「比抵抗」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

抵抗値変動を良好に防止し、且つ比較的高抵抗であり、生産性にも優れた多結晶シリコン抵抗膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a polycrystalline silicon resistance film which can preferably prevent a change in resistance and has relatively high resistance with excellent productivity. - 特許庁

特に、抵抗体の比抵抗を従来よりも高めて前記抵抗体を厚い膜厚で形成することが可能な磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetic head for forming a resistor with a thick film by increasing the specific resistance of the resistor compared to the conventional one. - 特許庁

抵抗Ｒ1 と抵抗Ｒ2 の抵抗値の比は、最小電圧が入力される入力ダイオードのＯＮ電圧とダイオードＤ0 のＯＮ電圧が近似的に一致するように設計される。例文帳に追加

The resistance value ratio between the resistors R1 and R2 is designed so that the ON voltage of the input diode inputting a minimum voltage approximately matches with the ON voltage of the diode D0. - 特許庁

基材となる高分子板２４と所定の比抵抗を有する抵抗層２８と導電性に優れた導電板２６を複数層積層して抵抗層接合体２２を製造する。例文帳に追加

The resistance layer joint body 22 is manufactured by laminating a plurality of layers of a polymer plate 24 as a base material, the resistance layer 28 having prescribed specific resistance, and a conductive plate 26 excellent in conductivity. - 特許庁

このコンデンサーと抵抗の値は第一の増幅器の入力容量とガード・シールドから漏れる浮遊容量等及び微分回路の抵抗と前述の各々の抵抗の比によって決定する。例文帳に追加

The values of this capacitor and the resistor are determined by stray capacitances, etc., which leak from a guard shield, and each of the resistances of a differential circuit. - 特許庁

ターンオフ時には素子２０の電圧Ｖａｋが所定の電圧になったことを比較器２６で検出し、制御回路２４がゲート抵抗を小さな抵抗から大きな抵抗に切り替えてサージ電圧を抑制しスイッチング損失を低減する。例文帳に追加

A comparator 26 detects that voltage Vak of the element 20 becomes prescribed voltage during turn-off, and the control circuit 24 switches gate resistance from small resistance to large resistance, suppresses surge voltage and reduces switching loss. - 特許庁

このため、抵抗値変動を良好に防止し、且つ比較的高抵抗であり、生産性にも優れた多結晶シリコン抵抗膜を有する半導体装置の製造方法が得られる。例文帳に追加

Thus, it is possible to obtain a method of manufacturing a semiconductor device having the polycrystalline silicon resistance film which can preferably prevent a change in resistance and has relatively high resistance with excellent productivity. - 特許庁

複数のレファレンス用抵抗素子の抵抗値は、メモリセルの抵抗値の最小値及び最大値に比べ、より小さい値からより大きい値まで変更できるように選定する。例文帳に追加

Resistance values of the plurality of reference resistance elements are selected so as to be changed from a smaller value to a larger value as compared with a minimum value and a maximum value of the resistance values of the memory cells. - 特許庁

その際、各合成抵抗Ｒ１２，ｋ・Ｒ２１において、２つの抵抗の位置を代えたり、各抵抗の比を変えることにより、オペアンプＯＰ１１の２次歪を、一定範囲内で自由に制御することが可能な構成となっている。例文帳に追加

At that time, the positions of the two resistances are changed or the ratio of each resistance is changed in each combined resistance R12 and k.R21 so that the secondary distortion of the operational amplifier OP11 can be freely controlled within a fixed range. - 特許庁

第３のＰＮ接合素子Ｄ３は、第４の抵抗器Ｒ４に対する第５の抵抗器の抵抗値の仕上がり値の比率に応じて、第１のＰＮ接合素子Ｄ１に動的に且つ電気的に接続又は切断される。例文帳に追加

The third PN junction element D3 is dynamically and electrically connected/cut to/from the first PN junction element D1 according to a ratio of a finished value of a resistance value of the fifth resistor to the fourth resistor R4. - 特許庁

ドライブ手段２７と圧電振動子１１との間にドライブ抵抗Ｒ_Dを挿入するとドライブ抵抗Ｒ_Dと圧電振動子１１の内部抵抗Ｚとの分割比により、駆動電圧Ｖ_Cを決定できる。例文帳に追加

When a driver resistance RD is interposed between a drive means 27 and a piezoelectric vibrator 11, a driving voltage VC can be determined by the division ratio of the drive resistance RD and the internal resistance Z of the piezoelectric vibrator 11. - 特許庁

無誘導形金属巻線抵抗器で製作抵抗値範囲も広く、量産性も良く、比較的安価のわりには吸収エネルギーが大きく、インダクタンス分が小さい抵抗器の製作。例文帳に追加

To provide a non-inductive metal wire wound resistor which has a wide range of manufacturing resistance, is superior in mass productivity, and comparatively inexpensive, and has large absorbed energy and small inductance. - 特許庁

