「MAGNETORESISTANCE EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A layer structure incorporated in the magnetoresistance effect reproducing head and the magnetic tunnel junction device has a ferromagnetic structure of two ferromagnetic layers which are antiferromagnetically coupled against an improved antiferromagnetic coupled (AFC) film.例文帳に追加

磁気抵抗効果再生ヘッドおよび磁気トンネル接合装置に組み込まれる積層構造は、改良された反強磁性結合(ＡＦＣ)膜に対して反強磁性的に結合された２層の強磁性層の強磁性構造を有する。 - 特許庁

The flat face 4a is formed thereon with a magnetic detecting element 10 for detecting the external magnetic field by magnetoresistance effect, and a fixed resistance element 20, having electrical resistance identical to that of the magnetic detecting element 10 and that does not react with the external magnetic field.例文帳に追加

平坦面４ａ上に、磁気抵抗効果により外部磁界を検出する磁気検出素子１０と、磁気検出素子１０と同じ電気抵抗を有し、外部磁界に反応しない固定抵抗素子２０を形成する。 - 特許庁

In respective open end parts 14 and 16 of the magnetic yoke 18, maximum thickness T1 in a magnetic yoke diameter direction Y is made larger than maximum thickness T2 in the magnetic yoke diameter direction Y of a second magnetic layer 28 in a magnetoresistance effect element 20.例文帳に追加

磁気ヨーク１８の各開放端部１４、１６における、磁気ヨーク径方向Ｙの最大厚さＴ１を、磁気抵抗効果素子２０の第２磁性層２８の磁気ヨーク径方向Ｙの最大厚さＴ２よりも大きくした。 - 特許庁

To provide a tray for conveying magnetoresistance effect heads for magnetic disks having a surface resistance value which is stable in the range of 104-1012 Ω/(square) and a uniform surface condition and hardly generating particles due to scratching, friction or cleaning.例文帳に追加

１０^４〜１０^１２Ω／□において安定した表面抵抗値を有し、また、表面症状も均質でひっかきや摩擦、洗浄によるパーティクルの発生が極めて少ない磁気ディスク用磁気抵抗効果ヘッド搬送トレーを提供する。 - 特許庁

To provide a practical magnetoresistance effect element which has a suitable resistance value, is capable of obtaining high sensitivity, and has few magnetic layers to be controlled, and further, to provide a magnetic head, and a magnetic recording/reproducing device which use the element.例文帳に追加

適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Especially, when a free-side ferromagnetic layer 56 is contained in the body 39b, the strong vertical bias magnetic field BS can act on the layer 56 as compared with a conventional CPP-structure magnetoresistance effect element.例文帳に追加

特に、上層体３９ｂに自由側強磁性層５６が含まれる場合には、従来のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子に比べて自由側強磁性層５６に比較的に強い縦バイアス磁界ＢＳは作用することができる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element exhibiting a high MR variation rate by controlling the magnitude of magnetic coupling between a pin layer and a free layer to assure magnetization rotation of the free layer with respect to an external magnetic field as a practical operation.例文帳に追加

ピン層とフリー層との間の磁気結合の大きさを制御することにより、外部磁界に対するフリー層の磁化回転という実用的な動作を確保して、高いＭＲ変化率を示す磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a high-quality magnetoresistance effect element which is capable of reducing resistance in the perpendicular-plane direction, and preventing deterioration in the performance of a barrier layer, and a magnetoresistive device using the element.例文帳に追加

面直方向の抵抗値を低下させることが可能な磁気抵抗効果素子を提供するとともに、バリア層の性能低下を防止して、高品質の磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気抵抗デバイスを提供する。 - 特許庁

The magnetic storage device having a recording density of 3 Gbits or higher per square inch can be obtained by combining the magnetic recording medium with a magnetic head having an element specialized for reproduction utilizing magnetoresistance effect.例文帳に追加

本発明の磁気記録媒体と磁気抵抗効果を利用した再生専用の素子を有する磁気ヘッドとを組み合わせることによって、１平方インチあたり３ギガビット以上の記録密度を有する磁気記憶装置が得られる。 - 特許庁

