「SCHOTTKY BARRIER」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The barrier layers 24 can be formed by using AlGaN, etc., which forms a Schottky junction with the p-electrode 26.例文帳に追加

電流障壁層２４は、ｐ電極２６とショットキ接合するＡｌＧａＮ等によって形成することができる。 - 特許庁

In order to vary the gate potential, the barrier height of a gate Schottky junction interface surface is smaller than the energy of an emitted light.例文帳に追加

ゲートポテンシャルを変化させるべく、ゲートショットキー接合界面の障壁高さを照射光のエネルギーよりも小さくしている。 - 特許庁

To reduce on-resistance of a field-effect transistor and to suppress leakage current in a Schottky barrier diode.例文帳に追加

電界効果型トランジスタ部のオン抵抗を下げ、かつショットキーバリアダイオード部のリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To provide a Schottky-barrier type ZnO-based semiconductor device having a further reduced leakage current and improved electrical characteristics.例文帳に追加

リーク電流をより小さくし、かつ、電気的特性を改善したショットキーバリア型のＺｎO系半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier GaN-based semiconductor light-receiving element, in which the surface leakage current is suppressed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

表面リーク電流が抑制されたショットキー障壁型のＧａＮ系半導体受光素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing silicon carbide Schottky barrier diodes having uniform characteristics by reducing variations in their forward characteristics.例文帳に追加

順方向特性のばらつきを低減し、特性の揃った炭化珪素ショットキバリアダイオードの製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which can reduce leak current, while restraining rise of ON-resistance.例文帳に追加

オン抵抗の上昇を抑える共に、リーク電流を低減することが可能なショットキバリアダイオードの提供。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode using a group III nitride semiconductor which has a low on resistance and a high withstanding voltage.例文帳に追加

低オン抵抗・高耐圧を有しIII族窒化物半導体を用いるショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode, whose breakdown voltage does not decrease by reducing the thickness of an epitaxial layer, to thereby reduce the forward bias voltage.例文帳に追加

エピタキシャル層の厚みを薄くして順方向電圧を低くし、耐圧も低下することがないショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode whose parasitic current is small as compared with its output current and which has good characteristics.例文帳に追加

出力電流に対して寄生電流が低く、特性の良いショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

An SBD (Schottky Barrier Diode) 1 includes a SiC substrate 10 and an n-SiC layer 20 formed on one main surface 10A of the SiC substrate 10.例文帳に追加

ＳＢＤ１は、ＳｉＣ基板１０と、ＳｉＣ基板１０の一方の主面１０Ａ上に形成されたｎ−ＳｉＣ層２０とを備えている。 - 特許庁

A cathode of the first Schottky barrier diode 21 is connected to a cathode of the first PN junction diode 11a.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード２１のカソードは、第１のＰＮ接合ダイオード１１ａのカソードに接続されている。 - 特許庁

An electromagnetic wave detecting device comprises a Schottky barrier diode 111, 112 and an antenna which are provided on a substrate 11.例文帳に追加

電磁波検出素子は、基板１１に設けられたショットキーバリアダイオード１１１、１１２とアンテナとを含む。 - 特許庁

A first Schottky barrier diode 21 as an unipolar device is connected in parallel to a first PN junction diode 11a as a bipolar device.例文帳に追加

バイポーラデバイスであるＰＮ接合ダイオード１１ａに、ユニポーラデバイスであるショットキーバリアダイオード２１が並列に接続されている。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave detecting device capable of reducing an impedance mismatch between a Schottky barrier diode and an antenna.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードとアンテナとのインピーダンスミスマッチを低減することができる電磁波検出素子を提供する。 - 特許庁

The Schottky barrier diode is provided between the first conductive element and the second conductive element in a manner electrically connecting these elements to each other.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードが、第一導電要素と第二導電要素との間に電気的に接続されて設けられる。 - 特許庁

