「化学研摩」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体の化学機械研摩プロセス中の金属除去レ—トを増大させる方法及びＣＭＰ方法例文帳に追加

METHOD FOR INCREASING METAL-REMOVAL RATE DURING CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING PROCESS FOR SEMICONDUCTOR, AND CMP METHOD - 特許庁

本発明の、銅の層又は銅の合金の層を研摩する化学的−機械的研摩（ＣＭＰ）スラリーは、エッチャントと、酸化抑制剤と、銅及び酸化抑制剤の間の錯化を調整する添加剤とを含む。例文帳に追加

The chemical - mechanical polishing(CMP) slurry for polishing the layer of copper or that of the alloy of copper contains an etchant, an oxidation suppression agent, and an additive for adjusting the complexing between the copper and the oxidation suppression agent. - 特許庁

半導体ウエハの平面化の均一性を改良するため、研摩パッド／ベルトの選択的な加熱を使用した、化学機械研摩（ＣＭＰ）装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide chemical-mechanical polishing(CMP) equipment and its method, which use selective heating of a polishing pad/a belt in order to improve uniformity of planarizing a semiconductor wafer. - 特許庁

ポリシリコン・マスクと化学機械研摩（ＣＭＰ）平坦化を使用して２通りの異なるゲート誘電体厚を製作するためのプロセス例文帳に追加

PROCESS FOR MANUFACTURING TWO KINDS OF DIFFERENT GATE DIELECTRIC THICKNESSES USING POLYSILICON MASK AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING(CMP) PLANARIZATION - 特許庁

フォトレジストは化学機械研摩プロセスで平坦化されて、基板１０全体にわたって均一な厚さを達成する。例文帳に追加

The photoresist is planarized by chemical-mechanical polishing process, and an uniform thickness is realized over the entire substrate 10. - 特許庁

化学機械研摩法において、窒化ケイ素に対する二酸化ケイ素の高選択度を示しかつ広いｐＨ実施範囲を有するスラリーを提供する。例文帳に追加

To provide an aqueous slurry which exhibits a higher selectivity to silicon dioxide than to silicon nitride in a chemomechanical polishing method and has a wide pH execution range. - 特許庁

フュ−ムド砥粒ならびに約０．０１〜約５．０wt％の少なくとも１つのＣｓ＋塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物。例文帳に追加

A composition for chemical mechanical polishing composition comprises fumed abrasive grains and about 0.01 to about 5.0 wt.% of at least one Cs+ basic salt. - 特許庁

管状部材本体１の表面にテ−プ状の複数本の感光性フィルム、マスキングテープ等の保護膜５が被着され、保護膜５間の窓部６から露出した管状部材本体１の外側表面を化学研摩方法やショットブラスト加工等で研摩される。例文帳に追加

The surface of a tubular member main body 1 is covered with plural tape-like protecting films 5 such as photosensitive films or masking tapes, and the tubular member main body outer surfaces exposed from windows between the protecting films 5 are polished by a chemical polishing method, a shot blast processing method or the like. - 特許庁

半導体デバイスの研磨加工などに使用される化学機械研摩用の研磨液を調製するにあたり、一層高精度に濃度調整でき且つ効率的に調整できる研磨液の調製方法および調製装置を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing liquid preparation method and an apparatus capable of efficiently preparing polishing liquid more precisely regulated in concentration when a polishing liquid for chemically and mechanically polishing a semiconductor device is prepared. - 特許庁

中性領域で用いても腐敗せず、且つスクラッチやディッシングといった被研磨面の表面欠陥の発生もほとんどなく、被研摩面を十分に平坦化することができる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。例文帳に追加

To provide a water-based dispersing substance for chemical machinery polishing which does not corrode even when used in a neutral region, and scarcely generates such surface defects of a polished surface as scratch and dishing, and further, can flatten enough the polished surface. - 特許庁

好ましくは、本発明は水、約１〜約５０wt％のフュ−ムドシリカ、および約０．１〜２．０wt％のＣｓＯＨを含有する化学的機械研摩用組成物である。例文帳に追加

Preferably, the composition for chemical mechanical polishing comprises water, about 1 to about 50 wt.% of fumed silica, and about 0.1 to 2.0 wt.% of CsOH. - 特許庁

すなわち、被研摩面を構成する金属と化学反応して結合し、ナノメータサイズのヘテロポリ化合物を金属表面に形成することができる化合物と酸化剤および水で成る。例文帳に追加

More specifically, the composition for chemical mechanical polishing comprises a compound capable of forming a heteropoly compound of nano meter size on the metal surface through chemical reaction on a metal constituting the surface to be polished, an oxidizing agent and water. - 特許庁

半導体ウエハ等の基材に設けた微細な凹みに導電性の金属材料を埋込み（工程１）、その後埋込み金属の最外層側から、金属材料表面を作業液（研摩液や薬液、洗浄液を含む）を用いて機械的・化学的作用によって研摩する（工程２）ことによって配線構造を製造する。例文帳に追加

This method comprises the steps of embedding a conductive metallic material into fine recesses formed in a substrate, such as a semiconductor wafer (step 1), polishing the surface of the metallic material by a mechanical and chemical operation using a working solution (including a polishing solution, a chemical solution and a cleaning solution) from the outermost layer of the buried metal (step 2), whereby an interconnection structure is prepared. - 特許庁

半導体デバイスの製造工程において、銅又は銅合金からなる導体膜とバリア金属膜とを連続的に一つの金属研摩液で化学的機械的研磨する際に用いられ、下記成分（１）、下記成分（２）及び下記成分（３）の成分を含むことを特徴とする金属用研磨液。例文帳に追加

The metal polishing liquid is singly used to chemically and mechanically polish a conductor film made of copper or copper alloy and a barrier metal film continuously in the step of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

研磨粒子並びにカルボン酸官能基及びアミン類とハロゲン化物から選ばれる第二の官能基の両方を有する有機化合物を含んでなる、化学機械研摩法を用いて製品の表面から窒化ケイ素に優先して二酸化ケイ素を選択的に除去するのに用いる水性スラリー。例文帳に追加

This aqueous slurry contains polishing particles and an organic compound having a carboxylic-acid-functional group and a second functional group selected from among amine groups and halide groups and is used for removing silicon dioxide in preference to silicon nitride from the surface of a product by a chemomechanical polishing method. - 特許庁

化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）装置において、キャリア１３４とメンブレン１７０を有しターンテーブルの研摩パッド上に位置するポリシングヘッド１３０は、マニホールド１３２と、リテーニングリング１４０と、キャリア１３４内の中央部に設けられるサポータ１５０と、キャリア１３４とサポータ１５０との間に位置するチャッキングリング１６０とを有する。例文帳に追加

In a chemical mechanical planarization(CMP) apparatus, a polishing head 130, that has a carrier 134 and a membrane 170 and is positioned on the polishing pad of a turntable, is equipped with a manifold 132, a retaining ring 140, a supporter 150 provided at a center section in the carrier 134, and a chucking ring 160 positioned between the carrier 134 and a supporter 150. - 特許庁