「P element」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type thermoelectric conversion element main body (11) comprises a p-type silicon semiconductor while the n-type thermoelectric conversion element main body (12) comprises an n-type silicon semiconductor.例文帳に追加

ｐ型熱電変換素子本体（１１）はｐ型シリコン系半導体により構成され、ｎ型熱電変換素子本体（１２）はｎ型シリコン系半導体により構成される。 - 特許庁

A data generation part 34 generates image data Dg on the basis of element values C of respective pixels P specified by the element value specifying part 32 and image data Din of respective pixels P.例文帳に追加

データ生成部３４は、要素値特定部３２が特定した各画素Ｐの要素値Ｃと当該画素Ｐの画像データＤinとに基づいて画像データＤgを生成する。 - 特許庁

The light-emitting element includes an n-type silicon oxide film 2 and a p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。 - 特許庁

p-TYPE AlGaN SEMICONDUCTOR LAYER, AlGaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AlGaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT RECEIVING ELEMENT, AND METHOD FOR FORMING p-TYPE AlGaN SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＮ半導体層、ＡｌＧａＮ系半導体発光素子、ＡｌＧａＮ系半導体受光素子、及びｐ型ＡｌＧａＮ半導体層の形成方法 - 特許庁

P TYPE ELECTRODE FOR GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子用のｐ型電極とその製造方法 - 特許庁

The N^+ layer 10 is provided at the left side end part of the element formation region 20 so as to be surrounded by the element isolation region, the P^+ source layer 9, and the P^+ source layer 11 and also provided at the bottom of the P^+ source layer 11.例文帳に追加

Ｎ^＋層１０は、素子分離領域、Ｐ^＋ソース層９、及びＰ^＋ソース層１１に取り囲まれるように素子形成領域２０の左側端部に設けられ、Ｐ^＋ソース層１１の底部にも設けられる。 - 特許庁

An electrothermal conversion element and a switching element for supplying power thereto are integrated in a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

電気熱変換素子とそれに通電するためのスイッチング素子とがｐ型半導体基体１に集積化されている。 - 特許庁

An electrothermal conversion element and a switching element for energizing the same are integrated on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

電気熱変換素子とそれに通電するためのスイッチング素子とがｐ型半導体基体１に集積化されている。 - 特許庁

An electrothermal conversion element and a switching element for flowing electric current through it are integrated on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

電気熱変換素子とそれに通電するためのスイッチング素子とがｐ型半導体基体１に集積化されている。 - 特許庁

Thermo-elements 18, 19 are constituted by connecting a p-type thermo-element and an n-type thermo-element in series electrically.例文帳に追加

熱電素子１８，１９は、ｐ型熱電素子とｎ型熱電素子とが電気的に直列に接続されたものである。 - 特許庁

The resistance element 10 has n-type polycrystalline silicon 11 and p-type polycrystalline silicon 12.例文帳に追加

抵抗素子１０は、Ｎ型多結晶シリコン１１と、Ｐ型多結晶シリコン１２とを備える。 - 特許庁

To provide an SiC bipolar semiconductor element which has excellent crystal quality consisting of a p-type SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板をｐ型とした結晶品質の良いＳｉＣバイポーラ素子を提供する。 - 特許庁

To reduce the voltage dependency of a capacitance element and increase the p-n junction breakdown voltage thereof.例文帳に追加

容量素子の電圧依存性を小さくすると共に、ＰＮ接合耐圧を向上する。 - 特許庁

A control section P controls each phase converter, each delay element and each attenuator.例文帳に追加

各位相変換器、各遅延素子および各アッテネータは、制御部Ｐにより制御される。 - 特許庁

METHOD FOR EPTAXIALLY GROWING AND PRODUCING P-TYPE III NITRIDE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ｐ型３族窒化物の結晶成長方法および製造方法、並びに半導体素子 - 特許庁

A halogen element, for example, fluorine or chlorine is introduced into the p-type contact layer 45.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層４５には、ハロゲン元素、例えばフッ素又は塩素が導入されている。 - 特許庁

TRI-(P-N-ENAMINE SUBSTITUTED-AMINOPHENYL)BENZENE COMPOUND AND ORGANIC ELECTRO-LUMINESCENT ELEMENT例文帳に追加

トリ−（ｐ−Ｎ−エナミン置換−アミノフェニル）ベンゼン化合物および有機電界発光素子 - 特許庁

p-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THEM例文帳に追加

ｐ型半導体結晶とその製造方法、並びにそれらを用いた半導体素子 - 特許庁

A detecting part 38 is provided on the pathway of the sheets P and includes a piezoelectric element 40.例文帳に追加