To provide a selfscanning type light emitting element array, in which the characteristic of Schottky barrier diode that connects between gates of a light emitting thyristor is excellent.例文帳に追加

発光サイリスタのゲート間を結合するショットキーバリアダイオードの特性が良好な自己走査型発光素子アレイを提供する。 - 特許庁

To provide a technique by which the lowering of the capacity of a Schottky barrier diode and the increase in the forward current can be satisfied simultaneously.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードの低容量化および高順方向電流化を同時に満たすことのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for both a lower capacity of a Schottky barrier diode and a larger current in forward direction.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードの低容量化および高順方向電流化を同時に満たすことのできる技術を提供する。 - 特許庁

To realize a Schottky barrier diode in which the chip size is comparatively small, current capacity is large and forward voltage is low.例文帳に追加

比較的小さなチップサイズで、電流容量が大きく順方向電圧の小さいショットキバリアダイオードを実現可能とする。 - 特許庁

Further, the Schottky barrier diode 1 is provided with an insulating layer 4 formed on the surface 3a of the GaN epitaxial layer 3 with an opening formed thereon.例文帳に追加

また、ＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａ上に形成され、開口部が形成されている絶縁層４を備える。 - 特許庁

To provide a Schottky-barrier semiconductor device which provides low forward current-voltage characteristics in a wide range from a low current to a high current.例文帳に追加

低電流から大電流に渡り低順方向電流電圧特性を得るショットキーバリア型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To achieve an originally expected SN by driving a Schottky barrier diode (SBD) thermistor by an unsaturated low voltage.例文帳に追加

ＳＢＤサーミスタを飽和に至らない低電圧で駆動することで本来期待されていたＳ／Ｎを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of enhancing Hall mobility, and of reducing Schottky barrier in a p-type MOSFET structure.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳＦＥＴ構造で、ホール移動度を向上するとともに、ショットキバリアを低減することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Even if a defective part is generated at the first Schottky barrier electrode 30a when sputter film-forming or patterning Ti, Ti is so film-formed as to cover the defective part in the forming process of the second Schottky barrier electrode 30b.例文帳に追加

Ｔｉをスパッタ成膜したりパタニングしたりするときに第一のショットキー障壁電極３０ａに欠損部分が生じても、第二のショットキー障壁電極３０ｂの形成工程において、欠損部分をカバーするようにＴｉが成膜される。 - 特許庁

Immediately beneath the InGaP gate forming layer 16, an AlGaAs Schottky barrier layer 15 is formed, so that when Ti in the gate electrode 20 happens to penetrate into the InGaP gate forming layer 16 during heat processing, Ti is stopped by the AlGaAs Schottky barrier layer 15.例文帳に追加

ＩｎＧａＰゲート形成層１６の直下にＡｌＧａＡｓショットキー障壁層１５を形成し、熱処理時にゲート電極２０中のＴｉがＩｎＧａＰゲート形成層１６に浸入するとき、これがＡｌＧａＡｓショットキー障壁層１５で停止するようにした。 - 特許庁

The classical and semiclassical transport equations are solved using a corrected Schottky barrier potential obtained by varying the Schottky barrier potential so that the classical carrier density and all-carrier density become equal to each other, and electric characteristics of the MOSFET are simulated.例文帳に追加

古典的キャリア密度が全キャリア密度と等しくなるように、ショットキー障壁ポテンシャルを変更した補正ショットキー障壁ポテンシャルを用い、古典的・半古典的な輸送方程式を解き、ＭＯＳＦＥＴの電気的特性をシミュレーションする。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 2 has a lower saturation voltage and a shorter recovery time than those of the diode 8 for antistatic protection, so the voltage is clipped at a voltage, at which the diode 8 for antistatic protection will not act against the counter electromotive force from the Schottky barrier diode 2.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード２は静電保護用ダイオード８に比べて、飽和電圧が低く、回復時間も短い為、ショットキーバリアダイオード２からの逆起電力による静電保護用ダイオード８のターンオン動作をさせない電圧でクリップする。 - 特許庁

