「MAGNETORESISTANCE EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor storage device utilizing a magnetoresistance effect and being capable of suppressing reduction in a TMR ratio caused by a thermal load.例文帳に追加

熱負荷によるＴＭＲ比の減少を抑制できる磁気抵抗効果を利用した半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD JIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISK DRIVE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁

A magnetoresistance tunnel junction element, wherein represented by a chemical equation (RxA1-x)m+1MnmO3m+1, a barrier layer 13 of the oxide of at least one kind of element selected from among Bi, Tl, and Pb is jointed to a perovskite type composite oxide 12 and 14 which has magnetoresistance effect provides a magnetoresistance tunnel effect via the barrier layer 13.例文帳に追加

化学式（Ｒ_xＡ_1-x)_m+1Ｍｎ_mＯ_3m+1により表示され、磁気抵抗効果を有するペロブスカイト型複合酸化物１２、１４に、Ｂｉ、ＴｌおよびＰｂから選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物からなるバリア層１３を接合した磁気抵抗トンネル接合素子として、このバリア層１３を介して磁気抵抗トンネル効果を得る。 - 特許庁

For example, at least one part of the magnetoresistance effect film having a multilayer structure is formed on a conductor consisting of non-magnetic metal, and the surface direction of all the magnetic layers of the magnetoresistance effect film is made nearly perpendicular to the surface of the magnetic recording medium.例文帳に追加

例えば、多層構造の磁気抵抗効果膜の少なくとも一部を非磁性金属からなる導体上に形成し、磁気抵抗効果膜のすべての磁性層の膜面方向を、磁気記録媒体面に対してほぼ直角に配置できる素子構造とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film magnetic head that can correct the writing positions in electron beam lithography, a manufacturing method of a magnetoresistance effect assembly, a manufacturing method of a head gimbal assembly, and a manufacturing method of a hard disc drive, and a magnetoresistance effect assembly.例文帳に追加

電子ビームリソグラフィにおける描画位置を的確に補正できる薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気抵抗効果素子集合体の製造方法、ヘッドジンバルアセンブリの製造方法、ハードディスク装置の製造方法、及び、磁気抵抗効果素子集合体の提供。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect type reproducing head having stable head output by preventing irregularity of head output caused by the magnetic domain structure of a magnetic shield layer in the magnetoresistance effect type reproducing head provided with shield parts such as a lower shield, and an upper shield.例文帳に追加

下部シールドおよび上部シールドといったシールド部を備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、磁気シールド層の磁区構造に起因するヘッド出力のばらつきを防止し、より安定したヘッド出力を有する磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供する。 - 特許庁

In a magnetoresistance effect type reproduction head provided with the shield parts 12 and 14 for magnetically shielding a magnetoresistance effect type element, the shield parts 12 and 14 are formed to be polygonal in a plan view and are shaped asymmetrically in a height direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子を磁気シールドするシールド部１２、１４を備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、前記シールド部１２、１４は、平面形状が多角形状に形成され、ハイト方向の形状が非対称に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To enable a memory to be driven without increasing power consumption, even if an external magnetic field required for magnetically inverting a memory cell becomes large, and to stably drive the memory, even if the magnetoresistance ratio of a magnetoresistance effect cell is small.例文帳に追加

メモリ素子の磁化反転に要する外部磁界が大きくなっても、消費電力を大きくすることなくメモリの駆動を可能とし、また磁気抵抗効果素子の磁気抵抗比が小さくても安定して駆動させる。 - 特許庁

To reduce ion-beam damage in a magnetoresistance-effect element while realizing a resistance decrease by removing a surface oxide film to resultantly improve characteristics of the element.例文帳に追加

表面酸化膜を除去して低抵抗化を実現しつつイオンビームダメージを低減し、ひいては素子の特性を向上させる。 - 特許庁

A characteristic of a resistance value in the magnetoresistance effect element 2 is, therefore, shifted by the bias magnetic field Hb, with respect to the external magnetic field Hex.例文帳に追加

したがって、外部磁界Ｈｅｘに対する磁気抵抗効果素子２の抵抗値の特性は、バイアス磁界Ｈｂだけシフトする。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistance effect element that uses a Heusler alloy with a crystal structure having high-level regularity, whose Tunnel Magneto Resistive (TMR) ratio is high.例文帳に追加

規則性の高い結晶構造を持つホイスラー合金を用いたＴＭＲ比が高いトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

PATTERN FORMING METHOD, MANUFACTURING OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD USING METHOD, AND HEAD SUSPENSION ASSEMBLY AND MAGNETIC DISK UNIT例文帳に追加

パターン形成方法、これを用いた磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッドの製造方法、並びに、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect thin-film magnetic head which can eliminate a Barkhausen noise and which can enhance a reproduction output.例文帳に追加

バルクハウゼンノイズをなくすことができ、かつ再生出力を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

In other words, the chemical potential of the ferromagnetic material is changed by applying the oriented magnetic field and a Coulomb blockade anisotropic magnetoresistance effect is produced.例文帳に追加

