「MAGNETORESISTANCE EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an azimuth meter using a spin valve type giant magnetoresistance effect element capable of simplifying a production process, capable of reducing a size, and capable of realizing a low electric power consumption.例文帳に追加

製造プロセスが簡単で、小型化、低消費電力とすることのできるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子を用いた方位計を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor device having improved detection sensitivity, which improves a magnetic field intensity applied to an object to be detected without causing saturation in a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を飽和させることなく、被検知物へ掛かる磁界強度が強化され、検知感度を向上させる磁気センサ装置を得る。 - 特許庁

Hence, the protective layer can be deposited while leaving a resist, and also the number of steps in the manufacturing of a magnetoresistance effect element having a multilayered structure can be reduced.例文帳に追加

これにより、レジストを残留させたまま保護層の成膜が可能であり、多層構造の磁気抵抗効果素子の製造において工数低減も可能である。 - 特許庁

The electrical resistance of the material stack 50 generally has the same value as that of a magnetoresistance effect element used in a resistance-type potential divider or a wheatstone bridge device.例文帳に追加

材料スタック５０の電気抵抗は、抵抗分圧器またはホイートストンブリッジ装置で使用される、磁気抵抗効果素子と通常同じ温度係数を有する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element which includes a magnetic material, which forms antiferromagnetic combination with full Heusler alloy high in spin polarization rate, and which is high in TMR (tunnel magnetoresistance ratio).例文帳に追加

スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a CPP-type magnetoresistance effect element or the like capable of avoiding the drop in a shielding function of a magnetic shielding film while improving MR.例文帳に追加

ＭＲの向上を図りながらも磁気シールド膜のシールド機能低下を回避することができるＣＰＰ型磁気抵抗効果素子等を提供する。 - 特許庁

To suppress errors in the detection of angle dependent upon the applied intensity of a magnetic field and a temperature in a magnetic field detecting device using a spin valve type-magnetoresistance effect element.例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用いた磁界検出器において、印加磁界強度および温度に依存する角度検出誤差を抑制する。 - 特許庁

An upper metal layer 27 as a protective layer is formed on a top surface of a uppermost free layer 26 of the magnetoresistance effect layer forming a TMR device 2.例文帳に追加

ＴＭＲ素子２を構成する磁気抵抗効果層の最上層のフリー層２６の上面の上面に、保護膜として、上部金属層２７を形成する。 - 特許庁

As a typical configuration of the magnetic sensor, the initial value is a point of the strength of a magnetic field for giving saturation magnetization to spin-valve type magnetoresistance effect elements 11, 12.例文帳に追加

本願発明の特徴的な構成は、初期値が、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２に飽和磁化を与える磁界の強度である点である。 - 特許庁

The nonvolatile magnetic thin film memory device has: a substrate; and a memory cell array composed of memory cells each having a magnetoresistance effect element, the memory cells being two-dimensionally arranged on the substrate.例文帳に追加

不揮発磁気薄膜メモリ装置は、基板と、その基板上に磁気抵抗効果素子を有するメモリセルが二次元状に配されたメモリセルアレイとを有している。 - 特許庁

To obtain a high reproducing output by a structure which can control with high accuracy the distance between a magnetoresistance effect element and a flux guide element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とフラックスガイド素子との間の距離を極めて精度良く制御できる構造とし、高い再生出力が得られるようにする。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 31 is accumulated and formed in a recessed part 21a of an insulation film 21, formed on a lower electrode 11 by using the collimation method.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子３１を下部電極１１上に形成された第１の絶縁膜中２１の凹部２１ａにコリメート法で堆積形成する。 - 特許庁

To easily adjust the resistance of a multilayer structure film without damage in a magnetic detector using a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を使用した磁気検出装置において、多層構造の膜の抵抗値をダメージを与えることなく、簡単に調整できるようにする。 - 特許庁

To provide a tunnel junction magnetoresistance effect element which can satisfactorily cope with a high transfer rate in the read operation of the magnetic information.例文帳に追加

磁気情報の読み取りにあたって十分に転送速度の高速化に対応することができるトンネル接合磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity magnetoresistance effect type magnetic head in a structure comprising two free magnetic layers while output drop decrease to a ferromagnetic layer is small.例文帳に追加

