「MAGNETORESISTANCE EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetoresistance effect element of higher plateau magnetic field (Hpl) than conventional one while, especially, a high ΔRA is maintained.例文帳に追加

特に、高いΔＲＡを維持しながら、プラトー磁界（Ｈｐｌ）を従来に比べて大きくすることが可能な磁気抵抗効果素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

When the magnetoresistance effect film 46 is completely processed outside the resist 73, the formation of a deep recessed part in a base layer 44 corresponding to the contact hole 53 is avoided.例文帳に追加

レジスト７３の外側で磁気抵抗効果膜４６が完全に削り取られた際に、コンタクトホール５３に対応して基層４４に深い窪みが形成されることは回避される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistance effect element, in which the step coverage of a formed film can be enlarged and also the film can be deposited in a low temperature range.例文帳に追加

形成された膜のステップカバレッジを大きくすることが可能であり、かつ低温領域で成膜することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A nonvolatile magnetic memory includes a resonance tunnel magnetoresistance effect element, and to which a writing system by spin transfer torque produced with a voltage corresponding to the resonance level is applied.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を装備し、共鳴準位に相当する電圧によりスピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

To make it possible to obtain a magnetoresistance effect element and a magnetic memory having high reliability without element damage, and also capable of operating in low power consumption and in low current writing.例文帳に追加

低消費電力でかつ低電流書き込みで動作するとともに、素子破壊が無く信頼性が高い磁気抵抗効果素子および磁気メモリを得ることを可能にする。 - 特許庁

When the control film is used for this magnetoresistance effect type sensor, the antiferromagnetic layer in the direction of magnetization controlled film is formed, so as to come into contact with a soft magnetic layer whose direction of magnetization is to be controlled.例文帳に追加

磁気抵抗効果型センサに使用するときには、磁化方向を制御したい軟磁性層に上記磁化方向制御膜の反強磁性層を接して設ける。 - 特許庁

To especially provide a magnetic sensor and magnetic sensor module which is rationalized in arrangement of fixed resistance provided with a first soft magnetic material and a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

特に、第１軟磁性体を備える固定抵抗素子と磁気抵抗効果素子との配置を適正化した磁気センサ及び磁気センサモジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁

The variation of reproducing performance becomes difficult to happen due to the fact that the magnetoresistance effect is reinforced and electromigration becomes difficult to occur by making use of a high-spin polarization.例文帳に追加

高スピン偏極を利用して磁気抵抗効果が増強されると共に、エレクトロマイグレーションが生じにくくなることにより再生性能がばらつきにくくなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic sensing element capable of preventing degradation in reproduction output by preventing a conductive substance from sticking to a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に導電性の付着物が付着することを防止して、再生出力の低下を防ぐ磁気検出素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An MR(magnetoresistance effect) element 50 as a magnetic conversion element has a laminated body 5 produced by laminating an antiferromagnetic layer 51, pinned layer 52, nonmagnetic metal 53 and free layer 54.例文帳に追加

磁気変換素子であるＭＲ素子５０は、反強磁性層５１、ピンド層５２、非磁性金属５３およびフリー層５４を積層してなる積層体５を有している。 - 特許庁

To provide a magnetic reproduction head wherein the magnetization direction of a fixed layer is stabilized without having effects on the magnetization direction of a free layer, even when a magnetoresistance effect element is miniaturized.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を小さくした場合であっても、自由層の磁化方向に影響を与えずに、固定層の磁化方向を安定させる磁気再生ヘッドを提供する。 - 特許庁

When the insulating film and the upper-side electrode are formed based on a flat base layer, short-circuiting is surely avoided between the upper-side electrode and the magnetoresistance effect film.例文帳に追加

平坦な基層に基づき絶縁膜や上側電極が形成されていくと、上側電極と磁気抵抗効果膜との間で短絡は確実に回避されることができる。 - 特許庁

To provide a position detection device that uses a magnetoresistance effect element, capable of performing accurate position detection by using a magnet and a detector moving opposite to the magnet.例文帳に追加

磁石とこの磁石に対向して移動する検知器を用いて、位置検知を正確にできるようにした磁気抵抗効果素子を用いた位置検知装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element exhibiting a high MR ratio of 50% or more at room temperature and capable of achieving a recording density of several Tbit/inch^2, and to provide a magnetic device.例文帳に追加

