「MAGNETORESISTANCE EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To simplify the structure of a magnetic recording element, to shorten processes, to reduce a production unit price, to also provide a huge planar hall effect utilizing a multiple domain state further, and to provide a storage device measuring magnetoresistance and recording information in the multiple state by simultaneously utilizing a ferromagnetic semiconductor layer (MS) itself where magnetic information is recorded as a sensor layer.例文帳に追加

磁気情報の記録される強磁性半導体層（magnetic Semiconductors、MS）自体をセンサー層として同時に利用することにより、磁気記録素子の構造を簡単にして工程を短縮し、生産単価を節減するばかりか、さらに多重ドメイン状態を利用した巨大な平面ホール効果（Planar Hall Effect）または磁気抵抗（Magnetoresistance）を測定して多重状態の情報を記録することができる記憶素子を提供する。 - 特許庁

Inside a magnetization fixing layer or a magnetization free layer of the magnetoresistance effect element having the magnetization fixing layer, a non-magnetic layer and the magnetization free layer, a layer including one of Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt and Au is arranged.例文帳に追加

磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistance effect type magnetic head which can impress a bias magnetic field to this free magnetic layer by a hard layer with the free magnetic layer broader than head core width and without the problem of short-circuit.例文帳に追加

ヘッドコア幅よりも広い自由磁性層を有し、かつ短絡の問題がないハード層によりこの自由磁性層へバイアス磁界を印加できるトンネル磁気抵抗効果型の磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

Since a heat generation layer 80 is energized to thermally expand a head main body, a magnetoresistance effect element or an electromagnetic conversion element is projected from the head main body toward a recording medium side (ABS surface side).例文帳に追加

通電によって発熱層８０を発熱させヘッド本体部を熱膨張させるので、磁気抵抗効果素子や電磁変換素子がヘッド本体部から記録媒体側（ＡＢＳ面側）に突出される。 - 特許庁

To stabilize magnetization of a fixed layer and a free layer with a superior yield, even when manufacturing without laminating a new film when a track width is narrowed, in a magnetic head that uses a magnetoresistance-effect type element.例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子を用いた磁気ヘッドにおいて、製造時の歩留まりがよく、トラック幅を狭くした際にも、新たな膜を積層することなく、固定層、自由層の磁化を安定化させる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which can stably write information by efficiently utilizing a magnetic field which is formed by a current that passes through a writing line, and to provide a magnetic memory device.例文帳に追加

書込線を流れる電流によって形成される磁界を効率よく利用し、情報の書込を安定して行うことのできる磁気抵抗効果素子およびそれを備えた磁気メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

The control circuit section obtains, via the wiring section, a physical quantity based on values of resistance of the plurality of magnetoresistance-effect elements, and generates an output signal by processing the physical quantity.例文帳に追加

制御回路部は、複数の磁気抵抗効果素子の抵抗値に基く物理量を配線部を介して取得し、且つ、その物理量を処理することにより外部に出力する出力信号を生成する。 - 特許庁

To reduce a phase difference between A-phase/B-phase or A-phase and Za-phase/Zb-phase or Z-phase, and to miniaturize a magnetoresistance effect element small in size, thereby enhancing origin detection accuracy of a rotating body.例文帳に追加

Ａ相／Ｂ相又はＡ相とＺａ相／Ｚｂ相又はＺ相との位相差を小さくし、磁気抵抗効果素子を小型化して回転体の原点検出精度を向上させること。 - 特許庁

Therefore, the current sensor can accurately and stably detect a current magnetic field Hm to be detected regardless of the shapes of the magnetoresistance effect elements 1A and 1B, and is useful for miniaturization.例文帳に追加

したがって、磁気抵抗効果素子１Ａ，１Ｂの形状によらず、検出対象とする電流磁界Ｈｍを高精度に、かつ安定して検出することができ、小型化に有利なものとなる。 - 特許庁

The direction of magnetization of the first ferromagnetic film 24 for determining a resistance value of the first huge magnetoresistance effect element is antiparallel with respect to the direction of magnetization of the second ferromagnetic film 22 rotating by an external magnetic field.例文帳に追加

第１巨大磁気抵抗効果素子の抵抗値を決定する第１強磁性膜２４の磁化の向きは、外部磁界により回転する第２強磁性膜２２の磁化の向きと反平行である。 - 特許庁

A first to eighth sensor units 511, 522, 523, 514, 531, 542, 543, 534 are manufactured from a spin valve magnetoresistance effect film using a self pin type ferromagnetic fixed layer composed of two layers of ferromagnetic films coupled strongly anti-ferromagnetically.例文帳に追加