Either a metal protective film 5 having oxidation-resistance or a metal protective film 5 wherein oxide has conductivity is disposed on an antiferromagnetic layer 2 constituting an extraordinary magnetoresistance effect film 1 via a mutual diffusion preventing film 4.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果膜１を構成する反強磁性層２上に、相互拡散防止膜４を介して、耐酸化性を有する金属保護膜５或いは酸化物が導電性を有する金属保護膜５のいずれかを設ける。 - 特許庁

This magnetic head is provided with a magnetic shielding layer 7 formed by laminating plural antiferromagnetic layers 71 and ferromagnetic layers and a magnetoresistance effect layer and executes recording of information to a magnetic recording medium and reproducing of information from the magnetic recording medium.例文帳に追加

反強磁性層７１及び強磁性層を複数積層した磁気シールド層７と、磁気抵抗効果層とを備え、磁気記録媒体への情報の記録や磁気記録媒体からの情報の再生を行う磁気ヘッドである。 - 特許庁

The reproduction element 12 of the magnetic head 1 has a magnetoresistance effect film (TMR film) 2 formed between a lower magnetic shield layer 14 and an upper magnetic shield layer 16; and a refill film 18 and a magnetic domain control film 19 on both sides of the TMR film 2.例文帳に追加

磁気ヘッド１の再生素子１２は、下部磁気シールド層１４と上部磁気シールド層１６の間に磁気抵抗効果膜（TMR膜）２が設けられ、TMR膜２の両脇にはリフィル膜１８と磁区制御膜１９が設けられている。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

In the magnetic head using a magnetoresistance effect element, the magnetization of two free magnetic layers is set to be in mutually opposite directions and at nearly 45° to a surface facing a medium by a current magnetic field for detection, thus obtaining reproduction output approximately two times larger than before.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいて、感知用の電流磁界により二つの自由磁性層の磁化を、互いに反対方向であって、媒体対向面に対し凡そ45°とすることで、従来に比べて約2倍の再生出力を得る。 - 特許庁

To provide a potentiometer, capable of detecting a rotational angle of a magnetic cord member and capable of obtaining large output, by employing a unique structure using macro-magnetoresistance effect elements.例文帳に追加

本発明の目的は、巨大磁気抵抗効果素子を用いた特異な構造を採用することによって磁気コード部材の回転角度を検出することができるようにするとともに、大きな出力を得ることができるポテンショメータの提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element including a laminated structure composed of a ferromagnetic layer and a barrier layer on the ferromagnetic layer, having a high MR ratio and improved in mass productivity and practicality.例文帳に追加

強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To effectively prevent a magnetoresistance effect element from being eroded by oxygen or hydrogen or the like, concerning a magnetic memory device that utilizes a change in resistance based on the direction of a spin of a magnetic layer and its manufacturing method.例文帳に追加

磁性層のスピンの向きに基づく抵抗変化を利用した磁気メモリ装置及びその製造方法に関し、酸素や水素等による磁気抵抗効果素子の侵食を効果的に防止しうる磁気メモリ装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 4 has first and second magnetic layers L1 and L2 of which the relative angle formed by a magnetization direction with respect to an external magnetic field changes, and a spacer layer 16 which is located between the first magnetic layer L1 and the second magnetic layer L2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子４は、外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。 - 特許庁

To obtain a large magnetoresistance effect based on a conductor with improved reproducibility by controlling the state of a current path including the conductor, when applying an intermediate layer having the conductor to a spin-valve GMR element in a CPP structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造のスピンバルブ型ＧＭＲ素子に導通部を有する中間層を適用する場合に、導通部を含む電流経路の状態を制御することによって、導通部に基づく大きな磁気抵抗効果を再現性よく得ることを可能にする。 - 特許庁

An Mn system alloy film containing at least one kind of elements among Ru, Rh, Pd, Ag, Os, Ir, Pt, and Au as a base layer 11 is provided between a magnetoresistance effect film having at least two ferromagnetic films 12 isolated by non-magnetic films 13 and a substrate 10.例文帳に追加

