「Chalcogenide」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device capable of improving mass-productivity while securing a contact property between a via or a junction layer and a chalcogenide film; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ビア又は接着層とカルコゲナイド膜とのコンタクト性を確保しつつ、量産性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent generation of a useless portion in chalcogenide glass which is a material, and to prevent generation of a gas residue in formation, even when a preform is formed by a simple mold.例文帳に追加

材料であるカルコゲナイドガラスに無駄が生じないようにするとともに、プリフォームを簡単な型で形成しても成形時にガス残りすることのないようにする。 - 特許庁

A self-aligned nonvolatile memory structure, having a base of a phase change material containing chalcogenide, is formed together with a very small area on an integrated circuit.例文帳に追加

カルコゲナイドを含む相変化材料をベースにした自己整列した不揮発性メモリ構造は、集積回路上の非常に小さな区域と一緒に形成され得る。 - 特許庁

The CRAM cell 40 has a cross-sectional area determined through a thin film process, e.g., a chalcogenide-deposition thin-film process, and an iso-orientational etching process.例文帳に追加

CRAMセル４０は薄膜プロセス（例えばカルコゲニド堆積薄膜プロセス）と等方位エッチングプロセスとによって規定される断面積を有している。 - 特許庁

Provided are methods of preparing the selenium ink and of using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide containing semiconductor materials, such as, thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photo responsive devices (e.g., electrophotography (e.g., laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and photo voltaic cells) and chalcogenide containing phase change memory devices.例文帳に追加

このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）；および、光応答デバイス（例えば、エレクトロフォトグラフィ（例えば、レーザープリンタおよびコピー機）、整流器、写真用露出計および太陽電池）、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリデバイスの製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。 - 特許庁

Also provided are methods for producing the selenium ink and for using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide-containing semiconductor materials, such as thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photoresponsive devices (e.g. electrophotography (e.g. laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and solar cells) and chalcogenide-containing phase change memory materials.例文帳に追加

このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）；および、光応答デバイス（例えば、エレクトロフォトグラフィ（例えば、レーザープリンタおよびコピー機）、整流器、写真用露出計および太陽電池）、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリ物質の製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。 - 特許庁

The low pressure gas discharge lamp comprises a gas discharge container which is equipped with a sealed gas that contains a copper compound selected from a group made of an oxide of copper, chalcogenide, hydroxide, hydride and metal organic compound, and an interference gas.例文帳に追加

本発明の低圧ガス放電ランプは、銅の酸化物、カルコゲナイド、水酸化物、水素化物及び金属有機化合物からなる群から選ばれる銅化合物を含むとともに干渉ガスを含む封入ガスを具えるガス放電容器を具える。 - 特許庁

This pearlescent pigment is based on a substrate containing at least one selective light absorption layer consisting of the chalcogenide and/or oxychalcogenide excluding rare earth elements and yttrium sulfide, and the rare earth elements and yttrium oxysulfide.例文帳に追加

希土類元素及びイットリウムサルファイド並びに希土類元素及びイットリウムオキシサルファイドを除くカルコゲニド及び／又はオキシカルコゲニドからなる少なくとも一つの選択的光吸収性層を含んでなる基板に基づく真珠光沢顔料により上記課題は達成される。 - 特許庁

The glass flakes preferably have a softening point above 800°C, and the coating layer preferably includes a metal oxide, metal suboxide, metallic oxyhalide, metal fluoride, metal chalcogenide, metal nitride, metal sulfide, metal carbide or mixture thereof.例文帳に追加

なお、該ガラスフレークが軟化点８００℃以上であることが、また、被覆層として、金属酸化物、金属亜酸化物、金属オキシハロゲン化物、金属弗化物、金属カルコゲニド、金属窒化物、金属硫化物、金属炭化物、またはそれらの混合物からなっていることが好ましい。 - 特許庁

This target has a composition containing silicon dioxide of 10 to 30 mol%, one or two kinds of indium-tin multiple oxide and antimony-tin multiple oxide by 5 to 35 mol% in total, and the balance zinc chalcogenide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、インジウム・錫複合酸化物およびアンチモン・錫複合酸化物の内のいずれか１種または２種を合計で５〜３５モル％を含有し、残部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする。 - 特許庁

A fuel cell system has (A) a fuel cell circuit constituted with a cell using a platinum catalyst and/or a platinum alloy system catalyst as an electrode catalyst and (B) a fuel cell circuit constituted with a cell using a chalcogenide-based catalyst as the electrode catalyst arranged in parallel.例文帳に追加

