| 意味 | 例文 (463件) |
SCHOTTKY BARRIERの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 463件
To provide a low-cost NRD guide frequency converter, with which an intermediate frequency(IF) signal is converted into a radio frequency(RF) signal or RF signal is converted into the IF signal completely only by one Schottky barrier diode without using conventionally required circulator and directional coupler, concerning an NRD guide frequency converter used for radio communication equipment.例文帳に追加
無線通信機器で使用されるＮＲＤガイド周波数変換器において、従来使用されているサ−キュレ−タ−と方向性結合器を用いず、ショットキ−バリアダイオ−ドが一つで済む、中間周波数信号を無線周波数信号に変換する、あるいは無線周波数信号を中間周波数信号に変換する、低コストなＮＲＤガイド周波数変換器を提供することを目的とする。 - 特許庁
A fabrication process of a Schottky barrier diode comprises a step for forming an n-type SiC layer 10, a step for forming a trench 30 on the surface of the n-type SiC layer 10, and a step for heat treating the n-type SiC layer 10 while supplying silicon and nitrogen to the surface of the n-type SiC layer 10 after the step for forming a trench 30.例文帳に追加
ショットキーバリアダイオードの製造方法は、ｎ型ＳｉＣ層１０を形成する工程と、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にトレンチ３０を形成する工程と、トレンチ３０を形成する工程の後で、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にケイ素と窒素とを供給した状態でｎ型ＳｉＣ層１０を熱処理する工程とを備えている。 - 特許庁
An n--type low impurity-concentration semiconductor layer 2 is epitaxially gown on an n+-type high impurity-concentration semiconductor substrate 1, a plurality of p+-type semiconductor regions 6 are provided on the surface side of the semiconductor layer 2, and a metal layer 3 which forms the semiconductor layer 2 and a Schottky barrier is provided on the surface of the p+-type semiconductor region 6 and semiconductor layer 2.例文帳に追加
ｎ^+ 形である高不純物濃度の半導体基板１上にｎ^- 形である低不純物濃度の半導体層２がエピタキシャル成長され、その半導体層２の表面側に複数個のｐ^+ 形の半導体領域６が設けられ、半導体層２およびｐ^+ 形の半導体領域６の表面に、半導体層２とショットキーバリアを形成する金属層３が設けられている。 - 特許庁
A phototransistor forming a Schottky barrier diode between the base and collector by the contact of the exposed region 11 with the base electrode 6 on a semiconductor substrate 1 composing a collector layer exposed to the surface is surrounded by the metallic layers 7, 8, 9 in an emitter potential almost at the whole periphery of the base electrode 6.例文帳に追加
表面に露出したコレクタ層を構成する半導体基板１の露出領域１１とベース電極６との接触によりベース・コレクタ間にショットキーバリアダイオードを形成してなるフォトトランジスタにおいて、前記ベース電極６の略全周囲近傍をエミッタ電位の金属層７、８、９にて取り囲んでなることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for improving the resistivity of a drift layer in a semiconductor substrate, mitigating an electric field in a vertical direction in a Schottky barrier diode region and improving a backward withstand voltage while reducing on-state resistance at the time of forward bias of a field effect transistor.例文帳に追加
電界効果トランジスタの順バイアス時におけるオン抵抗を小さく抑制しながら、半導体基板中のドリフト層の比抵抗を高めてショットキーバリアダイオード領域における垂直方向の電界を緩和し、逆方向耐圧を向上させることが可能な構成の半導体装置を提供する。 - 特許庁
In a non-insulating type DC-DC converter wherein a power MOSFET for high side switch and a power MOSFET for low side switch are connected in series, the power MOSFET for low side switch and a Schottky barrier diode D1 connected in parallel with the power MOSFET for low side switch are formed in the same semiconductor chip 5b.例文帳に追加
ハイサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとが直列に接続された回路を有する非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、ローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴと、そのローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴに並列に接続されるショットキーバリアダイオードＤ１とを同一の半導体チップ５ｂ内に形成した。 - 特許庁
