「IIIB」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a phosphor containing oxides of rare earth metals and of group IIIB metals which is activated by trivalent europium and has improved quantum efficiency.例文帳に追加

三価ユーロピウムにより活性化され、改善した量子効率を有する希土類及び第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含む蛍光体を提供する。 - 特許庁

The film 13 is a semiconductor thin film which functions as a light absorbing layer, and contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

化合物半導体薄膜１３は、光吸収層として機能する半導体薄膜であり、Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素を含む。 - 特許庁

The method for preparing the phosphor comprises adding at least one selected a halogen compound of at least one selected from group IIIB metals to a starting mixture.例文帳に追加

蛍光体を作る方法は、少なくとも１つの選択されたＩＩＩＢ族金属の少なくともハロゲン化合物を出発混合物に加えることを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell includes: a sputtering process for sputtering a target including a group Ib element and a target including a group IIIb element in an atmosphere including Se, and forming a layer including the group Ib element, group IIIb element, and Se on a substrate; and a heat-treatment process for heating the layer.例文帳に追加

本発明の太陽電池の製造方法は、Ｉｂ族元素を含むターゲット及びＩＩＩｂ族元素を含むターゲットを、Ｓｅを含む雰囲気中でスパッタして、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＳｅを含む層を基板上に形成するスパッタリング工程と、層を加熱する熱処理工程と、を備える。 - 特許庁

in stage iiib, the tumor may be any size and cancer (1) has spread to the chest wall and/or the skin of the breast; and (2) may have spread to axillary lymph nodes that may be attached to each other or to other structures or the cancer may have spread to lymph nodes near the breastbone. 例文帳に追加

iiib期では、腫瘍の大きさにかからわず、（1）胸壁および/または乳房の皮膚にがんが拡がっていて；（2）乳房内のリンパ節やわきの下のリンパ節にがんが転移し、それらのリンパ節が互いに癒着または周辺組織に固着している場合があり、胸骨付近のリンパ節にがんが転移している場合もある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

To improve energy conversion efficiency of a solar cell that is provided with a semiconductor film containing a Ib group element, a group IIIb element and a VIa group element as an optical absorption layer.例文帳に追加

Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素及びVIａ族元素を含有する半導体膜を光吸収層として備えた太陽電池におけるエネルギー変換効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a method by which a Ib-IIIb-VIb2 compound semiconductor (CuInS2) thin film can be formed by the CVD method with high film composition controllability.例文帳に追加

ＣＶＤ法によりＩｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ_2 族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ__2 ）薄膜を形成する方法において、膜組成の制御性に優れた方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of efficiently and surely manufacturing a nano-sized columnar crystal body comprising a group IIIB or IVB element such as silicon, boron or carbon.例文帳に追加

シリコン、ボロン、カーボン等のIIIＢ族又はIVＢ族元素からなるナノサイズの柱状結晶体を効率良くかつ確実に製造することが可能な方法を提供すること。 - 特許庁

LMX_2 (where L represents at least one group IB element, M represents at least one group IIIB, and X represents at lest one group VIB, respectively.) ...(i)例文帳に追加

ＬＭＸ_２（ここで、Ｌは少なくとも１種のＩＢ族元素、Ｍは少なくとも１種のＩＩＩＢ族、Ｘは少なくとも１種のＶＩＢ族を各々示す。）・・・（ｉ） - 特許庁

The manufacturing method of such a phosphor comprises a step of adding at least a halogen compound of at least one of metals IIIB into the starting mixture.例文帳に追加

そのような蛍光体を作る方法は、選択した第ＩＩＩＢ族金属の少なくとも１つの少なくともハロゲン化合物を出発混合物内に加える段階を含む。 - 特許庁

The film 14 contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element and also contains sulfur at a higher composition ratio than that of the film 13.例文帳に追加

化合物半導体薄膜１４は、Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素を含み、化合物半導体薄膜１３よりも高い組成比で硫黄を含む。 - 特許庁