（Ａ）電極触媒として白金及び／又は白金合金系触媒を用いたセルによって構成される燃料電池回路と、（Ｂ）電極触媒としてカルコゲナイド系触媒を用いたセルによって構成される燃料電池回路とが並列に配置された燃料電池システム。 - 特許庁

The high-resistance layer is formed out of the oxide film of Gd (gadolinium), and the ion-source layer contains such metal elements as Cu (copper), Zr (zirconium), Al (aluminum), and so forth together with such chalcogenide elements as S (sulfur), Se (selenium), Te (tellurium), and so forth.例文帳に追加

高抵抗層はＧｄ（ガドリニウム）の酸化膜により形成され、イオン源層は、Ｓ（硫黄），Ｓｅ（セレン）およびＴｅ（テルル）などのカルコゲナイド元素と共に、Ｃｕ（銅），Ｚｒ（ジルコニウム），Ａｌ（アルミニウム）などの金属元素を含有する。 - 特許庁

The metallization structure (100) has an ion conductor (110) such as a chalcogenide-glass which includes metal ions, and at least two electrodes (120, 130) disposed at opposing surfaces of the ion conductor, and one is preferably configured as a cathode and the other as an anode.例文帳に追加

メタライゼーション構造(100)は、金属イオンを含むカルコゲナイドガラスなどのイオン導電体(110)と、イオン導電体の対向する表面に配置される少なくとも２つの電極(120,130)とを備え、好適には一方はカソード、もう一方はアノードとして構成される。 - 特許庁

A semiconductor device has the memory array having a structure in which memory cells are stacked including memory layers using a chalcogenide material and diodes, and initialization conditions and rewrite conditions are changed according to the layer in which a selected memory cell is positioned.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、カルコゲナイド材料を用いた記憶層とダイオードで構成されたメモリセルを積層した構造のメモリアレイを有し、選択されたメモリセルが位置する層に応じて、初期化条件及び書き換え条件が変更されるものである。 - 特許庁

The following are provided: a tellurium precursor containing tellurium (Te) and both or either of a group 14 element and a group 15 element; a Te-containing chalcogenide thin film produced by using the precursor and a production method of the film; and a phase-change memory element containing the tellurium precursor.例文帳に追加

テルル（Ｔｅ）と、１４族元素および１５族元素のいずれか一方または両方と、を含むテルル前駆体、これを用いて調製されたＴｅ含有カルコゲナイド薄膜およびその製造方法、ならびに前記テルル前駆体を含む相変化メモリ素子である。 - 特許庁

The low-pressure gas discharge lamp has a gas discharge vessel including a filler gas having a chalcogenide with a main group element of the group IV of the periodic table and buffer gas, internal or external electrodes, and a means for generating and sustaining low-pressure gas discharge.例文帳に追加

元素周期表のＩＶ族の主族元素とのカルコゲニドとバッファガスとを有する充填ガスを含むガス放電容器と、内部又は外部電極と、低圧ガス放電を発生しかつ維持する手段とを有する低圧ガス放電ランプ。 - 特許庁

On a surface of a metal compound particle (5) having low electrical conductivity such as a metal oxide, a metal chalcogenide compound, and a metal phosphate compound, a carbon material (7) having electrical conductivity higher than that of the metal compound particle (5) having low electrical conductivity is attached by vapor deposition.例文帳に追加

低い導電性を有する、金属酸化物、金属カルコゲナイド化合物、金属燐酸化合物等の金属化合物粒子（５）の表面に、前記低導電性金属化合物粒子（５）よりも高い導電性を有する炭素材（７）を蒸着により付着させる。 - 特許庁

On the surface of the insulating layer 12 and the second vertical connection layer 15B, a storage layer 16 containing an ionizable metallic element such as Cu along with a chalcogenide element such as Te and an upper electrode 17 are laminated in this order, thus constituting a memory element 1.例文帳に追加

絶縁層１２および第２縦接続層１５Ｂの表面上に、Ｔｅなどのカルコゲナイド元素と共にＣｕなどイオン化可能な金属元素を含む記憶層１６および上部電極１７がこの順に積層され、記憶素子１を構成する。 - 特許庁

Heat propagation block layers (35, 38) are provided between a chalcogenide film (36) where resistance is changed based on a crystalline state and a conductive layer (32) that configures a bit line, and between a heater (37) and an emitter impurity region (44) in a bipolar transistor for write current driving, respectively.例文帳に追加

