「SCHOTTKY BARRIER」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An opening part 14 is formed at an oxide film on the surface of the epitaxial layer 12, a barrier metal layer 16 which forms a Schottky barrier along with a silicon is formed on the surface of the epitaxial layer 12 at the opening part 14, further an aluminum electrode 17 which coats the barrier metal layer 16 is formed.例文帳に追加

エピタキシャル層１２表面の酸化膜に開口部１４を形成し、開口部１４のエピタキシャル層１２表面にシリコンとショットキー障壁を形成するバリア金属層１６を形成し、更にバリア金属層１６を被覆するアルミ電極１７を形成する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode where a forward current can be increased for inhibiting leakage current, and electrical characteristics per unit area can be varied, without changing the concentration of a semiconductor substrate and the metal of a metal electrode, and an integrated circuit that incorporates the Schottky barrier diode.例文帳に追加

順方向電流を増大しリーク電流を抑制することが可能となり、半導体基板濃度や金属電極の金属を変えることなく単位面積当たりの電気特性可変なショットキーバリアダイオード及びそのショットキーバリアダイオードを内蔵した集積回路を提供することを目的としている。 - 特許庁

This semiconductor device loaded with the field effect transistor and a Schottky barrier diode within the same semiconductor substrate is provided with an embedded dope layer of a second conductivity type embedded with prescribed pitches at a prescribed depth in the drift layer of a first conductivity type in the Schottky barrier diode region.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、同一半導体基板内に電界効果トランジスタ及びショットキーバリアダイオードを搭載した半導体装置が、ショットキーバリアダイオード領域における第一導電型のドリフト層中の所定の深さに所定のピッチで埋め込まれた第二導電型の埋込ドープ層を備えているものである。 - 特許庁

Since a control circuit 9 keeps a transistor 4 in a blocking state while detecting abnormalities, a reflux current flows only in a Schottky barrier diode 5 to generate voltage drop by the Schottky barrier diode 5 when the transistor 4 becomes in the blocking state while a transistor 3 is in the blocking state.例文帳に追加

制御回路９は、異常を検出している間にはトランジスタ４を遮断状態に保持するので、トランジスタ３が遮断状態のときにトランジスタ４が遮断状態になると、還流電流がショットキーバリアダイオード５のみに流れ、ショットキーバリアダイオード５による電圧降下が発生する。 - 特許庁

Thereby, a Schottky barrier diode composing the SBD thermistor for detecting a change of a current flowing into the Schottky barrier diode configured by bringing a metal into contact with a semiconductor as a temperature change is driven by voltage in a range of ±0.1 V to be voltage in a voltage area of a non-saturation characteristic area.例文帳に追加

そのため、半導体に金属を接触させたショットキーバリアダイオードに流れる電流の変化を温度の変化として検出するショットキーバリアダイオード・サーミスタを構成するショットキーバリアダイオードを、非飽和特性領域の電圧領域の電圧である、±０.１Ｖの範囲内の電圧で駆動する。 - 特許庁

In manufacturing the Schottky barrier MOSFET, a damascene gate process for forming a gate electrode and a gate insulating film after a source/drain structure is formed is applied to the Schottky barrier MOSFET, so that the gate electrode and the gate insulating film may not be received with a high temperature heat treatment to thereby prevent the deterioration of the metal and the metal oxide for constituting the gate electrode and the gate insulating film.例文帳に追加

ショットキー障壁型MOS FET の製造において、ソース／ドレイン構造を形成した後にゲート電極およびゲート絶縁膜を作成するダマシンゲートプロセスをショットキー障壁型MOS FET に適用することにより、ゲート電極やゲート絶縁膜が高温の熱処理を受けないようにして、ゲート電極やゲート絶縁膜を構成する金属および金属酸化物が劣化するのを防止する。 - 特許庁

In the semiconductor device composed of a semiconductor wafer 1, an element isolation region 3 formed on the surface of this semiconductor wafer, a complementary MIS transistor formed on the semiconductor wafer and a Schottky barrier diode formed inside a region, which is surrounded with the element isolation region, on the semiconductor wafer, Schottky junction 8a comprising the Schottky barrier diode is formed away from the element isolation region for a fixed distance.例文帳に追加

