「EB1」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A second electric wiring Wb2 is made of a second metal and has a second end Eb2 opposing to the first end Eb1 with a space between the ends.例文帳に追加

第２電気配線Ｗｂ２は、第１端部Ｅｂ１と間隔を空けて対向する第２端部Ｅｂ２を有し、第２金属からなる。 - 特許庁

A first electric wiring Wb1 is made of a first metal and has a first end Eb1 electrically connected to a power semiconductor element.例文帳に追加

第１電気配線Ｗｂ１は、電力半導体素子に電気的に接続された第１端部Ｅｂ１を有し、第１金属からなる。 - 特許庁

A second electrical wiring Wb2, having a second end section Eb2 opposed via a space to the first end section Eb1, is made of a second metal.例文帳に追加

第２電気配線Ｗｂ２は、第１端部Ｅｂ１と間隔を空けて対向する第２端部Ｅｂ２を有し、第２金属からなる。 - 特許庁

The electrode Ea2 of the capacitor element Ca and the electrode Eb1 of the capacitor element Cb are electrically connected by the transistor Tr1 in the driving period P3.例文帳に追加

駆動期間Ｐ3においては容量素子Ｃaの電極Ｅa2と容量素子Ｃbの電極Ｅb1とがトランジスタＴr1によって電気的に接続される。 - 特許庁

Most of a forward scattering electron e2 of the measuring beam EB1 and a forward scattering electron e2' of a dummy beam EB2 are shielded.例文帳に追加

ビーム制限開口５によって、計測用矩形ビームＥＢ１の前方散乱電子ｅ２とダミービームＥＢ２の前方散乱電子ｅ２´のほとんどは遮られる。 - 特許庁

A horizontally long rectangular insulating film 51 on the MTJ having an identical shape to the planar shape lower electrode EB1 is formed so as to cover over the MTJ element MD1.例文帳に追加

ＭＴＪ素子ＭＤ１上を覆って平面形状が下部電極ＥＢ１と同一形状の横長矩形状のＭＴＪ上絶縁膜５１が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device has the vertically long elliptical planar shape MTJ element MD1 formed closely to the right side of the horizontally long rectangular planar shape lower electrode EB1.例文帳に追加

平面形状が横長の矩形状の下部電極ＥＢ１の右側寄りに平面形状が縦長の楕円形状のＭＴＪ素子ＭＤ１が形成される。 - 特許庁

The top part of a pulse Vm1 generated at the connecting point of a capacitor 18 and diodes 19 and 20 comes into a shape sliced at the level of DC power voltage Eb1 when an electronic switch 21 is ON.例文帳に追加

コンデンサ１８、ダイオード１９及び２０の接続点に発生するパルスＶm1の頂部は、電子スイッチ２１がオンであれば、直流電源電圧Ｅb1のレベルでスライスされた形になる。 - 特許庁

Then, if fine-weather images Eb1-Eb4 are displayed behind the smiling-face images Fa respectively, the player know that the variable display of the special patterns executed based on each reservation is in the time-shortening mode.例文帳に追加

また、各笑顔画像Ｆａの背景に晴れ画像Ｅｂ１〜Ｅｂ４が表示されているため、各保留に基づいて行われる特別図柄の変動表示は時短であることが分かる。 - 特許庁

A high resistance section Rb, disposed between the first end section Eb1 and the second end section Eb2, is made of a material whose specific resistance is higher than those of the first and the second metal.例文帳に追加

高抵抗部Ｒｂは、第１端部Ｅｂ１と第２端部Ｅｂ２との間に設けられ、第１金属および第２金属の各々の抵抗率よりも高い抵抗率を有する材料からなる。 - 特許庁

A low melting point metal section LM is made of a metal whose melting point is lower than those of the first and the second metal, and electrically connects the first end section Eb1 and the second end section Eb2.例文帳に追加

低融点金属部ＬＭは、第１金属および第２金属の各々の融点よりも低い融点を有する金属からなり、第１端部Ｅｂ１および第２端部Ｅｂ２を電気的に接続している。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1S, a memory gate electrode MG is formed via a laminate insulating film comprising a first potential barrier film EB1, a charge storage film EC, and a second potential barrier film EB2.例文帳に追加

