「GAn」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, hot-water cleaning is carried out and a GaN layer 5 is grown on the GaN layer 3 according to crystal growth until coalesce is achieved due to lateral growth, to make the surface thereof planarized.例文帳に追加

その後、温水洗浄を行い、GaN層３上に横方向の成長により合体して表面が平坦化するまでGaN層５を結晶成長させる。 - 特許庁

GaN-BASED LED CHIP AND METHOD OF MANUFACTURING GaN-BASED LED CHIP例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤチップおよびＧａＮ系ＬＥＤチップの製造方法 - 特許庁

GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND GaN- BASED SEMICONDUCTOR PHOTODETECTING ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子およびＧａＮ系半導体受光素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GaN-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系半導体素子の製造方法及びＧａＮ系半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED LED例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤの製造方法 - 特許庁

After a GaN layer 13a is formed about 3 μm by raising a temperature to about 1050°C, growth is stopped and tetraethylsilane is irradiated for a fixed time, a GaN layer 13b is formed.例文帳に追加

続いて、温度を1050℃にしてGaN層13aを3μm程度成長させ、成長を中断し、テトラエチルシランを一定時間照射した後、GaN層13bを成長する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GaN CRYSTAL, GaN CRYSTAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶基板および半導体デバイス - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GaN CRYSTAL AND GaN CRYSTAL SUBSTRATE, GaN CRYSTAL AND GaN CRYSTAL SUBSTRATE OBTAINED BY THE METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME例文帳に追加

ＧａＮ結晶およびＧａＮ結晶基板の製造方法、それにより得られるＧａＮ結晶およびＧａＮ結晶基板、それらを用いた半導体装置 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN drain layer 4, and a p-type GaN channel layer 5 are laminated on a sapphire substrate 1, and an n-type GaN source layer 6 is formed on the p-type GaN channel layer 5.例文帳に追加

サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮドレイン層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５が積層されており、ｐ型ＧａＮチャネル層５の上には、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。 - 特許庁

In the direct bonding method of GaN/GaN for directly bonding GaN 2 and 6 deposited, respectively, on two substrates 1 and 5, bonding surface of the GaN 2 on at least one substrate 1 is previously coated with ammonia water 8, the bonding surfaces of GaN are superposed and then a compressive load is applied between both substrates 1 and 5.例文帳に追加

二つの基板１、５上にそれぞれ成膜したGaN２、６同士を直接接合するGaN/GaN直接接合方法において、予め少なくとも一方の基板１上のGaN２の接合面にアンモニア水８を塗布し、この後GaN接合面同士を重ね合わせ、両基板１、５間に圧縮荷重を印加する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GaN-HEMT例文帳に追加

ＧａＮ−ＨＥＭＴの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ結晶基板の製造方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING GaN EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

ＧａＮエピタキシャル層の成長方法 - 特許庁

After a resist and the SiO2 film 14 are removed, the GaN layer 15 is selectively formed about 5 μm.例文帳に追加

レジストとSiO_2膜14を除去した後、GaN層15を５μｍ程度選択成長する。 - 特許庁

GAN SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＧａＮ基板およびその製造方法 - 特許庁

NETWORK SELECTION IN GAN ENVIRONMENT例文帳に追加

ＧＡＮ環境におけるネットワーク選択 - 特許庁

The first GaN crystal is sliced and polished to form GaN wafers.例文帳に追加

第１のＧａＮ結晶は、スライス及び研磨され、ＧａＮウエハが作製される。 - 特許庁

GaN/HBT SUPERLATTICE BASE STRUCTURE例文帳に追加

ＧａＮ・ＨＢＴ超格子ベース構造 - 特許庁

Wide band-gap nitrides, based on GaN, continue to attract much interest. 例文帳に追加

GaNに基づいたワイドバンドギャップの窒化物は、多くの興味を引きつけ続けている。 - 科学技術論文動詞集

With the SiO2 layer 3 formed on the GaN layer 2, a GaN layer 4 is selectively grown on the GaN layer 2.例文帳に追加

ＧａＮ層２上にＳｉＯ_2 膜３を形成した状態でＧａＮ層２上にＧａＮ層４を選択成長させる。 - 特許庁

GaN BASED LED ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING GaN BASED LED ELEMENT, AND TEMPLATE FOR MANUFACTURING GaN BASED LED ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤ素子、ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法およびＧａＮ系ＬＥＤ素子製造用テンプレート - 特許庁

Concretely, the lower heater 14 heats a raw material GaN 17 up to a temperature at which the raw material GaN 17 melts, and the upper heater 13 heats so as to keep the molten raw material GaN 17 at a temperature lower than that at a part where the raw material GaN 17 is present so that GaN recrystallizes and a GaN crystal grows.例文帳に追加