室温で５０％以上の高いＭＲ比を示し、数テラビット／インチ^２の記録密度を実現可能な磁気抵抗効果素子および磁気デバイスを提供する。 - 特許庁

In a magnetoresistance effect type head, a magnetic domain control film formed on the end of a free layer of the magnetoresistance effect laminated body is formed by a Co alloy film, and a ground film for controlling the crystalline state of the Co alloy film and an amorphous metallic film layer for controlling the crystalline state of the ground film are formed under the magnetic domain control film.例文帳に追加

本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効果積層体の自由層の端部に形成される磁区制御膜がＣｏ合金膜で形成されており，かつその磁区制御膜の下部にＣｏ合金膜の結晶状態を制御する下地膜と，その下地膜の結晶状態を制御するアモルファス金属膜層を設けてなる構成とする。 - 特許庁

A level shifter comprises: a wiring 112 for generating a magnetic field to which an input signal is applied; a magnetoresistance effect element 11 for detection which outputs a detection signal for which the wiring 112 for generating the magnetic field takes a value corresponding to the generated magnetic field; magnetoresistance effect elements 21 and 31 for reference which output reference signals of a certain value.例文帳に追加

レベルシフタは、入力信号が印加される磁界発生用配線１１２と、磁界発生用配線１１２が発生した磁界に対応した値をとる検出信号を出力する検出用磁気抵抗効果素子１１と、一定の値をとる参照信号を出力する参照用磁気抵抗効果素子２１，３１を備える。 - 特許庁

In the magnetoresistance effect type reproducing head with a magnetoresistance effect type element 100 arranged between two shield parts for performing magnetic shielding to external magnetism, planar shapes of the shield parts are formed in an annular shape, and otherwise, a conductor film is wound around a prescribed area of the shield parts formed in an annular shape so as to form a coil.例文帳に追加

本発明は、外部磁気に対する磁気シールドを行う２つのシールド部の間に磁気抵抗効果素子を配置した磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、シールド部の平面形状を環状に形成するよう構成する、あるいは環状に形成したシールド部の所定領域に導体膜を巻き付けコイルを形成するよう構成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a magnetoresistance effect element 20 is a dry etching method of a magnetoresistance effect element composed of a magnetic multilayer film containing at least two layers, wherein a second mask material to be a conductor with a reaction with the other atom is doubly overlapped on the lower layer of a first mask material comprising a non-organic-based material.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 - 特許庁

Between upper/lower magnetic shield layers 1, 2 and a magnetoresistance effect film 10, electrodes 3 and 4 are disposed only near a medium facing surface to locally supply a minimum sensation current to the vicinity of the medium facing surface of the magnetoresistance effect film 10, thereby reducing effective magnetic spacing to realize the magnetic reproduction head having the high resolution and reduced reading blur.例文帳に追加

上下磁気シールド層１，２と磁気抵抗効果膜１０の間に、媒体対向面付近にのみ電極３，４を配置し、感知電流を磁気抵抗効果膜１０の媒体対向面近傍に局在して通電させることによって、実効的な磁気的スペーシングを小さくし、高分解能で読み滲みが小さい磁気再生ヘッドを実現することができる。 - 特許庁

The magnetic sensor using a spin valve type magnetoresistance effect element formed by laminating two ferromagnetic films through a non-magnetic intermediate layer has characteristics wherein the shape of the magnetoresistance effect element is a shape of a plurality of linked rings, and each ring is conducted in the electrically connected state, and the electric resistance of the magnetresistance effect element is changed to an external magnetic field.例文帳に追加

本発明の磁気センサは、非磁性の中間層を介して２つの強磁性膜が積層されたスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサにおいて、前記磁気抵抗効果素子の形状は複数のリングが連なった形状であり、各々のリングが電気的に接続されている状態で通電され、前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗が外部磁場に対して変化することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a laminate having a Heusler alloy epitaxial-grown on a semiconductor layer, and to provide semiconductor devices using the laminate having a Heusler alloy such as a spin MOS field-effect transistor and a tunnel magnetoresistance effect element.例文帳に追加

半導体層上にエピタキシャル成長したホイスラー合金を有する積層体、及び前記ホイスラー合金を有する積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子などの半導体装置を提供する。 - 特許庁

