「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

CALCIUM CHANNEL, VOLTAGE-DEPENDENT, P/Q TYPE, ALPHA 1a SUBUNIT GENE-MUTANT RAT例文帳に追加

電位依存型Ｐ／Ｑタイプカルシウムチャネルサブユニットアルファ１ａ遺伝子変異ラット - 特許庁

To provide a semiconductor optical element capable of preventing diffusion of a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントの拡散を防止可能な半導体光素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device 1 has a photodiode 103 on a P type substrate 3.例文帳に追加

半導体装置１は、Ｐ型基板３上にフォトダイオード１０３を備える。 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE STRUCTURE OF p-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS FORMATION METHOD例文帳に追加

ｐ型化合物半導体のオーミック電極構造およびその形成方法 - 特許庁

A p-type ZnMgO layer is formed on the ZnO/ZnMgO quantum well layer surface (e).例文帳に追加

（ｅ）ＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ量子井戸層表面上に、ｐ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁

The diffusion prevention layer is used for preventing the diffusion of the p-type dopant.例文帳に追加

拡散防止層は、ｐ型ドーパントの拡散を防止するための層である。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF p-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体装置の製造方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 - 特許庁

HIGH WITHSTAND VOLTAGE P-TYPE MOSFET AND POWER CONVERSION APPARATUS USING IT例文帳に追加

高耐圧ｐ型ＭＯＳＦＥＴ及びそれを用いた電力変換装置 - 特許庁

When an input terminal 100 is open, a P type MOS transistor 101 is turned on, an N type MOS transistor 104 is turned off, and an input of the complementary transistor circuit 105 is pulled up.例文帳に追加

入力端子100がオープン状態であるときP型MOSトランジスタ101はON、N型MOSトランジスタ104はOFFになり、相補型トランジスタ回路105の入力をプルアップする。 - 特許庁

Since the p-type impurity element is added through the opening for the cathode, the periphery of the opening is also doped with a slight amount of the p-type impurity element.例文帳に追加

カソード用開口部からｐ型不純物元素の添加を行うため、この開口部周辺も僅かながらｐ型不純物元素が添加される。 - 特許庁

This reduces leakage current due to a PNP bipolar transistor of the P-type drain regions of the PMOSs 20_1, 20_2, N-well, and P-type substrate.例文帳に追加

これにより、ＰＭＯＳ２０_１，２０_２のＰ型ドレイン領域、Ｎ型ウエル、及びＰ型基板によるＰＮＰ型の寄生バイポーラトランジスタによるリーク電流が減少する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, having a p-type semiconductor layer in which the activation rate of a p-type impurity element is high, and the specific resistance is low.例文帳に追加

ｐ型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いｐ型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A P-channel type MOS transistor Q6 for protection against a backward voltage is connected to the back gates of the P-channel type MOS transistors Q2 and Q4.例文帳に追加

そして、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＱ２，Ｑ４のバックゲートに接続された逆電圧保護用のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＱ６を設ける。 - 特許庁

To provide a power-on power supply voltage detection circuit that reduces the temperature dependence of a threshold of p-type MOS transistors and variations in the thresholds of the p-type MOS transistors.例文帳に追加

ｐ型MOSトランジスタのしきい値の温度依存性及び、ｐ型MOSトランジスタのしきい値のばらつきを低減するパワーオン電源電位検知回路を提供する。 - 特許庁

A silicide block region is formed on wiring connecting the gates of the P-type MOSFETs 18 on the adjacent stages of the P-type MOSFETs to form a resistance component 32.例文帳に追加

隣接する段のＰ型ＭＯＳＦＥＴ１８のゲート間を接続する配線上にサリサイドブロック領域を形成し、抵抗成分３２を形成する。 - 特許庁

Although p-type carrier concentration becomes low by low temperature thermal diffusion, the p-type carrier concentration is raised to 4×10^18cm^-3 or more by the heat treatment.例文帳に追加

低温の熱拡散でｐ型キャリヤ濃度は低くなるが、熱処理をするのでｐ型キャリヤ濃度が４×１０^１８ｃｍ^−３以上に上がる。 - 特許庁

A path connecting the p-type body layer 3a and the p-type active layer for body voltage application 6 is arranged in parallel to the crystal orientation <100> of the SOI layer.例文帳に追加

Ｐ型ボディ層３ａとボディ電圧印加用Ｐ型活性層６とを結ぶ経路はＳＯＩ層の結晶方位＜１００＞に平行に配置する。 - 特許庁

A second p-type MOSFET 18 is connected between the first p-type MOSFET and the power potential end, and a first control signal is supplied to the gate thereof.例文帳に追加

