「SCHOTTKY BARRIER」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a Schottky barrier diode and its manufacturing method whereby a metal layer and a low-resistance epitaxial layer form a Schottky junction, thereby improving the backward current characteristic, without degrading the forward voltage characteristic.例文帳に追加

金属層と低抵抗エピタキシャル層とでショットキ接合を形成することにより、順方向電圧特性を低下させることなく、逆方向電流特性を向上させたショットキバリアダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Preferably in the Schottky barrier diode 10, peak concentration of carbon in the interface between the GaN layer 3 and the Schottky electrode 4 is ≥1×10^19 cm^-3.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１０において好ましくは、ＧａＮ層３とショットキー電極４との界面の炭素のピーク濃度は、１×１０^19ｃｍ^-3以上である。 - 特許庁

This Schottky barrier diode 10 includes a substrate, a GaN layer 3 formed on the substrate, and a Schottky electrode 4 formed in contact with a surface of the GaN layer 3.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１０は、基板と、基板上に形成されたＧａＮ層３と、ＧａＮ層３上に接して形成されたショットキー電極４とを備えている。 - 特許庁

To improve adhesiveness to a semiconductor substrate without changing height of a barrier even in the case that a metal poor in adhesion with the semiconductor substrate is made as a barrier metal, in Schottky barrier diode.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードにおいて、半導体基板との密着性の悪い金属をバリア金属とした場合にも、バリア高さを変えずに半導体基板との密着性を向上させる。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode 41, a gallium nitride epitaxial layer 45 is formed on a group III nitride substrate 45 having a conductivity.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード４１では、窒化ガリウム系エピタキシャル層４５は、導電性を有するIII族窒化物基板４５上に設けられている。 - 特許庁

A parasitic diode of MOSFET and Schottky barrier diodes are set in reverse to the forward direction.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードとショットキーバリアダイオードは、それぞれの順方向が反対向きに設定されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus including a Schottky barrier diode obtaining high voltage resistance and using a nitride semiconductor.例文帳に追加

高耐圧を得ることのできる窒化物半導体を用いたショットキーバリアダイオードを含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

The switching element can be various elements including a Zener diode, a Schottky barrier diode, or an MIM.例文帳に追加

スイッチング素子は、ツェナーダイオード、ショットキーバリアダイオード、または、ＭＩＭを含む様々な素子であることが可能である。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes a GaN epitaxial layer 3 formed on the surface 2a of a GaN self-supporting substrate 2.例文帳に追加

このショットキーバリアダイオード１は、ＧａＮ自立基板２の表面２ａ上に形成された、ＧａＮエピタキシャル層３を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a Schottky barrier diode, capable of obtaining full margin with respect to current surge endurance.例文帳に追加

電流サージ耐量に対して充分なマージンを得ることが可能なショットキーバリアダイオードを有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The rectification circuit includes a DC cut capacitor, a Schottky barrier diode, and a smoothing capacitor.例文帳に追加

整流回路は、直流遮断用キャパシタと、ショットキーバリアダイオードと、平滑用キャパシタを含んでいる。 - 特許庁

A metal thin film 2 and an SOI layer 3 form a Schottky barrier diode (hereinafter, a diode) 1.例文帳に追加

金属薄膜２とＳＯＩ層３とは、ショットキー・バリア・ダイオード（以下、ダイオード）１を形成している。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SCHOTTKY BARRIER DIODE, LIGHT-EMITTING DIODE, LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THESE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a field effect transistor which has a low Schottky barrier between source/drain electrodes and a semiconductor layer.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極と半導体層とのショットキーバリアが低い電界効果トランジスタを具備する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Schottky barrier diode which displays VF and IR characteristics surely as desired with high reproducibility.例文帳に追加

所望するＶＦ特性およびＩＲ特性を再現性よく、確実に得ることができるショットキーバリアダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve reliability in a semiconductor device having a Schottky barrier diode in the same chip and manufacturing techniques therefor.例文帳に追加

同一チップ内にショットキーバリアダイオードを備える半導体装置およびその製造技術において、信頼性を向上させる。 - 特許庁

By this constitution, it is possible to realize a state that a Schottky barrier diode is formed across both electrodes 102, 103.例文帳に追加

この構成により、両電極１０２、１０３間には、ショットキーバリアダイオードが形成されている状態が実現される。 - 特許庁

With this configuration, the sheet resistance value in the cathode region in the Schottky barrier diode 1 is reduced.例文帳に追加

この構造により、ショットキーバリアダイオード１のカソード領域でのシート抵抗値が低減される。 - 特許庁

To provide a Schottky-barrier diode having a field plate structure capable of stably providing an electric field concentration mitigating effect.例文帳に追加

安定して電界集中緩和効果を得ることが可能なフィールドプレート構造を有するショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode in which forward voltage drop can be lowered while ensuring breakdown voltage surely.例文帳に追加

耐圧を確実に確保しながら、順方向降下電圧が低くすることが出来るショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A Schottky barrier metal 3 as an anode electrode is formed so as to join to the entire face of the SiC layer 2.例文帳に追加

