「SCHOTTKY BARRIER」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

SCHOTTKY BARRIER DIODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED THEREWITH例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードおよびそれを具備する半導体装置 - 特許庁

SILICON CARBIDE SCHOTTKY BARRIER DIODE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

炭化けい素ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

Thus, a low-VF and low-IR Schottky barrier diode is realizable.例文帳に追加

これにより、低ＶＦ、低ＩＲのショットキーバリアダイオードが実現できる。 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER QUANTUM WELL RESONANCE TYPE TUNNEL TRANSISTOR例文帳に追加

ショットキーバリア量子井戸共振型トンネルトランジスタ - 特許庁

LOW SCHOTTKY BARRIER PENETRATING TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

低いショットキー障壁貫通トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER PENETRATION SINGLE ELECTRONIC TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキー障壁貫通単電子トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER DIODE AND INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた集積回路 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER DIODE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードおよびショットキーバリアダイオードの製造方法 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER TUNNEL TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

ショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To improve characteristics of a semiconductor device and a Schottky barrier diode.例文帳に追加

半導体装置、ショットキーバリアダイオードの特性を向上させる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH SCHOTTKY BARRIER ELECTRODE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキバリア電極を有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

JBS, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SCHOTTKY BARRIER DIODE例文帳に追加

ＪＢＳおよびその製造方法ならびにショットキーバリアダイオード - 特許庁

INTEGRATED SCHOTTKY BARRIER DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

集積型ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING SCHOTTKY BARRIER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキ障壁を有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

N-TYPE SCHOTTKY BARRIER TUNNEL TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

ｎ型ショットキー障壁貫通トランジスタ素子及びその製造方法 - 特許庁

An integral structure of a junction barrier Schottky (JBS) is provided.例文帳に追加

接合障壁ショットキー（ＪＢＳ）一体構造が提供される。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SCHOTTKY BARRIER DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

シリコンカーバイドショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

To lower the on-state resistance of a junction barrier Schottky diode.例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキーダイオードのオン抵抗を低下させる。 - 特許庁

SWITCHING CIRCUIT USING WIDEBAND GAP SCHOTTKY BARRIER DIODE例文帳に追加

ワイドバンドギャップショットキバリアダイオードを用いたスイッチング回路 - 特許庁

To achieve both reduction in Schottky barrier height and reduction in leakage current.例文帳に追加

ショットキーバリアハイトの低減とリーク電流の低減を両立する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode capable of improving withstand voltage.例文帳に追加

耐圧を向上できるショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

Each Schottky barrier diode is formed in mesa, and a high resistance polysilicon, an oxide film 10 Å or less, and an intermediate transient level are formed at the Schottky junction of each Schottky barrier diode.例文帳に追加

各ショットキーバリアダイオードをメサ状に形成し、各ショットキーバリアダイオードのショットキー接合部に高抵抗ポリシリコンや１０Å以下の酸化膜や複数の中間遷移準位を形成する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode, having a junction barrier Schottky structure, that enables improvement of reverse surge withstand capability of a Schottky junction portion.例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキー構造をもつダイオードにおいて、ショットキー接合部の逆サージ耐量を改善することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky diode in which a Schottky barrier in a reverse directional bias is high and the Schottky barrier in a forward directional bias is low.例文帳に追加

逆方向バイアスにおけるショットキー障壁が高く、順方向バイアスにおけるショットキー障壁が低くできるショットキーダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a schottky tunnel barrier transistor, capable of minimizing leakage current due to the damage of the gate sidewall of a Schottky tunnel barrier transistor that uses a Schottky tunnel barrier formed naturally in joining of a semiconductor and a metal, as a tunnel barrier.例文帳に追加

半導体と金属との接合時に自然に形成されるショットキートンネル障壁をトンネル障壁として用いたショットキー障壁トンネルトランジスタのゲート側壁の損傷によるリーク電流を最小化するショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 100 includes a semiconductor layer 1 containing GaN, and a Schottky electrode 2.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１００は、ＧａＮを含む半導体層１と、ショットキー電極２とを備えている。 - 特許庁