半導体基板１Ｓ上に、第１電位障壁膜ＥＢ１と電荷蓄積膜ＥＣと第２電位障壁膜ＥＢ２からなる積層絶縁膜を介してメモリゲート電極ＭＧが形成されている。 - 特許庁

The high resistance portions Rb1 and Rb2 are provided between the first end Eb1 and the second end Eb2 and made of a material having a higher resistivity than the resistivity of each of the first and second metals.例文帳に追加

高抵抗部Ｒｂ１，Ｒｂ２は、第１端部Ｅｂ１と第２端部Ｅｂ２との間に設けられ、第１金属および第２金属の各々の抵抗率よりも高い抵抗率を有する材料からなる。 - 特許庁

A low melting point metal portion LM is made of a metal of a lower melting point than the melting point of each of the first and second metals and electrically connects the first end Eb1 and the second end Eb2 with each other.例文帳に追加

低融点金属部ＬＭは、第１金属および第２金属の各々の融点よりも低い融点を有する金属からなり、第１端部Ｅｂ１および第２端部Ｅｂ２を互いに電気的に接続している。 - 特許庁

The gate of the drive transistor Tdr is connected to its drain and the electrode Eb1 of the capacitor element Cb in the compensation period P2, and thereby the voltage is maintained in the capacitor element Cb matching the threshold voltage Vth of the drive transistor Tdr.例文帳に追加

補償期間Ｐ2においては駆動トランジスタＴdrのゲートがそのドレインと容量素子Ｃbの電極Ｅb1とに接続され、これによって駆動トランジスタＴdrの閾値電圧Ｖthに応じた電圧が容量素子Ｃbに保持される。 - 特許庁

Preferably, two or more components which have relevancy at a predetermined level or above, out of a plurality of components (BD1 to BD5, Ea1, Eb1, and Ec1) contained in the plurality of materials, are integrated into one page (for example, a page PG1) within the presentation material.例文帳に追加

好ましくは、複数の資料に含まれる複数の構成要素（ＢＤ１〜ＢＤ５，Ｅａ１，Ｅｂ１，Ｅｃ１）のうち、所定レベル以上の関連性を有する２つ以上の構成要素が、プレゼンテーション資料内の１つのページ（例えばページＰＧ１）に集約される。 - 特許庁

Auxiliary braking force corresponding to advancement of releasing of the automatic clutch is generated by a wheel brake (S216) is based on engine brake force Eb1 before speed change presumed by step S206 at release driving of the automatic clutch ("YES" at S212).例文帳に追加

自動クラッチの解放駆動時には（Ｓ２１２で「ＹＥＳ」）、ステップＳ２０６にて推定された変速前エンジンブレーキ力Ｅｂ１に基づいて、ホイールブレーキにより自動クラッチの解放の進行に応じた補助制動力を発生させる（Ｓ２１６）。 - 特許庁

After that, a barrier conductor film EM1 composed of a lower barrier conductor film eb1 containing tantalum or titanium and an upper barrier conductor film et1 mainly made of ruthenium is formed so as to cover the side wall and the bottom face of the hole H1 for the first wiring.例文帳に追加

その後、第１配線用孔部Ｈ１の側壁および底面を覆うようにして、タンタルまたはチタンを含む下部バリア導体膜ｅｂ１と、ルテニウムを主体とする上部バリア導体膜ｅｔ１とからなる第１配線用バリア導体膜ＥＭ１を形成する。 - 特許庁

A distance (h) between the opening 5 and the reference mark 1 is a size slightly larger than a converging angle of a rectangular beam EB1 at a projection lens 15 of a lower stage at an expecting angle of an opening edge 5a from the mark 1.例文帳に追加

ビーム制限開口５とナイフエッジ状基準マーク１との間の距離ｈは、ナイフエッジ状基準マーク１から開口端縁５ａを見込む角が、下段の投影レンズ１５における矩形ビームＥＢ１の収束角よりも僅かに大きくなる寸法とする。 - 特許庁

During a driving period Pdr, the electrode Ea2 is connected to the electrode Eb1 through a transistor Tr1, then, the gate potential of the drive transistor Tdr is set as the potential corresponding to the potential Vdata and the threshold voltage Vth, and an electro-optic element E is driven in accordance with the set potential.例文帳に追加

駆動期間Ｐdrでは、電極Ｅa2と電極Ｅb1とがトランジスタＴr1を介して接続されることで駆動トランジスタＴdrのゲートが電位Ｖdataと閾値電圧Ｖthとに応じた電位に設定され、電気光学素子Ｅはこの設定された電位に応じて駆動される。 - 特許庁