二つの自由磁性層からなり、強磁性層による出力低下が少ない構造の高感度の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供すること。 - 特許庁

A selection control circuit 6 for a mode or the like controls a recording reproducing amplifier 5 so that the sense current is not made to flow through the magnetoresistance effect element of the MR head.例文帳に追加

また、モード等選択制御回路６は、ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子にセンス電流を流さないよう記録再生増幅器５を制御する。 - 特許庁

To design magnetic field bias of a magnetoresistance effect film with good controllability relating to a magnetic read head, compound thin film magnetic head, and a hard disk magnetic recording unit.例文帳に追加

再生磁気ヘッド、複合型薄膜磁気ヘッド、及び、ハードディスク磁気記録装置に関し、磁気抵抗効果膜の磁界バイアス設計を制御性良く行う。 - 特許庁

To provide a vertical energization type magnetoresistance effect element capable of suppressing a Barkhausen noise by exhibiting good reproducing sensitivity even when an element size is reduced.例文帳に追加

素子サイズが小さくなっても、良好な再生感度を示し、バルクハウゼンノイズを抑制できる垂直通電型磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a no-grain-boundary magnetoresistance-effect material and a method of manufacturing the same, capable of forming an element and a thin film, without increasing the electrical resistance.例文帳に追加

電気抵抗を増大させることなく、素子化・薄膜化することができる無粒界型磁気抵抗効果素材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor which has magnetoresistance effect elements located on a single substrate to cross each other in the three-dimensional direction, and to provide manufacturing method thereof.例文帳に追加

単一の基板上に三次元方向に交差するように配置された磁気抵抗効果素子を有する磁気センサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This realizes the reliable tunnel magnetoresistance effect element which has lower resistance, and achieves a narrower track and reduced variance in characteristic etc.例文帳に追加

これにより、低抵抗で、且つ、狭トラック化を図ることができ、さらに特性のばらつき等が小さく信頼性に優れたトンネル型磁気抵抗効果素を実現できる。 - 特許庁

With this arrangement, it is possible to obtain the magnetoresistance effect element that has low resistance so as to obtain a desired current value, and has a high TMR ratio.例文帳に追加

これにより、所望の電流値を得られるような低抵抗を有し、高いＴＭＲ比を有する磁気抵抗効果型素子を得ることができる。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor which has magnetoresistance effect elements, located on a single substrate to cross each other in the three-dimensional direction, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

単一の基板上に三次元方向に交差するように配置された磁気抵抗効果素子を有する磁気センサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a magnetoresistance element, which has a high magnetic resistance change rate and an appropriate manufacturing yield, and uses a magnetic tunnel effect useful to reduction of variance during manufacture.例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率を有し、製造の歩留まりが良好で、かつ製造のバラツキの少ない磁気トンネル効果を用いた磁気抵抗素子を実現する。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor in which, in particular, two kinds of magnetoresistance effect elements with orthogonal sensitivity axes can be formed on the same chip.例文帳に追加

特に、感度軸が直交する２種類の磁気抵抗効果素子を同じチップ上に形成可能とした磁気センサを提供することを目的とする。 - 特許庁

In a CPP-mode magnetoresistance-effect element, a hybrid layer 8 is provided wherein a current control region 8a is formed locally in an insulator region 8b.例文帳に追加

ＣＰＰ方式の磁気抵抗効果素子において、絶縁体領域８ｂに電流制御領域８ａが局所的に形成される混成層８を設ける。 - 特許庁

A magnetic random access memory according to an embodiment is provided with a laminate film, on which a lower electrode, a magnetoresistance effect element, and an upper electrode are sequentially laminated from a lower layer.例文帳に追加

実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極、磁気抵抗効果素子、上部電極が下層から順に積層された積層膜が設けられる。 - 特許庁

The change in magnetic resistance of a magnetoresistance effect (MR) film is measured, before an upper shield layer is formed and prior to patterning of a lower shielding layer.例文帳に追加

上部シールド層が形成される以前に、しかも、下部シールド層のパターニングに先立って磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の磁気抵抗変化は測定される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, capable of preventing drifting of midpoint electric potential of the output waveform by equalizing temperature rise values of respective magnetic resistance patterns.例文帳に追加

