「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, ITS ACCESS METHOD, AND MEMORY CONTROL SYSTEM例文帳に追加

半導体記憶装置およびそのアクセス方法、並びにメモリ制御システム - 特許庁

To share a redundancy circuit between memory arrays within a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体メモリデバイス内のメモリアレイ間で冗長回路を共有する。 - 特許庁

MEMORY CELL AND STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY HAVING THE SAME例文帳に追加

メモリセル及びそのメモリセルを有する半導体不揮発性メモリの構造。 - 特許庁

MEMORY ACCESS CONTROL CIRCUIT, PREFETCH CIRCUIT, MEMORY DEVICE AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

メモリアクセス制御回路、プリフェッチ回路、メモリ装置および情報処理システム - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND REFRESH CONTROL METHOD例文帳に追加

半導体メモリ装置、半導体装置、メモリシステム及びリフレッシュ制御方法 - 特許庁

MEMORY SCHEDULING METHOD AND STORAGE MEDIUM STORING MEMORY SCHEDULING PROGRAM例文帳に追加

メモリスケジューリング方法及びメモリスケジューリングプログラムを格納する記憶媒体 - 特許庁

DATA WRITING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体記憶装置のデータ書き込み方法及び半導体記憶装置 - 特許庁

SHAPE-MEMORY RESIN COMPOSITION AND SHAPE-MEMORY ACTIVE MADE THEREOF例文帳に追加

形状記憶用樹脂組成物およびそれを用いた形状記憶製品 - 特許庁

The first ferroelectric memory 100 comprises a first memory cell array 110.例文帳に追加

第１強誘電体メモリ１００は、第１メモリセルアレイ１１０を含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND DATA WRITE METHOD TO SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリー素子および半導体メモリー素子へのデータ書き込み方法 - 特許庁

The tiled memory access includes horizontal and vertical tiled memory access.例文帳に追加

タイル状メモリアクセスは、水平および垂直のタイル状メモリアクセスを含む。 - 特許庁

Distributed shared memory expands the notion of virtual memory to different nodes. 例文帳に追加

分散共有メモリは仮想記憶の概念を異なるノードに拡張する。 - コンピューター用語辞典

The i810 has a unified memory architecture and uses system memory for video ram.例文帳に追加

i810 は統合されたメモリアーキテクチャを持ち、システムメモリをビデオ RAM 用に使用する。 - XFree86

MEMORY INTERFACE FOR CONTROLLING BURST MEMORY ACCESS, AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME例文帳に追加

バーストメモリアクセスを制御するメモリインターフェース装置及びその制御方法 - 特許庁

The memory unit 5 consists of a circuit board 20 and the IC memory 21.例文帳に追加

メモリユニット５を、回路基板２０とＩＣメモリ２１とから構成する。 - 特許庁

The electronic device includes a NAND flash memory, a processing unit, and a program memory.例文帳に追加

電子デバイスは、ＮＡＮＤフラッシュ、処理ユニットとプログラムメモリを有する。 - 特許庁

SHAPE MEMORY RESIN COMPOSITION AND SHAPE MEMORY ARTICLE USING SAME例文帳に追加

形状記憶用樹脂組成物およびそれを用いた形状記憶製品 - 特許庁

QUANTUM RANDOM ADDRESS MEMORY WITH MAGNETIC READOUT AND/OR NANO-MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気読出部及び／又はナノ・メモリ素子を使用する量子ランダム・アドレス・メモリ - 特許庁

MEMORY DEVICE IN WHICH MEMORY CELLS HAVING MUTUALLY COMPLEMENTARY DATA ARE ARRANGED例文帳に追加

互いに相補されるデータを有するメモリセルが配列されるメモリ装置 - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE, NONVOLATILE MEMORY, AND METHOD FOR REWRITING DATA OF NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加

電子機器、不揮発性メモリ及び不揮発性メモリのデータ書き換え方法 - 特許庁

MULTISTAGE MEMORY DEVICE, MEMORY DEVICE, STORAGE METHOD AND STORAGE-PROCESSING PROGRAM例文帳に追加

多段型メモリ装置、メモリ装置、記憶方法及び記憶処理用プログラム - 特許庁

The data D is stored in a data memory 1 different from the check data memory 2.例文帳に追加

また、データＤは、チェックデータメモリ２とは別のデータメモリ１に格納する。 - 特許庁

To provide a memory controller, a memory system and a memory control method suitable for storing data whose rewrite frequency is high and data whose rewrite frequency is low in a flash memory and a nonvolatile memory whose random access is possible.例文帳に追加