結晶状態により抵抗値が変化するカルコゲナイド膜（３６）とビット線を構成する導電層（３２）の間およびヒータ（３７）と書込電流駆動用のバイポーラトランジスタのエミッタ不純物領域（４４）との間に熱伝播ブロック層（３５，３８）を設ける。 - 特許庁

(2) The chalcogenide-based compound semiconductor is obtained by performing sulfidation and/or selenization of a precursor containing (a) Cu, Zn and Sn, and (b) one kind or more than one kind of non-crystalline oxide and/or hydroxide containing any one or more elements selected from Cu, Zn and Sn.例文帳に追加

（２）カルコゲナイト系化合物半導体は、（ａ）Ｃｕ、Ｚｎ及びＳｎを含み、（ｂ）Ｃｕ、Ｚｎ及びＳｎから選ばれるいずれか１以上の元素を含む、１種又は２種以上の非結晶の酸化物及び／又は水酸化物を含む前駆体を硫化及び／又はセレン化することにより得られる。 - 特許庁

A memory structure comprises a controlling element electrode (35), a heater electrode (39), a memory component electrode (33), a chalcogenide-based memory component (23) that is arranged between the memory component electrode and the heater electrode, and a controlling element (25) that is arranged between the heater electrode and the controlling element electrode.例文帳に追加

本発明のメモリ構造は、制御素子電極（３５）と、ヒータ電極（３９）と、メモリ素子電極（３３）と、メモリ素子電極とヒータ電極の間に配置されているカルコゲナイド系メモリ素子（２３）と、ヒータ電極と制御素子電極の間に配置されている制御素子（２５）とからなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a chalcogenide glass illuminant which emits light with very high efficiency over a wide wavelength range in the infrared region, particularly in the middle infrared region of ≥2 μm and can easily apply the light emission as a light emitting material of a laser medium, a light amplifier or the like.例文帳に追加

赤外域、特に２μｍ以上の中赤外域において極めて高効率で広い波長範囲にわたって発光し、またその発光をレーザ媒体や光アンプ等の発光材料として容易に応用できるガラス発光体を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that, since green light is also included in an excitation wavelength in a nitride phosphor and chalcogenide based phosphor used as a red phosphor, in case white light is obtained by using a converter in which the red phosphor and the green phosphor are mixed, deterioration of brightness efficiency is caused as a result.例文帳に追加

赤色蛍光体として用いられる窒化物蛍光体やカルコゲナイド系蛍光体には、緑色光も励起波長に含まれているため、赤色蛍光体と緑色蛍光体を混在させた変換体を用いて白色光を得る場合、結果として輝度効率の劣化を及ぼす。 - 特許庁

At least one kind of metal chalcogenide selected from titanium, tin, zinc, iron, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt and nickel is preferably included as the semiconductor.例文帳に追加

半導体としてはチタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブテン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。 - 特許庁

It is preferable for the semiconductor to contain at least one kind of metal chalcogenide chosen from titanium, tin, zinc, iron, copper, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt, and nickel.例文帳に追加

半導体はチタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも一種以上含むことが好ましい。 - 特許庁

A method for manufacturing the photoelectric converter 10 has steps of: making a source solution containing an organic solvent, metal salt, a chalcogen-element-containing compound, and organic onium salt; and bringing a support B into contact with the source solution to let the first semiconductor layer 4 containing the metal chalcogenide deposit on the support B.例文帳に追加

また、光電変換装置１０の製造方法は、有機溶媒と、金属塩と、カルコゲン元素含有化合物と、有機オニウム塩と、を含む原料溶液を作製する工程と、支持体Ｂを原料溶液に接触させ、支持体Ｂ上に金属カルコゲン化物を含む第１の半導体層４を析出させる工程と、を具備する。 - 特許庁

To obtain a sputtering target composed of a composite of a chalcogenide and silicate advantageous for forming a protective film of phase change type optical disk with which production efficiency can be enhanced by suppressing the occurrence of nodules and enhancing the uniformity of deposition, and to provide an optical recording medium with the protective film of phase change type optical disk formed thereon by the target.例文帳に追加

ノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、相変化型光ディスク保護膜形成に有用であるカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得る。 - 特許庁

The optical information recording and reproducing method by which information is recorded onto and reproduced from an optical recording medium wherein a recording layer containing metal chalcogenide nano particles modified by an adsorptive compound and having 1-20 nm average particle size is provided on a substrate is characterized in that recording and reproduction are performed after initialization is performed using a laser initialization device.例文帳に追加