即ち、該配向磁場の印加により該強磁性物質の化学ポテンシャルが変化し、クーロンブロッケード異方性磁気抵抗効果が生じる。 - 特許庁

To effectively concentrate a magnetic field generated from a writing line at a perpendicular magnetoresistance effect element without complicating a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスを複雑にすることなく、書込み線から発生する磁界を効果的に垂直磁気抵抗効果素子に集中させる。 - 特許庁

To provide a novel CPP type magnetoresistance effect type element, capable of providing reproducing information of a high S/N ratio by reducing an external noise.例文帳に追加

外部ノイズを低減し、高Ｓ／Ｎ比の再生情報を得ることのできる、新規なＣＰＰ型の磁気抵抗効果型素子を提供する。 - 特許庁

In addition, the film thickness T1 of the first magnetic flux induction film 3 is set to be thinner than the element film thickness Tsa of the magnetoresistance effect element 4.例文帳に追加

さらに、第１磁束誘導膜３の膜厚Ｔ１が、磁気抵抗効果素子４の素子膜厚Ｔｓａよりも薄く設定される。 - 特許庁

A characteristic of a resistance value in the magnetoresistance effect element 2 is thereby shifted by the bias magnetic field Hb, with respect to the external magnetic field Hex.例文帳に追加

したがって、外部磁界Ｈｅｘに対する磁気抵抗効果素子２の抵抗値の特性は、バイアス磁界Ｈｂだけシフトする。 - 特許庁

To provide a magnetic device and a frequency analyzer of utilizing industrially a resonance phenomenon in the magnetization direction of a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の磁化の向きの共振現象を工業的に利用した磁気デバイス及び周波数アナライザを提供する。 - 特許庁

CURRENT-PERPENDICULAR-TO-PLANE MAGNETORESISTANCE EFFECT SENSOR HAVING FREE LAYER STABILIZED TO VORTEX MAGNETIC DOMAIN GENERATED BY SENSE CURRENT例文帳に追加

センス電流により発生する渦磁気ドメインに対して安定化された自由層を有する面垂直電流磁気抵抗効果型センサ - 特許庁

To obtain a CIP (current perpendicular to the plane) type giant magnetoresistance effect element capable of preventing a shunt loss and strongly fixing a magnetization direction of a pin layer in one direction.例文帳に追加

シャントロスを防ぎつつ、ピン層の磁化方向を一方向に強固に固定できるＣＩＰ型巨大磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

FILM BONDED THROUGH EXCHANGE INTERACTION, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT USING THE FILM, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE ELEMENT例文帳に追加

交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

To provide a magnetic device and a frequency detector for industrially utilizing a resonance phenomenon in the direction of magnetization of a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の磁化の向きの共振現象を工業的に利用した磁気デバイス及び周波数検出器を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic head having magnetoresistance effect elements with high output and low resistance, and to provide a magnetic head assembly and a magnetic recording and reproducing device.例文帳に追加

高出力で低抵抗の磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

The mechanism 8 for generating a magnetic field forms a magnetic field distribution in a region including the object 5 and the magnetoresistance effect film 12.例文帳に追加

磁界を発生する機構８は、物体５と磁気抵抗効果膜１２とを含む領域に磁界分布を形成するためのものである。 - 特許庁

To improve characteristics of a magnetoresistance effect device by improving the crystallinity and orientation property of a film constituting a MR element.例文帳に追加

ＭＲ素子を構成する膜の結晶性や配向性を向上させることによって、磁気抵抗効果装置の特性を向上させる。 - 特許庁

The first thin-film resistance heater element is formed on a position far from the floating surface than the positions of a magnetoresistance effect element and a recording magnetic pole.例文帳に追加

第１薄膜抵抗ヒータ素子は、磁気抵抗効果素子及び記録磁極よりも、浮上面から遠い位置に形成されている。 - 特許庁

The first magnetic layer L1 is located on the side closer to a substrate on which the magnetoresistance effect element is formed than the second magnetic layer L2.例文帳に追加

第１の磁性層Ｌ１は、磁気抵抗効果素子が形成される基板に対し、第２の磁性層Ｌ２よりも近い側に位置している。 - 特許庁

To provide a spin bulb type magnetoresistance effect element which can realize a high resistance change ratio with reducing the heat treating time.例文帳に追加

熱処理時間を短縮しつつ、高い抵抗変化率を実現することを可能としたスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a high output vertical conduction magneto-resistance effect element through high MR (magnetoresistance) ratio, and a magnetic head as well as a magnetic reproduction device which are employing such a magneto-resistance effect element.例文帳に追加

高いＭＲ比による高出力の垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect type magnetic head wherein characteristic deterioration due to oxygen diffusion is not generated, in a magnetoresistive effect film to which an oxide is applied for obtaining a high changing ratio of magnetoresistance.例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率を得る為に、酸化物を適用した磁気抵抗効果膜において、酸素拡散による特性劣化を起こさない磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

