「Chalcogenide」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

POLISHING SLURRY FOR CHALCOGENIDE ALLOY例文帳に追加

カルコゲナイド合金のための研磨スラリー - 特許庁

RAMAN LIGHT AMPLIFIER BASED ON CHALCOGENIDE GLASS例文帳に追加

カルコゲナイドガラスをベースとしたラマン光増幅器 - 特許庁

METHOD FOR POLISHING CHALCOGENIDE ALLOY例文帳に追加

カルコゲナイド合金を研磨する方法 - 特許庁

CHALCOGENIDE GLASS FIBER AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

カルコゲナイドガラスファイバーおよびその製造方法 - 特許庁

CHALCOGENIDE FIRED BODY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

カルコゲナイド焼成体およびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING DISPERSION LIQUID OF METAL CHALCOGENIDE例文帳に追加

金属カルコゲニド分散液の製造 - 特許庁

METHOD FOR MAKING ULTRAFINE PARTICLE OF METAL CHALCOGENIDE例文帳に追加

金属カルコゲナイド超微粒子の作製方法 - 特許庁

ULTRAFINE PARTICLE OF COMPOSITE MODIFIED METAL CHALCOGENIDE例文帳に追加

複合修飾金属カルコゲン化物超微粒子 - 特許庁

To provide a metal chalcogenide layer high in photoelectric conversion efficiency, and a photoelectric conversion device including the metal chalcogenide layer.例文帳に追加

光電変換効率の高い金属カルコゲナイド層およびそれを用いた光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

PEARLESCENT PIGMENT BASED ON SELECTIVE ABSORPTION LAYER OF CHALCOGENIDE, OXYCHALCOGENIDE AND MIXED CHALCOGENIDE例文帳に追加

カルコゲニド、オキシカルコゲニド及び混合カルコゲニドの選択的吸収層に基づいている真珠光沢顔料 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF N-TYPE AND P-TYPE CHALCOGENIDE MATERIALS, CHALCOGENIDE THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

Ｎ型およびＰ型カルコゲニド素材の製造方法、カルコゲニド薄膜型トランジスタおよびその製作方法 - 特許庁

The objective silver halide emulsion contains silver chalcogenide or gold silver chalcogenide formed by chemical sensitization and at least part of the silver chalcogenide or gold silver chalcogenide is amorphous.例文帳に追加

また、化学増感によって生成したカルコゲン化銀またはカルコゲン化金銀を含むハロゲン化銀乳剤であって、前記カルコゲン化銀またはカルコゲン化金銀の少なくとも一部が非晶質であることを特徴とするハロゲン化銀乳剤である。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING SHAPE AND SIZE OF Pb-CHALCOGENIDE NANOPARTICLE例文帳に追加

ＰＢ−カルコゲニドナノ粒子の形状および寸法を制御する方法 - 特許庁

The element 20 having the thyristor characteristics includes chalcogenide glass.例文帳に追加

サイリスタ特性を有する素子２０は、カルコゲン化物ガラス２６よりなる。 - 特許庁

Solution vaporization CVD is employed for growing an oxy-chalcogenide based thin film.例文帳に追加

オキシカルコゲナイド系薄膜の成長に溶液気化ＣＶＤ法を用いる。 - 特許庁

CHALCOGENIDE GLASS FOR USE IN LOW VISCOSITY-EXTRUSION MOLDING AND -INJECTION MOLDING例文帳に追加

低粘度押出成形および射出成形のためのカルコゲナイドガラス - 特許庁

CHALCOGENIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME例文帳に追加

カルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法 - 特許庁

THIN-FILM TRANSISTOR HAVING CHALCOGENIDE LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

カルコゲナイド層を持つ薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method for depositing a metal chalcogenide film.例文帳に追加

金属カルコゲニドの皮膜を堆積させる方法を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE COMPRISING GST CHALCOGENIDE PATTERN例文帳に追加

ＧＳＴカルコゲニドパターンを備える相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

CHALCOGENIDE GLASS FOR LOW VISCOSITY EXTRUSION AND INJECTION MOLDING例文帳に追加

低粘度押出成形および射出成形のためのカルコゲナイドガラス - 特許庁

A chalcogenide concentration of the gradient thin film 14 may decrease with an increasing distance from the chalcogenide thin film, while other thin film material concentrations may increase with an increasing distance from the chalcogenide thin film over the gradient thin film thicknesses.例文帳に追加

勾配薄膜１４は、カルコゲナイド薄膜から離れるにつれ、カルコゲナイド濃度が減少してもよく、その一方で、他の薄膜材料の濃度は、勾配薄膜厚にわたって、カルコゲナイド薄膜から離れるにつれ増加する。 - 特許庁

The ultra-high density data storage medium is composed of one or more semiconductor films each containing the semiconductor compound selected from the group composed of an indium chalcogenide, a gallium chalcogenide, and an indium-gallium chalcogenide.例文帳に追加

本発明の超高密度データ記憶媒体は、インジウムカルコゲニドと、ガリウムカルコゲニドと、インジウム−ガリウムカルコゲニドから選択された半導体化合物を含む１以上の半導体フィルムから製造されることを特徴とする。 - 特許庁