In particular, the total concentration (C_3A) of the group IIIa elements and/or group IIIb elements is preferably 1×10^18 cm^-3 or more, and the O concentration (Co) is preferably in a range of 0.01C_3A<Co<1.5C_3A.例文帳に追加

特にIIIａ族元素又は／及びIIIｂ族元素の合計濃度（Ｃ_3A）が１×１０^18cm^-3以上であり、Ｏ濃度(Ｃo)が、０．０１Ｃ_3A＜Ｃｏ＜１．５Ｃ_3Aであることが好ましい。 - 特許庁

The modified recombinant viruses can comprise exogenous DNA sequences encoding immunodeficiency virus-derived antigens or epitopes and/or CTL epitopes, for example HIV1gag(+pro)(IIIB), gp120(MN)(+transmembrane), nef(BRU)CTL, pol(IIIB)CTL, ELDKWA or LDKW epitopes, or the like in the non-essential region of their viral genome foreign.例文帳に追加

この改変組換えウイルスは、そのウイルスゲノムの非必須領域に、免疫不全性ウイルス由来の抗原もしくはエピトープおよび／またはＣＴＬエピトープ、例えば、ＨＩＶ１ｇａｇ（＋プロ）（ＩＩＩＢ）、ｇｐ１２０（ＭＮ）（＋トランスメンブレン）、ｎｅｆ（ＢＲＵ）ＣＴＬ、ｐｏｌ（ＩＩＩＢ）ＣＴＬ、ＥＬＤＫＷＡ、ＬＤＫＷエピトープ等をコードする外来ＤＮＡ配列を含み得る。 - 特許庁

The tungsten compound is at least one kind of compound selected e.g. from metallic tungsten, a tungsten compound composed of tungsten and a group IIIb element, a tungsten compound composed of tungsten and a group IVb element, a tungsten compound composed of tungsten and a group Vb element and a tungsten compound composed of tungsten and a group VIb element.例文帳に追加

タングステン化合物としては、例えばタングステン金属、タングステンと第IIIb族元素とからなるタングステン化合物、タングステンと第IVb族族元素とからなるタングステン化合物、タングステンと第Vb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステンと第VIb族元素とからなるタングステン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。 - 特許庁

The modified recombinant virus can contain a foreign DNA sequence encoding an antigen or an epitope and/or CTL epitope originated from an immunodeficient virus, such as at least one of HIV1gag(+pro) (IIIB), gp120(MN)(+transmembrane), nef(BRU)CTL, pol(IIIB)CTL, ELDKWA or LDKW epitopes, in the non-essential region of the virus genome.例文帳に追加

この改変組換えウイルスは、そのウイルスゲノムの非必須領域に、免疫不全性ウイルス由来の抗原もしくはエピトープおよび／またはＣＴＬエピトープ、例えば、ＨＩＶ１ｇａｇ（＋プロ）（ＩＩＩＢ）、ｇｐ１２０（ＭＮ）（＋トランスメンブレン）、ｎｅｆ（ＢＲＵ）ＣＴＬ、ｐｏｌ（ＩＩＩＢ）ＣＴＬ、ＥＬＤＫＷＡ、ＬＤＫＷエピトープ等をコードする外来ＤＮＡ配列を含み得る。 - 特許庁

The modified recombinant virus may contain in its non-essential region of the virus genome a foreign DNA sequence which codes for immunodeficiency virus-derived antigen, epitope and/or CTL epitope, such as HIV1gag (+pro)(IIIB), gp120(MN)(+transmembrane), nef(BRU)CTL, pol(IIIB)CTL, ELDKWA, or LDKW epitope, or the like.例文帳に追加

