「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of P-type wells 23 are formed at intervals on an N-type SiC semiconductor substrate 20.例文帳に追加

Ｎ型ＳｉＣ半導体基板２０には、間隔を開けて複数のＰ型ウエル２３が形成されている。 - 特許庁

After fabricated, the dual dopant contact layer includes a plurality of p-type and n-type dopants.例文帳に追加

このデュアルドーパント接触層は、製作された後に、複数のｐ型及びｎ型ドーパントを有している。 - 特許庁

In the buffer amplifier, an n-type comparator and a p-type comparator compare the input signal and the output signal.例文帳に追加

バッファ増幅器内で、Ｎ型コンパレータとＰ型コンパレータが入力信号と出力信号を比較する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device 1 also comprises a pair of p-type electrode 9 and n-type electrode 10.例文帳に追加

また、半導体発光素子１は、一対のｐ側電極９及びｎ側電極１０とを備えている。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, an N type epitaxial layer 2 is deposited on a P type substrate 1.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の基板１上にＮ型のエピタキシャル層２が堆積されている。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 110a is selectively formed just under the p-type diffusion layer 111a.例文帳に追加

前記Ｐ型拡散層１１１ａの真下にＮ型拡散層１１０ａを選択的に形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a p-type diffusion layer 5 is formed on an n-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｎ型のエピタキシャル層３にＰ型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

A n^+ type source layer 5 is selectively formed on the surface portion of the p^- type base layer 4.例文帳に追加

このｐ型ベース層４の表面部分には、ｎ＋型ソース層５が選択的に形成されている。 - 特許庁

In addition to silicon and nickel, n-type impurities and p-type impurities are contained in the 1st silicide layer 11.例文帳に追加

第１のシリサイド層１１にシリコンとニッケルの他にＮ型不純物とＰ型不純物を含める。 - 特許庁

The semiconductor device might be a combination of the p-type semiconductor and an n-type semiconductor.例文帳に追加

半導体デバイスは、本発明に係るｐ型半導体と、ｎ型半導体とを組み合わせて用いても良い。 - 特許庁

Pn junction J is formed by the second n-type semiconductor layer 19 and the p-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９とｐ型半導体層１７とはｐｎ接合Ｊを形成する。 - 特許庁

An n-type buried region 113 is formed between the p-type buried regions 104a and 104b.例文帳に追加

Ｐ型埋め込み領域１０４ａ、１０４ｂの間には、Ｎ型埋め込み領域１１３を形成する。 - 特許庁

The n-type channel cut layer 5 is separated from the p-type channel cut layer 6 through the second element separation 22.例文帳に追加

ｎ型チャネルカット層５とｐ型チャネルカット層６とは第２の素子分離２２により分離されている。 - 特許庁

A device isolation 12 is formed on a silicon substrate 11 to form a p-type well 13 and an n-type well 14.例文帳に追加

シリコン基板１１に素子分離１２を形成し、ｐ型ウェル１３とｎ型ウェル１４を形成する。 - 特許庁

The flip-chip type nitride semiconductor optical element includes: the n-type and p-type nitride semiconductor layers layered on a substrate, the positive electrode almost spread on the p-type nitride semiconductor layer, and the negative electrode formed on the n-type nitride semiconductor layer exposed by removing the p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に積層されたｎ型及びｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に概ね全面に拡がる正電極と、ｐ型窒化物半導体層を除去して露出させたｎ型窒化物半導体層上に形成された負電極と、を有するフリップチップ型の窒化物半導体光学素子である。 - 特許庁

In the semiconductor light receiving element forming a PIN structure having a p-type semiconductor layer, a low resistance n-type semiconductor layer, and a high resistance n-type semiconductor layer; the high resistance n-type semiconductor layer is formed on the surface forming the p-type semiconductor layer so as to be surrounded in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｐ型半導体層と、低抵抗Ｎ型半導体層と、高抵抗Ｎ型半導体層とを有してなり、ＰＩＮ構造が形成された半導体受光素子において、前記Ｐ型半導体層が形成された表面上に前記高抵抗Ｎ型半導体層が前記Ｐ型半導体層に囲まれるように形成する。 - 特許庁

