「IIIB」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

stage iii ovarian germ cell tumor is divided into stages iiia, iiib, and iiic. 例文帳に追加

iii期の卵巣胚細胞腫瘍は、さらにiiia期、iiib期、iiic期に分けられる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

stage iii is divided into stages iiia and iiib, based on now far the cancer has spread. 例文帳に追加

iii期は、がんの拡がりの程度に応じて、さらにiiia期とiiib期に分けられる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

SYNTHETIC METHOD FOR GROUP IIIB NITRIDE例文帳に追加

ＩＩＩＢ族窒化物の合成方法 - 特許庁

stage iii is divided into stage iiia and stage iiib depending on where the cancer has spread. 例文帳に追加

iii期はがんがどこまで拡がっているかによってiiia期とiiib期に分類される。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

in stage iiib, cancer has spread to the peritoneum and is 2 centimeters or smaller in diameter. 例文帳に追加

iiib期では、がんが腹膜まで拡がっているが、その直径は2cm以下に留まっている。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

in stage iiib, the tumor has spread to the peritoneum but is 2 centimeters or smaller in diameter. 例文帳に追加

iiib期では、腫瘍が腹膜まで拡がっているが、その直径は2cm以下に留まっている。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

METHOD FOR SYNTHESZING IIIB FAMILY NITROGEN COMPOUND例文帳に追加

ＩＩＩＢ族窒素化合物の合成方法 - 特許庁

M_2 represents either one or more of the elements selected from group IIIb elements, group IVb elements, and the lanthanoid elements.例文帳に追加

Ｍ_2は、IIIb族元素、IVb族元素、及び、ランタノイド元素から選ばれるいずれか１以上の元素。 - 特許庁

stage iii is divided into stage iiia, iiib, and iiic, based on how far the cancer has spread within the pelvis. 例文帳に追加

iii期はがんが骨盤内で どこまで拡がっているかによって、iiia期、iiib期および iiic期にわかれる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

C is one or more kinds of elements selected from group IIIb elements, group IVb elements (except for Sn), and group Vb elements.例文帳に追加

Ｃは、IIIb族元素、IVb族元素（Ｓｎを除く）及びVb族元素から選ばれる１種以上の元素。 - 特許庁

in stage iiib, cancer has spread to lymph nodes in the pelvis and/or near the uterus. 例文帳に追加

iiib期では、骨盤内のリンパ節または子宮付近のリンパ節もしくはその両方にがんの転移が認められる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

stage iii is divided into stage iiia, stage iiib, and stage iiic, and is determined after a radical inguinal orchiectomy (surgery to remove the testicle) is done. 例文帳に追加

iii期はさらにiiia期、iiib期、iiic期に分けられ、これは高位精巣摘除術（精巣を摘出する手術）の実施後に判定される。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

in stage iiib, cancer has spread to the serosal (outermost) layer of the stomach wall and is found in 7 to 15 lymph nodes near the tumor. 例文帳に追加

iiib期では、がんは胃壁の漿膜層（最外層）にまで拡がっており、腫瘍付近の7から15カ所のリンパ節にも認められる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

In the synthetic method for group IIIB nitride, a group IIIB element-containing compound and a nitrogen-containing compound are dissolved into a solvent, thereafter, the solvent is evaporated, the obtained uniform mixture is heated to reduce the group IIIB element-containing compound, and, the group IIIB elements are nitrided with nitrogen in the nitrogen-containing compound.例文帳に追加

IIIＢ族元素含有化合物と含窒素化合物を溶媒に溶解した後、溶媒を蒸発して得られた均一混合物を加熱してIIIＢ族元素含有化合物を還元して含窒素化合物の窒素によりIIIＢ族元素を窒化することを特徴とするIIIＢ族窒化物の合成方法。 - 特許庁

PHOSPHOR CONTAINING BORON AND METAL BELONGING TO GROUPS IIIA AND IIIB例文帳に追加

ＩＩＩＡ族及びＩＩＩＢ族のホウ素並びに金属を含む蛍光体 - 特許庁

in stage iiib, the cancer is anywhere within the testicle, spermatic cord, or scrotum; and may have spread to one or more nearby or distant lymph nodes or to the lungs. 例文帳に追加

iiib期では、精巣、精索、陰嚢のいずれかの部位にがんが存在し；周辺または遠隔部のリンパ節1つ以上か肺に転移がみられる場合もある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

The n-type semiconductor is created by mixing group IIIb elements with iron sulfide.例文帳に追加

硫化鉄にIIIｂ族元素を混ぜることにより、ｎ型半導体を作製する。 - 特許庁

This different element is an element of a group IIIB and/or a group VB of a periodic table, and in particular, the element of the group IIIB is boron and the element of the group VB is nitrogen, preferably.例文帳に追加