この改変組換えウイルスは、そのウイルスゲノムの非必須領域に、免疫不全性ウイルス由来の抗原もしくはエピトープおよび／またはＣＴＬエピトープ、例えば、ＨＩＶ１ｇａｇ（＋プロ）（ＩＩＩＢ）、ｇｐ１２０（ＭＮ）（＋トランスメンブレン）、ｎｅｆ（ＢＲＵ）ＣＴＬ、ｐｏｌ（ＩＩＩＢ）ＣＴＬ、ＥＬＤＫＷＡ、ＬＤＫＷエピトープ等をコードする外来ＤＮＡ配列を含み得る。 - 特許庁

The Fe-Pt based magnet is characterized by employing an alloy which includes, by atomic ratio, 35-55% platinum, 0.001-10% the third element of at least one selected from elements in the groups of IVa, Va, IIIb, and IVb, and the balance iron with unavoidable impurities, and which has an average crystal grain size of 0.3 μm.例文帳に追加

本発明の磁石は、原子数比で白金を３５〜５５％と、IVa族の元素、Va族の元素、IIIb族の元素およびIVb族の元素のうちから選択される１種以上の第３元素を０．００１〜１０％と、残部が鉄および不可避不純物とからなる合金で、その平均結晶粒径が０．３μｍ以下であるようなＦｅ−Ｐｔ系磁石合金である。 - 特許庁

A carried catalyst contg. at least one element selected from the group consisting of the groups IIIB, IVB and VB elements including lanthanoids and actinoids is sulfurized by contact with at least one source of elemental sulfur in an atmosphere of at least one reducing gas other than hydrogen.例文帳に追加

触媒の硫化方法は、ランタノイドおよびアクチノイドが含まれる第IIIB族、第IVB族および第VB族よりなる群の中から選ばれる少なくとも１つの元素を含む担持触媒の硫化方法において、前記触媒を、水素以外の少なくとも１つの還元剤の雰囲気下に少なくとも１つの元素状硫黄源と接触させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor thin film where a uniformity in a Ga distribution in the direction of a film thickness is appropriate or the Ga distribution in the direction of the film thickness can be arbitrarily controlled in the compound semiconductor thin film that comprises a group IB element, a group IIIB element, and a group VIB element and contains In and Ga as the group IIIB element.例文帳に追加

ＩＢ族元素、ＩＩＩＢ族元素およびＶＩＢ族元素から成り、ＩＩＩＢ族元素としてＩｎとＧａを含む化合物半導体薄膜において、その膜厚方向のＧａ分布の均一性が良好であるか、または膜厚方向のＧａ分布を任意に制御することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method and the like which can efficiently deposit a sputtering film having a desired composition by the sputtering method using elements in group-IB, group-IIIB, and group-VIB of the periodic table.例文帳に追加

周期表ＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＶＩＢ族の元素を用いるスパッタリング法により、所望の組成のスパッタリング膜が効率よく形成可能なスパッタリング方法等を提供する。 - 特許庁

Furthermore, as for the composition in atomic ratio of the recording layer 4 is represented by general formula in (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x, a, b and x satisfy an inequality: 0.72≤x+2a+7b/6≤0.82.例文帳に追加

さらに、記録層４の原子比率での組成を(Ｉｂ)_a(IIIｂ)_b(Ｓｂ)_x(Ｔｅ)_1-a-b-x で表す一般式において、ａ，ｂ，ｘが０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２である。 - 特許庁

The light emitting element 11 is preferably a solid-state light emitting element including a group IIIb-Vb compound semiconductor or a group IIb-VIb compound semiconductor as a luminescent layer.例文帳に追加

発光素子１１は、ＩＩＩｂ−Ｖｂ族系化合物半導体又はＩＩｂ−ＶＩｂ族系化合物半導体を発光層として含む固体発光素子であることが好ましい。 - 特許庁

The thin film 12 contains a compound semiconductor layer 12b, which is arranged so as to come into contact with the first electrode film 11 an contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

薄膜１２は、第１の電極膜１１と接触するように配置された、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半導体層１２ｂを含む。 - 特許庁