検知部３８は、用紙Ｐの進路上に設けられ、圧電素子４０を含んでいる。 - 特許庁

The voltage of a P-type well 104 is adjusted from the outside via a resistance element N10.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０４の電圧を、抵抗素子Ｎ１０を介して外部から調整する。 - 特許庁

The substrate P has connectors 40 and 50 connected to the piezoelectric element by connector connections.例文帳に追加

基板Ｐは、コネクタ接続により圧電素子と接続されるコネクタ部４０、５０を有する。 - 特許庁

FORMING METHOD FOR P-TYPE NONCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR FILM AND PRODUCING METHOD FOR PHOTOELECTRIC CONVERTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型非結晶半導体膜の形成方法及び光電変換素子の製造方法 - 特許庁

A lock-in amplifier 16 detects accurate photoreceived quantity P(W) of the photoreception element 15.例文帳に追加

ロックインアンプ１６は、受光素子１５の正確な受光量Ｐ（Ｗ）を検出する。 - 特許庁

P-TYPE 3-5 COMPOUND SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ｐ型３−５族化合物半導体、その製造方法及び化合物半導体素子 - 特許庁

To obtain a P-type GaN based compound semiconductor in a GaN compound semiconductor element.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体素子において、Ｐ型ＧａＮ系化合物半導体を得る。 - 特許庁

PLASMA NITRIDING APPARATUS, FORMATION OF INSULATING FILM, AND MANUFACTURE OF P-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

プラズマ窒化処理装置、絶縁膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

This film contains a titanium compound, soluble in polyester, of 2-10 millimol % in terms of titanium element and satisfies the formulas, 0≤Ti-P and 2≤Ti+P≤20 [wherein, Ti is the concentration of titanium element of titanium compounds soluble and contained in polyester (millimol %); and P is the concentration of phosphorus element of phosphoric compound contained in polyester (millimol %)].例文帳に追加

０≦Ｔｉ−Ｐ ・・・（１） ２≦Ｔｉ＋Ｐ≦２０ ・・・（２） （上記式中、Ｔｉはポリエステル中に含有されるポリエステルに可溶なチタン化合物のチタン金属元素の濃度（ミリモル％）、Ｐはポリエステル中に含有されるリン化合物のリン元素の濃度（ミリモル％）を示す。） - 特許庁

In the core region, a rare earth element (preferably Er element) and a P element of 2 wt.% or more and 5 wt.% or less are added but Ge is not added.例文帳に追加

コア領域は、希土類元素（好適にはＥｒ元素）および２wt％以上５wt％以下のＰ元素が添加されていて、Ｇｅが添加されていない。 - 特許庁

A groove 108 is formed on a surface of this light-emitting element 100 on the side joined to a p-electrode 103 of a p-type layer 104.例文帳に追加

発光素子１００は、ｐ型層１０４のｐ電極１０３と接合している側の表面には、溝１０８が形成されている。 - 特許庁

Near the corner of the light-emitting element 50, a bonding electrode, i.e. a P electrode 8, is formed in contact with the P-type semiconductor layer 5.例文帳に追加

発光素子５０の角部付近には、Ｐ型半導体層５に接触してボンディング電極であるＰ電極８を形成してある。 - 特許庁

The ring-down pulse light of the P-polarized light is made incident to a light-receiving element 32, because the first polarizer 22 transmits only the P-polarized light.例文帳に追加

第１偏光子２２は、Ｐ偏光のみ通過させるので、このＰ偏光のリングダウンパルス光は、受光素子３２に入射する。 - 特許庁

The element comprises a p-type nitride semiconductor layer and a p-side electrode 18 comprising a palladium oxide film 30 on the surface of the nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層と、窒化物半導体層表面上の酸化パラジウム膜３０を含むｐ側電極１８とを備える。 - 特許庁

The n-channel JFET 44 is provided with a gate region 66 composed of a p-region in the center of the p+ region of the element forming region 36c.例文帳に追加

ｎチャネルＪＦＥＴ４４は、素子形成領域３６ｃの上部中央にｐ^+領域からなるゲート領域６６が設けてある。 - 特許庁

The electrode (20) connects a p-type thermoelectric element (11) to an n-type thermoelectric element (12) and includes one or a plurality of positioning parts (22), (22) which are protruded on one surface side of an electrode body (21) to regulate the positions of the p-type thermoelectric element (11) and the n-type thermoelectric element (12).例文帳に追加

ｐ型熱電素子(11)とｎ型熱電素子(12)とを接続する電極(20)であって、電極本体(21)の一面側に突出して前記ｐ型熱電素子(11)およびｎ型熱電素子(12)の位置を規制する、一つまたは複数の位置決め部(22)(22)を有する。 - 特許庁