抵抗ペーストに含まれるガラス中のＳｉＯ_２量を変えることによって、焼成後のガラス中へのＩｎ溶解量を変え、それによって、厚膜抵抗体の比抵抗を調整する。例文帳に追加

The content of SiO_2 in glass contained in a resistor paste is changed to change the content of In dissolved in the glass after firing, thereby adjusting the specific resistance of the thick-film resistor. - 特許庁

電極幅と、端子間距離と、抵抗率が異なり孔を有する集電体の抵抗比が制御され、電子抵抗の低い集電構造を得ることにより、高出力化の可能な蓄電デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a power storage device that can provide high output by controlling the resistance ratio of porous curent collectors different in electrode width, inter-terminal distance and resistivity to achieve a current collection structure having low electronic resistance. - 特許庁

分圧部３２は、出力部３１に接続された可変抵抗器ＶＲ１と出力部３１との間の第１電圧Ｖ１を、固定抵抗器Ｒ２と可変抵抗器ＶＲ３とによる分圧比にて分圧して第３電圧Ｖ３を生成する。例文帳に追加

A voltage-dividing section 32 divides a first voltage V1 between a variable resistor VR1 connected to an output section 31 and the output section 31 by a voltage division ratio by a fixed resistor R2 and a variable resistor VR3 and generates a third voltage V3. - 特許庁

磁気抵抗効果センサ膜ジャンクション端部の酸化に起因する膜質の劣化を防止し、ヘッド抵抗が低く、高出力、高信号雑音比のCPP構造磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a CPP magnetoresistive head which prevents a degradation in film quality of a magnetoresistive sensor film due to oxidation at a junction end thereof, and has a low head resistance, a high output, and a high signal-to-noise ratio. - 特許庁

抵抗変化層の高抵抗状態と低抵抗状態との間のスイッチングを従来に比してさらにスムーズに行うことができる不揮発性記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory device that allows switching between a high-resistance state and a low-resistance state of a resistance change layer so as to make it more smoothly, as compared with conventional types. - 特許庁

そして，１回目の内部抵抗と２回目の内部抵抗とを比較して内部抵抗が回復したと判断した場合には（Ｓ０７：ＹＥＳ），「非劣化」とする（Ｓ１８）。例文帳に追加

When the first internal resistance and the second internal resistance are compared with each other to determine that the internal resistance is restored (S07: YES), the target battery is determined to be not deteriorated (S18). - 特許庁

記録紙通過の上流側に位置する端部発熱抵抗体１２１，１２２の抵抗値は、端部発熱抵抗体１３１，１３２に比して低く形成し、温度を低くした。例文帳に追加

Resistance values of the end heating resistors 121, 122 located at an upstream side at the time of passing a record paper are set up to be lower in comparison with those of the end heating resistors 131, 132 in order to reduce temperature. - 特許庁

これにより、接地点がｃ１とｃ２との間で切り替わり、接地点から正極までの抵抗値と接地点から負極までの抵抗値との抵抗比率が、所定の周期で変更されるようになった。例文帳に追加

By this, the ground point is switched between c1 and c2 such that a resistance ratio between a resistance value from the ground point to the positive electrode and a resistance value from the ground point to the negative electrode can be changed in the prescribed period. - 特許庁

それゆえ、電圧を印加する前の抵抗と印加した後の抵抗との抵抗比が大きいことに加えて、高速応答性を示す不揮発性メモリセルを実現できる。例文帳に追加

Therefore, it is possible to materialize the nonvolatile memory cell which has the large resistance ratio of a resistance before a voltage is applied to a resistance after it is applied and additionally indicates the high speed response. - 特許庁

特に上記負荷素子は、誘導抵抗若しくはシリコン抵抗から選択され、又は、周波数に反比例するノイズを最適化するように選択されたサイズの抵抗によって構成される。例文帳に追加

Specially, the load element is selected between an induction resistance and a silicon resistance or composed of a resistance of size selected so as to optimize the noise in inverse proportion to the frequency. - 特許庁

比抵抗が低くて光透過率も低く、銅薄膜との接触抵抗が低く接触抵抗のバラツキの少ない均一な特性を有する金属酸化物導電体薄膜を得る。例文帳に追加

To obtain a metal oxide conductor this film, which is low in specific resistance, is low also in light transmittance, is low in the contact resistance between the conductor thin film and a copper thin film, has little irregularity in the contact resistance and has uniform characteristics. - 特許庁

そして、検出抵抗の抵抗値Ｒ１に応じて、トリミングされた基準電圧Ｖｒｅｆを発生し、検出抵抗の電圧降下に応じた検出電圧Ｖｄｅｔとの比較に基づいて負荷Ｍの駆動を制御する。例文帳に追加