基板上に吸着性化合物で修飾された平均粒径１〜２０ｎｍの金属カルコゲナイドナノ粒子を含む記録層を設けた光記録媒体に情報を記録し再生する光情報記録再生方法において、レーザ初期化装置を用いて初期化を行った後、記録、再生を行うことを特徴とする光情報記録再生方法。 - 特許庁

A chalcogenide, oxide or halide of a prescribed element is doped with a lanthanoid having a chalcogen, oxygen or halogen as a ligand and the valence of the lanthanoid in the state where the ligand bonds to the lanthanoid is maintained, whereby valence control of the lanthanoid is reliably carried out and a state where the lanthanoid whose valence is capable of effecting photochemical hole burning is included in the resulting photochemical hole burning material can easily be obtained.例文帳に追加

カルコゲン、酸素又はハロゲンを配位子としたランタノイドを所定の元素のカルコゲン化物、酸化物又はハロゲン化物に対しドープさせ、ランタノイドが配位子と結合していた状態の価数を維持することにより、ランタノイドの価数制御が確実に行え、材料中に光化学ホールバーニングを発現可能な価数のランタノイドが含まれる状態を容易に得ることができる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor layer comprises the steps of: forming a film containing metal elements and a chalcogen element-containing organic compound; heating the film in an atmosphere at higher pressure than atmospheric pressure to pyrolyze organic components in the chalcogen element-containing organic compound; and reacting the metal elements with chalcogen elements of the chalcogen element-containing organic compound to produce a semiconductor layer containing a metallic chalcogenide.例文帳に追加

半導体層の製造方法は、金属元素およびカルコゲン元素含有有機化合物を具備する皮膜を形成する工程と、皮膜を大気圧よりも高い圧力雰囲気で加熱してカルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解する工程と、金属元素とカルコゲン元素含有有機化合物のカルコゲン元素とを反応させて金属カルコゲナイドを含む半導体層を作製する工程とを具備する。 - 特許庁

This fluororesin composite is obtained by providing the surface of a fluororesin molded product with an ultrathin film of metal, metal oxide and/or metal chalcogenide or an ultrathin film of a polymer made from a polymerizable organic material and then by either adhesion of a material other than the fluororesin via an adhesive layer on the above ultrathin film or directly providing a coating layer on the ultrathin film.例文帳に追加

弗素樹脂成型品の表面に、金属、金属酸化物及び／又は金属カルコゲナイドが極薄膜として施されており、又は、重合性有機材料が重合した重合体の極薄膜として施されており、該極薄膜上に接着剤層を介して弗素樹脂以外の材料が接着されてなるか、または、接着剤層を介さず直接、塗料層が設けられてなることを特徴とする弗素樹脂複合体。 - 特許庁

To obtain a sputtering target consisting of the composite of a chalcogenide and silicate advantageous for forming a phase change type optical disk protective film with which production efficiency can be enhanced by suppressing the occurrence of nodules and enhancing the uniformity of deposition, and an optical recording medium with the phase change type optical disk protective film formed thereon by using this target.例文帳に追加

ノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、相変化型光ディスク保護膜形成に有用であるカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得る。 - 特許庁

To solve the problem, wherein for a phase change memory semiconductor integrated circuit device using a chalcogenide film, because of the low-phase change temperature, the operative temperature for assuring long-time memory maintenance is low, and the problem that because of a low resistance, high current is needed for memory information rewrite, resulting in high electric power consumption for a device.例文帳に追加

本発明の課題は、カルコゲナイド膜を用いた相変化メモリ半導体集積回路装置において、相変化温度が低いため長期間記憶保持を保証可能な動作温度が低いという問題と同時に抵抗が低いためメモリ情報書き換えに大電流を要するため装置の消費電力が高いという問題を解決することにある。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor layer comprises the steps of: producing a paste in which a compound having a metal-oxygen bond and a compound having a chalcogen-oxygen bond are dispersed in a solvent; molding the paste into a layer shape to form a film; and heating the film in an atmosphere containing a reducing gas to form a semiconductor layer 3 containing a metal chalcogenide.例文帳に追加

