「IIIB」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for producing the compound semiconductor thin film containing a group IB element, group IIIB element, and group VIB element comprises: a step for preparing an application agent containing a group IB element, group IIIB element, and group VIB element; a step for forming an application film by applying the application agent to a substrate; and a step for baking under pressure in which the application film is heated and sintered while pressure is mechanically applied.例文帳に追加

ΙＢ族元素、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、ΙＢ族元素、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含有する塗布剤を調製する工程と、前記塗布剤を基板に塗布して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を、機械的に圧力を加えた条件下で加熱して焼結させる加圧焼成工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 - 特許庁

A catalyst prepared by adding the alkali metal, the alkaline earth metal or an element belonging to rare earths to the metal oxide to form a carrier and carrying the noble metal and the element of the group IIB or IIIB thereon is also suitably used.例文帳に追加

また、アルカリ金属やアルカリ土類金属の担持に代えてアルカリ金属，アルカリ土類金属，希土類に属する元素を金属酸化物に添加して担体とし、これに貴金属と共に２Ｂ族または３Ｂ族の元素を担持させた触媒も好適である。 - 特許庁

The optical semiconductor device is obtained by mounting an optical semiconductor element of a IIIB-VB compound semiconductor with a resin composition, molding the element with a transparent sealing resin, and then passing the element through a step of aging the element at 80 to 200°C for 8 to 48 hours.例文帳に追加

３Ｂ−５Ｂ族等化合物半導体の光半導体素子を樹脂組成物でマウントし、透明封止樹脂でモールドした後、８０℃〜２００℃の温度で８〜４８時間、エージング工程を通すことを特徴とする光半導体装置である。 - 特許庁

The catalyst is prepared by using a basing a metal oxide such as cerium dioxide or zirconium dioxide as a carrier, carrying a noble metal such as platinum, palladium, rhodium iridium or ruthenium and further carrying an element the group IIB or IIIB such as zinc, gallium or indium.例文帳に追加

二酸化セリウムや二酸化ジルコニウムなどの塩基性の金属酸化物を担体として、白金やパラジウム，ロジウム，イリジウム，ルテニウムなどの貴金属を担持させると共に、亜鉛，ガリウム，インジウムなどの２Ｂ族または３Ｂ族の元素を担持させて触媒とする。 - 特許庁

The barrier layer for the silicon-containing substrate to prevent formation of gaseous species of silicon when exposed to a high temperature aqueous environment comprises aluminosilicate of group IIA and/or group IIIB such as barium - strontium aluminosilicate and an oxide of group VB.例文帳に追加

高温の水性環境に曝されたときにガス状珪素類の形成を防止する、珪素含有基材のためのバリヤ層は、アルミノ珪酸バリウムストロンチウムなどのＩＩＡ族および／またはＩＩＩＢ族のアルミノ珪酸塩と、ＶＢ族の酸化物とからなる。 - 特許庁

Cordierite powder having cordierite crystalline phase is used as an essential component, at least one kind of metal oxide of group IIa, IIIb, IVb is incorporated by ≤18.0 mass% in the cordierite powder and the metal oxide is made to exist in the cordierite crystal grain boundary or is partially entered into a solid solution.例文帳に追加

コーディエライト結晶相を有するコーディエライト粉末を主成分に、IIａ、IIIｂ、IVｂ族の金属酸化物のうち少なくとも一種を１８．０質量％以下含有せしめ、且つ、前記酸化物をコーディエライト結晶粒界に存在または一部固溶させた。 - 特許庁

A reduction in the NOx is promoted by the IIIb group elements and unreacted HC to be accumulated on the catalyst or a partly reacted HC is oxidized, thus HC poisoning is less prone to occur and decrease in activation of the catalyst is less prone to be caused.例文帳に追加

ＩＩＩｂ族元素によりＮＯ_ｘ の還元反応が促進されるとともに、触媒上に堆積しようとする未反応のＨＣ若しくは一部反応したＨＣなどが酸化されるために、ＨＣ被毒が起こりにくく触媒の活性低下が生じにくい。 - 特許庁

The europium-activating phosphor comprises at least one rare earth metal selected from a group consisting of gadolinium, yttrium and lanthanum and a combination thereof and at least one group IIIB metal selected from a group consisting of aluminum, gallium and indium and a combination thereof.例文帳に追加

ユーロピウム賦活蛍光体は、ガドリニウム、イットリウム、ランタン、及びその組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの希土類金属と、アルミニウム、ガリウム、インジウム、及びその組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つのＩＩＩＢ族金属とを含む。 - 特許庁