Trimmed reference voltage Vref is generated, according to the resistance value R1 of the detection resistor, and drive of a load M is controlled, based on comparison with detected voltage Vdet according to the voltage drop of the detection resistor. - 特許庁

電源投入時（ステップＳ２１）に、該合成抵抗値（シリーズ抵抗値）をADコンバータ（AD値）もしくはコンパレータ出力により参照し（ステップＳ２２）、機種設定抵抗値と比較する（ステップＳ２３）。例文帳に追加

When a power source is turned on (step S21), the composite resistance value (series resistance value) is referenced by an A/D converter (A/D value) or comparator output (step S22) and compared with a machine type setting resistance value (step S23). - 特許庁

アルミの抵抗率は２．７×１０^-6Ω・cmであり、各線状電極２３の端部２６ａと端部２６ｂ間の抵抗値は２．３ＫΩとなり、従来の光透過性電極である線状電極の抵抗値に比べ非常に小さい。例文帳に追加

The resistance of aluminum is 2.7×10^-6 Ωcm, and a resistance value between end parts 26a and 26b of each linear electrode 23 is 2.3 kΩ and is much lower than that of a linear electrode being a conventional light-transmissive electrode. - 特許庁

そこで、この電極抵抗値Ｒｅと、電源線電極１３から画素開口部１５を通る電流経路における合成抵抗値Ｒｘとの抵抗比率Ｒｘ／Ｒｅを１０^5 以上となるように構成する。例文帳に追加

Here, it is constructed so that Rx/Re, which is a synthetic resistance Rx at the current passage passing from the power source line electrode 13 to the pixel opening part 15 against the electrode resistance Re, becomes not lower than 10^5. - 特許庁

抵抗体フィラー２と，樹脂材料３とからなり，抵抗体フィラー２のアスペクト比は５以上であることを特徴とする抵抗体用組成物である。例文帳に追加

The resistor composition is made of resistor fillers 2 each of which has an aspect ratio not smaller than 5 and a resin material 3. - 特許庁

そして、ノイズ除去フィルタ１のインピーダンスの抵抗成分に対するリアクタンス成分の比が０．５２より大きく０．９２未満になるように、抵抗体４の抵抗値を設定した。例文帳に追加

Further, the resistance value of the resistor body 4 is set such that, in the impedance of the noise reduction filter 1, the ratio of the reactance component to the resistance component is greater than 0.52 and less than 0.92. - 特許庁

第２の定電流源１１３は複数組のバイポーラトランジスタ１１６と抵抗１１５からなり、この抵抗１１５の抵抗値は各バイポーラトランジスタ１１６のエミッタサイズに反比例する。例文帳に追加

The 2nd constant current source 113 consists of a plurality of sets of bipolar transistors(TRs) 116 and resistors 115, and each resistance of the resistors 115 is selected inversely proportional to the emitter size of each bipolar TR 116. - 特許庁

可変させる手段として、抵抗値切り替え手段４４２を設け、抵抗値制御部４４１を制御し抵抗値を変化させることで電圧比を調節し、表示ムラの発生を防止する。例文帳に追加

A resister value change-over means 442 is arranged as a varying means, and the voltage ratios are adjusted by controlling a resister value control part 441 to vary the resister value, and thereby the display unevenness is prevented from being caused. - 特許庁

本発明は、高い抵抗比でありながら高速応答性を示す、多層構造の抵抗層を備える不揮発性メモリセルおよびその製造方法、並びにそれを用いた抵抗可変型不揮発性メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory cell which shows a high-speed response despite a high resistance ratio and is equipped with resistive layers of a multilayer structure, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile memory cell, as well as, a resistance variable nonvolatile memory device that uses the nonvolatile memory cell. - 特許庁

磁気抵抗効果膜の大きさに応じて比較的に簡単に磁気抵抗効果膜内の自由側磁性層の磁化方向を制御することができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加

To provide a CPP structured magneto-resistance effect element capable of controlling the magnetizing direction of a free side magnetic layer in a magneto-resistance effect film by the comparatively easy manner in accordance with the size of the magneto-resistance effect film. - 特許庁

可変抵抗制御回路６は、駆動電流Ｉｄに対する第２電流Ｉ２の比が小さいほど可変抵抗４の抵抗値が大きくなるように制御する。例文帳に追加

A variable resistance control circuit 6 controls the variable resistance 4 so that the resistance value of the variable resistance 4 is larger and larger as the ratio of the second current I2 to the drive current Id is smaller and smaller. - 特許庁