Namely, if the impurity region to which n-type impurities are added is treated as an n-type region and the impurity region to which p-type impurities are added is treated as a p-type region, a transistor in which a channel formation region is sandwiched by the n-type region and the p-type region is used as a MOS capacitative element.例文帳に追加

具体的には、ｎ型の不純物が添加された不純物領域をｎ型領域、ｐ型の不純物が添加された不純物領域をｐ型領域とすると、本発明ではチャネル形成領域がｎ型領域とｐ型領域の間に挟まれているトランジスタを、ＭＯＳ容量素子として用いる。 - 特許庁

The protection diode includes: a p-type semiconductor region; an n-type semiconductor region; and the pn-junction interface on which the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region abut each other, wherein recesses and protrusions of the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region are alternatively arranged along the extending direction of the pn-junction interface.例文帳に追加

保護ダイオードは、ｐ型半導体領域と、ｎ型半導体領域と、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域が当接するｐｎ接合面とを有し、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域はそれぞれ、ｐｎ接合面の延在方向に沿って凹部と凸部が交互に配置される。 - 特許庁

This GaN semiconductor laser element 10 comprises a laminated structure of an n-type GaN layer 14, an n-type AlGaN clad layer 16, an active layer 20, an Mg-doped p-type GaN optical waveguide layer 22, a p-type AlGaN clad layer 24, and a p-type GaN contact layer 26 on an n-type GN substrate 12.例文帳に追加

本ＧａＮ系半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板１２上に、ｎ型ＧａＮ層１４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６、活性層２０、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ光導波層２２、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４、及びｐ型ＧａＮコンタクト層２６の積層構造を備えている。 - 特許庁

The electrostatic atomizer includes: a substrate 10; an N-type pattern 3 formed on the substrate 10 using an N-type thermoelectric material; a P-type pattern 4 formed on the substrate 10 using a P-type thermoelectric material; and a discharge electrode 6 connected between the N-type pattern 3 and the P-type pattern 4.例文帳に追加

静電霧化装置は、基板１０と、Ｎ型熱電材料を用いて基板１０上に形成されたＮ型パターン３と、Ｐ型熱電材料を用いて基板１０上に形成されたＰ型パターン４と、Ｎ型パターン３とＰ型パターン４の間に接続される放電電極６とを備えたものとする。 - 特許庁

The thermocouple element comprises a plurality of posts composed of n-type and p-type rod-like elements, wiring electrodes provided on the end faces of the individual n-type and p-type rod-like elements for electrically connecting the n-type and p-type rod-like elements, and substrate electrodes on a substrate.例文帳に追加

ｎ型棒状素子とｐ型棒状素子の柱を複数備え、各ｎ型棒状素子と各ｐ型棒状素子の端面に配線電極を設け、ｎ型棒状素子とｐ型棒状素子とを電気的に接続し、かつ基板には基板電極を設け、配線電極と基板電極とをハンダなどの接合部材を介して接合する。 - 特許庁

Each n-type and p-type MIS forming region A and B on a semiconductor substrate 12 is electrically separated by an insulating and separating film 16 embedded within a trench 15, and an n-type and a p-type MISFETs 13, 14 are formed in the n-type and p-type MIS forming regions A and B respectively.例文帳に追加

半導体基板１２のｎ型およびｐ型ＭＩＳ形成領域Ａ、Ｂの各領域が、トレンチ１５内に埋め込まれた絶縁分離膜１６により電気的に分離され、ｎ型およびｐ型ＭＩＳ形成領域Ａ、Ｂにｎ型およびｐ型ＭＩＳＦＥＴ１３、１４がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A cyclic p^+ diffusion region 3 is formed on a top surface of a P-type substrate 1 in such a way as to surround an internal circuit 2b and a shunt circuit 4 is formed in an area including the region directly above the p^+ diffusion region 3 on the P-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１の表面に、内部回路２ｂを囲むようにリング状のｐ^＋拡散領域３を形成し、Ｐ型基板１上のｐ^＋拡散領域３の直上域を含む領域にシャント配線４を形成する。 - 特許庁