Styrene, methylmethacrylate, and the like are polymerized by a polymerization catalyst containing the metallocene catalyst component based on a group IIIb metal of the periodic table and a bridged heteroatom-fluorenyl ligand.例文帳に追加

周期律表のＩＩＩｂ族の金属と橋状ヘテロ原子−フルオレニル配位子が基になったメタロセン触媒成分を含む重合触媒により、スチレン、メタアクリル酸メチル等を重合する。 - 特許庁

The solar cell has a photoelectric conversion layer including a semiconductor layer including an Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element on an aluminum substrate provided with an insulative anodic oxidation film.例文帳に追加

絶縁性の陽極酸化膜を有するアルミニウム基板上に、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とからなる半導体層を含む光電変換層を有する、太陽電池。 - 特許庁

The main component of this interlayer film is a transparent resin which contains zinc oxide-based particulates containing metal elements of group IIIb and/or IVb, and an infrared-absorptive organic compound.例文帳に追加

ＩＩＩｂ族および／またはＩＶｂ族の金属元素を含有する酸化亜鉛系微粒子と、赤外線吸収性有機化合物とを含有する透明樹脂を主成分とする中間膜。 - 特許庁

Preferably, the one kind of element selected from the IIIb-group in the periodic-law table is In or the one of the element selected from the IVb-group in the periodic-law table is Sn.例文帳に追加

望ましくは、周期律表のIIIｂ族元素から選択した1種の元素がＩｎであるか、または、周期律表のIVｂ族元素から選択した１種の元素がＳｎである。 - 特許庁

The method for producing the N-oxide comprises carrying out a reaction between the tertiary amine and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen.例文帳に追加

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、三級アミンと過酸化水素とを反応させることを特徴とするＮ−オキシド類の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the oxime compound comprises carrying out a reaction between the carbonyl compound, ammonia and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen.例文帳に追加

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、カルボニル化合物とアンモニアと過酸化水素を反応させることを特徴とするオキシム化合物の製造方法。 - 特許庁

This method for producing both of cyclododecanone and cyclododecanol features contacting epoxycyclododecanes with hydrogen in the presence of a platinum group catalyst where (a) a platinum group metal and (b) at least one element selected from the group consisting of group VIII, Ib, IIb, IIIb, IVb, Vb, VIb and VIIb elements and lanthanoid elements or compounds thereof as a cocatalyst are supported by a carrier.例文帳に追加

白金族触媒が、（ａ）白金族金属と（ｂ）助触媒としてVIII族、Ib族、IIb族、IIIb族、IVb族、Vb族、VIb族、VIIb族およびランタノイド元素からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素またはその化合物とを担体に担持したものからなり、該触媒の存在下、エポキシシクロドデカン類と水素とを接触させることを特徴とするシクロドデカノン及びシクロドデカノールの製造法により解決される。 - 特許庁

The method for producing the nitrogen-containing aromatic N-oxides comprises reacting the corresponding nitrogen-containing aromatics with the hydrogen peroxide in the presence of a metal oxide catalyst prepared by reacting at least one kind selected from tungsten metal and a tungsten compound composed of tungsten and a group IIIb element, a group IVb element, a group Vb element or a group VIb element except oxygen with the hydrogen peroxide.例文帳に追加

タングステン金属およびタングステンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなる金属酸化物触媒の存在下に、含窒素芳香族類と過酸化水素とを反応させることを特徴とする含窒素芳香族Ｎ−オキシド類の製造方法。 - 特許庁

in stage iiib, the tumor may be any size and has spread to (1) nearby organs and to lymph nodes near the rectum; or (2) lymph nodes on one side of the pelvis and/or groin, and may have spread to nearby organs; or (3) lymph nodes near the rectum and in the groin, and/or to lymph nodes on both sides of the pelvis and/or groin, and may have spread to nearby organs. 例文帳に追加

