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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 比抵抗の意味・解説 > 比抵抗に関連した英語例文

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比抵抗の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3465



例文

抵抗膜の比抵抗値測定方法例文帳に追加

RESISTIVITY MEASURING METHOD FOR RESISTANT FILM - 特許庁

高電気比抵抗磁気抵抗例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE FILM WITH HIGH ELECTRICAL RESISTIVITY - 特許庁

電気探査比抵抗例文帳に追加

ELECTRIC EXPLORATION RESISTIVITY METHOD - 特許庁

比抵抗制御装置例文帳に追加

RESISTIVITY CONTROLLER - 特許庁

例文

第1の抵抗4と第2の抵抗5の抵抗値のは、第3の抵抗と第4の抵抗9の抵抗値のは同じである。例文帳に追加

The ratio of a resistance value of the first resistance 4 to the second resistance 5 is set in the same as the ratio of a resistance value of the third resistance to the fourth resistance 9. - 特許庁


例文

比抵抗測定方法及び比抵抗測定用装置例文帳に追加

MEASURING METHOD FOR RESISTIVITY AND DEVICE THEREOF - 特許庁

比抵抗検出器及び比抵抗検出装置例文帳に追加

SPECIFIC RESISTANCE DETECTOR AND SPECIFIC RESISTANCE DETECTING DEVICE - 特許庁

比抵抗測定方法及び比抵抗測定装置例文帳に追加

RESISTIVITY MEASURING METHOD AND RESISTIVITY MEASURING DEVICE - 特許庁

抵抗素子R1は、線路Lnの固有抵抗べて抵抗が小さい。例文帳に追加

The resistor element R1 has a smaller resistance than the intrinsic resistance of the line Ln. - 特許庁

例文

比抵抗が高くて抵抗温度係数が小さい薄膜抵抗例文帳に追加

To provide a thin-film resistor having high resistivity and a small temperature coefficient for resistance. - 特許庁

例文

ここで、抵抗体44の抵抗値R1は、抵抗体46の抵抗値R2と較して無視し得る。例文帳に追加

A resistance value R1 of the resistor 44 is low relative to a resistance value R2 of the resistor 46 and therefore can be neglected. - 特許庁

磁気抵抗の温度係数が小さい磁気抵抗例文帳に追加

MAGNETO RESISTIVE FILM WITH SMALLER TEMPERATURE COEFFICIENT OF MAGNETO RESISTIVE RATIO - 特許庁

第2液を第1液の比抵抗より高抵抗として、液体現像剤の比抵抗を上げている。例文帳に追加

The specific resistance of the second liquid is made higher than that of the first liquid, and the specific resistance of the liquid developer is increased. - 特許庁

抵抗器とそれを用いた較回路例文帳に追加

RESISTOR AND COMPARISON CIRCUIT EQUIPPED THEREWITH - 特許庁

純水の比抵抗値調整装置例文帳に追加

DEVICE FOR ADJUSTING RESISTIVITY VALUE OF PURE WATER - 特許庁

比抵抗測定用の電極ケーブル例文帳に追加

ELECTRODE CABLE FOR MEASURING SPECIFIC RESISTANCE - 特許庁

空燃センサの抵抗検出装置例文帳に追加

RESISTANCE DETECTOR OF AIR/FUEL RATIO SENSOR - 特許庁

比抵抗炭化ケイ素焼結体例文帳に追加

HIGH-RESISTIVITY SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT - 特許庁

地層内の比抵抗測定方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING RESISTIVITY IN STRATUM - 特許庁

精度抵抗レイアウトパターン例文帳に追加

LAYOUT PATTERN OF HIGH PRECISION RESISTIVITY - 特許庁

濾過比抵抗の測定方法例文帳に追加

MEASURING METHOD OF SPECIFIC RESISTANCE AGAINST FILTRATION - 特許庁

この半導体基板10は、比抵抗ρ_1(第1の比抵抗)をもっている。例文帳に追加

The semiconductor substrate 10 has resistivity ρ_1 (first resistivity). - 特許庁

この半導体層20は、比抵抗ρ_2(第2の比抵抗)をもっている。例文帳に追加

The semiconductor layer 20 has resistivity ρ_2 (second resistivity). - 特許庁

抵抗RSの抵抗値は、合成抵抗Rb1,Rb2にべて非常に小さい値で構成されている。例文帳に追加

The resistance of a resistor RS is set to a very small value as compared with those of combined resistors Rb1, Rb2. - 特許庁