The side emission semiconductor element comprises an AlGaN layer of which Mg is doped down to 5×10^19 cm^-3 or less in concentration, a stripe ridge formed at the upper part of the lamination structure including the AlGaN layer and an active layer, and a Schottky barrier formed on the upper surface of the lamination structure other than the ridge where the AlGaN layer is exposed.例文帳に追加
本発明に係る側面発光半導体素子は、Ｍｇの濃度が、５×１０^19ｃｍ^-3以下にドープされたＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層及び活性層を含む積層構造の上部に形成されるストライプ状のリッジと、ＡｌＧａＮ層が露出するリッジ以外の積層構造の上面に形成されるショットキーバリアとを備える。 - 特許庁
When a semiconductor substrate 11 composed of 4H-SiC having a crystal structure of a hexagonal crystal, gate trenches (first trenches) 21 and Schottky barrier trenches (second trenches) 22 each having a predetermined trench width are alternately arranged at a distance from each other in a surrounding manner in a shape of a regular hexagon.例文帳に追加
結晶構造として六方晶を成す４Ｈ−ＳｉＣで構成された半導体基板１１を用いた際に、ゲートトレンチ（第１トレンチ）２１とショットキーバリアトレンチ（第２トレンチ）２２とは、それぞれ所定の溝幅で互いに所定の間隔をあけて交互に取り囲む正六角形となるように形成される。 - 特許庁
Since a bump is not formed in a rejectable unit, the Schottky barrier side electrode 3 is connected from the external output electrode 4 to the bump 11, the wiring layer 13 on a wiring board 12 and an external lead 13a in parallel with the outside, and only the external output electrode 4 of an acceptable unit 10 is connected in parallel.例文帳に追加
不良品ユニットにはバンプが形成されていないので、ショットキーバリア側電極３は外部出力電極４からバンプ１１、配線基板１２の配線層１３、外部リード１３ａへと外部と並列接続され、良品のユニット１０の外部出力電極４のみが並列に接続されている。 - 特許庁
A solar cell 1 is a so-called dry solar cell, and it comprises a substrate 2, a first electrode 3 placed on the upper surface of the substrate 2, a film-like semiconductor 4 placed on the upper surface of the first electrode 3, and a second electrode 5 on the upper surface of the semiconductor 4, and a Schottky barrier on the boundary between the second semiconductor 5 and semiconductor 4.例文帳に追加
太陽電池１は、いわゆる乾式太陽電池と呼ばれるものであり、基板２と、基板２の上面に設置された第１の電極３と、第１の電極３の上面に設置された膜状の半導体４と、半導体４の上面に設置された第２の電極５とで構成され、第２の電極５と半導体４との界面にはショットキー障壁が形成されている。 - 特許庁
This Schottky barrier diode has an anode electrode, having unevenness on one surface, a p-type semiconductor layer which is jointed with a 1st region on the other surface of the anode electrode, an n-type semiconductor layer which is jointed with a 2nd region on the other surface of the anode electrode, and a cathode electrode and a projection part of the anode electrode is positioned above the p-type semiconductor layer.例文帳に追加
一方の面に凹凸が付されたアノード電極と、アノード電極の他方の面の第１の領域に接合されたｐ型半導体層と、アノード電極の他方の面の第２の領域に接合されたｎ型半導体層と、カソード電極とを備えたショットキーバリアダイオードであって、アノード電極の凸部分が、ｐ型半導体層の上に位置するよう配置されているショットキーバリアダイオード等を提供する。 - 特許庁
This flat display device has a plurality of electric field emission type cathodes K, a high voltage electrode which fixedly supplies an intense electric field forms a Schottky barrier which makes possible electrons being emitted from the cathodes K to the surfaces of the cathodes K, a two dimensional MOS gate array which controls electron emission from the cathodes K, and a phosphor layer which glows by impacts of electrons selectively emitted from the cathodes K.例文帳に追加
複数の電界放出型カソードＫと、その複数のカソードＫの表面に、その複数のカソードＫからの電子放射を可能にし得るショットキーバリアを形成する強電界を固定的に与える高圧電極と、複数のカソードＫに接続され、その複数のカソードＫからの電子の放射の有無を制御する２次元ＭＯＳゲートアレイと、複数のカソードＫから選択的に放出された電子の衝撃によって、光輝せしめられる蛍光体層Ｐとを有する。 - 特許庁
The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加
電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁
| 意味 | 例文 (463件) |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