A catalyst has a polymetallic sulfide phase containing at least one element selected from the elements of group IIIB including sulfur, lanthanide, and actinoids and group IVB and at least one element selected from the elements of group VIIB and group VIII.例文帳に追加

硫黄と、ランタノイドおよびアクチノイドが含まれる第III Ｂ族および第IVＢ族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素と、第VII Ｂ族および第VIII族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素とを含む多金属硫化物相を含む触媒である。 - 特許庁

To provide a novel catalyst having a polymetallic sulfide phase containing at least one element selected from the elements of group IIIB includ ing sulfur, lanthanoids, and actinoids and group IVB and at least one element selected from the elements of group VIIB and group VIII.例文帳に追加

硫黄と、ランタノイドおよびアクチノイドを含む第III Ｂ族および第IVＢ族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素と、第VII Ｂ族および第VIII族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素とを含む多金属硫化物相を含む新規触媒を提供する。 - 特許庁

The europium-activated phosphor contains oxides of at least a rare earth metal selected from the group consisting of gadolinium, yttrium, lanthanum and a combination thereof, and of at least a group IIIB metal selected from the group consisting of aluminium, galium, indium and a combination thereof.例文帳に追加

ユーロピウム活性化蛍光体は、ガドリニウム、イットリウム、ランタン及びその組合せからなる群から選択された少なくとも希土類金属と、アルミニウム、ガリウム、インジウム及びその組合せからなる群から選択された少なくとも第ＩＩＩＢ族金属との酸化物を含む。 - 特許庁

As to the semiconductor oxide AOx, "A" is desirably at least one kind of element selected from among the elements of group IIA and group IIIA excluding La, group IIB, group IIIB, group IVA, group VA, group VIA, group VIIA, and group VIIIA of the periodic table of the elements.例文帳に追加

半導体酸化物ＡＯxは、Ａが元素周期律表第２Ａ族及びＬａを除く第３Ａ族、第２Ｂ族、第３Ｂ族、第４Ａ族、第５Ａ族、第６Ａ族、第７Ａ族、及び第８Ａ族の元素から選択される少なくとも１種以上の元素であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining a thin film, having a resistivity suitable as the light-absorbing layer of a solder cell in a method for forming an Ib-IIIb-VIb2 compound semiconductor (CuInS2) thin film by a CVD method (chemical vapor deposition method), using an organic metallic compound as its raw material.例文帳に追加

有機金属化合物を原料として用いたＣＶＤ法によりＩｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ_2 族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ_2 ）薄膜を形成する方法において、太陽電池の光吸収層として適切な抵抗率の薄膜が得られる方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a ferroelectric thin film 9 for storing charges formed on a conductivity type silicon substrate 1 on which a memory selection transistor is formed wherein the ferroelectirc thin film 9 is formed by adding a group IIIA or IIIB element.例文帳に追加

メモリ選択用トランジスタを形成した導電型シリコン基板１上に、電荷を蓄積する強誘電体薄膜９が形成されており、その強誘電体薄膜９が周期表の第IIIＡ族または第IIIＢ族の元素を添加されて構成された半導体装置である。 - 特許庁

The method for producing a halomethyl aromatic derivative by halomethylation of an aromatic in the presence of the metal catalyst uses a group 3 (IIIA) element compound, a group 4 (IVA) element compound and/or a group 13 (IIIB) element compound as the metal catalyst.例文帳に追加

金属触媒の存在下で芳香族類をハロメチル化することによりハロメチル芳香族誘導体を得る方法において、前記金属触媒として３（ＩＩＩＡ）族元素化合物、４（ＩＶＡ）族元素化合物および／または１３（ＩＩＩＢ）族元素化合物を用いることを特徴とする。 - 特許庁

iv) Category IIIB Navigation (The navigation used for approach, landing and rollout mainly with auto pilot using the instrumental landing system when there is no Decision Height or the decision height is less than 15 meters and the Runway Visual Range is 50 meters or more and 200 meters or less. 例文帳に追加

四　カテゴリー三Ｂ航行（決心高がない、又は決心高が十五メートル未満であつて、滑走路視距離が五十メートル以上二百メートル未満の場合に、主に自動操縦により計器着陸装置を利用して進入、着陸及び着陸後の滑走を行う航行をいう。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