A magnetic layer, forming two magnetic tunnel effect elements 11 and 21, are formed as a magnetoresistance effect element on a substrate, and a magnetic layer for applying magnetic field made of NiCo is formed in a manner so as to pinch the magnetic layer, as viewed from the top.例文帳に追加

基板１０上には磁気抵抗効果素子として二つの磁気トンネル効果素子１１，２１となる磁性層が形成され、同磁性層を平面視において挟むようにＮｉＣоからなる磁場印加用磁性層が形成される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element of large magnetoresistance variation and stable characteristic by smoothly forming a magnetoresistive effect film even on a protruding part of a lower electrode, related to a current perpendicular to plane-magnetoresistive effect element, and to provide a method for manufacturing the element, a magnetic head and a magnetic reproducing device using the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

垂直通電型の磁気抵抗効果素子において、下側電極の凸部の上においても、磁気抵抗効果膜を平坦に形成することにより、磁気抵抗変化が大きく、特性が安定した磁気抵抗効果素子及びその製造方法、またこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド並びに磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first sensor part 120 includes one or more magnetoresistance effect elements to be magnetically saturated by a magnetic field to be measured and outputs angle signals V1 and V2 in accordance with a direction of the magnetic field.例文帳に追加

第１のセンサ部１２０は、測定対象である磁界により磁化飽和する１以上の磁気抵抗効果素子を含み、磁界の向きに応じた角度信号Ｖ１，Ｖ２を出力する。 - 特許庁

When the magnetic disk device is in an operation waiting state, feedback control for positioning a carriage is released, and the flowing of a sense current through a magnetoresistance effect element for an MR head is stopped.例文帳に追加

磁気ディスク装置が動作待機状態のときは、キャリッジの位置決めのためのフィードバック制御を解除し、ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子にセンス電流を流すのを止める。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element, in which a sensor current is flowed in a direction perpendicular to a film surface, has an electron reflection layer on at least one of a pin layer, free layer, or nonmagnetic intermediate layer.例文帳に追加

センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層、フリー層あるいは非磁性中間層の少なくともいずれかに電子反射層を設ける。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element comprises: a free layer; a pinned magnetic layer; and a barrier layer formed between the free layer and the pinned magnetic layer.例文帳に追加

本本発明に係る磁気抵抗効果素子は、フリー層と、磁化固定層と、該フリー層と該磁化固定層との間にバリア層とを備える磁気抵抗効果素子であって、該バリア層が半導体からなる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element having a high output and a good sensitivity to an external magnetic field, and to provide a magnetic head, magnetic storage device, and magnetic memory device using the same.例文帳に追加

本発明の目的は、高出力でかつ外部磁界に対する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The ferrite powder for enormous magnetoresistance effect materials is an MFe2O4 (M: Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Mg) ferrite powder having a mean grain size of 10-700 nm.例文帳に追加

Ｍ・Ｆｅ_２Ｏ_４（Ｍ：Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ）フェライト粉末の平均粒径が１０ｎｍ〜７００ｎｍであることを特徴とする巨大磁気抵抗効果材料用フェライト粉末。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element capable of realizing high density of magnetic recording by suppressing the influence of the noise by the magnetic signal leaked from an adjoining truck at the time of signal regeneration.例文帳に追加

信号再生時に、隣接するトラックから漏洩する磁気信号によるノイズの影響を抑えて、磁気記録の高密度化を図ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

In the CPP structure magnetoresistance effect device, a large resistance change can be realized with the inversion of a direction of magnetization established in a free-side ferromagnetic layer 58.例文帳に追加

こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では、自由側強磁性層５８で確立される磁化方向の反転に応じて大きな抵抗変化量が実現されることができる。 - 特許庁

To provide a position detector, having a magnetoresistance effect element capable of detecting position over a comparatively wider region using a magnet and a detector which moves while facing this magnet.例文帳に追加

磁石とこの磁石に対向して移動する検知器を用いて、比較的広い領域で位置検知ができるようにした磁気抵抗効果素子を用いた位置検知装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, the magnetoresistance effect element can be provided which has a high MR variation rate within a temperature range of room temperature or above it without increasing the element resistance.例文帳に追加