具体的に、下部ヒーター１４は、原料ＧａＮ１７が溶融する温度とし、上部ヒーター１３は、原料ＧａＮ１７が存在する部分の温度よりも温度を下げ、ＧａＮが再析出して結晶成長する温度とする。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, an undoped GaN buffer layer 2, n-type GaN layer 3, and p-type GaN layer 4 are formed in order, part of the region from the p-type GaN layer 4 to n-type GaN layer 3 is removed, and the n-type GaN layer 3 is exposed.例文帳に追加

サファイア基板１上にアンドープのＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３およびｐ型ＧａＮ層４を順に形成し、ｐ型ＧａＮ層４からｎ型ＧａＮ層３までの一部領域を除去し、ｎ型ＧａＮ層３を露出させる。 - 特許庁

Finally, rear side of the GaN thick film 15 is polished and flattened thus obtaining a GaN substrate.例文帳に追加

その後、ＧａＮ厚膜１５の裏面を研磨して平坦化し、ＧａＮ基板を得る。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GaN-BASED LED DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法 - 特許庁

Thus, a GaN off substrate 25 with an off surface formed on the first GaN layer 4 is produced, and a second GaN layer is grown on the off surface of the first GaN layer 4.例文帳に追加

このようにして、第１ＧａＮ層４にオフ面が形成されたＧａＮオフ基板２５を作製し、第１ＧａＮ層４のオフ面に第２ＧａＮ層を成長させる。 - 特許庁

OHMIC CONTACT STRUCTURE ON P-TYPE GaN例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ上のオーム接触構造 - 特許庁

PROTECTION OF SiC SURFACE BY GaN LAYER例文帳に追加

ＧａＮ層によるＳｉＣ表面の保護 - 特許庁

GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LED例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - 特許庁

A GaN-based semiconductor layer 21 of the GaN-based semiconductor region 15 consists, e.g., of an n-type GaN-based semiconductor, wherein the n-type GaN-based semiconductor includes silicon.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体領域１５のＧａＮ系半導体層２１は例えばｎ型ＧａＮ系半導体からなり、ｎ型ＧａＮ系半導体にはシリコンが添加されている。 - 特許庁

GaN FILM AND FORMATION METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＧａＮ膜及びＧａＮ膜形成方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF GaN SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GaN-BASED SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR BASIC MATERIAL例文帳に追加

ＧａＮ系半導体結晶の製造方法およびＧａＮ系半導体基材 - 特許庁

To obtain a larger area to take out light without including an n-type Si substrate and a buffer layer, concerning a GaN-base LED to be formed by using a GaN-LED on Si substrate.例文帳に追加

GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GaN FIELD EMITTER ALLAY例文帳に追加

ＧａＮフィールドエミッターアレイの製造方法 - 特許庁

GaN GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体レーザー素子 - 特許庁

The GaN layer 17 is grown on a principal surface 11b of the GaN wafer 11.例文帳に追加

ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂ上に成長されている。 - 特許庁

To provide a structure of a high efficiency GaN-based optical semiconductor element and a method of manufacturing thereof.例文帳に追加

高効率GaN系光半導体素子の構造とその製造方法の提供。 - 特許庁

In addition, the GaN layer 5 is formed, by laterally growing the portions of the GaN layer 3 exposed through the pinholes P as nucleus for growth, until the grown portions join to each other and the surfaces of the joints are planarized.例文帳に追加

また、GaN層５は、ピンホールＰから露出するGaN膜３を成長の核とする横方向の成長により合体し表面が平坦化されるまで成長させる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GAN LIGHT-EMITTING DIODE例文帳に追加

ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法 - 特許庁

The third semiconductor layer 5 is GaN.例文帳に追加

第３半導体層５は、ＧａＮである。 - 特許庁

Particularly, the sapphire substrate separating step can prevent the surface of a GaN crystal from being damaged and can manufacture a more excellent vertical GaN light emitting diode.例文帳に追加

特に、本発明において提案したサファイア基板の分離工程はGaN結晶面のダメージを防止でき、より優れた垂直構造GaN発光ダイオードが製造できるとの利点がある。 - 特許庁

When a GaN layer containing Si is made to adjoin the surface of a sapphire substrate, the c-axis orientational distribution of the GaN layer becomes narrower, as compared with the case where Si is not substantially contained.例文帳に追加

また、サファイア基板面上にSiを含有するGaN層を隣接させると、Siが実質的に含有されていない場合に比べてGaN層のc軸配向性の分布は狭くなる。 - 特許庁

GaN SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＧａＮ半導体及びその製造方法 - 特許庁