書き換え頻度が高いデータと低いデータをフラッシュメモリとランダムアクセスが可能な不揮発性メモリとに保存するときに好適なメモリコントローラ、メモリシステム及びメモリ制御方法の提供。 - 特許庁

A memory card includes: a nonvolatile memory 22 having card identification information offered to each memory card; and a memory controller 21 for controlling the writing, reading and erasure of data with respect to a nonvolatile memory 22.例文帳に追加

メモリカード個々に付与されたカード識別情報を有する不揮発性メモリ２２と、不揮発性メモリ２２へのデータの書き込み、読み出し、及び消去を制御するメモリコントローラ２１とを備える。 - 特許庁

When a memory cell A of (n) row (m) column of the main memory is assumed to be a defective cell, data to be written in this memory cell A is previously written in a memory cell A of the (m) column of a spare memory.例文帳に追加

主メモリのｎ行、ｍ列のメモリセルＡが不良であるとすると、このメモリセルＡに書いておくべきデ−タを予備メモリのｍ列のメモリセルＡに予め書いておく。 - 特許庁

Data necessary for the image division processing is stored in a joint weight memory 30, a reader-self flag memory 40, a label flag memory 50, an ignition flag memory 60 and a label number storage memory 70 which are on-chip memories.例文帳に追加

画像分割処理に必要なデータは、オンチップメモリである結合重みメモリ３０・リーダセルフラグメモリ４０・ラベルフラグメモリ５０・発火フラグメモリ６０・ラベル番号保存メモリ７０で保存する。 - 特許庁

A memory hub receives downstream memory commands and processes each of the received downstream memory commands to determine whether or not the memory command includes a write command directed to the memory hub.例文帳に追加

メモリハブはダウンストリームメモリコマンドを受け取り、受け取った各ダウンストリームメモリコマンドを処理して、そのメモリコマンドがメモリハブに向けられた書込みコマンドを含んでいるかどうかを決定する。 - 特許庁

To provide an operation method of a data storage device including a nonvolatile memory device having a memory cell array and a memory controller having a buffer memory and controlling the nonvolatile memory device.例文帳に追加

メモリセルアレイを有する不揮発性メモリ装置と、バッファメモリを有し、前記不揮発性メモリ装置を制御するメモリ制御器とを含むデータ格納装置の動作方法を提供する。 - 特許庁

The first memory unit 112 and the second memory unit 114 output a first memory read-out data signal 232 and a second memory read-out data signal 252, using the first memory read-out enable signal 228 as a trigger.例文帳に追加

第１メモリ部１１２、第２メモリ部１１４から、第１メモリ読出イネーブル信号２２８をトリガーにして、第１メモリ読出データ信号２３２、第２メモリ読出データ信号２５２を出力する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a memory cell array which includes a plurality of unit memory cells, where each of the unit memory cells comprises complementary first and second floating body transistor capacitor-less memory cells.例文帳に追加

半導体メモリ装置は複数の単位メモリセルを具備し、各単位メモリセルは相補的な第１及び第２フローティングボディートランジスタ型キャパシタレスメモリセルを具備するメモリセルアレイを具備する。 - 特許庁

The memory mapping system can compactly map contents from one or more first memory systems into a second memory system without a loss of memory space in the second memory system.例文帳に追加

メモリマッピングシステムは、コンテンツを、一つあるいは複数の第１のメモリシステムから第２のメモリシステムに、第２のメモリシステム内でのメモリ空間の損失無しに、簡潔にマップすることができる。 - 特許庁

The memory card with a memory module having a NAND flash ROM 18 and a FeRAM 20 uses the NAND flash ROM 18 as its main memory and the FeRAM 20 as the cache memory of the main memory.例文帳に追加

NAND flash ROM１８とＦｅＲＡＭ２０とを備えるメモリモジュ−ルを具備するメモリカ−ドであって、NAND flash ROM１８をメインメモリとして用い、当該メインメモリのキャッシュメモリとしてＦｅＲＡＭ２０を用いる。 - 特許庁

The mobile device includes a volatile memory and a non-volatile random access memory as the memory of a control unit, and the volatile memory and the non-volatile random access memory are connected to a common bus.例文帳に追加

制御部のメモリとして、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとを備え、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとは共通バスに接続されたことを特徴とする携帯機器。 - 特許庁

Preferably, the semiconductor device further includes a volatile memory, transfers data on the nonvolatile memory to the volatile memory by system reset, and accesses the volatile memory instead of read access to the nonvolatile memory.例文帳に追加

好ましくはさらに揮発性メモリを備え、システムリセットにより、不揮発性メモリのデータを揮発性メモリへ転送し、不揮発性メモリへのリードアクセスに代えて、揮発性メモリへアクセスする。 - 特許庁