iiib期では、腫瘍の大きさは様々で、（1）隣接する臓器と直腸近辺のリンパ節に拡がっている、あるいは（2）骨盤と/あるいは鼠径部の片側のリンパ節に拡がり、隣接する臓器にまで拡がる場合がある、あるいは（3）直腸近辺と鼠径部のリンパ節と/あるいは、骨盤と/あるいは鼠径部の両側のリンパ節に拡がり、隣接する臓器にまで拡がる場合がある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

in stage iiib, the tumor may be any size and has spread to lymph nodes above the collarbone or in the opposite side of the chest from the tumor; and/or to any of the following places: the heart, major blood vessels that lead to or from the heart, the chest wall, the diaphragm, the trachea, the esophagus, the sternum (chest bone) or backbone, to more than one place in the same lobe of the lung, and/or into the fluid of the pleural cavity surrounding the lung. 例文帳に追加

iiib期では、腫瘍の大きさは様々で、鎖骨上方のリンパ節もしくは腫瘍と反対側の胸部にあるリンパ節、および/または以下の領域のいずれかまでがんが拡がっている：心臓、心臓につながる大きな血管、胸壁、横隔膜、気管、食道、胸骨または背骨、同一の肺葉内の複数の部分、肺周辺の胸膜腔に溜まった液体。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

Further ≤5.0 mass% TiOx (x≤2.0) is added as a sintering assistant component singly or ≤18.0 mass% at least one kind of the metal oxide of group IIa, IIIb, IVb is added.例文帳に追加

さらに、焼結助剤成分としてＴｉＯｘ（Ｘ≦２．０）を５．０質量％以下を単独、或いは、IIａ、IIIｂ、IVｂ族の金属酸化物のうち少なくとも一種を１８．０質量％以下添加した。 - 特許庁

The semiconductor film has a composition with a group Ia element and a group Vb element doped in a compound semiconductor of a chalcopyrite structure comprising a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

本発明の半導体膜は、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むカルコパイライト構造の化合物半導体に、Ｉａ族元素およびＶｂ族元素が添加された組成を有する。 - 特許庁

In the formula, A is an element of the group IIA, IIIA, IVA, VA, IIB, IIIB, IVB, VB, VIB, VIIB or VIII of the long-form periodic table; X is a halogen atom; p is an integer of 0-10; q is an integer of 1-10; and r is an integer of 1-35.例文帳に追加

（式中、Ａは長周期律表においてIIＡ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ、IIＢ、IIIＢ、IVＢ、ＶＢ、VIＢ、VIIＢ、VIII属の元素、Ｘはハロゲン原子、ｐは０〜１０、ｑは１〜１０、ｒは１〜３５の整数を示す。） - 特許庁

1982, April: Courses were renamed as General Course, class I; General Course (Automobile course), class II; General Course (special academic advancement course and semi-special academic advancement course), class III (special academic advancement course, class IIIA, and semi-special academic advancement course, class IIIB). 例文帳に追加

1982年（昭和57年）4月-コース呼称変更普通科→I類、普通科（自動車コース）→II類、普通科（特別進学コース・準特別進学コース）→III類（特別進学コース→III類A、準特別進学コース→III類B） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The catalyst preferably contains sulfur in an amount more than 40% of the stoichiometric amount of sulfur in the polymetallic sulfide of group IIIB, group IVB, group VIIB, and group VIII.例文帳に追加

この触媒は硫黄を、第III Ｂ族、第IVＢ族、第VII Ｂ族および第VIII族元素の多金属硫黄化合物中の硫黄の化学量論量の４０％に一致する量よりも多い量で含むことが好ましい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound-semiconductor thin-film containing a group IB element, In and Ga as group IIIB elements and a group VIB element and having the excellent uniformity of Ga distribution in the film-thickness direction.例文帳に追加