To provide a SBD(Schottky Barrier Diode) element where the Schottky contact area is increased, by providing it with a trench groove on the surface of silicon, and also where the forward voltage VF is small and its control is easy, by using plural kinds of barrier metals different in work function.例文帳に追加

シリコン表面にトレンチ溝を設けてショットキー接触面積を増大すると共に、仕事関数の異なる複数種類のバリア金属を用いることで、順方向電圧ＶＦが小さく且つその制御が容易なＳＢＤ素子を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which four Schottky barrier diodes are combined in a bridge on a silicon substrate, with low voltage and small power consumption at a low cost, while the voltage rise in forward direction of the Schottky barrier diodes is small in the voltage-current characteristics.例文帳に追加

シリコン基板上のショットキーバリアダイオードをブリッジ型に４つ組み合わせた半導体装置の各ショットキーバリアダイオードの電圧−電流特性における順方向の立ち上がり電圧が小さく、低電圧低消費電力低コストの装置の提供。 - 特許庁

To provide a superjunction Schottky barrier diode including a parallel p-n layer where a first-conductivity region and a second-conductivity region are alternately arranged, the Schottky barrier diode relaxing a surface electric field and reducing a leakage current.例文帳に追加

第一導電型領域と第二導電型領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を備える超接合ショットキーバリアダイオードにおいて、表面電界を緩和し、漏れ電流の低減するショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide an N-type Schottky barrier penetrating transistor of high performance which is stable and has low schottky barrier to electrons by forming a schottky junction on a silicon 111 plane generated through anisotropic etching (in a semiconductor having a crystal structure, a mirror index indicating its crystal orientation).例文帳に追加

異方性エッチングを通じて生成されるシリコン１１１面（結晶構造を有する半導体においてその結晶方向を示すミラー指数）にショットキー接合を形成させることによって、安定的で、且つ電子に対して低いショットキー障壁を有する高性能のＮ−型ショットキー障壁貫通トランジスタを提供する。 - 特許庁

The Schottky structure to be formed on the gallium arsenide semiconductor is formed of the gallium arsenide semiconductor substrate, a titanium metal layer to form distributed Schottky contacts on the gallium arsenide semiconductor substrate, a diffused barrier layer to prevent diffusion of metal layer through distribution on the titanium metal layer, and cuprous metal layer distributed on the diffused barrier layer to form the Schottky structure.例文帳に追加

ヒ化ガリウム半導体基板と、該ヒ化ガリウム半導体基板上に分布してショットキー・コンタクトを形成するチタン金属層と、該チタン金属層上に分布して金属層の拡散を防ぐ拡散バリア層と、該拡散バリア層上に分布してショットキー構造を形成する第１銅金属層とによりヒ化ガリウム半導体上に形成されるショットキー構造を構成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first and a second Schottky barrier diode D1 and D2, which are connected in parallel and are different types and have barrier metals of different areas.例文帳に追加

互いに並列に接続され、それぞれ異なる種類でかつ異なる面積のバリアメタルを有する第１および第２のショットキーバリアダイオードＤ１、Ｄ２とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A Schottky barrier semiconductor device comprises embedded semiconductor layers serving as a junction barrier 5 provided outside a guard ring 4 and at a predetermined depth from a surface of a first semiconductor layer.例文帳に追加

ショットキーバリア型半導体装置において、ガードリング４の外側で、第１の半導体層の表面から所定の深さに配設されたジャンクションバリア５としての埋め込み半導体層を具備する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Schottky barrier diode whose barrier height can be easily regulated and hardly changes even in an after soldering process.例文帳に追加

バリアハイトの調整が容易で、後工程のはんだ工程においてもバリアハイトが変化しにくいショットキーバリアダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor pressure sensor is constituted of both a Schottky barrier diode element 10 made of a barrier film 1, an electrode film 2, and an n-type semiconductor substrate 3 and a seating part 4.例文帳に追加

