「P element」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Forwarding lights L outputted from a semiconductor laser element 1 are made incident on a diffraction element 3 as a P-polarized light and diffracted.例文帳に追加

半導体レーザ素子１から出力された往路光Ｌは、Ｐ偏光として回折素子３に入射し、回折される。 - 特許庁

p-TYPE SUPERLATTICE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LIGHT EMITTING ELEMENT THEREOF例文帳に追加

ｐ型超格子構造とその作製方法、ＩＩＩ族窒化物半導体素子及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

A measure storage element 120 acquires this time update result of simultaneous probability distribution p(u,x) on the basis of this time update result of probability distribution p(x) by a state estimation element 110 and this time update result of conditional probability distribution p(u|x) by a behavior search element 200.例文帳に追加

方策記憶要素１２０が、状態推定要素１１０による確率分布ｐ（ｘ）の今回更新結果と、行動探索要素２００による条件付き確率分布ｐ（ｕ｜ｘ）の今回更新結果とに基づき、同時確率分布ｐ（ｕ，ｘ）の今回更新結果を取得する。 - 特許庁

The p-electrode of the light-emitting element and the positive electrode of the supporting substrate are opposite to each other, and the positive electrode of the supporting substrate is formed smaller in width than the p-electrode within a width of the p-electrode of the light-emitting element in a cross section crossing the pair of n-electrodes of the light-emitting element.例文帳に追加

そして、発光素子のｐ電極と支持基板の正電極とは対向しており、支持基板の正電極は、発光素子の一対のｎ電極を横切る断面において発光素子のｐ電極の幅内でｐ電極の幅よりも小さく形成されている。 - 特許庁

Assuming r as an element on the finite field GF(p^k/2) and f as an element on the finite field GF(p^k) which is calculated by Miller algorithm, calculation is performed using the algorithm in which a calculating amount is less than Miller algorithm for imaging to an element f' on the finite field GF(p^k) which satisfies f'=rf.例文帳に追加

ｒを有限体ＧＦ（ｐ^ｋ／２）上の元、ｆをMillerのアルゴリズムで求められる有限体ＧＦ（ｐ^ｋ）上の元とすると、ｆ’＝ｒｆを満足する有限体ＧＦ（ｐ^ｋ）上の元ｆ’へ写像するMillerアルゴリズムよりも計算量が少ないアルゴリズム用いて計算する。 - 特許庁

The first anti-fuse element and the second anti-fuse element are configured to be simultaneously programmable, and formed in a P-well 130 and a P-well 134 on a substrate 102 respectively, and an N-well 122 and an N-well 124 of an opposite conductivity type isolating the P-well 130 and the P-well 134 mutually are formed between the P-well 130 and P-well 134.例文帳に追加

第１のアンチヒューズ素子および第２のアンチヒューズ素子は、同時にプログラム可能に構成され、第１のアンチヒューズ素子および第２のアンチヒューズ素子は、それぞれ、基板１０２上のＰウェル１３０およびＰウェル１３４に形成され、Ｐウェル１３０とＰウェル１３４との間には、これらを分離する逆導電型のＮウェル１２２やＮウェル１２４が形成されている。 - 特許庁

The organic electroluminescence element material contains a compound having N and P, N and Si, P and Si, or P and P, Si and Si on 1,4-positions of one ring of a condensed polycyclic system (at least pentacyclic system) as ring-constituting atoms thereof.例文帳に追加

縮合多環系（少なくとも五環系）の一つの環の環構成原子としてＮとＰ、ＮとＳｉ、ＰとＳｉ、あるいはＰとＰ、ＳｉとＳｉを１，４位に有する化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子材料。 - 特許庁

The P type column region 106 in the outer circumferential region is formed deeper than the P type column region 106 in the element forming region.例文帳に追加

外周領域のＰ型コラム領域１０６は、素子形成領域のＰ型コラム領域１０６の深さ以上の深さに形成される。 - 特許庁

The light emitting element 100 includes a first groove 108 formed on a surface on a side of a p-type layer 104 bonded to a p-type electrode 103.例文帳に追加

発光素子１００は、ｐ型層１０４のｐ電極１０３と接合している側の表面に、第１の溝１０８が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 of a P type, for example, includes a P+type element isolation region 12 adjoining an N--type semiconductor layer 11.例文帳に追加

例えばＰ型の半導体基板１０には、Ｎ−型の半導体層１１と隣接するＰ＋型の素子分離領域１２が形成されている。 - 特許庁

The light emitting element 100 has a p-electrode 103, a p-type layer 104, an active layer 105, and an n-type layer 106 on a ceramic substrate 101.例文帳に追加

発光素子１００は、セラミック基板１０１上にｐ電極１０３、ｐ型層１０４、活性層１０５、ｎ型層１０６を有している。 - 特許庁

The element is constituted, by using a p-type layer where a low resistance material of the nonstoichiometric composition is bonded to a surface of the p-type layer.例文帳に追加