ＩＢ族元素と、IIIＢ族元素としてＩｎおよびＧａと、VIＢ族元素とを含み、その膜厚方向におけるＧａ分布の均一性が良好な化合物半導体薄膜を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

The activity of the cisplatin is enhanced by clinically administering phosphodiesterase IIIB (PDE3B) inhibitor in combination with the cisplatin to the carcinoma or case of the cisplatin resistance or the whole case carrying out the cisplatin administration.例文帳に追加

臨床的にシスプラチン耐性の癌腫または症例、あるいはシスプラチンの投与を行う全ての症例に対して、ホスホジエステラーゼＩＩＩＢ（ＰＤＥ３Ｂ）阻害剤を併用投与し、シスプラチンの作用を増強させる。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of rapidly forming films by the use of a solid as a film forming raw material on a semiconductor material which contains either a group IIIB elements, group IVB element, or group VB element.例文帳に追加

ＩＩＩＢ族元素、ＩＶＢ族元素、ＶＢ族元素のうちの何れかを含む半導体材料において、成膜用原料として固体を用いて、高速で成膜を行うことが可能な装置を提供すること。 - 特許庁

The HC adsorbent layer contains a heat-resistant inorganic oxide containing metal elements comprising groups IIIA, IIIB, IVB, VB, VIB, VII, VIII, IB and IIB.例文帳に追加

ＨＣ吸着材層がＩＩＩＡ族、ＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族、ＶＩＩ族、ＶＩＩＩ族、ＩＢ族及びＩＩＢ族元素などから成る金属元素を含む耐熱性無機酸化物を更に含有する。 - 特許庁

The concentration of carbon monoxide in the resultant hydrogen-containing gas is further decreased by using a catalyst prepared by carrying an alkali metal or an alkaline earth metal before the noble metal and the element of the group IIB or IIIB are carried.例文帳に追加

貴金属と２Ｂ族または３Ｂ族の元素の担持の前にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を担持するものとすれば、得られる水素含有ガス中の一酸化炭素濃度を更に低くすることができる。 - 特許庁

This ceramic dispersion contains a ceramics, a dispersing medium and a carboxylic acid-based compound selected from a carboxylic acid, an ammonium carboxylate, a salt of a Ia group metal, IIa group metal, IIIa group metal, Va group metal, VIa group metal, VIIa group metal, VIII group metal, Ib group metal, IIb froup metal, IIIb group metal, IVb group metal and lanthanoid.例文帳に追加

セラミックス、分散媒ならびに、カルボン酸、カルボン酸アンモニウム、カルボン酸のIa族金属塩、カルボン酸のIIa族金属塩、カルボン酸のIIIa族金属塩、カルボン酸のVa族金属塩、カルボン酸のVIa族金属塩、カルボン酸のVIIa族金属塩、カルボン酸のVIII族金属塩、カルボン酸のIb族金属塩、カルボン酸のIIb族金属塩、カルボン酸のIIIb族金属塩、カルボン酸のIVb族金属塩およびカルボン酸のランタノイド塩から選ばれるカルボン酸系化合物を含むことを特徴とするセラミックス分散液。 - 特許庁

in stage iiib, the tumor may be any size and has spread to (1) nearby organs and to lymph nodes near the rectum; or (2) lymph nodes on one side of the pelvis and/or groin, and may have spread to nearby organs; or (3) lymph nodes near the rectum and in the groin, and/or to lymph nodes on both sides of the pelvis and/or groin, and may have spread to nearby organs. 例文帳に追加

iiib期では、腫瘍の大きさは様々で、（1）隣接する臓器と直腸近辺のリンパ節に拡がっているか；もしくは（2）骨盤および/または鼠径部の片側のリンパ節に転移がみられ、さらに隣接する臓器に拡がっている場合もある；もしくは（3）直腸近辺および鼠径部のリンパ節、および/または、骨盤および/または鼠径部の両側のリンパ節に転移がみられ、さらに隣接する臓器に拡がっている場合もある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版