「MAGNETORESISTANCE EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, THIN-FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISK DRIVE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに磁気抵抗効果装置、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに製造装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, CURRENT PERPENDICULAR TO PLANE MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC DISK DRIVE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、垂直通電型磁気ヘッド、および磁気ディスク装置 - 特許庁

MAGNETIC THIN FILM AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE USING IT例文帳に追加

磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁

RESISTANCE MEASURING METHOD OF THIN FILM, AND FORMING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM例文帳に追加

薄膜の抵抗測定方法及び磁気抵抗効果膜の製造方法 - 特許庁

A magnetization fixing direction of the first element part of the first magnetoresistance effect element and a magnetization fixing direction of the second element part of the second magnetoresistance effect element are orthogonal.例文帳に追加

第１磁気抵抗効果素子の第１素子部の磁化固定方向と第２磁気抵抗効果素子の第２素子部の磁化固定方向は直交している。 - 特許庁

The CPP-type magnetoresistance effect element 51 includes a magnetoresistance effect film 53 and a pair of upper and lower power supply magnetic shielding films 55 and 57 sandwiching the film 53.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子５１は、磁気抵抗効果膜５３と、それを挟む上下一対の給電用磁気シールド膜５５、５７とを備える。 - 特許庁

Among them, A1, A2, B1 and B2 are magnetoresistance effect elements constituting the sensing part, and MR1 and MR2 are magnetoresistance effect elements constituting the reference part.例文帳に追加

このうち、Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２はセンシング部を構成する磁気抵抗効果素子であり、ＭＲ１，ＭＲ２はリファレンス部を構成する磁気抵抗効果素子である。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, AND HARD DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置 - 特許庁

To measure the characteristics of a magnetoresistance effect magnetic head, while the magnetoresistance effect magnetic head is assembled in a head supporting member or a rotary drum.例文帳に追加

ヘッド支持部材又は回転ドラムに磁気抵抗効果型磁気ヘッドが組み付けられた状態で、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの特性を測定する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect film 46 below the first insulating film 51 and the magnetoresistance effect film 46 exposed in the contact hole 53 are almost uniformly processed.例文帳に追加

第１絶縁膜５１下の磁気抵抗効果膜４６と、コンタクトホール５３で露出する磁気抵抗効果膜４６とはほぼ均一に削り取られる。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element 2 has a magnetoresistance effect layer which is formed on one surface side of the base body and includes a free layer 27, hard magnetic layers 32 and 33 which are arranged on both sides of the magnetoresistance effect layer, and soft magnetic layers 42 and 43 which are formed on the hard magnetic layers 32 and 33 on both the sides of the magnetoresistance effect layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２は、前記基体の一方の面側に形成されフリー層２７を含む磁気抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層の両側に配置された硬磁性層３２，３３と、前記磁気抵抗効果層の両側において硬磁性層３２，３３上に形成された軟磁性層４２，４３と、を有する。 - 特許庁

This magnetic sensor is provided with at least three of the identical magnetoresistance effect elements, having different sensitivity directions, and the single substrate, whereon the magnetoresistance effect elements are arranged, and a direction of magnetization of a magnetoresistance effect film, constituting the magnetoresistance effect elements, crosses each other in the three-dimensional direction.例文帳に追加

本発明の磁気センサは、異なる感度方向をもつ同一の３個以上の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子が配設される単一基板と、前記磁気抵抗効果素子を構成する磁気抵抗効果膜の磁化の向きが、互いに三次元方向に交差するように形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element is composed by utilizing the ferromagnetic tunnel effect, in which the magnetoresistance effect element comprising an antiferromagnetic layer, the magnetic layer, an intermediate layer, and the magnetic layer is formed between electrode layers.例文帳に追加

反強磁性層／磁性層／中間層／磁性層からなる磁気抵抗効果素子を電極層間に形成した強磁性トンネル効果を利用した磁気抵抗効果素子とする。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD AND ROTARY MAGNETIC HEAD AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッド、回転型磁気ヘッド装置及びその製造方法 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE COMBINED HEAD AND ITS PRODUCTION METHOD, AND MAGNETIC STORAGE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果型複合ヘッド及びその製造方法並びに磁気記憶装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element with small variation of a characteristic and sufficient reproducibility.例文帳に追加

特性のばらつきが小さく再現性のよい磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

SPIN VALVE MAGNETORESISTANCE EFFECT REPRODUCING ELEMENT AND CONDUCTIVE LEAD LAYER FORMING METHOD例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果再生素子、および導電リード層の形成方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC REPRODUCING AND RECORDING APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドの製造方法及び磁気再生記録装置 - 特許庁

To provide a giant magnetoresistance effect element, capable of obtaining a high output and dealing with a high resistance and high recording density, and to provide a magnetoresistance effect type head having this giant magnetoresistance effect element, a thin film magnetic memory, and a thin film magnetic sensor.例文帳に追加

高い出力が得られると共に、抵抗が高く高記録密度に対応することができる巨大磁気抵抗効果素子、及びこの巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを提供する。 - 特許庁