その結果として、素子抵抗を上昇させることなく、室温あるいはそれよりも昇温した温度範囲において、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a magnetoresistive element and a method and device for manufacturing a magnetic device improving the reproducibility of a magnetoresistance effect.例文帳に追加

磁気抵抗効果の再現性を向上させた磁気抵抗素子の製造方法、磁気デバイスの製造方法、磁気抵抗素子の製造装置および磁気デバイスの製造装置を提供する。 - 特許庁

The second thin-film resistance heater element is located on a layer lower than the first thin film resistance heater element and exists near the floating surface and magnetoresistance effect element than the position of the first heater element.例文帳に追加

第２薄膜抵抗ヒータ素子は、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも下層にあり、前記第１ヒータ素子よりも前記浮上面及び前記磁気抵抗効果素子に近くにある。 - 特許庁

Then, a first wiring layer M1B is arranged in a layer with the same height as those of the first wiring layer M1A and the magnetoresistance effect device 19 from the semiconductor substrate surface on the contact plug 16C.例文帳に追加

そして、第１配線層Ｍ１Ｂは、コンタクトプラグ１６Ｃ上の、第１配線層Ｍ１Ａ及び磁気抵抗効果素子１９と半導体基板面から同じ高さの層に配置されている。 - 特許庁

A high frequency current is supplied to the magnetoresistance effect element of a probe tip part via a current supply cable connector 33 and a current supply cable 34 from a high frequency current source 32.例文帳に追加

高周波電流源３２から電流供給用ケーブルコネクタ３３、電流供給用ケーブル３４を介し、プローブ先端部の磁気抵抗効果素子への高周波電流を供給する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head, a head gimbal assembly and a hard disk device capable of obtaining high reproducing output by reducing the interval between a magnetoresistance effect element and a recording medium.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と記録媒体との間隔を低減することで高い再生出力を得られる薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置を提供すること。 - 特許庁

A high-output tunnel magnetoresistance effect element with a free layer having high-temperature stability applied thereto is equipped to a nonvolatile magnetic memory so as to apply a write system by spin transfer torque.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、高い熱安定性をもつ自由層を適用した高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element comprises a bias substrate layer 33, a hard bias layer 34 and an electrode layer 36 laminated on the antiferromagnetic layer 26 of both side regions of a multilayer film 31 via an amorphous insulating layer 32.例文帳に追加

多層膜３１の両側領域の反強磁性層２６上に、アモルファス絶縁層３２を介してバイアス下地層３３、ハードバイアス層３４、電極層３６を積層する。 - 特許庁

Moreover, by increasing the volume of the magnetoresistance effect film 10 at an element height rear part, the magnetic fluctuation noise is suppressed to realize the magnetic reproduction head showing a high SN ratio.例文帳に追加

さらに、素子高さ後部において磁気抵抗効果膜１０の体積を大きくすることで、磁気揺らぎノイズを抑制し、高ＳＮ比を示す磁気再生ヘッドを実現することができる。 - 特許庁

To provide a rotary encoder provided with a magnetoresistance effect element hardly affected by an external magnetic field, simply constructed of a small number of parts, and capable of minimizing centering work.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子が外部磁場の影響を受けにくく、構造が簡単で部品点数が少なく、芯出し作業も最小限に抑えることができるロータリーエンコーダを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element wherein the compatibility of its high output with the improvement of its recording density is intended, by making possible the narrowing of its track-width without sacrificing its sensibility.例文帳に追加

感度を犠牲にすること無くトラック幅を狭めることができるようにし、高い出力と記録密度の向上との両立を図った磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element where the width of a conductor is easy to control, and where a free layer and a fixed layer are conducted via the conducting part having a minute width.例文帳に追加

自由層と固定層が微小な幅の導通部分を介して導通される磁気抵抗効果素子であって、導通部分の幅の制御が容易な磁気抵抗効果素子を実現する。 - 特許庁

One end of the 1st lead wire 15 is connected to a magnetoresistance effect element 14 and the other end is disposed in the region of a lower shielding layer 12 and does not cross the edge part of the layer 12.例文帳に追加

第１リード配線１５の一端側は磁気抵抗効果素子１４に接続され、他端側は下部シールド層１２の領域内に配設され下部シールド層１２の縁部を横切らない。 - 特許庁