「Chalcogenide」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the structure, the chalcogenide layer is not allocated under a connecting part for connecting the upper electrode wire connected to the chalcogenide layer to the other wiring layers.例文帳に追加

カルコゲナイド層に接続された上部電極配線と他の配線層とを接続する接続部の下にはカルコゲナイド層を配置しない構造とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of metal chalcogenide particles, and a manufacturing method of a photoelectric conversion device capable of producing stably in a simple method metal chalcogenide particles with little impurity and fine particle sizes.例文帳に追加

不純物が少ないとともに微細な粒径の金属カルコゲナイド粒子を簡易な方法で安定に作製することのできる、金属カルコゲナイド粒子の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a device in which both good adherence and reduced reactivity are attained between an electrode for a chalcogenide-containing semiconductor device and chalcogenide, in a phase change memory electrode.例文帳に追加

相変化メモリ電極において、カルコゲニド含有半導体デバイス用電極とカルコゲニド間の良好な接着性と低めの反応性を共に実現するデバイスの提供。 - 特許庁

An interface layer which has both functions of an adhesive layer and a high resistance layer (thermal resistance layer) and comprises extremely thin insulator or a semiconductor is inserted between a chalcogenide material layer and an interlayer insulating film, and between the chalcogenide material layer and a plug.例文帳に追加

接着層と高抵抗層（熱抵抗層）の機能を兼ね備えた、極薄の絶縁体または半導体からなる界面層をカルコゲナイド材料層／層間絶縁膜間、及びカルコゲナイド材料層／プラグ間に挿入する。 - 特許庁

This enables preventing the separation of the chalcogenide films 26, and checking the disturbance at the adjacent position of bit information between the chalcogenide films 26.例文帳に追加

これにより、カルコゲナイド膜２６の剥離を防止し、かつ隣接するビット情報の位置のカルコゲナイド膜２６の間でディスターブを抑圧することができる。 - 特許庁

To provide a simple method of producing metal chalcogenide particles that can stably produce metal chalcogenide particles having few impurities as well as fine particle size by a simple method, and to provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device.例文帳に追加

不純物が少ないとともに微細な粒径の金属カルコゲナイド粒子を簡易な方法で安定に作製することのできる、金属カルコゲナイド粒子の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing process of the phase change memory using chalcogenide type material, after depositing chalcogenide and after processing a desired shape, the substrate is first washed by a first clearing solvent containing hydrogen fluoride, nitric acid or hydrogen fluoride and nitric acid, and an acetic acid.例文帳に追加

カルコゲナイドを成膜後及び所望の形状に加工した後に、まずフッ化水素と硝酸またはフッ化水素と硝酸と酢酸を含有した第１の洗浄液により基板を洗浄する。 - 特許庁

Further, preferably, the chalcogenide and/or oxychalcogenide are a metal chalcogenide and/or metal oxychalogenide of a metal selected from the 2nd and/or 4-16th groups of the periodic table.例文帳に追加

なお、好ましくは、カルコゲニド及び／又はオキシカルコゲニドは、周期律の２及び／又は４〜１６族から選択される金属との金属カルコゲニド及び／又は金属オキシカルコゲニドである。 - 特許庁

To produce homogeneous and stable chalcogenide glass free from distortions, striae, and cracks through preventing a destruction and an exfoliation of the surface of the chalcogenide glass.例文帳に追加

カルコゲナイドガラスの破壊および表面の剥離の発生を防止し、歪や脈理やクラックのない均質で安定したカルコゲナイドガラスを製造する。 - 特許庁

Nitride, oxide or carbide is used for a portion of a chalcogenide constituent atom, while these are formed in the grain boundary of a metal plugged interface and a chalcogenide crystal as a chalcogenide film and a ground electrode, thereby raising the phase change temperature and increasing the resistance of the film, to enable a high Joule heating to be generated, even at low current and electric power for rewriting to be reduced.例文帳に追加

カルコゲナイドの構成元素の一部を窒化物、酸化物あるいは炭化物にするとともに、これらをカルコゲナイド膜と下地電極である金属プラグ界面およびカルコゲナイド結晶の粒界に形成せしめることにより相変化温度を上昇させるとともに該膜の抵抗を高くすることにより低電流でも高いジュール熱を発生可能とすることにより書き換えに要する電力を低減する。 - 特許庁

The programming method includes: determining the amorphous state of a chalcogenide material to form programming areas having threshold voltages corresponding to high and low data; and controlling the quenching speed of the chalcogenide material based on the time control of the trailing edge of programming pulses to adjust the threshold voltage of the chalcogenide material.例文帳に追加

カルコゲニド物質の非晶質状態を決定して、ハイデータとローデータとに対応するしきい電圧を有するプログラミング領域を形成し、プログラミング時、プログラミングパルスのトレーリングエッジの時間的制御によって前記カルコゲニド物質の冷却速度を制御し、これによって前記カルコゲニド物質のしきい電圧を調節するプログラミング方法である。 - 特許庁

The pumping optical waveguide connects the wavelength-adjustable pumped laser 12 to the chalcogenide glass optical waveguide 14.例文帳に追加

