, and has large turn-on avalanche breakdown strength by relaxing electric field concentration to a gate insulating film to suppress a decrease in breakdown voltage. - 特許庁

埋込選択成長を利用して製造コストを削減しつつ、高耐圧特性を有するワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a wideband gap semiconductor device which has a high breakdown voltage characteristics, while reducing the manufacturing cost by utilizing selective embedding growth, and to provide a method of manufacturing the wideband gap semiconductor device. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体のバルク結晶を基板の破損を生じることなく可能な限り薄くハンドル基板に転写することができる低コストの貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing low-cost laminated wafers capable of transferring bulk crystals of wideband gap semiconductors to handle substrates as thin as possible without damaging the substrates. - 特許庁

バンドギャップを小さくすると共に電子散乱が抑制され、炭化珪素を用いたチャネル領域でのキャリア移動度を向上させた半導体素子、並びにレーザを発振する発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which reduces the size of a band gap, and suppresses electron scattering to improve carrier mobility in an channel region using a silicon carbide, and to provide a light-emitting element which emits laser light. - 特許庁

プラズマを生成させるため印加する高周波電力の周波数を変化させることにより、半導体薄膜の厚み方向のバンドギャップを制御することを特徴としている。例文帳に追加

By changing the frequency of a high-frequency power to be applied for generating plasma, the band gap in the thickness direction of the semiconductor thin film is controlled. - 特許庁

高温リーク電流が少なく、低オン抵抗、高速動作が可能なバンドギャップアシスト構造のショットキーダイオードとしての半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device as a shot key diode having a gap assist structure having less high-temperature leak current and performing low-on resistive and high-speed operation, and also to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

また、ＧａＡｓ系の半導体発光素子において、活性層にキャリアを閉じ込めるために、バンドギャップが大きいＩｎ_ｒＧａ_１−ｒＮ（０＜ｒ≦１）をクラッド層に用いる。例文帳に追加

Furthermore, in a GaAs-based semiconductor light-emitting device, to trap carriers in an active layer, InrGa1-rN (0<r≤1) having a large band gap is used for a clad layer. - 特許庁

スイッチング用・定電流制御用に１個のワイドバンドギャップ半導体トランジスタを用いてコスト低減および小型化を図ったスイッチング電源装置と照明装置を提供する。例文帳に追加

To provide a switching power supply device which uses a single wide-bandgap semiconductor transistor for both switching and constant current control purposes to cut down costs and reduce the device size, and a lighting apparatus. - 特許庁

ＡＣ結合充電コンデンサ４３５は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、ゲート電流制限抵抗器４４５に並列に配置されている。例文帳に追加

An AC-coupled charging capacitor 435 is coupled to the gate input of the wide bandgap semiconductor junction gate transistor when used, and is arranged in parallel with the gate current limiting resistor 445. - 特許庁

または、第１ウェル１０４を含む半導体基板１０１の表面をウェットエッチングする工程中に、半導体基板１０１を形成する半導体結晶のバンドギャップエネルギより大きいエネルギを持つ波長の光を照射する。例文帳に追加

In another way, light of a wavelength having an energy larger than the band gap energy of a semiconductor crystal forming the semiconductor substrate 101 is irradiated during the wet etching process of the surface of the semiconductor substrate 101 including the first well 104. - 特許庁

トランジスタ本体１００は、形成基板１０１と、形成基板１０１の上に順次積層された第１の半導体層１０５及び第１の半導体層１０５と比べてバンドギャップが大きい第２の半導体層１０７とを有している。例文帳に追加

The transistor body 100 has a forming substrate 101, a first semiconductor layer 105 sequentially laminated on the forming substrate 101, and a second semiconductor layer 107 of which the band gap is larger than that of the first semiconductor layer 105. - 特許庁

半導体基板３は活性層７よりも高いバンドギャップを有し、第１ＤＢＲ反射層４は発光波長の光に対して透明であり、且つ第１半導体層の屈折率と第２半導体層の屈折率とは互いに異なる。例文帳に追加

The semiconductor substrate 3 has a higher band-gap than the active layer 7, the first DBR reflection layer 3 is transparent to light having a light emission wavelength, and the first semiconductor layer and the second semiconductor layer are different in refractive index from each other. - 特許庁

整流素子１０は、ワイドバンドギャップ半導体よりなるｎ^-半導体層２と、ｎ^-半導体層２にショットキー接触したショットキー電極５およびショットキー電極３と、ショットキー電極５とは異なる電位を印加可能であるカソード電極４とを備えている。例文帳に追加

The rectifier element 10 includes an n^- semiconductor layer 2 consisting of a wide band gap semiconductor; Schottky electrodes 3 and 5 forming Schottky contact with the n^- semiconductor layer 2; and a cathode electrode 4 capable of applying potential different from that of the Shottky electrode 5 and electrically connected to the n^- semiconductor layer 2. - 特許庁

横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法においては、半導体層２に不純物を導入することで半導体層２の材料よりも広いワイドバンドギャップを有する材料よりなるＳｉＣ薄膜層２０が形成される。例文帳に追加

In the method for manufacturing the semiconductor device comprising the horizontal high breakdown voltage element, an SiC thin film layer 20 made of a material which has a wide band gap wider than that of a material of a semiconductor layer 2 by introducing impurities into the semiconductor layer 2 is formed. - 特許庁

１５０℃以上のような、ワイドバンドギャップ半導体が作動可能な温度環境下であっても、電極、接続端子、及び半導体素子基板が導通接続されながら、ヒートサイクルによる亀裂破壊が低減された接合部を有する電力用半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor element including a junction part where crack destruction due to a heat cycle is reduced while an electrode, a connection terminal and a semiconductor element substrate are conductively connected to one another even in a temperature environment allowing a wide bandgap semiconductor to operate such as at 150°C or above. - 特許庁