半導体圧力センサは、バリア膜１、電極膜２、ｎ型半導体基板３からなるショッキーバリアダイオード素子１０と台座部４とで構成されている。 - 特許庁

To provide a structure whose barrier metal cannot be peeled off, in a Schottky barrier type semiconductor device where the termination treatment of a depletion layer has been made by utilizing field plate structure and in the method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

フィールドプレート構造を利用して空乏層の終端処理が施されたショットキーバリア型半導体装置とその製造方法において、バリアメタルが剥がれない構造を提供する。 - 特許庁

The Schottky metal layer 15 includes a barrier layer comprising a metal-nitride containing polycrystalline metal layer 32 containing a metal nitride layer 32b, and a metal layer 31 laminated on the barrier layer.例文帳に追加

ショットキ金属層１５は、金属窒化物層３２ｂを含む金属窒化物含有多結晶金属層３２からなるバリア層と、これに積層された金属層３１とを有している。 - 特許庁

The junction barrier region includes: a first silicon carbide region having a first doping concentration in the drift region of the diode; and a second silicon carbide region disposed between the first silicon carbide region and a Schottky contact of the Schottky diode, in the drift region.例文帳に追加

この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２の炭化シリコン領域とを含む。 - 特許庁

The Schottky diode is composed of a semiconductor substrate whose surface is a first crystal orientation plane, and a metallic part that is made of metallic atoms introduced through the surface of the semiconductor substrate to form a Schottky barrier on the second crystal orientation plane of the semiconductor substrate.例文帳に追加

表面が第一の結晶方位面の半導体基板と、前記半導体基板の表面から侵入した金属原子からなり、前記半導体基板の第二の結晶方位面でショットキー障壁を形成する金属部とを有することを特徴とするショットキーダイオードによって解決する。 - 特許庁

To prevent a deterioration of a metal and a metal oxide of a gate electrode or a gate insulating film due to a high temperature process, in manufacturing a field effect transistor (Schottky barrier MOSFET) utilizing a Schottky tunnel junction useful for an ULSI.例文帳に追加

ULSIに有用なショットキー・トンネル接合を利用した電界効果型トランジスタ（ショットキー障壁型MOS FET ）の製造において、ゲート電極やゲート絶縁膜の金属及び金属酸化物が高温プロセスにより劣化するのを防止する。 - 特許庁

The semiconductor device 200 is a trench gate type semiconductor device in which the Schottky barrier diode and the power MOS are formed on the same substrate, wherein a Schottky range and a MOS range are alternately arranged using a trench gate 21 as a boundary.例文帳に追加

半導体装置２００は，ショットキバリアダイオードとパワーＭＯＳトランジスタとが同一基板上に形成されたトレンチゲート型半導体装置であり，ショットキ領域とＭＯＳ領域とがトレンチゲート２１を境界として交互に配置されている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that reduces the anode electrode area, while ensuring a Schottky junction area, suppresses the increase in the reverse leakage current accompanying the reduction in the anode electrode area by an isolation embedded layer, and further can appropriately maintain linearity in the forward direction.例文帳に追加

ショットキー接合面積を確保しながらアノード電極面積を縮小し、それに伴う逆方向リーク電流の増大を分離埋め込み層により抑制し、しかも、順方向の直線性を良好に維持することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes an epitaxial layer 4 in which a plurality of trenches 7 are formed by digging from a surface and mesas 8 are formed between the adjacent trenches 7, and a Schottky metal 11 formed in contact with the surface of the epitaxial layer 4 including an inner wall surface of the trenches 7.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１は、表面から掘り下げた複数のトレンチ７が形成され、隣接するトレンチ７の間にメサ部８が形成されたエピタキシャル層４と、トレンチ７の内壁面を含むエピタキシャル層４の表面に接するように形成されたショットキメタル１１とを含む。 - 特許庁