In a magnetoresistance effect thin film 1 wherein ferromagnetic particles are covered with a nonmagnetic film, the ferromagnetic particles 2 are formed on a substrate 5, and resistance between electrodes 4 interposing the nonmagnetic film 3 is very largely changed by applying a magnetic field as compared with the conventional magnetoresistance effect material.例文帳に追加

強磁性粒子を非磁性膜にて覆った磁気抵抗効果薄膜１であり、強磁性粒子２は基板５上に作製され、非磁性膜３を介した電極４間の抵抗が、磁場の印加により従来の磁気抵抗効果材料に比べて非常に大きく変化する。 - 特許庁

The magnetic random access memory comprises a lower electrode 20; the magnetoresistance effect element 23 which is formed above the lower electrode 20 and has side faces; and a protective film 24 which covers the side faces of the magnetoresistance effect element 23, and has the same flat shape as that of the lower electrode 20, and is formed by a sputtering method.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極２０と、この下部電極２０の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子２３と、この磁気抵抗効果素子の側面を覆い、下部電極２０と同一の平面形状であり、スパッタ法で形成された保護膜２４とを具備する。 - 特許庁

The vibration of the magnetization direction F is resonated, when a frequency f_F of the magnetization direction F in a free layer 1A_F of the magnetoresistance effect element 1A is consistent with a frequency f of the alternating current i flowing in the magnetoresistance effect element 1A, and a voltage V increases between output terminals OUTPUT1, OUTPUT2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１Ａのフリー層１Ａ_Ｆの磁化の向きＦの振動数ｆ_Ｆと、磁気抵抗効果素子１Ａを流れる交流電流ｉの周波数ｆが一致した場合、磁化の向きＦの振動が共振し、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２の間の電圧Ｖが増加する。 - 特許庁

To solve the problem where magnetization inversion of a recording layer by a recording current magnetic field is difficult in a magnetoresistance effect element, using the conventional vertical magnetization.例文帳に追加

従来の垂直磁化を用いた磁気抵抗効果素子では、記録電流磁界で記録層の磁化反転を行うことが困難である。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR, REPRODUCING HEAD, COMPOSITE HEAD, MAGNETIC INFORMATION REPRODUCER, MAGNETIC INFORMATION RECORDING REPRODUCER, AND MAGNETIC INFORMATION REPRODUCING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気センサー、再生ヘッド、複合ヘッド、磁気情報再生装置、磁気情報記録再生装置、および、磁気情報の再生方法 - 特許庁

A lower side core layer 33 is vertically extended from the above of a first magnetic material layer 31 to be formed above a magnetoresistance effect element layer 22.例文帳に追加

下部コア層３３が、第１の磁性材料層３１上から垂直に延び、磁気抵抗効果素子層２２上にまで形成されている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, magnetoresistive head, magnetic storage device, and magnetic memory, capable of achieving reduction in noise caused by spin transfer torque.例文帳に追加

スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ANTIFERROMAGNETIC FILM, MANUFACTURING METHOD OF EXCHANGE COUPLING FILM, MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC DEVICE例文帳に追加

反強磁性体膜の製造方法、交換結合膜の製造方法、磁気抵抗効果素子の製造方法、および磁気装置の製造方法 - 特許庁

To form a plurality of magnetoresistance effect elements located on a single chip that are provided with pinned layers, having fixed magnetization axes in mutually crossing directions.例文帳に追加

単一チップ上に、互いに交差する向きの固定磁化軸を有するピンド層を備えた複数の磁気抵抗効果素子を形成すること。 - 特許庁

To make a high frequency applicable to a magnetic field sensor and realize high sensitivity of the sensor, and to accurately detect a high frequency magnetic field, in a magnetic sensor using a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサーにおいて、高周波化と高感度化を実現し、高周波磁界を精度良く検知する。 - 特許庁

To provide a spin injection type magnetoresistance effect element capable of reducing high write-in current and also increasing the value of read-out current.例文帳に追加

書込み電流が高いことを解消でき、しかも、読出し電流の値を大きくし得るスピン注入型磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To make a satisfactory MR ratio compatible with the resistance change ratio of a magnetoresistance effect element utilizing a ferromagnetic tunnel junction.例文帳に追加

強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗効果化素子において、十分なＭＲ比と抵抗変化率とを両立できるようにすること。 - 特許庁

To enhance a switched-connection magnetic field in a spin valve type magnetoresistance effect multilayered film formed using an X-Mn type anti-ferromagnetic material.例文帳に追加

Ｘ−Ｍｎタイプの反強磁性材料を使用したスピンバルブ型磁気抵抗効果多層膜において交換結合磁界を向上する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element includes a laminate, and a pair of electrodes for feeding a current in the lamination direction of the laminate.例文帳に追加

実施形態に係る磁気抵抗効果素子は、積層体と、前記積層体の積層方向に電流を流すための一対の電極と、を備える。 - 特許庁