Film thickness of the p-type a-Si:H layer 5 is 50 to 200 Å.例文帳に追加

このｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５の膜厚は５０〜２００Åである。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device that prevents a P-type electrode from being peeled off.例文帳に追加

Ｐ型電極の剥離を抑制できる窒化物半導体装置を得る。 - 特許庁

Base p type carrier concentration is increased by he AlGaN thin layer in the base layer (28).例文帳に追加

ベース層（２８）中のAlGaNの薄層がベースｐ型キャリア濃度を増加させる。 - 特許庁

A gate terminal of the p-type transistor P0 is connected to the source terminal.例文帳に追加

また、ｐ型トランジスタＰ０のゲート端子は、ソース端子に接続されている。 - 特許庁

To provide a method of activating a compound semiconductor thin film into p-type one.例文帳に追加

化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法を提供する。 - 特許庁

An imaging portion 10A uses one surface of a p-type Si substrate as an imaging surface.例文帳に追加

撮像部１０Ａは、ｐ型Ｓｉ基板の一表面を撮像面とする。 - 特許庁

ACTIVITY MEASUREMENT OF MEMBRANE-BINDING TYPE CYTOCHROME P-450 FIXED ON SUBSTRATE PLATE例文帳に追加

基板上に固定化された膜結合型チトクロームＰ４５０の活性測定 - 特許庁

The heat treatment temperature is measured from the layer resistance value of the p-type silicon substrate.例文帳に追加

熱処理温度は、ｐ型シリコン基板の層抵抗値から測定される。 - 特許庁

This forms the p^+-type collector layer 113 on the supporting substrate 102.例文帳に追加

これによって、支持基板１０２にＰ^＋型コレクタ層１１３が形成される。 - 特許庁

Therefore, threading dislocations can be eliminated also from a p-type electrode side.例文帳に追加

したがって、ｐ型電極側からも、貫通転位を無くすことができる。 - 特許庁

Etching apertures 4 are disposed around the p-type semiconductor layers 3.例文帳に追加

ｐ型半導体層３の周囲には、エッチング開口部４が設けられている。 - 特許庁

A gate oxide film 2 is formed on an entire surface of a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型のシリコン基板１上の全面にゲート酸化膜２を形成する。 - 特許庁

FORMING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法および発光素子 - 特許庁

And a substrate electrode 5 is provided on the back of the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

また、Ｐ型半導体基板１の裏面に基板電極５を備える。 - 特許庁

P-I-N-TYPE CIRCULARLY POLARIZED LIGHT MODULATION LIGHT EMITTING ELEMENT AND LASER ELEMENT例文帳に追加

ｐ−ｉ−ｎ型円偏光変調発光半導体素子及びレーザ素子 - 特許庁

A p type polysilicon embedded layer 21 is formed in the insulating film 20.例文帳に追加

絶縁膜２０内にｐ型の多結晶シリコン埋込層２１を形成する。 - 特許庁

To prevent Mg in a p-type clad layer from diffusing into an active layer.例文帳に追加

ｐ型クラッド層のＭｇが活性層に拡散するのを抑制すること。 - 特許庁

P-TYPE AMORPHOUS SILICON THIN FILM, PHOTOVOLTAIC DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR THEM例文帳に追加

ｐ型アモルファスシリコン薄膜、光起電力装置及びそれらの製造方法 - 特許庁

In a part of the window layer 18, a p-type doping region 20 is formed.例文帳に追加

窓層１８の一部にｐ型ドーピング領域２０が形成されている。 - 特許庁

Nitrogen ions N+ are implanted into the surface layer part of a p type base region 3.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の表層部に窒素（Ｎ^+ ）をイオン注入する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE TELLURIDE ZINC BY ORGANIC METAL VAPOR PHASE GROWTH例文帳に追加

有機金属気相成長によるｐ型のテルル化亜鉛の製造方法 - 特許庁

The gate electrode GE is formed on the p-type gack gate region BG.例文帳に追加

ゲート電極ＧＥは、ｐ型バックゲート領域ＢＧ上に形成されている。 - 特許庁