また、ｐ型層の表面に非化学量論的な組成の低抵抗材料を接合させたｐ型層を利用して構成しても良い。 - 特許庁

To improve reliability of a semiconductor light-emitting element by reducing the resistance of and improving the c-axis orientational distribution of a p-type layer in a III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物半導体におけるp型層の低抵抗化、c軸配向性分布の改善を行い、発光素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, a light-emitting part, and a p-side electrode.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層、ｐ形半導体層、発光部、ｐ側電極を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A p-n junction diode of the n+ doped polysilicon region 22 and p+ doped polysilicon region 21b functions as a temperature detecting element 17.例文帳に追加

ｎ^+ ドープドポリシリコン領域２２とｐ^+ドープドポリシリコン領域２１ｂとで構成されるｐｎ接合ダイオードが温度検知素子１７として機能する。 - 特許庁

The p-type thermoelectric element board 3 and the n-type thermoelectric element board 4 are made by bonding a plurality of roughly bar-shaped p-type thermoelectric element members 6 and n-type thermoelectric element members 7 to the surface of insulating substrates 5 so that they may be parallel with each other.例文帳に追加

略棒状のＰ型の熱電素子部材６及びＮ型の熱電素子部材７を、複数本のものがそれぞれ平行となるよう絶縁性基板５の表面に接着してＰ型熱電素子基板３及びＮ型熱電素子基板４を形成する。 - 特許庁

The first huge magnetoresistance effect element is equipped with a fixed layer P, a spacer layer S and a free layer F.例文帳に追加

第１巨大磁気抵抗効果素子は、固定層Ｐ、スペーサ層Ｓ及びフリー層Ｆを備える。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF p-TYPE GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の作製方法及び発光素子の作製方法。 - 特許庁

An element end part is provided with a p^+-type isolation layer 11 for obtaining a voltage blocking capability.例文帳に追加

素子端部には、逆方向耐圧を得るためのｐ^+型分離層１１が設けられている。 - 特許庁

On the contrary, an element 14 (P-channel MOS transistor) is shifted from the interrupting state to the conducting state.例文帳に追加

逆に、素子１４（Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ）は遮断状態から導通状態へ遷移する。 - 特許庁

The emitted infrared rays A are received by a light receiving element P (phototransistor) of the reception part side.例文帳に追加

発光した赤外線Ａは受信部側の受光素子Ｐ（フォトトランジスタ）によって受信される。 - 特許庁

To easily form unevenness on a p-layer surface of a group III nitride-based compound semiconductor light emitting element.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子のｐ層表面に簡易に凹凸を形成する。 - 特許庁

P-TYPE OHMIC ELECTRODE STRUCTURE, COMPOUND SEMICONDUCTOR LUMINOUS ELEMENT EQUIPPED WITH THE SAME, AND LED LAMP例文帳に追加

ｐ形オーミック電極構造、それを備えた化合物半導体発光素子及びＬＥＤランプ - 特許庁

A field oxide film 4 formed on a P-type silicon substrate 1 sets an element forming area.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１に形成されたフィールド酸化膜４は、素子形成領域を設定する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LAYER, COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、化合物半導体素子及び発光ダイオード - 特許庁

To provide an optical semiconductor element which reduces inductance and capacitance generated between a terminal resistor and a p-n junction.例文帳に追加

終端抵抗器とｐｎ接合との間に生じるインダクタンスやキャパシタンスを低減する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法と窒化ガリウム系化合物半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LAYER, BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、リン化硼素系半導体素子およびＬＥＤ - 特許庁

The element is provided with a p-type semiconductor substrate 1, a p-type well layer 3 formed above the substrate, an n-type photoelectric conversion layer formed within a p-type well layer 3 as a light receiving portion 4, and a floating n-type accumulation layer 2 between the p-type semiconductor substrate and the p-type well layer 3.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１とその上部に形成されたｐ型ウエル層３と、ｐ型ウエル層３内に受光部４として形成されたｎ型光電変換層を有し、ｐ型半導体基板１とｐ型ウエル層３との間にフローテイングＮ型蓄積層２を有している。 - 特許庁

The compound can be produced by using the one obtained by beforehand adding P to Si and/or Ge as an element(s) composing X as the raw materials for the above element(s) and regulating a production temperature to a temperature lower than the melting point of the element(s) admixed with P.例文帳に追加

これは、Ｘを構成する元素であるＳｉ及びまたはＧｅに予めＰを添加したものを当該元素の原材料とし、作製温度をＰを添加した元素の融点よりも低い温度とすることで製造できる。 - 特許庁

To obtain a simple manufacturing method of a high-performance J-FET element by forming the N-channel type J-FET element in a P-well region, and by so forming the respective regions of an NPN transistor as to use the P-well region in common with the J-FET element.例文帳に追加