各磁気抵抗パターンの温度上昇値を同一にすることでその出力波形の中点電位のドリフトを防止できる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 19 is arranged in a layer with the same height as that of the first wiring layer M1A from a semiconductor substrate surface on the contact plug 16B.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１９は、コンタクトプラグ１６Ｂ上の、第１配線層Ｍ１Ａと半導体基板面から同じ高さの層に配置されている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect-type element capable of having a high TMR ratio by a low area resistance (RA) and capable of performing the writing with a low current.例文帳に追加

低い面積抵抗（ＲＡ）で高いＴＭＲ比を有することができるとともに、低電流での情報の書き込みを行うことを可能にする。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor with a magnetoresistance effect element arranged to cross toward a three-dimensional direction on a single substrate and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

単一の基板上に三次元方向に交差するように配置された磁気抵抗効果素子を有する磁気センサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the effectively narrow track-width corresponding to the width of the current controlling region 8a is so made obtainable as to promote the improvement of the recording density of this magnetoresistance effect element.例文帳に追加

さらに、電流制御領域８ａの幅に相当する、実効的に狭いトラック幅を得られるようにして、記録密度の向上を促すようにした。 - 特許庁

To obtain a CPP giant magnetoresistance head, with which the magnetization direction of a pinned magnetic layer can be stabilized without preparing an anti-ferromagnetic layer in a giant magnetoresistance element, and a noise and joule heat due to the AMR effect of a shield layer can be reduced.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子内に反強磁性層を備えずに固定磁性層の磁化方向を安定させることができ、シールド層のＡＭＲ効果によるノイズとジュール熱を低減可能なＣＰＰ型巨大磁気抵抗効果ヘッドを得る。 - 特許庁

In the magnetometric sensor, a magnetoresistance effect element 11 is covered with a magnetic flux absorber 12 comprising a soft magnetic material, so that the magnetic flux absorber 12 absorbs magnetic flux in a magnetic field given to a circuit board 1 up to the saturated magnetic flux quantity, to thereby prevent the magnetic flux from being given to the magnetoresistance effect element 11.例文帳に追加

磁気センサは、磁気抵抗効果素子１１が、軟磁性材料からなる磁束吸収体１２により覆われているから、この磁束吸収体１２が、回路基板１に与えられる磁界の磁束を、その飽和磁束量まで吸収して、当該磁束が磁気抵抗効果素子１１に与えられないようにすることができる。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 21 for detection of A-phase/B-phase or A-phase and a magnetoresistance effect element 22 for detection of Za-phase/Zb-phase or Z-phase are provided side by side in the same shape on the same substrate, and an arrangement direction with respect to a moving body is vertical to a moving direction of the moving body.例文帳に追加

Ａ相／Ｂ相又はＡ相検出用の磁気抵抗効果素子２１とＺａ相／Ｚｂ相又はＺ相検出用の磁気抵抗効果素子２２とは、同一基板上に同一形状で並設され、かつ運動体に対する配置方向が前記運動体の運動方向に垂直方向である。 - 特許庁

To provide a magnetic reproducing device and a bias current adjusting method for a magnetic head, wherein by automatically controlling a bias current value supplied to the magnetic head which uses a magnetoresistance effect or a giant magnetoresistance effect to an optimal value, changes in output characteristics caused by the abrasion of the magnetic head are dealt with, and a high recording density is achieved inexpensively.例文帳に追加

磁気抵抗効果や巨大磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドに供給するバイアス電流値を自動的に最適値に制御することで、磁気ヘッドの摩耗による出力特性の変化に対応し、安価で高記録密度化を実現する磁気再生装置及び磁気ヘッドのバイアス電流調整方法を提供する。 - 特許庁

In a shield type magnetoresistance effect element using a tunnel joined element consisting essentially of a free layer 6, a barrier layer 5 and a fixed layer 4 as a magnetoresistance effect element, the uppermost and lowest layers of the tunnel joined element are made different from each other in pattern shape and the pattern area of the uppermost layer is made smaller.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子としてフリー層／バリア層／固定層を基本構成とするトンネル接合素子を用いたシールド型磁気抵抗効果素子において、トンネル接合素子を構成する層のうち最上層と最下層とでパターン形状が異なり、そのパターンの面積が最上層の方が小さいようにする。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head capable of reducing the magnetic resistance of a magnetoresistance effect element in a magnetic path for guiding a signal magnetic field and also capable of improving reproducing output characteristics through the increase in the electric resistance of the magnetoresistance effect element in a detecting electric current path.例文帳に追加