半導体層の製造方法は、金属−酸素結合を有する化合物およびカルコゲン−酸素結合を有する化合物が溶媒に分散されたペーストを作製する工程と、該ペーストを層状に成形して皮膜を作製する工程と、該皮膜を、還元性ガスを含む雰囲気で加熱して、金属カルコゲナイドを含む半導体層３を作製する工程とを具備する。 - 特許庁

To obtain a sputtering target comprising a composite of a chalcogenide and a silicate, which ensures suppression of generation of a nodule, high uniformity of film-deposition and high manufacturing efficiency and is useful for forming a protective film of a phase transition type optical disk; and to provide an optical recording medium with the protective film of the phase transition type optical disk formed by using the target.例文帳に追加

ノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、相変化型光ディスク保護膜形成に有用であるカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得る。 - 特許庁

The silver halide photographic sensitive material uses a silver halide emulsion containing at least one compound (electron emitting compound) whose one electron oxidized body formed by one electron oxidation can further emit one or more electrons and chemically sensitized with at least one compound having the bond of an anionic chalcogenide and a gold (I) cation and emitting a gold-chalogen anionic species.例文帳に追加

１電子酸化されて生成する１電子酸化体がさらに１電子もしくはそれ以上の電子を放出し得る化合物（電子放出化合物）を少なくとも１種含有し、かつ、アニオン性カルコゲニドと金（Ｉ）カチオンとの結合を有する化合物であって、金−カルコゲンアニオン種を放出する化合物の少なくとも１種により化学増感されたハロゲン化銀乳剤を用いる。 - 特許庁

It is preferrable that the semi-conductor contains at least one type of metallic chalcogenide which is selected from Titanium, Tin, Zinc, Fe, Copper, Tungsten, Zirconium, Hafnium, Strontium, Indium, Cerium, Yttrium, Lanthium, Vanadium, Niobium, Tantalum, Cadmium, Lead, Silver, Antimony, Bismuth, Molybdenum, Aluminum, Galium, Chromium, Cobalt and Nickel.例文帳に追加

半導体は、チタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストトンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。 - 特許庁

In the heat-developable photosensitive material comprising on at least one face of a support a photosensitive silver halide, a non- photosensitive organic silver salt, a reducing agent and a binder, the photosensitive silver halide contains a chemical sensitizer having a bond of an anionic chalcogenide and a gold (I) cation and releasing a gold-chalcogen anionic species.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面上に感光性ハロゲン化銀、非感光性有機銀塩、還元剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料において、該感光性ハロゲン化銀がアニオン性カルコゲニドと金（Ｉ）カチオンとの結合を有し、金—カルコゲンアニオン種を放出する化学増感剤を含むことを特徴とする熱現像感光材料。 - 特許庁

While the substrate stage 13 sucks and heats the substrate S and the rotary section 18 turns the substrate stage 13, the sputtering apparatus 10 sputters the GeTe target 22a and Sb_2Te_3 target 22b at different timings from each other to stack two metallic chalcogenide films having mutually different compositions on the substrate S.例文帳に追加

こうしたスパッタ装置１０は、基板ステージ１３が基板Ｓを吸着且つ加熱した状態で、回転部１８が基板ステージ１３を回転させつつ、ＧｅＴｅターゲット２２ａ及びＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでスパッタすることにより、互いに異なる組成を有した二つの金属カルコゲナイド膜を基板Ｓ上に積層する。 - 特許庁

In the chemical mechanical polishing method of a substrate containing, as the initial components, water, abrasive grains, a material selected from ethylene diamine tetraacetic acid and its salt, and germanium-antimony-tellurium chalcogenide phase change alloy (GST) using a chemical mechanical polishing composition substantially composed of an oxidizer, the chemical mechanical polishing composition facilitates low defect and high GST removal rate.例文帳に追加

初期成分として：水；砥粒；エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される材料；及び酸化剤から実質的になるケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する。 - 特許庁

The phase change material includes a chalcogenide semiconductor, and changes to the electrical insulating state and the conductive state by irradiating the laser beam, and becomes the conductive state by a crystal phase, and becomes the electrical insulating state by an amorphous phase.例文帳に追加

本発明の配線基板100は、基板上に、電気絶縁状態と導電状態とを相互に相変化可能な相変化材料を含む相変化層10の少なくとも一部に、前記相変化層10の相変化により導電状態にされた導電性線路20,21が形成されており、前記相変化材料は、カルコゲナイド半導体を含み、レーザ光の照射によって電気絶縁状態と導電状態とに変化し、結晶相で導電状態となり、アモルファス相で電気絶縁状態となる。 - 特許庁