1016万例文収録!

「HIGH-VOLTAGE POWER SUPPLY」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > HIGH-VOLTAGE POWER SUPPLYの意味・解説 > HIGH-VOLTAGE POWER SUPPLYに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

HIGH-VOLTAGE POWER SUPPLYの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1714



例文

The plasma treatment device 1 comprises a chamber 2 for storing a work 10, a first electrode 3, a second electrode 4 arranged opposite to the first electrode 3 via the work 10, a power supply circuit 5 for applying the high frequency voltage between the electrodes 3, 4, a gas feed unit 6 for feeding gas into the chamber 2, and an exhaust pump 7 for exhausting the gas in the chamber 2.例文帳に追加

プラズマ処理装置1は、ワーク10を収納するチャンバー2と、第1の電極3と、ワーク10を介して第1の電極3と対向配置された第2の電極4と、各電極3、4間に高周波電圧を印加する電源回路5と、チャンバー2内にガスを供給するガス供給部6と、チャンバー2内のガスを排気する排気ポンプ7とを備えている。 - 特許庁

In the semiconductor device with a trench isolation structure, at least one well region and an MOS transistor are formed in the high power supply voltage circuit section, majority carrier capturing regions 401, 402 and minority carrier capturing regions 403, 404 for preventing latchup are provided in the vicinity of the end of the well region, and the potentials are set, respectively, at a level suitable for carrier suction.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とMOS型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部近傍にラッチアップを防止するための多数キャリア捕獲領域および少数キャリア捕獲領域を有しそれぞれの電位をキャリア吸い込みに適した電位に固定されている。 - 特許庁

This power supply for an ion guide used for introducing ions generated by ionization by an atmospheric pressure ion source into a high-vacuum analysis system is provided with a control means 20 for making both parameters of the amplitude and the frequency of a voltage supplied to the ion guide variable to set both the parameters to optimum values according to the mass number of the ions to be passed.例文帳に追加

大気圧イオン源でイオン化したイオンを高真空分析系に導入するイオンガイド用の電源において、イオンガイドに供給する電圧の振幅と周波数の両方のパラメータを可変にし、通過させるイオンの質量数によって両方のパラメータを最適値に設定するための制御手段(20)を備えたものである。 - 特許庁

The inverter power supply 18 for driving the magnetron 8 by which a microwave is irradiated, is so constituted that a switching means 19 is provided to a heating current supplying line 15 for promoting a thermionic emission supplied to the cathode section 16 of the magnetron 8 from an auxiliary secondary winding put side by side to a high voltage transformer 6.例文帳に追加

マイクロ波を照射するマグネトロン8を駆動するためのインバータ電源18において高圧トランス6に併設された補助二次巻線よりマグネトロン8のカソード部16に供給する熱電子放出促進のための加熱電流供給線路15に開閉手段19を設ける構成とした。 - 特許庁

例文

To realize a semiconductor memory in which a column decoder constituted of a plurality of transistors is not used, and a stable reading operation is made possible to a low power supply voltage without being affected by a high threshold value due to the substrate bias effect caused in the transistors constituting the column decoder by connecting bit lines with a reading circuit.例文帳に追加

複数のトランジスタから構成されるカラムデコーダを用いることなく、ビット線と読み出し回路を接続することで、カラムデコーダを構成するトランジスタに生じる基板バイアス効果による高閾値化の影響を受けることなく、低電源電圧まで安定した読み出し動作が可能な半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁


例文

To provide a temperature detection circuit for detecting temperatures with a high temperature coefficient even with a low power supply voltage, a temperature detector using such a temperature detection circuit, and a photoelectric converter for providing a sensor signal stable with respect to temperatures based on temperature information acquired by using such a temperature detector.例文帳に追加

低い電源電圧でも高い温度係数で温度を検出することが可能な温度検出回路、このような温度検出回路を用いた温度検出装置、及びこのような温度検出検出装置を用いて得た温度情報をもとに温度に対し安定なセンサ信号を得ることの出来る光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain a signal level conversion circuit that normally converts the level of an input signal into a high level and provides the output a TFT integrated circuit whose power supply voltage is higher than a 1st circuit even when a threshold of an input transistor(TR) is changed due to change over aging or the like and the low level signal input from a MOSFET integrated circuit becomes smaller than the threshold.例文帳に追加

入力トランジスタのしきい値が経時変化等により変化して、MOSFET集積回路からの低振幅信号入力が該しきい値よりも小さくなっても正常に高振幅信号にレベル変換動作を行い、第1回路よりも電源電圧の高いTFT集積回路に出力できる信号レベル変換回路を提供する。 - 特許庁

To provide a reduction-resistant dielectric composition which includes a main component consisting of particles uniformly coated with sintering auxiliary without segregating it and additives and is used for a base-metal inner electrode laminated ceramic capacitor that can be widely used as a medium or high voltage capacitor in a circuit such as a switching power supply circuit, a DC-DC converter circuit, a lighting inverter circuit or the like.例文帳に追加