非磁性膜によって隔てられ、少なくても２層以上の強磁性膜を有する磁気抵抗効果膜と、基板との間に、下地層として、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのうち少なくとも１種類以上の元素を含有するＭｎ系合金膜を設ける。 - 特許庁

A method for recording a magnetic memory cell comprises a step of disposing a write line 3 near a side face of the magnetoresistance effect element 2 of a structure, in which a nonmagnetic layer 23 is interposed between a first magnetic layer 21 and a second magnetic layer 22 each having an axis of easy magnetization in a film surface perpendicular direction via an insulating film.例文帳に追加

膜面垂直方向に磁化容易軸を持つ第１磁性層２１及び第２磁性層２２で非磁性層２３を挟んだ構造の磁気抵抗効果素子２の側面近傍に、絶縁膜を介して書込み線３を配置する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect type thin film magnetic head has a 1st lead wire 15 and a 2nd lead wire 19 divided into two and electrically connected by way of an inter-wire connection filler 17C.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、２分割された２層の第１リード配線１５及び第２リード配線１９を備え、第１リード配線１５と第２リード配線１９とは配線間接続充填材１７Ｃを通して電気的に接続される。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head in which an effective track width is prevented from spreading and very high output stability is obtained by more reducing read-blurring at both ends in the track width direction of a magnetoresistance effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜のトラック幅方向両端部における読みにじみをより一層低減して、実効トラック幅の拡大を効果的に抑制すると共に、極めて高い出力安定性を得ることが可能な薄膜磁気ヘッドを提供すること。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element includes first and second magnetic layers L1, L2 having a relative angle of magnetization directions that changes in response to the external magnetic field, and a spacer layer 16 located between the first and second magnetic layers L1, L2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、外部磁界に応答して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element including a multilayer structure composed of a ferromagnetic layer and a barrier layer on the ferromagnetic layer, which provides a high MR ratio and higher mass productivity and practicality.例文帳に追加

強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The tray for conveying the magnetoresistance effect heads for magnetic disks is formed by molding a resin composition prepared by blending 0.1-8 pts.wt. carbon fibril having 100 nm fibril diameter or smaller and a ratio of fibril length to fibril diameter of 5 or larger with 100 pts.wt. thermoplastic resin material.例文帳に追加

繊維径が１００ｎｍ以下で、繊維長と繊維径との比が５以上の炭素フィブリルを熱可塑性樹脂材料１００重量部に対して０．１〜８重量部配合した樹脂組成物を成形してなる磁気ディスク用磁気抵抗効果ヘッド搬送トレー。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive device which is improved in characteristics through a method wherein the surface of a magnetoresistance effect layer is protected against oxidation by a metal layer, a superior electrical contact between an electrode and the metal layer is ensured, and the magnetoresistive layer is protected against damage caused by an ion beam.例文帳に追加

金属層を用いて磁気抵抗効果層表面の酸化を防止しつつ、電極と前記金属層との間の良好な電気的接触を確保し、しかも、磁気抵抗効果層へのイオンビームダメージを低減し、ひいては素子の特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a magnetic detector, in particular, capable of reducing properly damage on an integrated circuit caused by a thin film process in patterning formation for a magnetoresistance effect element, and capable of compactifying the magnetic detector, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

特に、磁気抵抗効果素子のパターニング形成の際の薄膜プロセスによる集積回路へのダメージを適切に軽減できるとともに、磁気検出装置の小型化を実現できる磁気検出装置及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

A plurality of MR heads 3 (3A, 3B, 3C, 3D), where the shielded surface distance between magnetoresistance effect elements are different each are arranged in a width direction W of the magnetic tape MT, in parallel, thus setting the contact state between the magnetic tape and the MR head to different conditions each.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とシールド面の距離がそれぞれ異なる複数のＭＲヘッド３（３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ）を、磁気テープＭＴの幅方向Ｗに並列に配置することにより、磁気テープとＭＲヘッドの接触状態をそれぞれ異なる条件に設定することができる。 - 特許庁

