「SCHOTTKY BARRIER」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF FORMING BURIED LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体装置の埋込み層形成方法、ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

The mounts at an equal space of Schottky barrier diodes 11a-11d using SiC substrates are performed.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を用いたショットキバリアダイオード１１ａ〜１１ｄを等間隔に実装する。 - 特許庁

The semiconductor chip is mounted on a substrate of a package to form a Schottky barrier on the reverse surface.例文帳に追加

また、その裏面にショットキー障壁を形成するようにパッケージの基板にマウントする。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which has high ESD resistance and a small backward leakage current.例文帳に追加

ＥＳＤ耐量が高く、逆方向漏れ電流の少ないショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

SILICON-CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

InP-BASED HEMT WITH SCHOTTKY BARRIER WHERE PERCENTAGE OF ALUMINUM VARIES SLANTINGLY例文帳に追加

アルミニウムのパーセンテージが傾斜して変化するショットキー障壁を有するＩｎＰ系ＨＥＭＴ - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which has a low ON resistance and a small chip size.例文帳に追加

オン抵抗が低くチップサイズが小さいショットキーバリアダイオードを提供すること。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier tunnel transistor and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an n-type schottky barrier tunnel transistor and a method of fabricating the same.例文帳に追加

ｎ型ショットキー障壁貫通トランジスタ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which well operates in response to a high-frequency signal.例文帳に追加

高周波の信号に応じて精度よく動作するショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

METHOD FOR JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE, DIODE AND METHOD OF OPERATION THEREOF例文帳に追加

ジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードに関する方法と、そのダイオードおよびその使用方法 - 特許庁

The surface negative electrode 7 and the barrier layer 6 are subjected to Schottky junction.例文帳に追加

また、表面負電極７を障壁層６とはショットキー接合されている。 - 特許庁

A Schottky barrier ϕBn_2 satisfies a relation of 1.06 eV<ϕBn_2.例文帳に追加

上記ショットキー障壁φＢｎ_２は、１．０６ｅＶ＜φＢｎ_２という関係を満足する。 - 特許庁

To make a nitride-based Schottky barrier diode high in breakdown voltage and to reduce a leakage current.例文帳に追加

窒化物系ショットキーバリアダイオードを高耐圧化し、且つリーク電流が低減する。 - 特許庁

An SBD (Schottky barrier diode) chip 3 is fixed on the conductive plate 17 via an anisotropic conductive film 22.例文帳に追加

導電プレート１７上に異方性導電膜２２を介してＳＢＤチップ３が固着されている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which is formed of superior crystals and equipped with a substrate having no dry spot.例文帳に追加

基板の荒れがなく、良質な結晶のショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode having comprehensively superior leakage characteristics and withstanding voltage characteristics.例文帳に追加

リーク特性および耐圧特性が総合的に優れたショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

An SBD (Schottky barrier diode) chip 3 is fixed on the die pad 17 via an anisotropic conductive film 21.例文帳に追加

ダイパッド１７上に異方性導電膜２１を介してＳＢＤチップ３が固着されている。 - 特許庁

A Schottky barrier ϕBn_1 between the n^- semiconductor layer 2 and the Schottky electrode 3 satisfies 0.68 eV<ϕBn_1<1.05 eV, and Schottky contact thereof can be secured even at a temperature of 250°C.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２とショットキー電極３との間のショットキー障壁φＢｎ_1が、０．６８ｅＶ＜φＢｎ_1＜１．０５ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも、そのショットキー接触を確保できる。 - 特許庁

A Schottky barrier ϕBn_1 satisfies a relation of 0.68 eV<ϕBn_1<1.05 eV, and even at 250°C, the Schottky contact of the Schottky electrode 5 with the n^--type semiconductor layer 2 is secured.例文帳に追加

上記ショットキー障壁φＢｎ_1が、０．６８ｅＶ＜φＢｎ_1＜１．０５ｅＶという関係を満足し、かつ２５０℃の温度でもショットキー電極５とｎ^-半導体層２とのショットキー接触を確保できる。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode where a Schottky metal 5 can be prevented from separating from an insulating film 4 due to the fact that bonding between the Schottky metal 5 and the insulating film 4 is not high enough in strength.例文帳に追加

ショットキメタル５と絶縁被膜４との接着強度が小さいことに起因するショットキメタル５と絶縁被膜４の剥離現象を防止したショットキバリアダイオードを提供することを目的とする。 - 特許庁

Each of the Schottky barrier diodes D1, D2, D3, and D4 is formed of a barrier film, an electrode, and the semiconductor substrate.例文帳に追加

各ショットキーバリアダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、バリア膜、電極、半導体基板で構成されている。 - 特許庁

The potential barrier region 12 comprises, for example, a metal layer 12a and a semiconductor layer 12b, between which a Schottky barrier is formed.例文帳に追加

ポテンシャル障壁領域１２は例えば金属層１２ａおよび半導体層１２ｂからなり、それらの間にショットキー障壁が形成される。 - 特許庁

The Schottky barrier diode which has high performance can be formed by varying the impurity density of the cathode area of the Schottky barrier diode nearby its Schottky junction and cathode electrode and further using a trench structure and heavily doped polycrystalline silicon for the cathode electrode.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードのカソード領域の不純物濃度を、ショットキ接合近傍とカソード電極近傍で変え、さらにカソード電極をトレンチ構造と高濃度多結晶シリコンを用いることにより、高性能なショットキーバリアダイオードを形成できることを特徴とする。 - 特許庁

A first barrier metal layer 17, which forms a first Schottky barrier with silicon, is made inclusive of the sidewall of the trench groove 16, and further a second barrier metal layer 17, which covers the first barrier metallic layer and besides forms Schottky contact with the silicon in the opening, is made.例文帳に追加

トレンチ溝１６の側壁を含めてシリコンと第１のショットキー障壁を形成する第１のバリア金属層１７を形成し、更に第１のバリア金属層を被覆して且つ開口部１４のシリコンと第２のショットキー接触を形成する第２のバリア金属層１７を形成する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode wherein the peeling of a metal layer which covers an oxide film in contact is suppressed even when platinum is used as a Schottky barrier metal.例文帳に追加

ショットキーバリア金属として白金を用いた場合でも、酸化膜に接触して覆う金属層の剥がれを抑制することのできるショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

In the pulse modulator for a nonradiative dielectric line, a metallic member 8 having a face opposed to a Schottky barrier diode 7 is arranged closely on the side opposite to a mode suppressor 1b of the Schottky barrier diode 7.例文帳に追加

非放射性誘電体線路用のパルス変調器において、ショットキーバリアダイオード７のモードサプレッサ１ｂと反対側に、ショットキーバリアダイオード７に対向する面を有する金属部材８が近接配置されている。 - 特許庁

A metal layer 14 for Schottky barrier is formed on the surface of the epitaxial layer 3 and a P type diffusion layer 7 is formed under the end 20 of the metal layer 14 for Schottky barrier.例文帳に追加

エピタキシャル層３表面にはショットキーバリア用金属層１４が形成され、ショットキーバリア用金属層１４の端部２０の下方にはＰ型の拡散層７が形成されている。 - 特許庁

A metal layer 14 for Schottky barrier is formed on the surface of the epitaxial layer 3 and a P type diffusion layer 9 is formed under the end 20 of the metal layer 14 for Schottky barrier.例文帳に追加

エピタキシャル層３表面にはショットキーバリア用金属層１４が形成され、ショットキーバリア用金属層１４の端部２０の下方にはＰ型の拡散層９が形成されている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a Schottky barrier diode, with which a leakage current when applying a reverse voltage can be reduced, and a Schottky barrier diode.例文帳に追加

逆方向電圧印加時の漏れ電流を低減することができるショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a Schottky barrier diode deteriorates in diode characteristics and so on owing to mechanical damage due to a load and ultrasonic vibration when wire bonding to an anode electrode of the Schottky barrier diode is carried out.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードのアノード電極にワイヤボンディングする時の荷重と超音波振動による機械的ダメージにより、ダイオード特性が劣化するなどの問題が発生していた - 特許庁

To provide a junction barrier Schottky diode which can make compatible the reduction of a leakage current and the increase of an on-current while avoiding the reduction of a breakdown voltage of the junction barrier Schottky diode.例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキーダイオードの耐圧を低下させることなく、リーク電流の低減とオン電流の増大を両立したダイオードを提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SCHOTTKY BARRIER DIODE, LIGHT-EMITTING DIODE, LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THESE MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SCHOTTKY BARRIER DIODE, LIGHT-EMITTING DIODE, LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THESE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法 - 特許庁

Since a difference between the barrier height of the first Schottky electrode 5 and the barrier height of the second Schottky electrode 6 is made smaller than the difference of barrier heights when both the electrodes of the same material in the same process are formed, the on-resistance is further reduced.例文帳に追加