上記正極性用抵抗RH0〜RH64の抵抗と負極性用抵抗RL0〜RL64の抵抗が異なる。例文帳に追加

The resistance ratios of the resistors RH0 to RH64 for the positive polarity and the resistance ratios of the resistors RL0 to RL64 for the negative polarity vary. - 特許庁

軸依存性である比抵抗を有する抵抗材料が提供される。例文帳に追加

The resistor material having the specific resistance of axis dependence is provided. - 特許庁

帰還抵抗の調整は、帰還抵抗R1又はR2をトリミングする。例文帳に追加

The feedback resistance ratio is adjusted by trimming the feedback resistors R1 and R2. - 特許庁

このため、厚膜抵抗器の高抵抗化が較的容易に出来る。例文帳に追加

Therefore, the resistance of a thick-film resistor can be increased relatively easily. - 特許庁

そして、薄膜抵抗体20の抵抗値に対する薄膜抵抗体21の抵抗値のに基づき、熱酸化膜11の膜質を評価する。例文帳に追加

The quality of the thermal oxide film 11 is evaluated on the basis of the ratio of the resistance value of the resistor 21 to that of the resistor 20. - 特許庁

また、このときの高抵抗層193の比抵抗(ρ_高抵抗)の最適域は、ρ_高抵抗=1×10^10〜1×10^16Ω・cmである。例文帳に追加

An optimum range of the specific resistancehigh resistance) of the high-resistance layer 193 is 1×10^10 to10^16 Ω×cm. - 特許庁

磁気抵抗素子TR103およびTR104は、磁気抵抗素子の抵抗変化を検出するための較基準用の一定抵抗である。例文帳に追加

The magnetoresistive elements TR103 and TR104 are fixed resistors for reference for comparison for detecting resistance variation of magnetoresistive elements. - 特許庁

抵抗体3が、基板2上に積層された比抵抗の異なる複数の抵抗層3a,3bからなり、かつ、各抵抗層3a,3bのうち比抵抗の大きな抵抗層3aが上層側に形成されてなること。例文帳に追加

The resistor 3 comprises a plurality of resistor layers 3a and 3b of different specific resistance formed in layer on a substrate 2 wherein the resistor layer 3a of higher specific resistance is formed on the upper layer side. - 特許庁

第1の抵抗体2aと第2の抵抗体2bが直列に接続され、第1の抵抗体2aに、第1の抵抗体2aの比抵抗よりも低い比抵抗の接点4が弾性的に接触する。例文帳に追加

A first resistor 2a and a second resistor 2b are connected in series, the contact point 4 having specific resistance lower than the same of the resistor 2a, comes into contact with the resistor 2a elastically. - 特許庁

前記第1制御コードは前記第1可変抵抗抵抗値と前記外部抵抗抵抗値との較結果に応じて生じ、前記第2制御コードは前記第1可変抵抗抵抗値と前記第2可変抵抗抵抗値との較結果に応じて生じる。例文帳に追加

The first control code is generated according to the compared result of the resistance values of the first variable resistance and external resistance, and the second control code is generated according to the compared result of the resistance values of the first variable resistance and second variable resistance. - 特許庁

絶縁層60の比抵抗は電解質膜22の比抵抗と同じか、電解質膜22の比抵抗べて高いことが望ましい。例文帳に追加

A resistivity of the insulating layer 60 is preferably identical to or higher than that of the electrolyte membrane 22. - 特許庁

抵抗素子と低抵抗素子のそれぞれの抵抗値は、薄膜抵抗層の比抵抗と、高抵抗素子の場合は薄膜抵抗層の長さと幅とを調整することにより、低抵抗素子の場合は実効的な平面積を調整することにより、所望の値に設定することができる。例文帳に追加

The resistance value of each of the high resistance element and the low resistance element can be set to a desired value by adjusting the resistivity of the thin film resistance layer, and the length and the width of the thin film resistance layer in the case of a high resistance element, and an effective plane area in the case of a low resistance element. - 特許庁

充電抵抗器の電位差と入力電流のみを用いて、演算により充電抵抗器の抵抗値を計測し、計測した抵抗値と充電抵抗器の実抵抗値とを較する。例文帳に追加

The resistance value of a charging resistor is measured by operation by using only the potential difference of the charging resistor and an input, and the measured resistance value and the actual resistance value of the charging resistor are compared. - 特許庁