ＳｉＣ層２の全面に接合するように、アノード電極となるショットキーバリア金属３が形成されている。 - 特許庁

An interval between the Schottky barrier diode and the smoothing capacitor is set to λg/22.5 to λg/14 wherein λg is a wavelength of a microwave to be received.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードと平滑用キャパシタとの間隔を、受信するマイクロ波の波長をλｇとして、λｇ／２２．５〜λｇ／１４とする。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode improved in reverse breakdown voltage through a field plate structure.例文帳に追加

フィールドプレート構造により逆方向耐電圧の向上したショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for easily controlling a height and a width of a Schottky barrier and effectively suppressing a short-channel effect.例文帳に追加

ショットキー障壁の高さおよび幅を容易に制御でき、短チャネル効果を効果的に抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, in the temperature compensating circuit 20, the second MESFET 21 functions as a Schottky barrier diode (SBD) in the manner of an equivalent circuit.例文帳に追加

したがって、この温度補償回路２０内では、第２のＭＥＳＦＥＴ２１は等価回路的にショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）として機能する。 - 特許庁

The protection film 12 is composed of a semiconductor and has a Schottky barrier with the magnet element assembly 11.例文帳に追加

保護膜１２は半導体により構成されており、磁石素体１１との間にショットキー障壁を有している。 - 特許庁

To produce a semiconductor device having a nano structure by producing a atom-level Schottky barrier on the surface of a semiconductor wafer using wet process.例文帳に追加

半導体ウエーハ表面に原子レベルのショットキー障壁を湿式法により作製し、ナノ構造の半導体素子を作製すること。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device in which a P-channel power MOSFET and a Schottky barrier diode are formed on an identical substrate.例文帳に追加

ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとが同一半導体基板に形成された半導体装置を実現する。 - 特許庁

DEVICE USING AMBIPOLAR TRANSPORT IN SCHOTTKY BARRIER METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR OPERATING SAME例文帳に追加

ショットキー障壁金属酸化物半導体の電界効果トランジスタの両極伝導性を利用した素子及び素子動作方法 - 特許庁

The Schottky barrier electrode 8a is formed on a compound semiconductor layer 3 containing at least one of Ga, Al or As.例文帳に追加

Ｇａ、Ａｌ又はＡｓの内の少なくとも１つを含む化合物半導体層３にショットキバリア電極８ａを形成する。 - 特許庁

To block the current conduction of a built-in PiN diode in a junction barrier Schottky (JBS) structure.例文帳に追加

接合障壁ショットキー（ＪＢＳ）構造内のビルトインＰｉＮダイオードの電流伝導を阻止する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode exhibiting a sufficient characteristic and having a mesa-structure, and to provide a method of manufacturing the diode.例文帳に追加

良好な特性を示す、メサ構造部を備えたショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, each Schottky barrier diode is allocated in each output terminal side of the armature coil 31.例文帳に追加

また、各ショットキーバリアダイオードは、ＭＯＳＦＥＴよりも電機子巻線３１の各出力端側に配置されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SCHOTTKY BARRIER DIODE, METHOD OF MANUFACTURING INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法及び半導体装置 - 特許庁

A Schottky barrier diode 17 is provided which electrically connects base layers 3 and 7 to a collector layer 13.例文帳に追加

ベース層３，７とコレクタ層１３とを電気的に接続するショットキーバリアダイオード１７を備える。 - 特許庁

To achieve a high voltage resistance Schottky barrier diode by reducing current leakage in backward direction thereof.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの逆方向の電流リークを低減して、高耐圧のショットキーバリアダイオードを実現する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which can easily manufacture a Schottky barrier diode with good current characteristics, small area, and desired characteristics.例文帳に追加

電流特性が良く、かつ小面積であり、所望の特性を有するショットキーバリアダイオードを容易に作製できる製造方法を提供すること。 - 特許庁

To integrate a MOSFET and a Schottky barrier diode on the same semiconductor substrate, to suppress power consumption, and to reduce a chip size.例文帳に追加

同一半導体基板に、ＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードを集積し、消費電力を抑制し、チップサイズを縮小する。 - 特許庁

For instance, in the case of a silicon carbide Schottky barrier diode, a p-type region 104 is provided on the side of an ohmic cathode electrode 103.例文帳に追加

例えば炭化シリコンショットキー障壁ダイオードの場合、オーミック電極たるカソード電極１０３側にｐ形領域１０４を設ける。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier semiconductor device which can improve withstand voltage with keeping a reduction of a leakage current IR.例文帳に追加

リーク電流ＩＲの低減を維持しつつ耐圧の向上をはかることのできるショットキーバリア型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode semiconductor device which has forward and reverse characteristics relative to various applications.例文帳に追加

使用用途に応じた順方向特性、逆方向特性を有するショットキーバリアダイオード半導体装置を提供する。 - 特許庁

According to the invention, the MOS gate is used for accurately separating the guard ring from the Schottky barrier 56.例文帳に追加

本発明によれば、ガード・リングをショットキー・バリヤ５６から正確に隔てるためにＭＯＳゲートが使用される。 - 特許庁

To achieve the high withstand voltage of a vertical Schottky barrier diode (SBD) employing a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体を用いた縦型ショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）の高耐圧化を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode in which a leak current hardly occurs in application of a reverse voltage and an on-voltage is low.例文帳に追加

逆電圧印加時のリーク電流が生じ難く、かつ、オン電圧が低いショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which uses a barium nitride semiconductor and has a p-type guard ring.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体を用いると共にｐ型ガードリングを有するショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