An upper edge face 11 of a p-type electrothermal semiconductor element 10 is connected to a first edge 9 of a solar battery power generating element 6 where a p-type semiconductor element 2 and an n-type semiconductor element 5 are polymerized, and the connecting part is cooled by a cooling device 12.例文帳に追加

ｐ型半導体素子２とｎ型半導体素子５を重合した太陽電池発電素子６の第１端部９には、ｐ型の熱電用半導体素子１０の上端面１１を接続し、この接続部を冷却装置１２で冷却する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element has a p-type semiconductor element, an n-type semiconductor element and an insulating body on a supporting body, wherein the method of manufacturing thereof includes a step of forming the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element by coating or printing.例文帳に追加

支持体上に、ｐ型半導体素子、ｎ型半導体素子および絶縁体を有する熱電変換素子において、前記ｐ型半導体素子および前記ｎ型半導体素子を塗布または印刷により形成することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。 - 特許庁

A p-type MOS transistor 11a as a 1st semiconductor element and a p-type MOS transistor 11b as a 2nd semiconductor element are provided, and the MOS transistors 11a and 11b constitute an element pair 11.例文帳に追加

第１半導体素子としてｐ型のＭＯＳトランジスタ１１ａ、第２半導体素子としてｐ型のＭＯＳトランジスタ１１ｂが設けられており、ＭＯＳトランジスタ１１ａ，１１ｂは素子対１１を構成している。 - 特許庁

The element separation 2 formed on a boundary between an n-type well 3 and a p-type well 4 is provided with a first element separation 21, and a second element separation 22 formed immediately below the first element separation 21.例文帳に追加

ｎ型ウェル３とｐ型ウェル４との境界に形成された素子分離２は、第１の素子分離２１とその直下に形成された第２の素子分離２２とを有する。 - 特許庁

An element separating and insulating film 3a is provided on an N well layer 2 while a first P+layer 4 and a second P+layer 5, apart from the first P+layer 4, are formed on the N well layer 2 surrounded by the element separating and insulating film 3a.例文帳に追加

Ｎウェル層２上に素子分離絶縁膜３ａを設け、素子分離絶縁膜３ａで囲まれたＮウェル層２上に第１のＰ＋層４と、第１のＰ＋層４と離間した第２のＰ＋層５を形成する。 - 特許庁

The solid-state imaging element includes a P-type silicon substrate 31, an N-type semiconductor layer 32 on the P-type silicon substrate 31, a plurality of photoelectric conversion parts 3, and a P-type barrier region 35.例文帳に追加

固体撮像素子は、Ｐ型シリコン基板３１と、Ｐ型シリコン基板３１上のＮ型半導体層３２と、複数の光電変換部３と、Ｐ型のバリア領域３５とを備える。 - 特許庁

A p-type diffusion layer and a solar cell element having the p-type diffusion layer are obtained by applying the composition for forming a p-type diffusion layer onto a silicon substrate and then performing heat diffusion processing.例文帳に追加

このｐ型拡散層形成組成物をシリコン基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 - 特許庁

The P^+ source layer 11 is provided on both sides of the P^+ source layer 9 so as to come into contact with the P^+ source layer 9 between the element isolation region and the P^+ source layer 9, and the end part is provided at the center end part of the element formation region 20 so as to overlap the gate insulating film.例文帳に追加

Ｐ^＋ソース層１１は、素子分離領域とＰ^＋ソース層９の間にＰ^＋ソース層９と接するように、Ｐ^＋ソース層９の両側に設けられ、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように素子形成領域２０の中央端部に設けられる。 - 特許庁

The solder may further comprise at least one oxidation-inhibiting element selected from the group consisting of P, Ge, and Ga in a total amount of 0.001 to 0.5 mass%, and/or Ag in an amount of 0.005 to 2 mass% as a wettability improving element.例文帳に追加

はんだ合金は、さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で含有してもよい。 - 特許庁

The semiconductor device includes a flip-chip type semiconductor light emitting element 10 in which p-type first bumps 14, 15 are respectively provided at p-type element side electrodes 11, 12 so that the bumps are each an Au plated bump.例文帳に追加

フリップチップ型の半導体発光素子１０に設けられたｐ型の素子側電極１１、１２にｐ型等の第１のバンプ１４、１５を設け、該バンプはＡｕのメッキバンプである。 - 特許庁

To faithfully simulate a reverse recovery current of a semiconductor element having a p-n junction part in accordance with an actual physical condition (that is, an actual operation environment) of the semiconductor element.例文帳に追加

p-n接合部を有する半導体素子の逆回復電流を、忠実に、当該半導体素子の実際の物理条件（即ち実際の動作環境）に即してシミュレーションすること。 - 特許庁