磁気抵抗効果素子に大きな磁束を誘導できて、良好な再生効率を有すると共に、高アスペクト比の磁気抵抗効果素子形状によりバルクハウゼンノイズを抑制するヨーク型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a yoke type magnetoresistive effect head capable of suppressing Barkhausen noise by the shape of a magnetoresistive effect element with a high aspect ratio, capable of introducing a large amount of magnetic fluxes to the magnetoresistive effect element and having the satisfied reproduction efficiency. - 特許庁

補助電極を用いることなく、簡易に接地抵抗を測定できる信号電圧比を用いた接地抵抗測定装置及び接地抵抗測定方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a grounding resistance measuring instrument which can easily measure the grounding resistance of an object to be measured without using any auxiliary element by using signal-to-voltage ratios, and a method for measuring grounding resistance. - 特許庁

ＣＰＵ３１は、入力された情報を抵抗値データメモリ５が記憶している通信距離とその通信距離に対応した抵抗値のデータと比較し、発光ＬＥＤ制御回路１００へ抵抗値の設定を指示する。例文帳に追加

The CPU 31 compares the inputted information with the data of a communication distance and a resistance value, corresponding to the communication distance stored in a resistance value data memory 5 and instructs the setting of a resistance value to a light emitting LED control circuit 100. - 特許庁

加えて、抵抗素子６０２によれば、ＴＦＴ６０１ａと同一平面内に抵抗素子を形成する場合に比べて、これらＴＦＴ６０１ａ及び抵抗素子６０２を含むクロックドインバータ５０１ａのサイズを小型化できる。例文帳に追加

Additionally, the resistance element 602 makes it possible to make the size of a clocked inverter 501a including a TFT 601a and the resistance element 602 smaller than when the resistance element is formed in the same plane with the TFT 601a. - 特許庁

抵抗体膜の縦横比を大きくとることにより、低ＴＣＲのＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料を使用しても更なる低抵抗化を実現する。例文帳に追加

To lower the resistance of a chip resistor even when a Pd-Ag-based thick film resistance material having a low TCR is used by making the aspect ratio of a resistor film larger. - 特許庁

これにより，電気抵抗及び接触圧力対比ニップ１１０を一定に維持できるだけでなく，導電性板材の体積抵抗率などを適切に設定することによって，転写部１０５の電気抵抗も調整できるようになる。例文帳に追加

Thus, not only electric resistance and contact pressure-related nip 110 can be kept constant but also electric resistance of the transfer part 105 can be adjusted by appropriately setting the volume resistivity, etc., of the conductive plate material. - 特許庁

また、閉回路を形成する２本の行配線２ａ（♯１、♯２）に異常が無ければ、プルアップ抵抗Ｒp と抵抗体Ｒd との抵抗比に応じた分圧電圧｛Ｒ・Ｖcc／（Ｒ＋Ｒp ）｝が検出される。例文帳に追加

When there is no abnormality in two row wirings 2a (#1, #2) forming the closed circuit, partial pressure {R.Vcc/(R+ Rp)} corresponding to the resistance ratio of the pull-up resistance Rp and the resistor Rd is detected. - 特許庁

これにより、増幅部とフィルタ部とを別個に設けてそれぞれに抵抗を使用する場合に比べて、信号経路上の抵抗の数を減らし、抵抗の熱雑音によるノイズ指数の悪化を抑えることができる。例文帳に追加

Thus, the number of the resistors on a signal path is reduced more, and deterioration in the noise index due to thermal noise of the resistors is suppressed more in comparison with the case with separate provision of an amplifier section and a filter section, and provision of respective resistors for the sections. - 特許庁

局所的な抵抗異常個所は、正常な個所に比べて発熱による抵抗変化が大きくなるため、電流を変えて２回の測定値の差を見ることで、抵抗異常個所２０の検出を容易にする。例文帳に追加

Since the resistance change of the local resistance abnormality location due to heat generation is greater than that of normal positions, the resistance abnormality location 20 can easily be detected, by checking a difference of measured values conducted twice by changing the measurement current. - 特許庁

ヒータ抵抗はＲｓに比べて格段に小さいので殆ど無視でき、従来のようにヒータ抵抗に発生する電圧に依存することなく感応部の抵抗値Ｒｓを正確に求めることができる。例文帳に追加

A heater resistance is almost negligible because it is remarkably small compare with Rs, and the resistance value Rs of the sensitive part 2 can be determined accurately without depending on a voltage generated in the heater resistance as hitherto. - 特許庁

トランジスタＱ３のベースに印加された信号発生器１０の搬送波は、負荷抵抗１２と第１のエミッタ抵抗１３ａおよび第２のエミッタ抵抗１３ｂとの比による利得倍される。例文帳に追加

A carrier wave of a signal generator 10 applied to the base of a transistor(TR) Q3 is gain-amplified by a ratio of the resistance of a load resistor 12 to the resistance of a 1st emitter resistor 13a and a 2nd emitter resistor 13b. - 特許庁