ポンプ光導波路は、波長調整可能なポンプレーザ１２をカルコゲナイドガラス光導波路１４に結合する。 - 特許庁

NANOFIBER OR NANOTUBE COMPOSED OF GROUP V TRANSITION METAL DI-CHALCOGENIDE CRYSTAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

Ｖ族遷移金属ダイカルコゲナイド結晶からなるナノファイバー又はナノチューブ並びにその製造方法 - 特許庁

The chalcogenide glass illuminant contains ions of 3d transition metal elements (other than ions of Ti and Cu^+).例文帳に追加

3d遷移金属元素のイオン(但し、TiのイオンおよびCu^+を除く)を含有するカルコゲン化物ガラス発光体。 - 特許庁

This sputtering target comprises 10-30 mol% silicon dioxide, 0.5-30 mol% indium oxide and the balance zinc chalcogenide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、酸化インジウム：０．５〜３０モル％を含有し、残部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする。 - 特許庁

TRANSPARENT FERROMAGNETIC ALKALI CHALCOGENIDE COMPOUND FOR SOLID-SOLVING TRANSITION METAL OR RARE EARTH METAL, AND ADJUSTING METHOD OF ITS FERROMAGNETIC CHARACTERISTIC例文帳に追加

遷移金属又は希土類金属を固溶する透明強磁性アルカリ・カルコゲナイド化合物及びその強磁性特性の調整方法 - 特許庁

The surface of the lithium-containing transition metal chalcogenide is covered with cellulose.例文帳に追加

本発明のリチウム含有遷移金属カルコゲナイドは、表面がセルロース類によって被覆されたことを特徴とするものである。 - 特許庁

PHOTO FILM TRANSISTOR HAVING A PHOTOCONDUCTIVE LAYER CONTAINING CHALCOGENIDE ELEMENT AND UNIT CELL OF IMAGE SENSOR USING SAME例文帳に追加

カルコゲナイド系元素を含む光伝導層を有するフォト薄膜トランジスタ及びこれを用いたイメージセンサの単位セル - 特許庁

This target has a composition containing silicon dioxide of 10 to 30 mol%, boron oxide of 0.5 to 30 mol%, and the balance zinc chalcogenide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、酸化ホウ素：０．５〜３０モル％を含有し、残部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a photo film transistor having a photoconductive layer containing chalcogenide element and an unit cell using the same.例文帳に追加

カルコゲナイド系元素を含む光伝導層を有するフォト薄膜トランジスタ及びこれを用いたイメージセンサの単位セルを提供する。 - 特許庁

A storage cell 20 is made of the storage element 24 including a chalcogenide layer 34 and the diode element 22 consisting of group 6 semiconductor material.例文帳に追加

記憶セル２０は、カルコゲナイド層３４を含む記憶素子２４と６族半導体材料からなるダイオード素子２２とから形成される。 - 特許庁

(1) The chalcogenide-based compound semiconductor contains Cu, Zn, Sn, an element X_3(=S and/or Se), and O as essential elements.例文帳に追加

（１）カルコゲナイト系化合物半導体は、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、元素Ｘ_3（＝Ｓ及び／又はＳｅ）、及び、Ｏを必須元素として含む。 - 特許庁

For example, both the fuse array and the memory array use a chalcogenide material as the active switching material.例文帳に追加

例えば、ヒューズアレイとメモリアレイは、有効スイッチング材料としてカルコゲニド材料を使用する。 - 特許庁

The chalcogenide structure 42 is implemented in series with a semiconductor device such as a diode 10 or a selecting transistor.例文帳に追加

カルコゲニド構造４２はダイオード１０や選択トランジスタのような半導体素子と直列に実装される。 - 特許庁

Both the core (14) and the clad (16) are made of chalcogenide glass, that is, glass containing S, Se or Te.例文帳に追加

コア（１４）とクラッド（１６）は共に、カルコゲナイドガラス、即ちＳ，Ｓｅ又はＴｅを含むガラスからなる。 - 特許庁

To provide a novel chalcogenide-based compound semiconductor having a relatively high conversion efficiency, and to provide a method of producing the same.例文帳に追加

相対的に高い変換効率を持つ新規なカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a plurality of CBRAM memories, each comprising a memory cell in a chalcogenide solid electrolyte, an anode, and a cathode.例文帳に追加

本発明は、カルコゲナイド固体電解質のメモリセル、陽極及び陰極をそれぞれ備えた複数のＣＢＲＡＭメモリの製造方法に関する。 - 特許庁

The chalcogenide glass has a transmittance of 60% or higher in a wavelength range from 3 μm to 13 μm.例文帳に追加

カルコゲナイドガラスは、３μｍ以上１３μｍ以下の波長範囲において６０％以上の透過率を有するものである。 - 特許庁

Such material can have good adherence to chalcogenide with lower reactivity than it may be in the case with metal nitrides.例文帳に追加

このような物質は、金属窒化物の場合よりも低い活性を持つカルコゲニドに対して良好な接着性を持つことができる。 - 特許庁

The present disclosure relates to the solid electrolyte device comprising an amorphous chalcogenide solid active electrolytic layer; first and second metallic layers.例文帳に追加