Ｐウェル領域内にＮチャネル型のＪ−ＦＥＴ素子を形成し、且つＮＰＮトランジスタの各領域を共用して形成することにより、高性能のＪ−ＦＥＴ素子を簡素な製造工程で形成すること。 - 特許庁

A P-N junction element ta is applied to a power circuit, where the P-N junction element ta is effective when mounted to each signal and communication functional circuit, activates Peltier effect and Seebeck effect in the same element, and gives noise reduction effect.例文帳に追加

個々の「弱電」機能回路に対して設計製造時に取付けて効果がある「ペルチェ効果及びゼーペック効果を同一素子内で発生してノイズ低減効果を与えるＰＮ接合素子」ｔａを「強電」回路に応用する。 - 特許庁

The opening for the anode is masked, a p-type impurity element is added to the n-type impurity region, and a second n-type impurity region containing an n-type impurity element and the p-type impurity element is formed.例文帳に追加

アノード用開口部をマスクして、カソード用開口部を通して、ｎ型不純物領域にｐ型不純物元素を添加し、ｎ型不純物元素およびｐ型不純物元素を含む第２のｎ型不純物領域を形成する。 - 特許庁

The p-electrodes 12, 22 and 32 of the blue-violet semiconductor laser element 1, the red semiconductor laser element 2, and the infrared semiconductor laser element 3 become common electrodes.例文帳に追加

また、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐ電極１２，２２，３２が共通の電極となっている。 - 特許庁

Further, the p-electrodes 12, 22, 32 of the blue-violet semiconductor laser element 1, the red semiconductor laser element 2 and the infrared semiconductor laser element 3 are common electrodes.例文帳に追加

また、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐ電極１２，２２，３２が共通の電極となっている。 - 特許庁

An electrode 13 that is connected to a thermoelectric module 10 as a thermoelectric element (p-type thermoelectric element and n-type thermoelectric element) 11, 12 uses a conductive elastic body (conductive rubber).例文帳に追加

熱電モジュール１０の熱電素子（Ｐ型熱電素子、Ｎ型熱電素子）１１、１２に接続する電極１３として、導電性の弾性体（導電性ゴム）を使用する。 - 特許庁

An organic EL device is equipped with an organic EL element 200, wiring supplying electric power to the organic EL element 200, and the switching element 143 on a board P.例文帳に追加

有機ＥＬ装置は、基板Ｐ上に有機ＥＬ素子２００及びこの有機ＥＬ素子２００に電力を供給可能な配線及びスイッチング素子１４３を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element that suppresses electric short-circuiting of a p-n junction portion of a semiconductor element layer.例文帳に追加

半導体素子層のｐｎ接合部分が電気的に短絡するのを抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The p-type well 2 is isolated by the element isolation insulation film 4, and an element formation region 2A for forming memory transistors therein is formed.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４によりｐ型ウェル２が分離され、メモリトランジスタが形成される素子形成領域２Ａが形成される。 - 特許庁

A liquid crystal element 104a for P polarized light and a liquid crystal element 104b for S polarized light are stuck together to constitute a switching mirror 104.例文帳に追加

Ｐ偏光用液晶素子１０４ａとＳ偏光用液晶素子１０４ｂを貼り合わせてスイッチングミラー１０４を構成する。 - 特許庁

To provide an optical element using a multilayer film as the optical element which separates an S-polarized component and a P-polarized component of incident light.例文帳に追加

入射光のＳ偏光成分とＰ偏光成分を分離する光学素子として、多層膜を用いた光学素子を提供する。 - 特許庁

In a CMIS element comprising an n-type MIS element and a p-type MIS element, in the n-type MIS element, a gate electrode 10 composed of a silicon nitride tantalic film is formed on a gate insulating film 9 composed of a hafnium aluminate film in the n-type MIS element.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳ素子とｐ型ＭＩＳ素子を備えるＣＭＩＳ素子において、ｎ型ＭＩＳ素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜９上にケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１０を形成する。 - 特許庁

Among non-polarized lights from the light-emitting diode 11, a p-polarized light component passes through the reflective polarizing element 14 and is used as a direct illumination light.例文帳に追加

発光ダイオード１１からの非偏光光のうちp偏光成分は反射型偏光素子１４を透過し、直接照明光として利用される。 - 特許庁

An operator operates the operation element 18 to move the datum point P along the target track L while pushing the datum point P towards the virtual guide surface 40.例文帳に追加

作業者は基準点Ｐを仮想案内面４０に押し付けつつ目標軌道Ｌに沿って基準点Ｐを動かすように操作子１８を操作する。 - 特許庁

A p-type impurity such as boron is injected into the element isolating insulating film 4 so that its impurity concentration is larger than that of the p-type well 2.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４にはボロン等のｐ型不純物が注入されており、その不純物濃度は、ｐ型ウェル２の不純物濃度よりも大きい。 - 特許庁