「OF SI」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加

ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁

He was a priest of Kai Yuan Si Temple. 例文帳に追加

開元寺の僧。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To correct phase defect in a Mo/Si multilayer film or Mo_2C/Si multilayer film of the blanks of an EUVL mask.例文帳に追加

EUVLマスクのブランクスのMo/Si多層膜またはMo_2C/Si多層膜中の位相欠陥を修正する。 - 特許庁

The method for manufacturing the Si-SiC material manufactured by impregnating the material with molten Si comprises manufacturing the Si-SiC material by heat treating a molding consisting of a powder mixture composed of SiC, Si and C at a temperature above the melting point of the Si to make a calcined body and impregnating the calcined body with the molten Si at a temperature above the melting point of the Si.例文帳に追加

溶融Siを含浸して製造するSi-SiC材料において、SiC、Si、Cの混合粉よりなる成形体をSiの融点以上の温度で熱処理して仮焼体を作製し、該仮焼体にSiの融点以上の温度で溶融Siを含浸させてSi-SiC材料を作製することを特徴とするSi-SiC材料の製造方法である。 - 特許庁

The surface of iron powder is covered with an oxide film composed of Si-based oxide in which the atomic number ratio between Si and Fe satisfies the following relation: Si/Fe≥0.8.例文帳に追加

鉄粉の表面に、SiとFiの割合が原子数比でSi／Fe≧0.8を満足するSi系酸化物からなる酸化膜を被覆する。 - 特許庁

Incident luminous energy of the a-Si TFT 1 is reduced by a filter 3 to delay the progress of light deterioration in the a-Si TFT 1.例文帳に追加

a-Si TFT１の入射光量をフィルタ３で減らし、a-Si TFT１の光劣化の進行を遅らせる。 - 特許庁

The phosphate-based zeolite catalyst meets conditions of: a particle size<1 μm; and the particle size (μm)×[Si/(Si+Al+P)]×1,000≤80, wherein [Si/(Si+Al+P)] is a molar ratio.例文帳に追加

粒径＜1μm；及び 粒径(μm)×[Si/(Si＋Al＋P)]×1000≦80；（式中、[Si/(Si＋Al＋P)]はモル比である）の条件を満たすリン酸塩系ゼオライト触媒により上記課題を解決することができる。 - 特許庁

ETCHING METHOD OF Si FILM例文帳に追加

Ｓｉ膜のエッチング方法 - 特許庁

METHOD OF BONDING Si WAFERS例文帳に追加

Ｓｉウエハの接合方法 - 特許庁

The SI system of units uses prefixes that indicate powers of ten. 例文帳に追加

SI 単位系では 10 の累乗を示す接頭語を用いる。 - JM

An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加

n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁

HIGH SPEED ETCHING METHOD OF Si例文帳に追加

Ｓｉ高速エッチング方法 - 特許庁

a former unit of electric current (slightly smaller than the SI ampere) 例文帳に追加

電流の以前のユニット（SIアンペアより少し小さい） - 日本語WordNet

The value of γp(%) satisfies 20 to 65%, which is calculated by formula (1): γp=420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti]+189, wherein [ ] denotes mass%.例文帳に追加

γp ＝420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti] +189 ……(1) 。 - 特許庁

the SI unit of energy absorbed from ionizing radiation 例文帳に追加

電離放射線から吸収されるエネルギーのSIの単位 - 日本語WordNet

A slab steel having a C content: C [wt.%] of 0.08 to 0.55, an Si content: Si [wt.%] of 0.02 to 0.60; and an Mn content: Mn [wt.%] of 0.3 to 1.5 is used as an object.例文帳に追加

C含有量C[wt%]を0.08〜0.55とし、Si含有量Si[wt%]を0.02〜0.60とし、Mn含有量Mn[wt%]を0.3〜1.5とするスラブ鋼を対象とする。 - 特許庁

As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加

金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁

The inner layer is composed of a compound of Al, Si and B of periodic table IVa, Va, VIa group metal.例文帳に追加

内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。 - 特許庁

The atom ratio (Ca/Si) of Ca to Si is ≥1.例文帳に追加

ＣａとＳｉとの原子比（Ｃａ／Ｓｉ）は、１以上である。 - 特許庁

Physical quantities shall be expressed in the SI or CGS system of units. 例文帳に追加

物理量は，SI又はCGS単位系により表わすものとする。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SI EPITAXIAL WAFER AND SI EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

Ｓｉエピタキシャルウェーハの製造方法及びＳｉエピタキシャルウェーハ - 特許庁

An Ar^+ ion is implanted into a substrate 1 compound of crystalline Si.例文帳に追加

結晶Siからなる基板１に、Ar^+イオンの注入を行う。 - 特許庁

To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.例文帳に追加

Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁

LASER BEAM MACHINING METHOD OF Si SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板のレーザ加工方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF STRAINED Si SUBSTRATE例文帳に追加