Disclosed is the magnetoresistance effect element having a substrate, a magnetic multilayered film including at least two magnetic layers, a metal layer made of one kind of metal among Ru, Rh, Os, Nb, Ir and Re, and a conductive oxide layer made of an oxide of the metal.例文帳に追加

基板、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ及びＲｅのいずれか１つの金属からなる金属層、並びに該金属の酸化物からなる導電性酸化物層、を有する磁気抵抗効果素子とする。 - 特許庁

To provide an exchange-coupling film capable of increasing a Hex/Hc ratio between an AFM layer and an AP2 pinned layer without degrading an MR ratio and stably holding the magnetization of the AP2 layer in a fixed direction, and a magnetoresistance effect element using the same.例文帳に追加

ＭＲ比を低減することなく、ＡＦＭ層とＡＰ２ピンド層との間のＨｅｘ／Ｈｃ比を増加させることができ、ＡＰ２層の磁化を一定方向に安定して保持することのできる交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of evaluating a microelement which enables precise evaluation of the characteristic without damaging the microelement upon evaluating a resistance characteristic, etc., of a microelement such as magnetoresistance effect element damageable to a flow of microcurrent.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のような微小な電流を流すだけで簡単に損傷してしまう微細な素子の抵抗特性等を評価する際に、素子を損傷させることなく、的確に特性を評価することができる微細素子の評価方法を提供する。 - 特許庁

A center value between a maximum value and a minimum value of the output voltage of the magnetic sensor in the case where the external magnetic field is rotated with respect to the two magnetoresistance effect elements at the same temperature Trt as a case of the offset voltage Os1 is calculated and acquired as an output amplitude center value.例文帳に追加

オフセット電圧Ｏs1の場合と同一温度Ｔrtにおいて、外部磁界を２つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して出力振幅中心値として取得する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetoresistance effect element having an antiferromagnetic layer made of an antiferromagnetic material with high corrosion resistance and antiferromagnetism obtained by a low-temperature heat treatment.例文帳に追加

耐蝕性の高い反強磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、耐蝕性が高く、かつ反強磁性を付与するための加熱処理の温度が低い材料からなる反強磁性層を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thin film magnetic head 10, the distance of the end part of the side of a medium opposed face S in a magnetoresistance effect element 40 to a heat layer 80 is made smaller than that of the end part of the side of a recording medium opposed face S in an electromagnetic transducer 60(64, 61).例文帳に追加

本発明の薄膜磁気ヘッド１０は、電磁変換素子６０（６４，６１）における記録媒体対向面Ｓ側の端部よりも、磁気抵抗効果素子４０における媒体対向面Ｓ側の端部の方が、発熱層８０までの距離が小さくなっている。 - 特許庁

The magnetic semiconductor memory device 1 is an MRAM that uses tunnel magnetoresistance effect (TMR) to read recorded information, and it is provided with adjacent two magnetoresistive elements 4 and 5 which comprise one memory cell.例文帳に追加

本発明に係る磁気半導体メモリ装置１は、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を用いて、記録された情報を読み出すＭＲＡＭであって、隣接する２つの磁気抵抗素子４・５を備えており、これら磁気抵抗素子４・５によって１つのメモリセルが形成されている。 - 特許庁

To provide a magnetic field sensor, capable of surely controlling, in a desirable direction, individual magnetization of an exchange bias layer of each of four bridge-connected macro-magnetoresistance effect elements, and a manufacturing method as well as a manufacturing device.例文帳に追加

本発明の目的は、４つの巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の磁化を個々にブリッジ接続型として好ましい方向に確実に制御できるとともに、その制御が容易にできる磁界センサとその製造方法と製造装置の提供を提供することにある。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element manufactured by using a ferromagnetic material having perpendicular magnetic anisotropy, which improves a state in which record holding time is different depending on storing information due to imbalance of thermal stability between a parallel state and an antiparallel state of magnetization corresponding to bit information.例文帳に追加