One memory controller is configured so as to build the checksum in one of the memory locations, and the indicator shows a memory controller that can update one memory location of the checksum among other memory controllers.例文帳に追加

メモリ・コントローラの１つは、その記憶位置の１つにチェックサムを構築するよう構成され、標識は、他のメモリ・コントローラのうちチェックサムの１つの記憶位置を更新できるものを示す。 - 特許庁

In a semiconductor memory device having plural memory cell blocks (BLK0-BLK3), each of the memory cell blocks is provided with a regular memory cell array 1, a redundant memory cell array 2 and a column decoder 8.例文帳に追加

複数のメモリセルブロック（ＢＬＫ０〜ＢＬＫ３）を有する半導体メモリ装置であって、各メモリセルブロックはレギュラーメモリセルアレイ１と、冗長メモリセルアレイ２と、カラムデコーダ８とを有する。 - 特許庁

Data is written in the memory circuit only which is a target to write data rather than zero among the memory circuit 110a, the memory circuit 110c, the memory circuit 110b, and the memory circuit 110d.例文帳に追加

記憶回路１１０ａ、記憶回路１１０ｃ、記憶回路１１０ｂ、記憶回路１１０ｄのうち、零を示すデータ以外のデータを書込む対象となる記憶回路のみにデータを書込む。 - 特許庁

Also, when the memory area is not opened even after the lapse of 8 minutes since the memory is captured, a memory management process 13 opens the memory area of a memory 11 based on the management information.例文帳に追加

また、メモリ獲得から８分経過してもメモリ領域の開放を行わない場合、メモリ管理プロセス１３が、管理情報に基づいてメモリ１１のメモリ領域を開放する。 - 特許庁

The memory gates of memory cells of a plurality of memory arrays MA<0>, MA<1>, MA<2>, to, MA<n> in write units WU of a nonvolatile memory module NVMU are connected to a memory gate line MG<0> for writing or erasing.例文帳に追加

不揮発性メモリモジュールＮＶＭＵの書き込み単位WUの複数のメモリアレーMA＜0＞、MA＜1＞、MA＜2＞…MA＜n＞のメモリセルのメモリゲートは、書き込みもしくは消去のためにメモリゲート線MG＜0＞に接続されている。 - 特許庁

A memory controller 124 arbitrates a memory access request from the memory controller 124, a memory access request from the inputting-outputting part 121, and a DMA request and a memory refresh request from the DMA transferring part 123.例文帳に追加

メモリコントローラ１２４は、エミュレータ入出力部１２１からのメモリアクセス要求，ＤＭＡ転送部１２３からのＤＭＡ要求およびメモリリフレッシュ要求の調停を行う。 - 特許庁

Also, the redundant control circuit invalidates a memory cell column corresponding to a defective memory cell column in the other memory block, and validates a redundant memory cell column instead of these memory cell columns.例文帳に追加

また、冗長制御回路は、その他のメモリブロックにおいて、不良メモリセル列に対応するメモリセル列を無効にし、これ等メモリセル列の代わりに冗長メモリセル列を有効にする。 - 特許庁

The memory hub device includes a memory interface for transferring one or more of address, control and data information between the memory hub device and the memory controller via the memory bus.例文帳に追加

メモリ・ハブ・デバイスは、アドレス情報、制御情報、およびデータ情報の１つ以上を、メモリ・バスを介してメモリ・ハブ・デバイスとメモリ・コントローラとの間で転送するためのメモリ・インタフェースを含む。 - 特許庁

To provide a relieving method for a memory module in which a defective memory cell can be relieved without replacing a volatile memory decided as defective in an electrical test of a memory module and a memory module.例文帳に追加

メモリモジュールの電気的試験で不良と判定された揮発性メモリを交換することなく、不良メモリセルの救済が可能なメモリモジュールの救済方法及びメモリモジュールを提供する。 - 特許庁

Also, a plurality of storage devices (310, 314, 318, 328, 332, 338, 346, and 352) for storing memory address information, memory data stored in the memory device, and memory commands for controlling the operation of the memory device are connected to the counter.例文帳に追加

メモリアドレス情報、メモリデバイスに格納されるメモリデータ、及び、メモリデバイスの動作を制御するためのメモリコマンドを格納するための複数の記憶装置(310,314,318,328,332,338,346及び352)が、カウンタに結合される。 - 特許庁

The memory test system is equipped with a memory testing device 10 having the fail memory 15 for storing a test result of the memory to be tested and a controller 1 for controlling the memory testing device 10.例文帳に追加

メモリ試験システムは、被試験メモリの試験結果を格納するフェイルメモリ１５を有するメモリ試験装置１０と、メモリ試験装置１０を制御する制御装置１とを備える。 - 特許庁