歪Ｓｉ基板の製造方法 - 特許庁

Si POLYCRYSTALLINE INGOT, METHOD OF PRODUCING Si POLYCRYSTALLINE INGOT, AND Si POLYCRYSTALLINE WAFER例文帳に追加

Ｓｉ多結晶インゴット、Ｓｉ多結晶インゴットの製造方法およびＳｉ多結晶ウェハー - 特許庁

Furthermore, containing Al, Si, and Cr inhibits the formation of the grains of the compound, and containing relatively low Al and Si keeps the resistivity low.例文帳に追加

また、Al,Si,Crの含有により、化合物粒の形成が抑えられ、Al,Siが比較的少ないことで、比抵抗を低く抑えられる。 - 特許庁

The dumb-bell structure of Si [110] is clearly exhibited in the image. 例文帳に追加

Si[110]のダムベル構造が、その像の中で明瞭に示されている。 - 科学技術論文動詞集

This negative electrode material is formed of particles including the Si phase and the SiC phase, and the Si phase contains the doping element and a part of the Si phase is exposed in a particle surface, and other parts of the Si phase except for the part exposed in the particle surface are in contact with the SiC phase.例文帳に追加

この負極材料は、Si相とSiＣ相とを含む粒子からなり、Si相が前記ドープ元素を含み、Si相の一部が粒子表面に露出し、かつSi相の粒子表面に露出している部分以外はSiＣ相と接している。 - 特許庁

Generation of Si nodules is prevented by depositing an Al3Ti film, having a high solid solubility of Si and an Al film in layer and heat treating at 400°C or above, thereby absorbing excess Si to the Al3Ti film.例文帳に追加

Siの固容量の大きいAl3Ti膜をAl膜と積層するように堆積して、400℃以上の熱処理を加えることにより、過剰なSiをAl3Ti膜に吸収させることでSiノジュールの発生を防止する。 - 特許庁

The magnetic sheet for the RFID antenna comprises at least one kind of amorphous alloy selected from the group consisting of Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B and Co-Fe-Si-B.例文帳に追加

本発明に係るＲＦＩＤアンテナ用磁性シートは、Fe-Si-B、Fe-Si-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及びCo-Fe-Si-Bからなる群から選択される少なくとも１種の非晶質合金を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Further, in the composition of the steel sheet, the content of Si is controlled to ≤0.3%, P to ≤0.02%, Ti to 0.01 to 0.5%, and Nb to 0.01 to 0.5%.例文帳に追加

さらに鋼板組成をSi：0.3%以下、P：0.02%以下、Ti：0.01〜0.5%、Nb：0.01〜0.5%とする。 - 特許庁

POLISHING METHOD OF Si SUBSTRATE SURFACE例文帳に追加

Ｓｉ基板表面の研磨方法 - 特許庁

METHOD OF REMOVING PROCESSING DAMAGE OF Si WAFER例文帳に追加

Ｓｉウェーハの加工ダメージ除去方法 - 特許庁

Integrated intensity of 1st peak of Fe_2O_3/{(integrated intensity of 1st peak of duplicated Fe-Si-Al and Fe-Ni×volume fraction of Fe-Ni occupying the total volume of Fe-Si-Al and Fe-Ni)+integrated intensity of 1st peak of FeNi_3}.例文帳に追加

Fe_2O_3の1stピークの積分強度／{（Fe-Si-AlとFe-Niの重複した1stピークの積分強度×Fe-Si-AlとFe-Niの合計体積に占めるFe-Niの体積分率）＋FeNi_3の1stピークの積分強度} - 特許庁

This negative electrode material consists of an amorphous phase of Si and/or Ge, or of this amorphous phase and a solid solution or a phase of intermetallic compound of Si and/or Ge.例文帳に追加

Siおよび／またはGeの非結晶質相、またはこれとSiおよび／またはGeの固溶体または金属間化合物の相とからなる負極材料。 - 特許庁

METHOD OF FORMING POLYCRYSTALLINE Si FILM例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜の形成方法 - 特許庁

The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層２、アンドープのコレクタ層４、Ｃドープのベース層５、ベース層５とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層７、Siドープの上部エミッタ層９、および、Siドープのエミッタ電極層１０からなる。 - 特許庁

The electrode 18 may be formed on the Si surface of the substrate 11.例文帳に追加

また、電極１８は、基板１１のSi面に形成されてもよい。 - 特許庁

Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.例文帳に追加

p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁

SI MOUNTING BOARD COMPOSED OF Si AND SEMICONDUCTOR MODULE USING THE SAME例文帳に追加

Ｓｉから成る実装基板およびそれを用いた半導体モジュール - 特許庁

(SI is the International System of Units, which defines these letters) 例文帳に追加

(SIとは国際単位系のことで、これらのサイズ文字を定義している) - JM

To prevent or inhibit the corrosion of a-Si and p-Si.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は大幅に抑制する。 - 特許庁

The inner layer comprises a compound of metals of IVa, Va, and VIa groups in a periodic table, Al, Si, and B.例文帳に追加

内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。 - 特許庁

METHOD FOR Si CONCENTRATION MEASUREMENT OF STEEL PRODUCT例文帳に追加

鋼材のＳｉ濃度測定方法 - 特許庁