この異元素は、周期表第IIIＢ族及び／又は第ＶＢ族の元素であり、とくにIIIＢ族元素がボロン、ＶＢ族元素が窒素であることが好ましい。 - 特許庁

stage iii uterine sarcoma is divided into stages iiia and iiib based on how far the cancer has spread within the pelvis (lower part of the abdomen between the hip bones). 例文帳に追加

iii期の子宮肉腫は、骨盤（腹部の下方部分のことで、両側の寛骨の間に位置する）内部でのがんの拡がりの程度に応じて、さらにiiia期とiiib期に分けられる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

The cationic metals may be group IIIB elements, group IVB elements, lanthanides, or vanadium.例文帳に追加

陽性金属は、第３ｂ族、第４ｂ族若しくはランタニド金属またはバナジウムであろう。 - 特許庁

The octahedron contains at least one element M selected from the group IIIB elements, group IVB elements, group VB elements, group VIB elements, group VIIB elements, group VIII elements, group IB elements, group IIB elements, and group IIIA elements in the periodic table.例文帳に追加

八面体は、元素周期表の第IIIB族、第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIII族、第IB族、第IIB族および第IIIA族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素Ｍを含む。 - 特許庁

in stage iiib, cancer has spread to the pelvic wall and/or the tumor has become large enough to block the ureters (the tubes that connect the kidneys to the bladder). 例文帳に追加

iiib期では、がんが骨盤壁まで拡がっていて、なおかつ/または腫瘍が尿管（腎臓と膀胱をつないでいる管）を閉塞させるのに充分な大きさにまで成長している。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

in stage iiib, there are one or more tumors of any size that have either (1) spread to nearby organs other than the gallbladder; or (2) broken through the lining of the peritoneal cavity. 例文帳に追加

iiib期は、大きさに関係なく腫瘍が複数存在し、（1）胆嚢以外の隣接する臓器に拡がっている状態、または（2）腹膜腔内壁を打ち破っている状態のいずれかである。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

The dopant is preferred to be selected from among IIIB group, IVB group, and rare earth element.例文帳に追加

また、前記ドーパントは、IIIＢ族、IVＢ族、及び希土類元素からなる群の中から選択されるとよい。 - 特許庁

METHOD OF FORMING Ib-IIIb-VIb2 COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND MANUFACTURE OF THIN-FILM SOLAR CELL例文帳に追加

Ｉｂ—ＩＩＩｂ—ＶＩｂ２族化合物半導体層の形成方法、薄膜太陽電池の製造方法 - 特許庁

The method for producing the polyketone is to react the polyol with hydrogen peroxide in the presence of a metal oxide catalyst which is obtained by reacting hydrogen peroxide with at least one species selected from a group consisting of tungsten metal, molybdenum metal, a tungsten compound comprising tungsten and a IIIb group, IVb group, Vb group or VIb group element and a molybdenum compound comprising molybdenum and a IIIb group, IVb group, Vb group or VIb group element.例文帳に追加

タングステン金属、モリブデン金属、タングステンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびモリブデンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または第VIb族元素とからなるモリブデン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなる金属酸化物触媒の存在下に、前記ポリオール類と過酸化水素とを反応させることを特徴とするポリケトン類の製造方法。 - 特許庁

The light absorbing layer 14 is composed of a compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

光吸収層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半導体からなる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING Ib-IIIb-VIb2 COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND FILM FORMING DEVICE USED THEREFOR例文帳に追加

Ｉｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ２族化合物半導体薄膜の形成方法およびこの方法で使用される成膜装置 - 特許庁

FLUORESCENT MATERIAL CONTAINING OXIDES OF ALKALINE EARTH METAL AND GROUP IIIB METAL, AND LIGHT SOURCE INCORPORATING THE FLUORESCENT MATERIAL例文帳に追加

アルカリ土類金属及び第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含む蛍光体並びに該蛍光体を組み込んだ光源 - 特許庁

IMPROVED EUROPIUM-ACTIVATING PHOSPHOR CONTAINING OXIDE OF RARE EARTH AND GROUP IIIB METAL AND METHOD FOR PREPARING THE SAME例文帳に追加

希土類及びＩＩＩＢ族金属の酸化物を含む改善されたユーロピウム賦活蛍光体及びそれを作る方法 - 特許庁

IMPROVED EUROPIUM-ACTIVATED PHOSPHOR CONTAINING OXIDES OF RARE METAL EARTH AND OF GROUP IIIB METAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

希土類及び第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含む改善したユーロピウム活性化蛍光体及びそれを作る方法 - 特許庁

To provide a synthetic method for nitride in a simple process using inexpensive starting raw materials for the purpose of solving the problems in the conventional synthesis method for group IIIB nitride particulates, and to provide group IIIB nitride particulates having light emitting properties.例文帳に追加