To increase a magnetoresistance change amount in a magnetoresistance effect element of which the current is made to flow into the direction intersected with faces of respective layers constituting the magnetoresistance effect element, and also to improve a soft magnetic property of a free layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流される磁気抵抗効果素子における磁気抵抗変化量を大きくし、且つフリー層の軟磁気特性を良好にする。 - 特許庁

To suppress occurrence of a spin torque noise of a Current Perpendicular to Plane (CPP) magnetoresistance effect head.例文帳に追加

垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドのスピントルクノイズの発生を抑止する。 - 特許庁

To provide a design method of a tunnel magnetoresistance effect element which can ensure the operation life, by appropriately setting the operating voltage of the tunnel magnetoresistance effect element.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の作動電圧を適性に設定することにより寿命を確保することが可能なトンネル磁気抵抗効果素子の設計方法を提供する。 - 特許庁

Also, the magnetic sensor circuit 610 has a magnetoresistance effect element 612, a DC power source 611 for applying a DC voltage to the magnetoresistance effect element 612, and a resistor R1.例文帳に追加

また、磁気センサ回路６１０は、磁気抵抗効果素子６１２と、磁気抵抗効果素子６１２に直流電圧を印加する直流電源６１１と、抵抗Ｒ１とを有する。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN-FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD DEVICE AND MAGNETIC DISK UNIT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN-FILM MAGNETIC HEAD EQUIPPED WITH THE ELEMENT AND PRODUCTION OF THE ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド、及び該素子の製造方法 - 特許庁

To mass-produce a magnetoresistance-effect element being capable of obtaining a large magnetoresistance effect and being difficult to break by a Joule heat generated around a micro-contact.例文帳に追加

大きな磁気抵抗効果を得ることが可能でかつ微小接点周辺に発生するジュール熱によって破壊されにくい磁気抵抗効果素子を量産可能とする。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, ITS MANUFACTURING METHOD, AND RECORDING AND REPRODUCING SEPARATION TYPE MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法、記録再生分離型磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD PROVIDED THEREWITH AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、及びそれを備える磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD DEVICE AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置および磁気メモリ - 特許庁

The magnetoresistance effect element has a lower layer, a tunnel barrier layer 8 and an upper layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、下部層と、トンネルバリア層８と、上部層とを有している。 - 特許庁

Thus, magnetic field leaking from wiring provided adjacent to the magnetoresistance effect element 62 can be effectively prevented from reaching the magnetoresistance effect element 62.例文帳に追加

これにより、磁気抵抗効果素子６２の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界が磁気抵抗効果素子６２に達するのを効果的に防止することができる。 - 特許庁

To provide an evaluation method by which the magnetic characteristics of a magnetoresistance effect film can be evaluated comparatively easily and accurately in the manufacturing process for a magnetoresistance effect read element.例文帳に追加

磁気抵抗効果読み取り素子の製造過程で比較的に簡単に高い精度で磁気抵抗効果膜の磁気特性を評価することができる評価方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic storage contains a memory cell array arranging magnetoresistance-effect elements in a line.例文帳に追加

磁気記憶装置は、磁気抵抗効果素子を行列に配置したメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

Magnetoresistance effect element includes a magnetization fixed layer 3 in which a magnetization direction is fixed.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、磁化の方向が固定された磁化固定層３を含む。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, BASE, WAFER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, AND HARD DISC DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、基体、ウェハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD HAVING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, HEAD GIMBAL ASSEMBLY HAVING THE THIN FILM MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC DISC DEVICE HAVING THE HEAD GIMBALS ASSEMBLY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、該磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置 - 特許庁

The oxide 14 becomes a a magnetoresistance tunnel junction element, wherein a magnetoresistance tunnel effect is obtained through the (L-O)2 layer in the crystal structure.例文帳に追加

この酸化物は、結晶構造内の(Ｌ−Ｏ)_2層を介して磁気抵抗トンネル効果が得られる磁気抵抗トンネル接合素子となる。 - 特許庁

To control characteristics of a single-dimensional linear giant magnetoresistance element and movement of a magnetic wall from the outside regarding a three terminal-type magnetoresistance effect element.例文帳に追加

三端子型磁気抵抗効果素子に関し、一次元線状巨大磁気抵抗素子の特性や磁壁の移動を外部から制御する。 - 特許庁

This magnetoresistance effect magnetic head 1 is a magnetoresistance effect magnetic head which detects a signal from a magnetic recording medium by a magnetoresistance effect element by sliding the magnetic recording medium and is provided with the conductor arranged roughly parallel with the magnetoresistance effect type element and one pair of terminals 10a, 10b drawn out from both ends of the conductor.例文帳に追加

この磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体を摺動させて、当該磁気記録媒体からの信号を磁気抵抗効果素子によって検出する磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、磁気抵抗効果素子と略平行に配された導電体と、上記導電体の両端から導出された一対の端子とを備える。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND FORMING METHOD THEREFOR, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその形成方法、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