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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Common Tunnelに関連した英語例文

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Common Tunnelの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 14



例文

TUNNEL EXCAVATING MACHINE IN COMMON USE WITH JET PUMP MUDDY WATER PRESSURIZATION例文帳に追加

ジェットポンプ泥水加圧兼用型トンネル掘削機 - 特許庁

SUPPORT DEVICE FOR CLOSURE OF ELECTRIC WIRE COMMON TUNNEL例文帳に追加

電線共同溝のクロージャ用支持装置 - 特許庁

The thickness of the first tunnel insulating film is different from the thickness of the second tunnel insulating film, and the first ferromagnetic tunnel junction element and second ferromagnetic tunnel junction element are formed using a common mask material by etching.例文帳に追加

第1トンネル絶縁膜の厚さは、第2トンネル絶縁膜の厚さと異なり、第1強磁性トンネル接合素子および第2強磁性トンネル接合素子は、共通のマスク材料を用いてエッチングにより形成される。 - 特許庁

Special Measures Act on Preparation, etc. for Common-Use Tunnel (Act No.81 of 1963) 例文帳に追加

共同溝の整備等に関する特別措置法(昭和三十八年法律第八十一号) - 日本法令外国語訳データベースシステム

例文

The FLOTOX-type EEPROM adopting the double-cell method includes a pair of floating gates 25a and 25b, a pair of tunnel windows 30a and 30b, a pair of sources 26a and 26b, a common control gate 31, a common select gate 32, and a common drain 27.例文帳に追加

Wセル方式のFLOTOX型EEPROMとするため、対をなす2つのフローティングゲート25a,25bと、2つのトンネルウインドウ30a,30bと、2つのソース26a,26bと、共有のコントロールゲート31と、共有のセレクトゲート32とを設けるとともに、ドレイン27も共有とした。 - 特許庁


例文

The semiconductor device which is provided on a common semiconductor substrate 1, with a nonvolatile memory cell having a tunnel diffusion layer 24; a MOS transistor, having a low concentration layer for the impurity concentration lower than that of the drain region on the side of a tunnel part of the drain region; and an electrostatic discharge damage countermeasure transistor is manufactured.例文帳に追加

トンネル拡散層24を有する不揮発性メモリセルと、ドレイン領域のチャネル部側に前記ドレイン領域よりも低不純物濃度の低濃度層を有するMOSトランジスタと、静電破壊対策トランジスタとを、共通の半導体基板1上に備える半導体装置が製造される。 - 特許庁

For these ferromagnetic tunnel magneto-resistive elements, the number of terminals is reduced by providing one electrode for conducting sense current in the direction of traversing a tunnel barrier layer by the first magnetic shield, and drawing it as one common terminal.例文帳に追加

これら強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子に対し、トンネルバリア層を横切る方向にセンス電流を通電する一方の電極を、第1の磁気シールドによって共通に構成し、共通の1端子として導出することによって端子数の減少化を図る。 - 特許庁

(5) The status as an expected occupant for common-use cable tunnel, under the provisions of the Article 5 paragraph (2) of the Special Measures Act on Preparation, etc. for Common-Use Cable Tunnel, pertaining to the application for the permission submitted to the road administrator by the Company under the provisions of Article 4 paragraph (1) of the same act shall be succeeded by the Succeeding Companies which succeeded to the rights and obligations pertaining to said application under the provisions of Article 7 of the Supplementary Provisions. 例文帳に追加

5 施行日前に電線共同溝の整備等に関する特別措置法第四条第一項の規定により会社が道路管理者に対してした占用の許可の申請に係る同法第五条第二項の電線共同溝の占用予定者の地位は、附則第七条の定めるところにより当該申請に係る権利及び義務を承継した承継会社が承継する。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The upper electrodes stretch along the second bit line and are connected in common to the other end of each of the plurality of magnetic tunnel junction elements arranged in the stretching direction of the second bit line.例文帳に追加

上部電極は、第2のビット線に沿って延伸しており第2のビット線の延伸方向に配列された複数の磁気トンネル接合素子の各他端に共通に接続されている。 - 特許庁

例文

To provide a connection structure between linings capable of easily connecting mutual linings of adjacent tunnels in a sufficient strength, and using it as an earth retaining support structure in common when excavating the tunnel to widen the width between linings.例文帳に追加

隣接するトンネルの覆工同士を容易かつ十分な強度で連結でき、しかも、覆工間の拡幅掘削時の土留め支保工兼用とすることのできる覆工間の接続構造を提供する。 - 特許庁

例文

The information is written by using the intrasurface component and the perpendicular component of the magnetic field which is generated by current flowing through the intrasurface perpendicular common writing line 5 and metallic wiring 11 as the recording magnetic field respectively for the intrasurface anisotropic tunnel magnetoresistive storage element 9 and the perpendicular anisotropic tunnel magnetoresistive storage element 6 in writing information.例文帳に追加

情報を書き込む際には、面内垂直共有書き込み線5及び金属配線11に流れる電流により生じる磁界の面内成分及び垂直成分を、それぞれ面内異方性トンネル磁気抵抗記憶素子9及び垂直異方性トンネル磁気抵抗記憶素子6に対する記録磁界として用いることで情報を書き込む。 - 特許庁

A lower electrode 3 is provided on a substrate 5, and after the lower electrode 3 is made common, pair of magnetic tunnel effect elements 2 composed of an antiferromagnetic film 8, lower magnetic layer 9, barrier film 10, and upper magnetic film 11 such as laminated structure, are formed independently and separately on the lower electrode 3.例文帳に追加

基板5上に下部電極3を設け、同下部電極3を共通にして同下部電極3上に、イオンビームエッチング処理により、反強磁性膜8、下磁性層9、バリア膜10及び上磁性層11からなる積層構造の一対の磁気トンネル抵抗素子2を独立に分離して形成する。 - 特許庁

This superconducting tunnel type mixer includes a common-mode feeding twin slot antenna for combining outputs of two single slot antennas at the same phase, a matching transformer connected to the output of the twin slot antenna, and a parallel type multijunction device connected to the output of the matching transformer.例文帳に追加

本発明は、2個のシングルスロットアンテナの出力を同位相で合成する同相給電型ツインスロットアンテナと、その出力に接続された整合トランスと、さらにその出力に接続された並列型多接合素子とから構成する。 - 特許庁

例文

A radiation sensor using a superconducting tunnel junction configures a detecting element having seven or more superconducting series junctions not surrounding a common dead zone on a mono-crystalline substrate, or a detecting element having a superconducting series junction for measuring energy in the center of the substrate and four or more superconducting series junctions for measuring an incident position outside the superconducting series junction for measuring energy.例文帳に追加

超伝導トンネル接合を用いた放射線センサーにおいて、単結晶基板上に共通の不感領域を取り囲まない7個以上の超伝導直列接合で検出素子を構成する、あるいは中心にエネルギー測定用の超伝導直列接合を設け、その外側に入射位置測定用の4つ以上の超伝導直列接合を設けて検出素子を構成する。 - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
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