1005などのチップ抵抗器においては、抵抗器自体のサイズが小さいことから、抵抗値が高い範囲のチップ抵抗器を製作することは較的容易であるが、抵抗値が低い範囲の抵抗器を製作することは難しい。例文帳に追加

To provide a chip resistor whose value of resistance is in a low range and its manufacturing method, whereas it is comparatively easy to manufacture a chip resistor such as 1005 whose value of resistance is in a high range as the size of the resistor itself is small. - 特許庁

二つの抵抗体を電気的に直列接続して、抵抗値の高い抵抗体の方から先にトリミングを行うと、一つの抵抗体をトリミングした場合にべて高精度の目標抵抗値を備えたチップ抵抗器が得られる。例文帳に追加

By laser-trimming the resistance body first whose resistance value is higher with two resistance bodies electrically connected in series, a chip resistor having a target resistance value with higher precision is obtained compared to the case that a single resistance body is trimmed. - 特許庁

試験体の比抵抗を簡易且つ連続的で確実に測定することの可能な比抵抗測定方法及び比抵抗測定装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a resistivity measuring method and resistivity measuring device capable of easily, continuously and positively measuring the resistivity of a test piece. - 特許庁

試験体の局所的な比抵抗を簡易且つ連続的に測定することの可能な比抵抗測定方法及び比抵抗測定装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and an instrument that can easily and continuously measure a local specific resistance in a testing subject. - 特許庁

試験体の比抵抗を簡易且つ連続的に測定することの可能な比抵抗測定方法及び比抵抗測定用装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a measuring method for resistivity and a device thereof capable of easily and continuously measuring resistivity of a specimen. - 特許庁

積層配線基板1においては、所定の比抵抗を有する低抵抗シリコン基板2と、その所定の比抵抗よりも高い比抵抗を有する高抵抗シリコン基板4とが、絶縁層3を挟んで積層されている。例文帳に追加

In this laminated wiring board 1, a low-resistance silicon substrate 2 having predetermined specific resistance and a high-resistance silicon substrate 4 having high specific resistance relative to the predetermined specific resistance are laminated by interposing an insulating layer 3. - 特許庁

電流は電圧に正例し、抵抗に反例する例文帳に追加

electric current is directly proportional to voltage and inversely proportional to resistance  - 日本語WordNet

本発明の可逆抵抗器トリミング回路は、マッチング抵抗器および基準抵抗器の抵抗ブリッジネットワークを含み、抵抗差を示す較信号を発生する較器回路に入力を提供する。例文帳に追加

The reversible resistor trimming circuit comprises a resistor bridge network of matching resistors and reference resistors, and gives input to a comparator circuit that generates comparison signals to show resistance differences. - 特許庁

等価抵抗3,4は駆動するクロック信号の周波数によって抵抗値が変化する可変抵抗素子であり、この回路の利得は可変抵抗値の抵抗、すなわち分周回路2の分周で決定される。例文帳に追加

The equivalent resistors 3 and 4 are variable resistors to change resistance corresponding to the frequency of a clock signal to be driven and the gain of this circuit is determined by the resistance ratio of the variable resistance values, namely, the frequency dividing ratio of the frequency divider circuit 2. - 特許庁

具体的には高抵抗層193の比抵抗を支持体層191の比抵抗よりも約2桁以上高い値にする。例文帳に追加

Concretely, the specific resistance of the high-resistance layer 193 is made higher than that of the support layer 191 by double-digit or more. - 特許庁

これにより、基準抵抗と基準抵抗からので決定される所望の抵抗値とのが精度良く作ることができる。例文帳に追加

As a result, the ratio of the reference resistance and the desired resistance value decided by the ratio from the reference resistance can be accurately obtained. - 特許庁

また、従来から高抵抗側の導電材料として一般に用いられているPb_2Ru_2O_6.5の比抵抗3×10^-6(Ω・m)よりも高い比抵抗が得られる。例文帳に追加

Also, a higher resistivity than the resistivity of10^-6(Ωm) which is the resistivity of Pb_2Ru_2O_6.5 used generally as a conventional high-resistance-side conductive material can be obtained. - 特許庁

例文

前記の抵抗材料は第1の方向における比抵抗、および直交する方向における非常に異なる比抵抗を有する。例文帳に追加

The resistor material has the specific resistance in a first direction and the extemely different specific resistance in an orthogonal direction. - 特許庁

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