The amorphous chalcogenide solid active electrolytic layer is prepared by obtaining a solution of a hydrazine-based precursor to a metal chalcogenide; applying the solution onto a substrate; and thereafter annealing the precursor to convert the precursor to the amorphous metal chalcogenide.例文帳に追加

アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、金属カルコゲニドのヒドラジン・ベースの前駆物質の溶液を得、該溶液を基材上に塗布し、しかる後、前駆物質をアニールして該前駆物質をアモルファス金属カルコゲニドに変換することによって調製される。 - 特許庁

A method for producing the chalcogenide glass 5 by melting and cooling a raw material of the chalcogenide glass after sealing it in a vessel A under vacuum, excludes distortions from the chalcogenide glass 5 by providing a portion 4 in the vessel A for excluding the distortions through concentrating the distortions in the portion 4.例文帳に追加

カルコゲナイドガラス原料を容器Ａに真空封入した後に溶融、冷却することによってカルコゲナイドガラス５を製造する方法において、容器１に除歪部分４を設けてカルコゲナイドガラス５から除歪する。 - 特許庁

MESA STRUCTURE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTER HAVING CHALCOGENIDE DIELECTRIC COATING例文帳に追加

カルコゲナイド誘電体コーティングを有するメサ構造半導体光エミッタ - 特許庁

To provide a cathode platinum-free electrode catalyst having high performance using chalcogenide.例文帳に追加

性能を向上させたカルコゲナイドを用いたカソード非白金電極触媒を提供する。 - 特許庁

LITHIUM-CONTAINING TRANSITION METAL CHALCOGENIDE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF NONAQUEOUS SECONDARY BATTERY例文帳に追加

リチウム含有遷移金属カルコゲナイド、その製造方法、および非水二次電池の製造方法 - 特許庁

TOPOLOGICAL CRYSTAL BODY OF TRANSITION METAL CHALCOGENIDE AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

遷移金属カルコゲナイドのトポロジカル結晶体及びその形成方法 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL MATERIAL CONTAINING METAL CHALCOGENIDE NANOPARTICLE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME例文帳に追加

金属カルコゲナイドナノ粒子を含有する液晶材料及びそれを含む液晶表示装置 - 特許庁

The particle involves physical vapor deposition of Mn_xV_yTa_zO_w and the chalcogenide glass layer.例文帳に追加

前記粒子は、Ｍｎ_xＶ_yＴａ_zＯ_wおよびカルコゲニドガラス層の物理蒸着により行なう。 - 特許庁

To provide a semiconductor containing chalcogenide with a phase change memory and an ovonic threshold value switch.例文帳に追加

相変化メモリ及びオボニック閾値スイッチを備えるカルコゲニド含有半導体を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF METAL CHALCOGENIDE PARTICLE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE例文帳に追加

金属カルコゲナイド粒子の製造方法および光電変換装置の製造方法 - 特許庁

A memory cell has a chalcogenide random access memory, CRAM, cell 40 and a CMOS circuit.例文帳に追加

メモリセルはカルコゲニドランダムアクセスメモリ（CRAM）セル４０とCMOS回路とを有している。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING METAL CHALCOGENIDE LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE例文帳に追加

金属カルコゲナイド層の製造方法および光電変換装置の製造方法 - 特許庁

The diode 10 has a function of flowing a current that passes through the chalcogenide structure.例文帳に追加

ダイオード１０はカルコゲニド構造を通過する電流を流す機能を有する。 - 特許庁

BINARY AND TERNARY METAL CHALCOGENIDE MATERIALS, METHOD OF MAKING THE SAME AND METHOD OF USING THE SAME例文帳に追加

二元及び三元金属カルコゲニド材料ならびにその製造方法及び使用方法 - 特許庁

The p-type semiconductor can be constituted of either one kind of chalcogenide of Mo, W and Cr.例文帳に追加

ｐ型半導体は、Ｍｏ、ＷおよびＣｒのいずれか１種のカルコゲナイドにより構成できる。 - 特許庁

A phase change chalcogenide material is directly deposited on the vertical heater element.例文帳に追加

相変化カルコゲナイド材料を、縦ヒータ素子の上に直接堆積させている。 - 特許庁

BINARY AND TERNARY METAL CHALCOGENIDE MATERIALS AND METHOD OF MAKING AND USING THE SAME例文帳に追加

２元及び３元金属カルコゲナイド材料及びそれを用いた製造方法 - 特許庁

To provide a new set of chemicals for making metal chalcogenide materials.例文帳に追加

金属カルコゲナイド材料を製造するための新規なセットの化学物質を提供すること。 - 特許庁

A chalcogenide-based compound semiconductor and a production method therefor are provided.例文帳に追加

以下の構成を備えたカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法。 - 特許庁

To shorten manufacturing time in the manufacture of an optical element formed from chalcogenide glass.例文帳に追加

カルコゲナイドガラスからなる光学素子の製造において、製造時間の短縮を図る。 - 特許庁

The information recording layer 130 is formed by using a phase transition medium of a chalcogenide series.例文帳に追加

情報記録層１３０は、カルコゲナイド系列の相変化媒体で形成される。 - 特許庁

To provide a method for chemical mechanical polishing of a substrate comprising a chalcogenide phase change alloy.例文帳に追加

カルコゲナイド相変化合金を含む基板のケミカルメカニカルポリッシング方法を提供する。 - 特許庁