信号磁界を誘導する磁路中の磁気抵抗効果素子の磁気抵抗を減少させることができ、かつ検出電流経路中の磁気抵抗効果素子の電気抵抗を増加させることにより、再生出力特性を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

In the magnetoresistance effect element wherein the magnetoresistance effect film is exposed to the ABS surface, shields 30a and 30b consisting of a soft magnetism film for shielding a side truck are arranged by sandwiching a first free layer 14a that constitutes laminated ferri-structure, an antiferromagnetism combining layer 15 and a second free layer 14b.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜がABS面に露出した磁気抵抗効果素子において、サイドトラックシールドを目的とした軟磁性膜からなるシールド部３０ａ、３０ｂが、積層フェリ構造を構成する第１のフリー層１４ａ、反強磁性結合層１５および第２のフリー層１４ｂを挟んで配置されている。 - 特許庁

To provide a CPP structured magnetoresistance effect head capable of reducing the influence of etching damage in a magnetoresistance effect sensor film junction end part in a device height direction, suppressing the deterioration of withstand voltage between upper and lower shield layers or the fluctuation of a reproduction characteristic caused by shielding, and keeping a reduced electrostatic capacitance.例文帳に追加

CPP構造磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、素子高さ方向の磁気抵抗効果センサ膜ジャンクション端部のエッチングダメージの影響を低減し、また、上部シールド層と下部シールド層の間の絶縁耐圧の劣化や、シールド起因の再生特性の変動を小さく抑え、さらに静電容量を小さく保つ。 - 特許庁

In this device structure, all electric currents flow through a magnetoresistance effect film, and a non-magnetic metal (conductor) as an electrode is connected to at least one part of the magnetoresistance effect film, so that a magnetic field in a narrow region can be detected with high sensitivity and high resolution.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜に流れるすべての電流が上記中間層を必ず通過する形状の素子構造にして、電極として非磁性金属（導体）を磁気抵抗効果膜の少なくとも一部に接続した素子構造として、狭い領域の磁界を高感度に検出できる磁気抵抗効果素子を構成する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect composite head comprises a magnetoresistance effect element 3 consisting of a spin valve element, an electrode part 5 adjacent to the element 3 and supplying a sensing current and 1st and 2nd magnetic shields 1 and 6 which hold the element 3 and the electrode part 5 between them with reading gaps 2a and 2b therebetween.例文帳に追加

磁気抵抗効果型複合ヘッドはスピンバルブ素子から成る磁気抵抗効果素子３と、これに隣接しかつセンス電流を供給する電極部５と、これらを読出しギャップ２ａ、２ｂを介して挟みこむように形成された第一の磁気シールド１と、第二の磁気シールド６とから構成されている。 - 特許庁

A sidewall layer, that is made of highly resistant oxide, nitride, fluoride, boride, sulfide, or carbide having mirror reflection effect with respective to conduction electrons, is provided to the side surface of at least a magnetized adherence layer and a non-magnetic intermediate layer in a magnetoresistance effect film, thus preventing inelastic scattering of electrons or loss of spin information on the side surface of the magnetoresistance effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜のうちの少なくとも磁化固着層と非磁性中間層の側面に伝導電子に対する鏡面反射効果を有する高抵抗な酸化物、窒化物、フッ化物、ホウ化物、硫化物あるいは炭化物からなる側壁層を設けることにより、磁気抵抗効果膜の側面での電子の非弾性散乱やスピン情報の喪失を防ぐことができる。 - 特許庁

In the magnetoresistance effect element through which sense current flows in a direction perpendicular to film surface, if pin or free layer is laminated by two or more kinds of ferromagnetic layers, the practical magnetoresistance effect element having the suitable resistance value is capable of obtaining the high sensitivity, and having few the magnetic layers to be controlled can be provided while it effectively utilizes spin parasitic scattering effect.例文帳に追加

センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層やフリー層を２種類以上の強磁性層を積層した積層構成とすれば、スピン依存散乱効果を有効的に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。 - 特許庁