スイッチング電源回路、DC−DCコンバータ回路、照明用インバータ回路等に中高圧用として広く使用される積層セラミックコンデンサにおいて、焼結助剤成分を偏析させることなく主成分粉末の粒子の周囲に均一にコ−ティングさせた卑金属内部電極積層セラミックコンデンサ用耐還元性誘電体組成物を提供することを目的としている。 - 特許庁

The power supply pins required for an input-output circuit are only two pins 38 and 42 while a high voltage withstand property and extensibility are achieved by providing a buffer interface between a functional digital circuit and a common bus for another digital circuit by using two PMOS switching transistors T1A and T1B instead of one PMOS switching transistor between the output line 30 of the circuit and an output power terminal 42.例文帳に追加

入出力ドライバ回路は、回路の出力ライン(30)と出力電源端子(42)との間に、1つのみの代わりに、2つのPMOSスイッチング・トランジスタ(T1A,T1B)を用いることによって、機能性デジタル回路(14)と他のデジタル回路のための共通バス(18)との間に、バッファ・インターフェースを備え、高いレベルの電圧耐性および伸展性を達成しつつ、必要な電源ピン(38,42)を2つのみに抑えた。 - 特許庁

例文

The semiconductor device having a trench isolation structure is constituted by forming at least one well region and an MOS type transistor at the high power supply voltage circuit part, and a carrier capturing region composed of a silicon region whose crystallinity is broken by argon ion implantation of high energy or the like and a region into which heavy metal such as gold is implanted is formed and disposed at an end of a well region so as to prevent a latch-up.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とMOS型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部にラッチアップを防止するために高エネルギーのアルゴンイオン注入などにより結晶性を破壊されたシリコン領域や、金などの重金属を注入した領域からなるキャリア捕獲領域を形成し、配置する。 - 特許庁

例文

In a head-on type excimer lamp connected to a power supply that generates a high-frequency high-voltage via the feeder line, the lamp is lit up with the lighting frequency of MHz bandwidth and a light output when lighting up is made to be light controllable by making an input electricity to be variable.例文帳に追加

本発明のエキシマランプの構成は、石英ガラスから成る二重円筒型の放電容器と、該放電容器の外側管の外壁に形成された第1の電極と該内側管の内側に形成された第2の電極と、該第2の電極に電力供給する給電線と、該放電容器の管軸方向端部に形成された光取り出し窓と、から成り、高周波高電圧を発生する電源に該給電線を介して接続されたヘッドオン型のエキシマランプにおいて、該エキシマランプの点灯周波数をMHz帯域で点灯し、点灯時の入力電力を可変にすることにより光出力を調光可能としたことを特徴とする。 - 特許庁

A protection circuit protects a semiconductor integrated circuit that controls a synchronous rectification switching power supply having a high-side MOSFET and a low-side MOSFET as switching elements from a surge voltage.例文帳に追加

スイッチング素子としてハイサイドMOSFETとローサイドMOSFETとを有する同期整流型のスイッチング電源を制御する半導体集積回路をサージ電圧から保護する保護回路を、端子Vswと端子Vboot間にm段(mは整数)に直列接続されたツェナーダイオードにより構成される第1クランプ回路を接続し、端子Vbootと端子Vreg間にn段(nは整数)に直列接続された第2クランプ回路を接続し、端子Vregと基準電位GND間にm段に直列接続されたツェナーダイオードにより構成される第3クランプ回路を接続する構成とした。 - 特許庁

The inverter circuit is provided with an insulating transformer in which a secondary winding is connected in series between an output stage of a power supply and input stages of a plurality of discharge tubes, and supplying alternating-current high voltage to the plurality of discharge tubes, and a switching circuit carrying out switching operation for switching a primary winding of the insulating transformer between an open state and a short-circuiting state by a control signal.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るインバータ回路は、二次側巻線が電源の出力段と複数の放電管の入力段との間に直列に接続され、前記複数の放電管に交流高電圧を供給する絶縁トランスと、制御信号により前記絶縁トランスの一次側巻線をオープン状態とショート状態に切り替えるスイッチング動作を行うスイッチ回路と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

例文

An AC high voltage is supplied from an AC power supply 1 through a rectifier 2, an inverter 31 and a transformer 4 to a discharge load 5 in which a gas region is formed as a discharge space between a pair of opposed electrodes via a dielectric, and a gas in the discharge space is excited to generate plasma.例文帳に追加

対向配置する一対の電極間に誘電体を介して放電空間となるガス領域が構成された放電負荷5に対し、交流電源1より整流器2、インバータ31、トランス4を介して交流高電圧を供給し、上記放電空間のガスを励起して、プラズマを発生させるプラズマ発生用電源装置において、トランス4の2次側に、放電負荷5に対して並列に、下記の式(1)を満足するインダクタンスを有する並列インダクタ62を設けた。 - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS