「EPITAXIALLY」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SiC SEMICONDUCTOR AND METHOD OF EPITAXIALLY GROWING SiC例文帳に追加

ＳｉＣ半導体とＳｉＣエピタキシャル成長方法 - 特許庁

EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFER, DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

エピタキシコーティングされた半導体ウェハおよびデバイスならびにエピタキシコーティングされた半導体ウェハを作製する方法 - 特許庁

A single crystal silicon is formed epitaxially within a structure.例文帳に追加

構造上に単結晶シリコンがエピタキシャルに形成される。 - 特許庁

SUSCEPTOR FOR TEST, AND METHOD FOR EPITAXIALLY GROWING USING THE SANE例文帳に追加

テスト用サセプタ及びこれを用いたエピタキシャル成長方法 - 特許庁

METHOD FOR COOLING CHAMBER FOR EPITAXIALLY GROWTH, AND DEVICE THEREFOR例文帳に追加

エピタキシャル成長用チャンバの冷却方法およびその装置 - 特許庁

METHOD OF EPITAXIALLY GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND GROWTH DEVICE例文帳に追加

化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び成長装置 - 特許庁

EPITAXIALLY GROWN LEAD GERMANATE FILM AND DEPOSITING METHOD THEREOF例文帳に追加

エピタキシャルに成長した鉛ゲルマネート膜およびその堆積方法 - 特許庁

A method of epitaxially growing a material on a substrate (1).例文帳に追加

基板(1)上に材料をエピタキシャル成長させる方法である。 - 特許庁

A semiconductor film is grown epitaxially on a growth substrate.例文帳に追加

成長用基板上に半導体膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

EPITAXIALLY GROWN COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

エピタキシャル成長化合物半導体ウェーハ及び半導体装置 - 特許庁

An epitaxially grown film formation step is followed by an epitaxially grown surface polishing step, and this results in an epitaxially grown surface 10a with its flatness after polishing better than that formed by the conventional method.例文帳に追加

エピタキシャル成長膜形成工程の後に、エピタキシャル成長面研磨工程を備えるようにすることにより、研磨後のエピタキシャル成長面１０ａの平坦度を従来よりも改善することができる。 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing a semiconductor thin film at a low temperature.例文帳に追加

半導体薄膜を低温度で結晶成長させる方法 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing an InP thin film at low temperature.例文帳に追加

InP薄膜を低温度で結晶成長させる方を提供する。 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing a p-type compound semiconductor thin film.例文帳に追加

pタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる方法。 - 特許庁

The AIN layer 103 is epitaxially grown on the sapphire substrate 101.例文帳に追加

AlN層１０３はサファイア基板１０１上にてエピタキシャル成長する。 - 特許庁

A SiC layer is epitaxially grown on the walls in the trench 11.例文帳に追加

トレンチ溝１１の内壁面にはＳｉＣエピ層が形成されている。 - 特許庁

To prevent a semiconductor substrate from being short-circuited to a silicide layer formed on an epitaxially-grown layer and the epitaxially-grown layer.例文帳に追加

エピタキシャル成長層上に形成したシリサイド層やエピタキシャル成長層と半導体基板とがショートを起こすのを防止することを可能にする。 - 特許庁

To provide an epitaxially coated silicon wafer having an improved image quality and a suitable method for producing an epitaxially coated silicon wafer.例文帳に追加

改善されたイメージ品質を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハ並びにエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの適切な製造方法の提供 - 特許庁

A laminated GaN system semiconductor is epitaxially grown on the upper surface of substrate.例文帳に追加

基板上方にＧａＮ系半導体積層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To satisfactorily epitaxially grow a semiconductor layer of a both- conductivity type.例文帳に追加

両導電型の半導体層を良好にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A device function layer is epitaxially grown on the lateral growth layer.例文帳に追加

横方向成長層の上にデバイス機能層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Then, a first spacer layer 62 is formed on the epitaxially grown layer.例文帳に追加

次に、エピタキシャル成長層上に、第１スペーサ層６２を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the group III-V compound semiconductor material grows epitaxially in the recess.例文帳に追加

その後、III−Ｖ族化合物半導体材料は凹部でエピタキシャル成長する。 - 特許庁

A semiconductor epitaxial layer is epitaxially grown on the cavity containing layer.例文帳に追加

空洞含有層の上に半導体エピタキシャル層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A Co-CoO magnetic layer 4 is epitaxially grown on the base layer 3.例文帳に追加

下地層３上にＣｏ−ＣｏＯ磁性層４をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

After processing a substrate so as to make it flat, the flatness of an epitaxially grown wafer is estimated before epitaxially growing, and then epitaxial growth is carried out using only a substrate satisfying required standards.例文帳に追加

基板の平坦化加工後、エピタキシャル成長前に同成長後の平坦度を予測して、所要基準を満たす基板にのみエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁

A silicon germanium film 71 is epitaxially grown on a semiconductor wafer 70 and a distorted silicon film 72 is epitaxially grown on the silicon germanium film 71.例文帳に追加

半導体ウエハ７０上にシリコンゲルマニウム膜７１がエピタキシャル成長され、シリコンゲルマニウム膜７１上に歪シリコン膜７２がエピタキシャル成長される。 - 特許庁

To provide a method and apparatus of epitaxially growing a material on a substrate.例文帳に追加

基板上に材料をエピタキシャル成長させる方法と装置を提供する。 - 特許庁

PROCESS FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIALLY AND PROCESS FOR FABRICATING LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体の結晶成長方法および発光素子の製造方法 - 特許庁

A silicon carbide layer is epitaxially formed on a primary surface of a substrate 1.例文帳に追加

炭化珪素層は、基板１の主表面上にエピタキシャルに形成されている。 - 特許庁

SILICON WAFER FOR EPITAXIALLY GROWING, EPITAXIAL WAFER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME例文帳に追加

エピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法 - 特許庁

A boron-doped silicon-germanium layer is epitaxially grown on the silicon layer.例文帳に追加

シリコン層上にボロン添加されたシリコン・ゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

EPITAXIALLY COATED SILICON WAFER HAVING <110> ORIENTATION AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

＜１１０＞方位を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハ及びその製造方法 - 特許庁

After the silicon-germanium film is grown, a strained silicon film is epitaxially grown on the film.例文帳に追加

それから、歪シリコン膜をシリコンゲルマニウム膜上にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A p-type semiconductor is epitaxially grown and a trench is buried with the p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体をエピタキシャル成長させて、トレンチをｐ型半導体で埋める。 - 特許庁

Then, an SiGe layer is selectively epitaxially grown only on the n^- well 3n.例文帳に追加

続いて、Ｎ^−ウェル３ｎ上にのみＳｉＧｅ層を選択エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To observe the epitaxially growing state of a growing wafer place in an epitaxial growth furnace during epitaxially growing reaction and to feed back the observed results to a control system.例文帳に追加

エピタキシャル成長の反応中に、エピタキシャル成長炉内に置かれた成長ウエハのエピタキシャル成長の状況を観察して、その結果を制御系にフィードバックする。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first epitaxially-grown layer 20 with a silicon carbide; the termination structure 30, which is provided on a surface part of the first epitaxially-grown layer 20; a second epitaxially-grown layer 40, which is provided on the termination structure 30 and has the silicon carbide; and an insulating layer 50, which is provided on the second epitaxially-grown layer 40.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、炭化珪素を含む第１エピタキシャル成長層２０と、第１エピタキシャル成長層２０の表層部に設けられた終端構造３０と、終端構造３０の上に設けられ、炭化珪素を含む第２エピタキシャル成長層４０と、第２エピタキシャル成長層４０の上に設けられた絶縁層５０とを備える。 - 特許庁

After that, the group III nitride layer group is epitaxially grown on the substrate 10.例文帳に追加

次いで、エピタキシャル基板１０上にＩＩＩ族窒化物層群をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

It is turned to a template layer and an AlN layer and a GaN layer are epitaxially grown successively.例文帳に追加

これをテンプレート層としてＡｌＮ層、ＧａＮ層を順次エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The crystals are epitaxially grown on a substrate and oriented on a {221} plane.例文帳に追加

この結晶は、基板上において｛２２１｝面方位にエピタキシャル成長して形成される。 - 特許庁

A side wall 12a is formed by an m face in the GaN epitaxially-grown layer 12.例文帳に追加

ＧａＮエピタキシャル成長層１２では、ｍ面により側壁１２ａが形成されている。 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING P-DOPED AND EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFERS FROM SILICON例文帳に追加

ｐ−ドープされかつエピタキシャル被覆された、シリコンからなる半導体ウェハの製造方法 - 特許庁

Subsequently, an Si thin film 39 is grown epitaxially at the exposed part of the Si substrate 31.例文帳に追加

そして、Ｓi基板３１の露出部分にＳi細線３９をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Layers from the reflection layer 3 to the p-type clad layer 7 are epitaxially grown on the substrate 2.例文帳に追加

反射層３〜ｐ型クラッド層７は基板２上にエピタキシャル成長させられている。 - 特許庁