第１ショットキー電極５のバリアハイトと第２ショットキー電極６のバリアハイトとの差分を、両者に同じ材料でかつ同じ製法からなる電極を形成した場合のバリアハイトの差分よりも小さくするため、オン抵抗をより低減できる。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device, a diode bridge circuit having Schottky barrier diodes and a peripheral circuit having MOS transistors are formed on an identical silicon substrate, and a Schottky barrier as an constituent element of the Schottky barrier diode is made of a silicide layer.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードで構成されるダイオードブリッジ回路と、ＭＯＳ型トランジスタで構成される周辺回路とが、同一のシリコン基板上に形成され、ショットキーバリアダイオードの構成要素であるショットキーバリアがシリサイド層からなることを特徴とする半導体集積回路装置により上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having Schottky junction structure superior in backward direction characteristic, without sacrificing the forward direction characteristic, a Schottky barrier diode, and a semiconductor substrate for forming a Schottky junction for forming the diode.例文帳に追加

順方向特性を犠牲にすることなく、優れた逆方向特性を備えたショットキー接合構造を有する半導体素子およびショットキーバリアダイオードと、これを形成するためのショットキー接合形成用半導体基板を提供する。 - 特許庁

The diodes 12, 16 are the ones integrally formed with the Schottky gate HFET and are constituted as Schottky barrier diodes comprising an n+ GaAs cap layer formed on a GaAs substrate and a Schottky electrode formed on the n+ GaAs cap layer.例文帳に追加

ダイオード１２、１６は、ショットキーゲートＨＦＥＴと一体的に形成されたダイオードであって、ＧａＡｓ基板上に成膜されたｎ^^+ −ＧａＡｓキャップ層と、ｎ^+ −ＧａＡｓキャップ層上に形成されたショットキー電極とからなるショットキーバリア・ダイオードとして構成されている。 - 特許庁

To provide a silicon carbide Schottky junction semiconductor device capable of controlling a Schottky barrier height to a desired value, in a range of making a power loss minimum without increasing n-factors while using a Ta electrode as a Schottky electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

ｎ因子を増加させることなく、ショットキー障壁高さを電力損失が最小となる範囲内において所望の値に制御可能な、ショットキー電極としてＴａ電極を用いた炭化珪素ショットキー接合型半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Because the Schottky electrode 24 is Schottky-connected with the N-silicon region 21, an electrode material compatible with a semiconductor process can be used, and therefore, it is possible to form the Schottky barrier diode 20 on a semiconductor substrate 11 identical to that of the vertical P-channel power MOSFET 10.例文帳に追加

ショットキー電極２４は、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続するため、半導体プロセスと整合性のある電極材料を用いることができるので、縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ１０と同一半導体基板１１上にショットキーバリアダイオード２０を形成することができる。 - 特許庁

A Schottky diode comprises an n-type semiconductor substrate 1, a Schottky electrode 3, and a p-type diffusion layer 2 serving as a leakage restraining structure for restraining a leakage current by producing a barrier layer when a reverse bias voltage is applied to between the Schottky electrode 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードは、Ｎ型半導体基板１と、ショットキ電極３と、ショットキ電極３と半導体基板１との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのＰ型拡散層２とを備える。 - 特許庁

Tunneling state density by the quantum-mechanical tunneling effect through a Schottky barrier potential of the Schottky source/drain MOSFET is calculated.例文帳に追加

ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴのショットキー障壁ポテンシャルの、量子力学的トンネル効果によるトンネル状態密度を計算する。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode 1, a guard ring 13 contacting a Schottky metal 9 of the anode electrode 7 is formed in a surface portion of the SiC epitaxial layer 4.例文帳に追加

このショットキーバリアダイオード１において、ＳｉＣエピタキシャル層４の表層部に、アノード電極７のショットキーメタル９に接するガードリング１３を形成する。 - 特許庁

There are also provided: a silicon carbide Schottky diode including a silicon carbide junction barrier region disposed within a drift region of the diode; and a method for manufacturing the silicon carbide Schottky diode.例文帳に追加

ダイオードのドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域を含む炭化シリコンショットキーダイオード、およびこの炭化シリコンショットキーダイオードを製造する方法も提供される。 - 特許庁

To constitute a Schottky barrier diode element which allows high-speed operation with lower forward voltage by allowing a Schottky contact surface to be partially low impurity concentration.例文帳に追加

ショットキー接触面を部分的に低不純物濃度にすることにより、高速動作が可能で順方向電圧ＶＦが小さいＳＢＤ素子を構成する。 - 特許庁

This Schottky-barrier diode 1 is provided with: a GaN epitaxial layer 3 formed on a GaN self-standing substrate 2; a Schottky electrode 5, an insulation layer 4, and an electrode part 7.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ＧａＮ自立基板２上に形成されたＧａＮエピタキシャル層３と、ショットキー電極５と、絶縁層４と、電極部分７とを備える。 - 特許庁