本開示は、アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層と、第一および第二金属層とを含む固体電解質デバイスに関する。 - 特許庁

At least one of the first lens G1 and the second lens G2 comprises chalcogenide glass and has one or more diffractive optical surfaces.例文帳に追加

第１レンズＧ１および第２レンズＧ２は、少なくとも一方がカルコゲナイドガラスからなり、かつ、１以上の回折光学面を有する。 - 特許庁

The amorphous chalcogenide solid active electrolytic layer is located between the first and the second metallic layers.例文帳に追加

アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、第一金属層と第二金属層との間に配置される。 - 特許庁

To provide anti-reflection coating for infrared ray having excellent adhesion to chalcogenide glass and excellent weather resistance.例文帳に追加

カルコゲナイドガラスに対して密着性が良好であり、かつ耐候性が良好な赤外線用の反射防止膜を提供する。 - 特許庁

The non-oxide glasses, such as chalcogenide glasses, chalcohalide glasses, and halide glasses, are used in the mold either in bulk, planar, or powder forms.例文帳に追加

モールドでは、ガラスが、その遷移温度（Ｔｇ）より上約１０−１１０℃、望ましくは約５０℃、まで加熱される。 - 特許庁

An anti-reflection coating 13 is provided on a surface of a substrate 12 made of so-called chalcogenide glass containing sulfur, selenium, and tellurium as main components.例文帳に追加

硫黄やセレン，テルルを主成分としたいわゆるカルコゲナイドガラスからなる基材１２の表面に反射防止膜１３を設ける。 - 特許庁

The nanofiber or the nanotube is composed of the transition metal di-chalcogenide crystal such as NbSe_2 or TaS_2.例文帳に追加

ＮｂＳｅ_２、ＴａＳ_２等の遷移金属ダイカルコゲナイド結晶からなるなのファイバー及びなのチューブ。 - 特許庁

The inverter 4 includes a third resistance element 5 composed of chalcogenide, and a transistor 6 using the third resistance element as a load.例文帳に追加

インバータ４は、カルコゲナイドからなる第３の抵抗素子５と、第３の抵抗素子５を負荷とするトランジスタ６と、を備える。 - 特許庁

The selecting transistor has a function of flowing a current that passes through the chalcogenide structure 42 when enabled by a gate voltage.例文帳に追加

選択トランジスタはゲート電圧により有効となったときカルコゲニド構造４２を通過する電流を流す機能を有する。 - 特許庁

For example, the film can be constituted of the chalcogenide material.例文帳に追加

このエネルギが、電気パルス（電圧パルスまたは電流パルス）、光パルス（レーザパルス）、熱パルス、またはマイクロ波エネルギ、の形で付与されても良い。 - 特許庁

The method for chemically sensitizing a silver halide emulsion has a sensitization step in which the silver halide is chemically sensitized with a chalcogen compound or a chalcogen compound and a gold compound to form silver chalcogenide or gold silver chalcogenide and the chemical sensitization is carried out under such conditions that at least part of the silver chalcogenide or gold silver chalcogenide formed in the sensitization step is made amorphous.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤を、カルコゲン化合物またはカルコゲン化合物および金化合物によって化学増感し、カルコゲン化銀またはカルコゲン化金銀を生成する増感工程を有するハロゲン化銀乳剤の化学増感方法であって、前記増感工程において生成する前記カルコゲン化銀またはカルコゲン化金銀の少なくとも一部が非晶質化する条件で化学増感を行うことを特徴とするハロゲン化銀乳剤の化学増感方法である。 - 特許庁

To provide chalcogenide glass which is excellent in heat resistance and anticrystallization property, can melt rare earths, and has excellent light stability.例文帳に追加

耐熱性と耐結晶化性に優れ、希土類の熔解が可能で光安定性に優れるカルコゲナイドガラスを提供する。 - 特許庁

To provide an infrared transmitting glass which is a chalcogenide glass and is more suited for molding compared to conventional ones.例文帳に追加

カルコゲナイドガラスであって、従来品よりもモールド成型に適した赤外線透過ガラスを提供する。 - 特許庁

The optical recording material 1 is constituted of the chalcogenide glass 2 in which metal particles 4 are dispersed.例文帳に追加

本発明の光記録材料１は、金属粒子４が分散されたカルコゲナイドガラス２から構成される。 - 特許庁

To provide a nano-structure of group V transition metal di-chalcogenide such as NbSe_2 and a synthetic method of the same.例文帳に追加

ＮｂＳｅ_２などのＶ族遷移金属ダイカルコゲナイドのナノ構造及びその合成方法の提供。 - 特許庁

METHOD OF SYNTHESIZING METAL CHALCOGENIDE COLLOIDAL PARTICLES USING ULTRASONIC WAVE AND OPTICAL RECORDING MEDIUM CONTAINING THE PARTICLES例文帳に追加

超音波を用いる金属カルコゲナイドコロイド粒子の合成法および該粒子含有光記録媒体 - 特許庁