This hard-carbon coated material is characterized by having the hard carbon film of an amorphous structure on the substrate, which contains fine particles of crystal diamond with the particle size of 100 nm or less, through an intermediate layer consisting of elements in the groups of IVa, Va, VIa, VIII, IIIb, and IVb in the periodic table, or nitrides or carbides thereof.例文帳に追加

基材上に元素周期表のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、IIIｂ族、IVｂ族の元素、もしくはその窒化物、炭化物からなる中間層を介して結晶粒径１００ｎｍ以下の微細ダイヤモンド結晶粒を含むアモルファス構造の硬質炭素膜を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor thin film constituted in a chalcopyrite structure containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element comprising Se uses cracked and radicalized Se by the plasma in a film-forming process.例文帳に追加

Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造方法であって、上記半導体薄膜は製膜過程において、プラズマによってクラッキングされてラジカル化したセレンを用いたことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 - 特許庁

Substituted styrene derivatives or substituted biaryl derivatives are produced using a catalyst for cross-coupling reaction containing a compound of a group VIII metal of the 4th period of the Periodic Table and at least one selected from the group consisting of organometallic compounds of the groups IIB and IIIB metals of the Periodic Table having no metal hydride structure.例文帳に追加

周期律表第四周期ＶＩＩＩ族金属化合物と、金属ヒドリド構造をもたない周期律表ＩＩＢ族及びＩＩＩＢ族有機金属化合物からなる群より選ばれた少なくとも一種を含有するクロスカップリング反応用触媒を用い、置換スチレン誘導体や置換ビアリール誘導体を製造する。 - 特許庁

The high strength zirconia-base ceramic sintered compact consists of 70-99.95 vol.% stabilizer-containing substantial zirconium oxide, 0.05-30 vol.% at least one selected from a simple substance, nitride, boride and carbide of an element selected from the groups IIIa, IVa, Va, VIa, VIIa, VIII, IIb, IIIb and IVb and ≤3 vol.% other impurities.例文帳に追加

高強度ジルコニア基セラミックス焼結体は安定化剤を含有した実質的な酸化ジルコニウム７０〜９９．９５ｖｏｌ％、IIIａ、IVａ、Vａ、VIａ、VIIａ、VIII、IIｂ、IIIｂ、IVｂ族から選ばれた元素の単体、窒化物、ホウ化物、炭化物の少なくとも１種を０．０５〜３０ｖｏｌ％、およびその他の不純物３ｖｏｌ％からなる。 - 特許庁

To provide an n-type compound semiconductor thin film, a method of manufacturing thereof and a solar cell using the same, by allowing a compound semiconductor thin film expressed as a composition formula AB3C5 (A is a group Ib element, B is a group IIIb element, and C is a group VIb element) in which a group II element is contained.例文帳に追加

組成式がＡＢ_3Ｃ_5（ただしＡはＩｂ族元素、ＢはIIIｂ族元素、ＣはVIｂ族元素）で表わされる化合物半導体薄膜にII族元素を含有させることによって、キャリア密度の高いｎ型の化合物半導体薄膜およびその製造方法ならびにこれを用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁

To form a bridged half-sandwich type metallocene component based on a heteroatom-fluorenyl ligand and also based on a group IIIb metal of the periodic table; and to provide a catalyst component effective on the controlled polymerization of styrene, and a catalyst component having capability to form poly(methylmethacrylate).例文帳に追加

フルオレニル−ヘテロ原子配位子が基になりかつ周期律表のＩＩＩｂ族の金属が基になった橋状半サンドイッチ型メタロセン（metallocene）成分を良好な収率で生じさせること、およびスチレンの制御重合に有効な触媒成分、ポリメタアクリル酸メチルを生じさせる能力を有する触媒成分の提供。 - 特許庁

The interlayer film where fine zinc oxide particles containing one or more elements selected from the group consisting of group IIIB and group IVB in the periodic table and fine hexaboride particles are dispersed in a resin for the interlayer film and the laminated glass using the interlayer film are provided.例文帳に追加

周期律表第ＩＩＩＢ族元素および第ＩＶＢ族元素からなる群から選ばれる１種または２種以上の元素を含有する酸化亜鉛微粒子と、六ホウ化物微粒子とが、中間膜用樹脂に分散してなることを特徴とする中間膜、ならびに該中間膜を用いてなる合わせガラス。 - 特許庁

A low-resistance n-type AlN crystal is obtained by substituting a part of Al atoms in an AlN crystal with group IIIa elements (such as Sc, Y and La) or/and group IIIb elements (such as B, Ga and In), and substituting one adjoining nitrogen (N) atom with an oxygen (O) atom to form a shallow impurity level.例文帳に追加