従来のIIIＢ族窒化物微粒子の合成方法の問題点を解決するために、安価な出発原料を用いた簡便なプロセスで窒化物の合成方法を提供するとともに発光特性を有するIIIＢ族窒化物微粒子を提供すること。 - 特許庁

That is, alloy composition is improved with 0.001 to 1% of bismuth and indium as a base for additive metals, and moreover, specifying same amount of aluminum, magnesium, or group 13 (IIIB) element in the periodic table, and in addition, the metal to gas ratio is set at 1 to 5 kg/Nm3.例文帳に追加

すなわち、添加金属としてビスマス、インジウムの０．００１〜１％をベースに、さらには同じ量のアルミニウム、マグネシウムまたは周期表の１３(IIIB)族元素を特定して合金組成を改良し、かつ上記メタル／ガス比を１〜５ｋｇ／Ｎｍ^3とする。 - 特許庁

Further, the different element of the group IIIB is introduced into the carbon nanotube of a positive electrode, and the different element of the group VB is introduced into a negative electrode, respectively.例文帳に追加

また、プラス極のカーボンナノチューブには第IIIＢ族異元素を、マイナス極には第ＶＢ族異元素をそれぞれに導入する。 - 特許庁

To provide a new manufacturing method of a compound semiconductor thin film containing IB group elements, IIIB group elements, and VIB group elements.例文帳に追加

ＩＢ族元素、IIIＢ族元素、およびVIＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phosphor containing boron and a metal belonging to groups IIIA and IIIB and also to provide a light source devised with such phosphor.例文帳に追加

IIIＡ族及びIIIＢ族のホウ素並びに金属を含む蛍光体、及びそのような蛍光体を組み込んだ光源を提供する。 - 特許庁

To provide a solar battery equipped with a light absorption layer consisting of a IB-IIIB-VIB semiconductor of group IB element rich composition.例文帳に追加

ＩＢ族元素リッチ組成のＩＢ−IIIＢ−VIＢ半導体からなる光吸収層を備えた太陽電池を提供する。 - 特許庁

SULFURATION CATALYST OF AT LEAST ONE ELEMENT SELECTED FROM GROUP IIIB, GROUP IVB, AND GROUP VB AND ITS USAGE例文帳に追加

第ＩＩＩＢ族、第ＩＶＢ族および第ＶＢ族から選ばれる少なくとも１つの元素の硫化触媒およびその使用法 - 特許庁

The fluorescent glass containing an oxide of a group IIIB element, an oxide of a group IIB element, and rare earth element ions.例文帳に追加

本発明に係る蛍光性ガラスは、ＩＩＩＢ族元素の酸化物と、ＩＩＢ族元素の酸化物と、希土類元素イオンと、を含有する。 - 特許庁

The manufacturing method of chalcopyrite nanoparticles shown in Ib group metal-IIIb group metal-VIb group element by mixing Ib group metal compound, IIIb group metal compound, and VIb group compound of the periodic table, in an organic solvent and forming nanoparticles, is provided.例文帳に追加

周期律表第Ｉｂ族金属化合物、第IIIｂ族金属化合物、および第VIｂ族化合物を有機溶媒中で混合してナノ粒子を形成することを特徴とする第Ｉｂ族金属—第IIIｂ族金属—第VIｂ族元素で表わされるカルコパイライトナノ粒子の製造方法。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 13 is composed of a p-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and the n-type semiconductor layer 14 is composed of an n-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, a group VIb element and a dopant of a group II element.例文帳に追加

ｐ形半導体層１３はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むｐ形化合物半導体からなり、ｎ形半導体層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とドーパントであるII族元素とを含むｎ形化合物半導体からなる。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element.例文帳に追加

ｐ形半導体層２はＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。 - 特許庁

Exhaust gas activated with discharging plasma is contacted with a carrier composed of a porous body with use of a catalyst carrying IIIb group elements.例文帳に追加

多孔質体よりなる担体にＩＩＩｂ族元素を担持した触媒を用い、放電プラズマによって活性化された排ガスを接触させる。 - 特許庁

FORMATION METHOD OF Ib-IIIb-VIb2 COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND SOLAR CELL ELEMENT HAVING THE THIN FILM FORMED BY THE METHOD例文帳に追加

Ｉｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ２族化合物半導体薄膜の形成方法およびこの方法で形成された薄膜を有する太陽電池素子 - 特許庁

The group IIIB element doped in the vicinity of the surface 1f of the silicon substrate 1 has concentration in the range of 10^17 cm^-3-10^20 cm^-3.例文帳に追加

シリコン基板１の表面１ｆ近傍にドープされた周期律表第３Ｂ族元素の濃度は１０^17ｃｍ^-3以上１０^20ｃｍ^-3以下である。 - 特許庁