第２ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１８は、第１ｐ型ＭＯＳＦＥＴと電源電位端との間に接続され、ゲートに第１制御信号が供給される。 - 特許庁

According to this structure, when the vertical P-type PNP transistor is put in ON operation, a parasitic current flows, mainly through a zone having the P-type diffusion layer 23 formed therein.例文帳に追加

この構造により、縦型ＰＮＰトランジスタがオン動作した際に、Ｐ型の拡散層２３が形成された領域が、主に、寄生電流の経路となる。 - 特許庁

In the p-type MgZnO-based thin film 1, nitrogen as a p-type impurity, which serves as an acceptor, is contained in a concentration of not less than about 5.0×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、アクセプタとなるｐ型不純物の窒素が約５．０×１０^１８ｃｍ^−３以上の濃度で含まれている。 - 特許庁

The first source follower circuit 1 comprises a P type MOS transistor M1 for input, and a P type MOS transistor M2 operating as a constant current source.例文帳に追加

第１ソースフォロワ回路１は、入力用のＰ型のＭＯＳトランジスタＭ１と、定電流源として動作するＰ型のＭＯＳトランジスタＭ２とからなる。 - 特許庁

The p-type thermoelectric conversion members 230A and 230B have strip-like electrodes 231A and 231B, and p-type thermoelectric conversion films 233A and 233B respectively.例文帳に追加

ｐ型熱電変換部材２３０Ａ、２３０Ｂは、帯状の電極部２３１Ａ、２３１Ｂとｐ型熱電変換膜２３３Ａ、２３３Ｂを有している。 - 特許庁

To discriminate alarm by a smoke sensor connected to a P type receiver from alarm by a sensor of other than smoke connected to the P type receiver.例文帳に追加

Ｐ型受信機に接続される煙感知器からの発報と、Ｐ型受信機に接続される煙以外の感知器からの発報とを判別する。 - 特許庁

The diaphragm 10 has a high concentration P-type impurity layer formed on a P-type silicon substrate so that a boron concentration of the substrate does not exceed 1E19(atoms/cm3).例文帳に追加

振動板１０がＰ型シリコン基板に形成された高濃度Ｐ型不純物層を含み、Ｐ型シリコン基板のボロン濃度が１Ｅ１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3）を越えないものとした。 - 特許庁

Thus, a p-n junction in the protective diode 1 is constituted of the side face of the p+ type diffusion region 16 and the n+ type diffusion region 4a.例文帳に追加

このため、保護ダイオード１におけるｐｎ接合は、上記ｐ＋型拡散領域１６の側面と、上記ｎ＋型拡散領域４ａとで構成される。 - 特許庁

Furthermore, a silicide layer 5 is formed between the p-type contact layer 4 and an electrode 3 so as to reach a peak position of a concentration profile of the p-type contact layer.例文帳に追加

また、ｐ型コンタクト層４と電極３の間には、ｐ型コンタクト層の濃度プロファイルのピーク位置まで達するシリサイド層５が形成される。 - 特許庁

The second source follower circuit 2 comprises a P type MOS transistor M3 for input, and a P type MOS transistor M4 operating as a constant current source.例文帳に追加

第２ソースフォロワ回路２は、入力用のＰ型のＭＯＳトランジスタＭ３と、定電流源として動作するＰ型のＭＯＳトランジスタＭ４とからなる。 - 特許庁

The photoelectric conversion portions 24 include an N type layer 20 formed on the deep side of the P well layer 18 and an N type layer 22 formed on the shallow side of the P well layer 18.例文帳に追加

光電変換部２４は、Ｐウェル層１８の深い側に形成されたＮ型層２０と、浅い側に形成されたＮ型層２２とを含んでいる。 - 特許庁

A p-type impurity such as boron is injected into the element isolating insulating film 4 so that its impurity concentration is larger than that of the p-type well 2.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４にはボロン等のｐ型不純物が注入されており、その不純物濃度は、ｐ型ウェル２の不純物濃度よりも大きい。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device, an N-channel transistor 1, a P-channel transistor 2, and a MOS type varactor element 3 are provided on a P-type substrate PSub.例文帳に追加

半導体集積回路装置において、Ｐ型基板ＰＳｕｂの表面にＮチャネルトランジスタ１、Ｐチャネルトランジスタ２及びＭＯＳ型バラクタ素子３を設ける。 - 特許庁

After a P+-type or N+-type wafer which are subjected to high density doping is prepared, the surface is subjected to anodic reaction, thereby simply obtaining a thick porous silicon layer.例文帳に追加