本発明によれば、ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部を、IIIａ族元素（Ｓｃ,Ｙ,Ｌａ等）又は／及びIIIｂ族元素（Ｂ,Ｇａ,Ｉｎ等）で置換し、隣接する窒素（Ｎ）１原子を酸素（Ｏ）原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗ｎ型ＡｌＮ結晶を得ることができる。 - 特許庁

In the formula, R is one kind or more of element selected from lathanoid series of Pr-Lu, Y or Sc, X is one kind or more of group VIII element of Ni, Pd and Pt, Z is one kind or more of group IIIB element of B, Al or Ga.例文帳に追加

ただし、式中、ＲはＰｒ〜Ｌｕまでのランタノイド系列及び、Ｙ或いはＳｃより選ばれる１種又は２種以上の元素、ＸはＮｉ、Ｐｄ、Ｐｔよりなる１種又は２種以上のＶＩＩＩ族元素、ＺはＢ、Ａｌ或いはＧａよりなる１種又は２種以上のＩＩＩＢ族元素を示している。 - 特許庁

To prevent the waste of Se material when the semiconductor thin film, such as CIGS based thin film, is formed during manufacturing of a semiconductor thin film constituted in a chalcopyrite structure containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element comprising Se, and a photoelectric conversion device.例文帳に追加

Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、ＣＩＧＳ系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することを課題とする。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery preventing an expansion of the battery in charge/discharge caused by reduction of an electrolyte and having very low self discharge, in the battery using a negative electrode containing a negative active material comprising a group IIB, IIIB, IVB, or VB element in the periodic table forming a lithium compound or solid solution.例文帳に追加

リチウムと化合物または固溶体を形成する周期律表ＩＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族およびＶＢ族の元素からなる負極活物質を含む負極を用いるリチウム二次電池において、電解液の還元分解による充放電サイクル時の電池の膨れを防止し、自己放電性の非常に小さい電池とする。 - 特許庁

A prescribed inorganic fiber is obtained by adding a compound containing at least one or more kinds of metal elements of IIA group, IIIA group and IIIB group metal element into polysilane or a reactant resulting from heating it and after reacting the resultant by heating in an inert gas to obtain a metal element-containing organic silicon polymer, melt spinning the metal element-containing organic silicon polymer and further infusibilizing and mineralizing it.例文帳に追加

ポリシラン又はその加熱反応物に２Ａ族、３Ａ族及び３Ｂ族の金属元素のうち少なくとも１種以上の金属元素を含有する化合物を添加し、不活性ガス中で加熱反応して金属元素含有有機ケイ素重合体を得たのち、これを溶融紡糸、さらに不融化及び無機化して所定の無機化繊維を得る。 - 特許庁

The vapor-deposited amount of the group IB element in the zone 12 is controlled based on the predicted value so that the composition ratio of the XYZ_2 compound thin film at the end point of the film deposition zone 12 becomes a target value of the composition ratio between the group IB element and the group IIIB element in the XYZ_2 thin film at a previously set end point of the zone 12.例文帳に追加

製膜ゾーン１２の終点におけるＸＹＺ_2化合物薄膜の組成比が予め設定されたゾーン１２の終点におけるＸＹＺ_2薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の目的値となるように前記予測値に基づきゾーン１２における第ＩＢ族元素の蒸着量を制御する。 - 特許庁

The benzene is reacted with the carboxylic acid and the molecular oxygen in the presence of the catalyst comprising palladium, at least one kind of element selected from the groups consisting of IIIb group, IVb group, Vb group and VIb group in periodic table and at least one kind of element selected from the groups consisting of IIIa group and IVa group in the periodic table to produce the phenyl ester.例文帳に追加

パラジウムと、周期律表のＩＩＩｂ族、ＩＶｂ族、Ｖｂ族及びＶＩｂ族からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素と、周期律表のＩＩＩａ族及びＩＶａ族からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素を含む触媒の存在下に、ベンゼンとカルボン酸と分子状酸素を反応させてフェニルエステルを製造する。 - 特許庁

The toner for electrostatic image development contains a binder resin and a colorant, wherein group IA elements (excluding hydrogen) exist in a range of 0.03-1.0 atom% and group IIA elements, group IIIB elements and group IVB elements (excluding carbon) exist in a range of 0.05-2.0 atom% in total, as measured by XPS (X-ray photoelectron spectroscopic analysis).例文帳に追加