垂直磁気異方性を有する強磁性材料を用いて作製した磁気抵抗効果素子において、ビット情報に対応する磁化の平行状態及び反平行状態の熱安定性が不均衡になり、保存している情報により記録保持時間が異なる状態を改善する。 - 特許庁

A magnetic domain control base layer is formed at the lower section of a magnetoresistance effect multilayer film for bringing a magnetic domain control film into contact with both side end faces of the free layer, thus appropriately controlling the magnetic domain while miniaturizing an unnecessary bias magnetic field from the magnetic domain control film.例文帳に追加

磁区制御下地層を磁気抵抗効果多層膜の下部に形成することにより、磁区制御膜を自由層の両側端面に接触させて、磁区制御膜からの余分なバイアス磁界を最小化した状態で適切な磁区制御を実現することができる。 - 特許庁

The method for dry etching a magnetoresistance effect element is composed of a magnetic multilayer film including at least two magnetic layers, wherein a second mask formed of one of Ru, Rh, Os, Nb, Ir, and Re is doubly stacked on a lower layer of a first mask formed of Ta.例文帳に追加

少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element for the sensor which detects a change in magnetism given from outside includes the pinned layer 12 of which the direction of magnetization is fixed, a free layer 14 of which the direction of magnetization changes according to an external magnetic field, and an intermediate layer which is provided between the pinned layer 12 and the free layer 14.例文帳に追加

外部から加わる磁気の変化を検知するセンサ用の磁気抵抗効果素子が、磁化方向が固定されたピンド層１２と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層１４と、ピンド層１２とフリー層１４との間に設けられている中間層と、を含んでいる。 - 特許庁

To provide a bridge circuit and a relative position signal detecting method ensuring stable output characteristics with respect to an ambient temperature change by configuring a magnetic sensor element with an element formed with a magnetoresistance effect film and a fixed resistance film having the same electric resistivity and electric resistance temperature characteristics.例文帳に追加

電気抵抗率と電気抵抗の温度特性が同じ磁気抵抗効果膜と固定抵抗膜で形成した素子で磁気センサー素子を構成し、周囲温度変化に対しても安定した出力特性が得られるブリッジ回路および相対位置信号検出方法を提供する。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 30 of a second sensor part 130 is not magnetically saturated by the magnetic field B to be measured, and therefore, it may detect intensity of the magnetic field in an unsaturated region of its characteristic, namely, in a region where an output voltage is linearly changed against intensity change of the magnetic field.例文帳に追加

第２のセンサ部１３０の磁気抵抗効果素子３０は、測定対象である磁界Ｂにより磁化飽和しないから、その特性上の不飽和領域、すなわち、磁界の強度変化に対して出力電圧が線形に変化する領域において磁界の強度を検出することができる。 - 特許庁

An intermediate core 3 which serves as a common shield between a reproducing head and a recording head, and provided directly above the magnetoresistance effect element 8, to which a pair of electrodes 9 for supplying a sense current are formed at its both end parts, is formed in a frame shape, having a through-hole provided in its center.例文帳に追加

再生ヘッドと記録ヘッドとの共通シールドとなり、両端部にセンス電流を供給する一対の電極９が形成された磁気抵抗効果素子８の直上に設けられる中間コア３を、中央部に貫通孔が設けられた額縁状に形成する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element has a first half metal ferromagnetic layer 13 and a second half metal ferromagnetic layer 15 composed of a Co_2Fe_xMn_1-xSi Heusler alloy (x=0.0 to 1.0) and having a thickness of 2-20 nm, and a nonmagnetic metal layer 14 composed of Ag sandwiched therebetween.例文帳に追加

Ｃｏ_２Ｆｅ_ｘＭｎ_１−ｘＳｉホイスラー合金（ｘ＝０．０〜１．０）から成り、層厚が２〜２０ｎｍである第１のハーフメタル強磁性体層１３および第２のハーフメタル強磁性体層１５と、それらの間に挟まれたＡｇから成る非磁性金属体層１４とを有している。 - 特許庁