強く反強磁性的に結合した２層の強磁性膜からなるセルフピン型強磁性固定層を用いたスピンバルブ磁気抵抗効果膜から第一から第八のセンサユニット５１１，５２２，５２３，５１４，５３１，５４２，５４３，５３４を作製する。 - 特許庁

A magnetic sensor 10 detects a change of a magnetic field distribution caused by movement of an object 5 containing a magnetic body, and comprises: a magnetoresistance effect film 12; and a mechanism 8 for generating a magnetic field.例文帳に追加

磁気センサ１０は、磁性体を含む物体５の移動にともなう磁界分布の変化を検知するためのものであって、磁気抵抗効果膜１２と、磁界を発生する機構８とを備えている。 - 特許庁

In a magnetization fixing layer or a magnetization free layer of the magnetoresistance effect element having the magnetization fixing layer, a non-magnetic layer and the magnetization free layer, a layer including one of Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, and Au is arranged.例文帳に追加

磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。 - 特許庁

Additionally, a bias magnetic field nearly vertical to the relative travel direction of the medium to which the magnetic powder is adhered or the medium to which the magnetic film is adhered is given to the spin-valve-type magnetoresistance effect elements R1, R2.例文帳に追加

また、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子Ｒ１，Ｒ２に対し、前記磁性粉付着媒体又は磁性膜付着媒体の相対移動方向に略垂直なバイアス磁界が与えられる。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device comprising a magnetoresistance effect element having good magnetic characteristics and exhibiting excellent writing characteristics by minimizing degradation of a magnetic resistance change rate due to heat treatment.例文帳に追加

熱処理による磁気抵抗変化率の劣化を抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み特性を有する磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which is provided with a spin injection type magnetoresistance effect element and can improve the reliability of a barrier layer and output S/N ratio, and to provide a method of driving the same.例文帳に追加

スピン注入型の磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、バリア層の信頼性及び出力のＳ／Ｎ比を向上しうる磁気メモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

A layer containing any of Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt and Au is disposed in a magnetization fixed layer or a magnetization free layer of a magnetoresistance effect element having a magnetization fixed layer, a non-magnetic layer and a magnetization free layer.例文帳に追加

磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。 - 特許庁

The bias magnetic field Hb is functioned to disturb the external magnetic field Hex applied onto the magnetoresistance effect element 2, since the bias magnetic field Hb and the external magnetic field Hex are generated on the same straight line.例文帳に追加

バイアス磁界Ｈｂおよび外部磁界Ｈｅｘは、同一直線上に生じるので、バイアス磁界Ｈｂは、磁気抵抗効果素子２へ印加される外部磁界Ｈｅｘを妨げるように機能する。 - 特許庁

The fixed resistance elements 4, 5 have the same element part 12 as the magnetoresistance effect elements 2, 3, and a fixed magnetization direction of a fixed magnetic layer of the element part 12 is faced to an element length direction (Y-direction).例文帳に追加

固定抵抗素子４、５は、磁気抵抗効果素子２，３と同じ素子部１２を備え、前記素子部１２の固定磁性層の固定磁化方向は、素子長さ方向（Ｙ方向）に向けられている。 - 特許庁

By combining a magnetic material having negative spin- dependent bulk scattering parameter β and the spacer layer in which negative spin-dependent interface scattering parameter γ is acquired, large rate of magnetoresistance variation is acquired while utilizing negative magnetoresistive effect, in the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

、負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer by interposing the thin film layer into ferromagnetic layers of the magnetoresistance effect element or the interface between them and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

To provide a practical magnetoresistance effect element having an appropriate resistance value, high sensitivity, and a small number of magnetic materials to be controlled, and also to provide a magnetic head and a magnetic reproduction device using the element.例文帳に追加

適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置を提供することを可能にする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect device capable of reducing a switching magnetic field required when, in a fine magnetic detection device and a magnetic memory cell and the like, a magnetic field is detected or information is written in the magnetic memory cell.例文帳に追加

微小な磁気検出素子や磁気メモリセルなどにおいて磁場検出あるいはセルに情報を書き込む際に必要なスイッチング磁場を低減することができる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The magnetoresistance-effect elements, the wiring section, and the control circuit section are connected to one another in the plurality of layers via a connecting section, made of an electrically conductive substance, which extends in a direction that intersects with planes of those layers.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と配線部と制御回路部とは、その複数の層内にてそれらの層の層面に交差する方向に伸びる導電性物質からなる接続部により互いに接続されている。 - 特許庁