結着樹脂と着色剤とを含む静電荷像現像用トナーであって、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析）による第ＩＡ族元素（水素除く）の存在割合が０．０３〜１．０ａｔｏｍ％の範囲であり、かつ、第IIＡ族元素、第IIIＢ族元素及び第IVＢ族元素（炭素除く）の存在割合の合計が０．０５〜２．０ａｔｏｍ％の範囲である静電荷像現像用トナーである。 - 特許庁

The method for producing chalcopyrite type fine particles includes at least partially dissolving a group Ib metal compound, a group IIIb metal compound, and a simple substance of a group VIb element and/or a compound thereof in a polar organic solvent to obtain a raw material solution 1 and heating the raw material solution 1 to bring the polar organic solvent into a supercritical state 3 to synthesize the chalcopyrite type fine particles.例文帳に追加

第Ｉｂ族金属化合物、第ＩＩＩｂ族金属化合物、及び第ＶＩｂ族元素の単体及び/又はその化合物を、極性有機溶媒に少なくとも部分的に溶解させて、原料溶液１を得、そしてこの原料溶液１を加熱して極性有機溶媒を超臨界状態３にすることによって、カルコパイライト系微粒子を合成することを含む、カルコパイライト系微粒子の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell including a photoelectric conversion layer formed of at least one compound semiconductor consisting of a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and an insulating layer formed by anodizing Al, in which degradation of insulating characteristics caused by a crack in the insulating layer can be prevented even when the photoelectric conversion layer is formed at a high temperature exceeding 500°C.例文帳に追加

Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素からなる少なくとも１種の化合物半導体からなる光電変換層、および、Ａｌを陽極酸化してなる絶縁層を有する太陽電池の製造において、光電変換層の成膜を５００℃を超える高温で行っても、絶縁層のクラックに起因する絶縁特性の劣化を防止できる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the stereoregular polar vinyl polymer ≥60% in isotactic or syndiotactic triad content comprises polymerizing a specific polar vinyl monomer using 0.01-10 molar equivalent, based on the monomer, of a conjugate complex, as template catalyst, composed of an inner donor-type Lewis base-natured compound and Lewis acid-natured groupsIIA-VIIA, VIII and IB-IIIB layer metal compounds.例文帳に追加

特定の極性ビニルモノマーを用い、該モノマーに対して０．０１〜１０モル等量の内部ドナー型ルイス塩基性の化合物をルイス酸性の周期表ＩＩＡ〜ＶＩＩＡ、ＶＩＩＩ及びＩＢ〜ＩＩＩＢ族の層状金属化合物と複合した複合錯体を鋳型触媒として使用して、該モノマーを重合させて、アイソタクティック又はシンジオタクティックトライアッドの含量が６０％以上の極性ビニルポリマーを得る。 - 特許庁

In the method of manufacturing the columnar nano-crystal body, the columnar nano-crystal body of the element is formed by irradiating a target containing at least one element selected from a group comprising IIIB or IVB elements with pulse laser beam at 10^15-10^21 W/cm^2 irradiation intensity to produce the scattered particles and binding the scattered particles of the element.例文帳に追加

IIIＢ族元素及びIVＢ族元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含有する材料からなるターゲットに照射強度が１０^１５Ｗ/ｃｍ^２〜１０^２１Ｗ/ｃｍ^２であるパルスレーザー光を照射して前記元素の飛散粒子を発生させ、前記元素の飛散粒子が結合してなる前記元素の柱状ナノ結晶体を形成せしめることを特徴とする柱状ナノ結晶体の製造方法。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptive member has a cylindrical electrically conductive substrate and a photoconductive layer comprising a silicon-base non-single crystalline material containing hydrogen, halogen and at least one of the group IIIb elements of the Periodic Table on the surface of the substrate.例文帳に追加

円筒状導電性支持体と、支持体の表面上に水素原子、ハロゲン原子及び周期律表第IIIｂ族元素からなる群より選択された少なくとも一つの元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料からなる光導電層とを有し、光導電層の表面側で実質的に光を吸収する領域の膜厚Ａ（ｍｍ）、光受容部材の直径Ｄ（ｍｍ）、光受容部材の回転速度Ｂ（ｍｍ／ｓｅｃ）及び帯電前露光と帯電器の間の角度Ｃ（ｒａｄ）が、下記式（１）で示される関係にある電子写真用光受容部材。 - 特許庁