高濃度ドーピングされたp^+型またはn^+型ウェーハを用意した後、その表面を陽極反応させることにより簡単に厚い多孔質シリコン層が得られる。 - 特許庁

The drain of the transistor 19 has a double diffusion construction which is composed of a first P-type drain diffusion layer 5d and a second P-type drain diffusion layer 11d.例文帳に追加

トランジスタ１９のドレインは第１Ｐ型ドレイン拡散層５ｄと第２Ｐ型ドレイン拡散層１１ｄからなる二重拡散構造を備えている。 - 特許庁

The capacitor 40 includes p-type impurity diffusion layers 42, 43, a p-type impurity implantation region 44, a capacitive insulation film 45, and an upper electrode 46.例文帳に追加

キャパシタ４０は、Ｐ型不純物拡散層４２，４３、Ｐ型不純物注入領域４４、容量絶縁膜４５、および上部電極４６を含んでいる。 - 特許庁

P-type impurity regions 6 are formed in predetermined regions of the N^- semiconductor layers 2 separated apart from the P-type impurity regions 4.例文帳に追加

Ｐ型不純物領域４から距離を隔てられたＮ^-半導体層２の所定の領域では、Ｐ型不純物領域６が形成されている。 - 特許庁

A P-type GaN layer 18 of at least 2 nm and at most 100 nm in thickness is formed on the P-type clad layer 16, and a metal film 20 is formed.例文帳に追加

Ｐ型クラッド層１６上にＰ型ＧａＮ層１８を２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さで形成して金属膜２０を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a p-n diode 5a composed of a p-type SiGe layer 13 and an n-type Si layer 15 joined with the layer 13.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＧｅ層１３と、当該ｐ型ＳｉＧｅ層１３に接合するｎ型Ｓｉ層１５とからなるｐｎダイオード５ａを備えたものである。 - 特許庁

Next, P-type impurities 4 are introduced into the surface layer of the substrate 1 through ion implantation using the pattern 3 as a mask to form a P-type region 5.例文帳に追加

次に、パターン３をマスクにしたイオン注入によって基板１の表面層にＰ型不純物４を導入し、Ｐ型領域５を形成する。 - 特許庁

The resistivity of the P type bulk substrate 2 is 1,000 Ωcm, the thickness of the P type epitaxial layer 3 is 5 μm and its resistivity is 10 Ωcm.例文帳に追加

Ｐ型バルク基板２の抵抗率を１０００Ω・ｃｍとし、Ｐ型エピタキシャル層３の厚さを５μｍとし、抵抗率を１０Ω・ｃｍとする。 - 特許庁

Then, an insulation region 4 is formed around the p-type region so as to be deeper than the p-type region and not to get to the semiconductor substrate.例文帳に追加

そして、ｐ形領域３の周囲にｐ形領域３より深く、かつ、半導体基板１に達しないように絶縁領域４が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxide film with an excellent mass productivity, wherein the oxide film shows a high performance as a p-type conductive film and a p-type transparent conductive film.例文帳に追加

ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての高性能な酸化物膜の、量産性に優れた製造方法を提供する。 - 特許庁

The concentration of the primary p-type impurity concentration distribution at the pn junction is higher than that of the secondary p-type impurity concentration distribution at the pn junction.例文帳に追加

第１のｐ型不純物濃度分布のｐｎ接合部での濃度は第２のｐ型不純物濃度分布のｐｎ接合部での濃度よりも高い。 - 特許庁

After formation of an element isolation region (S2) and a p-type well (S3) in a semiconductor substrate (S3), a gate insulating film is formed on the surface of the p-type well (S4).例文帳に追加

半導体基板に素子分離領域を形成し（Ｓ２）、ｐ型ウエルを形成（Ｓ３）した後、ｐ型ウエルの表面にゲート絶縁膜を形成する（Ｓ４）。 - 特許庁

Then, the former is made into a p-type conversion material, and the latter is made into an n-type conversion material, and they are subjected to p-n junction, so as to compose a thermoelectric element.例文帳に追加

そして前者はｐ型の変換材料、後者はｎ型の変換材料となり、これらをｐ−ｎ接合し、熱電変換素子が構成される。 - 特許庁

This manufacturing method of polycrystalline or microstalline TFTs is achieved by doping a certain part of a channel n-type and a certain part of a channel p-type, whereby a p-n junction is formed within a channel.例文帳に追加

これは、ｎ型のある部分およびｐ型のある部分をドーピングすることにより達成され、それによりｐ-ｎ接合をチャネル内に形成する。 - 特許庁