To obtain a magnetic head magnetically stabler and simple in manufacturing procase, reduced in leakage magnetic field from a magnetic shield layer provided with a laminated structure of a ferromagnetic layer and an anti- ferromagnetic layer to a magnetoresistance effect layer.例文帳に追加

強磁性層及び反強磁性層の積層構造を備えた磁気シールド層から磁気抵抗効果層への漏洩磁界を低減し、磁気的により安定でしかも製造工程を単純な磁気ヘッドを提供すること。 - 特許庁

Additionally, the pair of spin-valve-type magnetoresistance effect elements R1, R2 is arranged nearly vertical to the relative travel direction of the medium to which magnetic powder is adhered or the medium to which a magnetic film is adhered to be detected.例文帳に追加

また、一対のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子Ｒ１，Ｒ２は、検出対象である磁性粉付着媒体又は磁性膜付着媒体の相対移動方向に対し略垂直に配置されている。 - 特許庁

To provide a reliable tunnel magnetoresistance effect element which has lower resistance and achieves a narrower track and reduced variance in characteristic etc. than before and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

従来に比べて低抵抗で、且つ、狭トラック化を図ることができ、さらに特性のばらつき等が小さく信頼性に優れたトンネル型磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To make it possible to apply a stable bias magnetic field to a magnetism sensing layer by increasing the coercive force of a bias magnetic field application layer for applying to the magnetism sensing layer a bias magnetic field for making the magnetism sensing layer of a magnetoresistance effect element have a single magnetic domain.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の感磁層を単磁区化するためのバイアス磁界を感磁層に印加するバイアス磁界印加層の保磁力を大きくして、安定したバイアス磁界を感磁層に印加できるようにする。 - 特許庁

The mechanism 8 for generating a magnetic field generates magnetic fields so that the intensity of the magnetic field in the magnetoresistance effect film 12 which changes with the change of the magnetic field distribution is lower than the intensity of the magnetic field at the inflection point IP.例文帳に追加

磁界を発生する機構８は、磁界分布の変化にともない変化する磁気抵抗効果膜１２中の磁界の強さが変曲点ＩＰにおける磁界の強さよりも小さくなるように磁界を発生する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN-FILM MAGNETIC HEAD WITH IT, HEAD-GIMBALS ASSEMBLY WITH THIN-FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC DISK DRIVE WITH HEAD-GIMBALS ASSEMBLY AND METHOD FOR REPRODUCING MAGNETIC RECORDING USING THIN-FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、該磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ、該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置、及び該薄膜磁気ヘッドを用いた磁気記録再生方法 - 特許庁

An insulating layer 304 and a non-magnetic conductive layer 305 are laminated to a ferromagnetic free layer 303 in a tunnel magnetoresistance effect film 1, comprising the non-volatile magnetic memory having a writing method by a spin transfer torque.例文帳に追加

スピントランスファートルクによる書込み方式をもつ不揮発性磁気メモリを構成するトンネル磁気抵抗効果膜１において、絶縁層３０４と非磁性導電層３０５を強磁性自由層３０３に積層する。 - 特許庁

In applying a sense current to the CPP magnetoresistance effect head in a direction of a first fixed layer from a free layer, a relative angle formed by magnetization of a second fixed layer and that of the free layer is 70° to 80°.例文帳に追加

垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドにセンス電流を自由層から第一の固定層の方向に流す場合、第二の固定層と自由層の磁化の相対角度が、70〜80度の角度である構成を用いる。 - 特許庁

The magnetic memory comprises a magnetoresistance effect element (10), and wiring structures (21 to 24) to which the writing current for making a writing magnetic field for writing data act on the element (10) is made to flow.例文帳に追加

本発明による磁性メモリは、磁気抵抗効果素子（１０）と、データを書き込むための書き込み磁場を磁気抵抗効果素子（１０）に作用させる書き込み電流が流される配線構造（２１〜２４）とを具備する。 - 特許庁

This magnetoresistance effect element is configured such that a free layer 20 in an MR element 1 is a stacked body including first and second FeCo layers 31 and 32 and first to fourth CoFe layers 21 to 24 the thicknesses of which are larger than those of the first and second FeCo layers 31 and 32.例文帳に追加

ＭＲ素子１におけるフリー層２０は、第１および第２のＦｅＣｏ層３１，３２と、これらよりも厚みの大きな第１〜第４のＣｏＦｅ層２１〜２４とを含む積層体である。 - 特許庁

After the recessed part 21a use been filled with a second insulation film 41, first and second insulation films are etched back flat, and a contact metal of the magnetoresistance effect element 31 is exposed, and then an upper electrode 51 is formed thereon.例文帳に追加