To provide a horizontal Schottky barrier diode (SBD) semiconductor device which operates fast by reducing Schottky junction capacitance.例文帳に追加

ショットキー接合容量を低減し、高速動作が可能な横型ＳＢＤ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To easily obtain an SiC Schottky barrier diode, small in the leakage current of a Schottky electrode and excellent in element characteristics.例文帳に追加

ショットキー電極のリーク電流が小さい良好な素子特性のＳｉＣショットキーバリアダイオードを容易に得る。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode in which an area of a Schottky junction surface can be increased even if a chip size is small.例文帳に追加

小さなチップサイズでもショットキ接合面の面積を大きくすることができるショットキバリアダイオードを提供すること。 - 特許庁

At the outer circumferential section of the Schottky barrier electrode 4, a high-resistance guard ring 18 is interposed between the drift layer 2 and Schottky barrier electrode 4 as a guard ring, and the Schottky barrier electrode 4 is formed into a shape of being lifted by the guard ring.例文帳に追加

ショットキー障壁電極４の外周縁部領域においては、ドリフト層２とショットキー障壁電極４との間に、ガードリングとして高抵抗ガードリング１８が介在し、ショットキー障壁電極４はガードリングによって持ち上げられた形状となっている。 - 特許庁

The Schottky barrier contact layer consists of a metal, capable of causing dissociating of water molecules into hydrogen atoms.例文帳に追加

ショットキーバリアコンタクト層は、水素分子を水素原子へ解離させることができる金属からなる。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 - 特許庁

A plurality of Schottky barrier diodes are formed on a semiconductor substrate 17 dispersively.例文帳に追加

複数のショットキーバリアダイオードが半導体基板１７に、分散して形成されている。 - 特許庁

A Schottky barrier diode D1 suppresses a ringing generated during a fall of a voltage.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードＤ１は、電圧の立ち下り時に発生するリンギングを抑圧する。 - 特許庁

Then, Ti is formed on the first Schottky barrier electrode 30a by the sputtering film-forming method.例文帳に追加

次に、第一のショットキー障壁電極３０ａ上に、スパッタ成膜法によりＴｉを形成する。 - 特許庁

A gallium nitride semiconductor region 3 for a Schottky barrier diode is formed on the buffer layer 2.例文帳に追加

バッファ層２の上シヨットキバリアダイオ−ド用の窒化ガリウム半導体領域３を形成する。 - 特許庁

SILICON CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE WITH SUPPRESSED MINORITY CARRIER INJECTION例文帳に追加

少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER DIODE HAVING LATERAL TRENCH STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

横型トレンチ構造を有するショットキー・バリア・ダイオード及びその製造方法 - 特許庁

Each Schottky barrier diode is isolated by an insulating region formed by ion implantation.例文帳に追加

イオン注入による絶縁化領域により、各ショットキーバリアダイオードを分離する。 - 特許庁

Instead of the Schottky barrier diodes, MOS transistors is combined in its structure.例文帳に追加

またショットキーバリアダイオードに代わってＭＯＳトランジスタを組み合わせた構成とする。 - 特許庁

A first Schottky barrier electrode 30a is formed by a pattering method or the like.例文帳に追加

そして、パタニング法等により、第一のショットキー障壁電極３０ａを形成する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 2 is connected in parallel between an internal circuit 5 and the LC filter 3.例文帳に追加

内部回路５とＬＣフィルタ３の間にショットキーバリアダイオード２を並列に接続する。 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER RECTIFYING DEVICE HAVING MOS TRENCH AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＯＳトレンチを有するショットキー障壁整流装置及びその製造方法 - 特許庁

In the protection element (13), a Schottky barrier diode is formed as the protection element.例文帳に追加

保護素子部分（１３）に保護素子としてのショットキーバリアダイオードが形成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法 - 特許庁