「Photoetching」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In this case, the semiconductor layer, the data line and the drain electrode or the pixel electrode are patterned using a photosensitive film pattern obtained by exposing and developing a photosensitive film in the exposure process of a photoetching step as a mask, and a boundary line of the gate electrode overlapping with the drain electrode is arranged to be perpendicular to the scanning direction of exposure for the photosensitive film in the exposure process.例文帳に追加

この時、半導体層、データ線及びドレイン電極又は画素電極は、フォトエッチング工程の露光工程で感光膜を露光及び現像した感光膜パターンをエッチングマスクにしてパターニングし、ドレイン電極と重畳するゲート電極の境界線を、露光工程で感光膜を露光するスキャニング方向に対して直交して配置する。 - 特許庁

In a photoetching process step for forming gate wiring having a first compensation pattern, data wiring to define a pixel region formed to intersect with the gate wiring and the source/drain electrode, the capacitor electrode having the second compensation pattern formed on the prescribed region of the gate wiring is inclusively constituted.例文帳に追加

本発明は、第１補償パターンを有するゲート配線と、前記ゲート配線と交差されるように形成されて画素領域を定義するデータ配線と、ソース／ドレイン電極形成のためのフォトエッチング工程時、絶縁膜を間に置き、前記ゲート配線の所定領域上に形成され第２補償パターンを有するキャパシタ電極を包含して構成される。 - 特許庁

The distance T2 of a pixel electrode 103 from wiring 102 and a lower electrode 107 is designed smaller than the maximum dimensional change quantity T1 of a resin substrate 106 during manufacturing a liquid crystal display device, and the wiring 102, lower electrode 107 and pixel electrode 103 are patterned at a time in one photoetching process based on the design.例文帳に追加

配線１０２および下部電極１０７と画素電極１０３との間隔Ｔ２を、液晶表示装置の製造程時における樹脂基板１０６の最大寸法変化量Ｔ１よりも小さく設計し、この設計に基づいて、配線１０２と下部電極１０７と画素電極１０３とを、一回のフォトエッチング工程によって同時にパターン形成する。 - 特許庁

The wiring is formed on a transparent film (1) by means of screen printing or photoetching using the liquid resist, and the resist film (4) on the formed wiring (2) remains without being removed or the wiring (2) is formed by sticking a dry film resist on the transparent film (1), and the dry film layer (4) on the formed wiring (2) remains without being removed.例文帳に追加

透明フィルム（１）に、液体レジストを使用して、スクリーン印刷またはフォトエッチングで配線を形成し、形成された配線（２）上のレジスト膜（４）を除去せずに残して作製するか、透明フィルム（１）に、ドライフィルムレジストを貼ることにより配線（２）を形成し、形成された配線（２）上のドライフィルム層（４）を除去せずに残して作製する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing electronic parts with a metallic layer disposed on one face thereof by which such electronic parts can be manufactured with at least increased productivity of coating with a liquid photoresist without forming a photoresist layer on a face opposite to a metallic layer face even in the case of dip coating with the liquid photoresist when electronic parts are manufactured by photoetching using substrates with a metallic layer disposed on one face of a support.例文帳に追加

支持材の片面に金属層を配した基材を用い、フォトエッチング加工によって電子部品を製造する際に、液状フォトレジストをディップコートによって塗布しても、金属層面と逆の面にフォトレジスト層を形成することなく、少なくとも、液状フォトレジスト塗布の生産性を高くし電子部品を製造することのできる片面に金属層を配した電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To solve a problem that a residue of a photosensitive resin film remains on an IDT electrode and a connection pad and that an electric characteristic of a SAW chip or a SAW device is deteriorated when a dam surrounding the IDT electrode is formed on a lower face of the SAW chip by photoetching technology for preventing a defect that liquid-like resin applied to cover the SAW chip adheres to the IDT electrode.例文帳に追加

ＳＡＷチップを被覆するために塗布した液状樹脂がＩＤＴ電極に付着する不具合を防止するためにＳＡＷチップ下面にＩＤＴ電極等を包囲するダムを、フォトエッチング技術にて形成する際に、ＩＤＴ電極や接続パッド上に感光性樹脂フィルム等の残渣が残留して、ＳＡＷチップ、或いはＳＡＷデバイスの電気的特性を劣化させる不具合を解消することができる。 - 特許庁