第２の絶縁膜４１で凹部２１ａを埋め込んだ後、第１と第２の絶縁膜を平面的にエッチバックし、磁気抵抗効果素子３１のコンタクトメタルを露出させ、その上に上部電極５１を形成する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect film 2 is constituted by laminating a half metallic antiferromagnetic layer comprising a half metallic antiferromagnetic layer 21, a nonmagnetic spacer layer 22, and a magnetization free layer 23 of which the direction of magnetization is changed.例文帳に追加

本発明に係る磁気抵抗効果膜２は、ハーフメタリック反強磁性体からなるハーフメタリック反強磁性層21と、非磁性スペーサ層22と、磁化の方向が変化する磁化自由層23とを積層して構成されている。 - 特許庁

In this manufacturing method for a magnetoresistance effect thin-film magnetic head provided with an SV-GMR element 4, a process in which a plasma treatment layer 45 is formed between a fixation layer 44 and an antiferromagnetic layer 46 for the SV-GMR element 4 is provided.例文帳に追加

SV-GMR素子４を備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、SV-GMR素子４の固定層４４と反強磁性層４６との間にプラズマ処理層４５を形成する工程を備える。 - 特許庁

To evade the non-uniformity of the levels of pilot signals which are detected from adjacent tracks on both sides of a recording track when reproduction is performed on the recording track by an ATF system, etc., through the use of a magnetoresistance effect type MR head.例文帳に追加

ＡＴＦ方式等で記録トラック上を磁気抵抗効果型のＭＲヘッドで再生する際の記録トラックの両側の隣接トラックから検出するパイロット信号のレベルの不均一性を回避する。 - 特許庁

To obtain a method and an apparatus for inspecting a tunnel magnetoresistance effect element whereby the characteristic of the element can be derived 'without damaging or breaking the element' and 'efficiently', and obtain a hard disk drive apparatus.例文帳に追加

「素子にダメージを与えたり破壊させることなく」しかも「効率良く」、素子の特性が導出することができるトンネル磁気抵抗効果素子の検査方法および特性検査装置、ならびにハードディスクドライブ装置を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element has an underlying layer 12 composed of a Cr/Ag layer under the first half metal ferromagnetic layer 13, and has an antioxidation layer 16 composed of an Ag/Ru layer on the second half metal ferromagnetic layer 15.例文帳に追加

第１のハーフメタル強磁性体層１３の下に、Ｃｒ／Ａｇ層から成る下地層１２を有し、第２のハーフメタル強磁性体層１５の上に、Ａｇ／Ｒｕ層から成る酸化防止層１６を有している。 - 特許庁

An output voltage Vout of a magnetic sensor 10 in the state where an external magnetic field does not incur a difference between resistance value changes of two magnetoresistance effect elements, and an offset voltage Os1 of the output voltage Vout are acquired.例文帳に追加

外部磁界が２つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態での磁気センサ１０の出力電圧Ｖoutを取得するとともに、出力電圧Ｖoutのオフセット電圧Ｏs1を取得する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory where wiring can easily be arranged so that wiring for writing current passes the face of a magnetoresistance effect element for a multiple number of times and enlargement of a storage region due to wiring can be suppressed.例文帳に追加

書き込み電流を流す配線が磁気抵抗効果素子の面上を多数回通過するように該配線を容易に配設でき、且つ、該配線による記憶領域の拡大を抑えることができる磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head that causes no deterioration of insulation property between the lead against a magnetoresistance element and the upper/lower shield, even if a shield gap layer is made thinner for the purpose of improving the thermal asperity of the magnetoresistance effect type thin film magnetic head, and than also reduces the resistance of the lead so as to accurately read a minute reproducing signal.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element that can prevent a reduction in MR ratio to keep performance as a magnetoresistance effect element high even when an oxide layer is formed as an outermost surface layer of a protection layer in an oxidation step inevitably included in a manufacturing process by laminating a mask material used for microfabrication double without specially altering the manufacturing step of microfabrication of dry etching carried out under a vacuum.例文帳に追加

真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To realize constitution for making both high reproduction output and high stability, by improving the structure of a magnetic film to improve the electron scattering ability of a thin magnetic film in a magnetic head that uses a magnetoresistance effect element of a spin valve type.例文帳に追加

スピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いる磁気ヘッドにおいて、磁性膜の構造を改良し、薄い磁性膜の電子散乱能を高めることにより高い再生出力と高い安定性を両立する構成を実現する。 - 特許庁