半導体基板１と、該半導体基板表面に形成された素子分離領域３と、前記半導体基板上に形成された相補型ＭＩＳトランジスタと、前記素子分離領域に囲まれた半導体基板上の領域内に形成されたショットキーバリアダイオードとからなり、該ショットキーバリアダイオードを構成するショットキー接合８ａが前記素子分離領域から一定距離離れて形成されてなる半導体装置。 - 特許庁

An AlGaN barrier layer 2 is formed on a GaN channel layer 1, a source electrode 3 and a drain electrode 4 are formed thereon, and a gate electrode 5 forming Schottky junction with the barrier layer 2 is formed in a position between these two electrodes.例文帳に追加

ＧａＮチャネル層１上にＡｌＧａＮバリア層２が形成され、この上にソース電極３、ドレイン電極４が形成され、この２つの電極に挟まれた位置に、バリア層２とショットキー接合を形成するゲート電極５が形成されている。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode element 10, a depletion layer is generated in a contact surface on the side of the n-type semiconductor substrate 3 by bringing a barrier film 1 constituted of metal and the n-type semiconductor substrate 3 into contact with each other.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード素子１０において、金属で構成されるバリア膜１とｎ型半導体基板３とを接触させることで、ｎ型半導体基板３側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier penetration single electronic transistor capable of artificially adjusting a height and a width of a tunnel barrier without using any process like PADOX, and capable of further raising a current driving ability; and to provide a method of manufacturing the transistor.例文帳に追加

ＰＡＤＯＸのような工程を用いず、トンネル障壁の高さ及び幅を人為的に調節することができる上、電流駆動能力をさらに向上させることができるショットキー障壁貫通単電子トランジスタ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The resultant enhancement mode device (10) provides the excellent Schottky barrier having a high barrier, which prevents the unwanted surface depletion effect with a charge shield of the shield layer (22) in the region between the end of recessed part and the gate metal.例文帳に追加

結果として得られるエンハンスメントモードデバイス（１０）は、高バリヤー高さを有する優れたショットキーバリヤーを与え、それは、凹部端とゲート金属との間の領域におけるシールド層（２２）による電荷シールドを通じて望ましくない表面空乏効果を阻止する。 - 特許庁

The barrier conductor 8 on the bottom of a plug 11b is in contact with the n^--type semiconductor region 2 and the p^+-type semiconductor region 5 for connection with the p^+-type semiconductor region 5 in ohmic manner, and then Schottky junction is formed between the barrier conductor film and the n^--type semiconductor region 2.例文帳に追加

プラグ部１１ｂの底部のバリア導体膜８は、ｎ^−型半導体領域２とｐ^＋型半導体領域５の両者に接し、ｐ^＋型半導体領域５とオーミック接続するが、ｎ^−型半導体領域２との間にショットキ接合が形成されている。 - 特許庁

The barrier potential (33) at metal-to-semiconductor junction varies depending on the type of metal to be used (16), and using particular metals lowers the diode's Schottky barrier potential (33), results in a V_f in the range of 0.1-0.3 V.例文帳に追加

金属−半導体接合での障壁ポテンシャル（３３）は、使用する金属（１６）のタイプに応じて変動し、特定の金属を使用することにより、ダイオードのショットキー障壁のポテンシャル（３３）が下がり、Ｖ_fが０．１〜０．３Ｖの範囲となる。 - 特許庁

A vacuum deposition device is equipped with a wafer support substrate, a lamp heater, and a first and a second evaporation source that are all installed in the same vacuum device, and three processes of forming the barrier metal layer of the Schottky barrier diode, carrying out an annealing process, and forming a surface electrode are continuously carried out in the same vacuum device.例文帳に追加

同一真空装置内にウェハ支持基板、ランプヒーター、第１および第２の蒸発源を設置した真空蒸着装置を用い、ショットキーバリアダイオードのバリアメタル層形成、アニール処理、表面電極形成の３工程を同一真空装置内で連続して行う。 - 特許庁

Between a Schottky barrier metal layer and a metal electrode for external connection, at least one intermediate metal layer containing a metal selected from vanadium, chromium, zirconium and tantalum as a main component is held.例文帳に追加

ショットキーバリア金属層と外部接続用金属電極との間にバナジウム、クロム、ジルコニウムおよびタンタルから選ばれるいずれかの金属を主成分として含む中間金属層を少なくとも一層は挟む構成とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device having an electrode having high barrier height in a Schottky junction with a nitride semiconductor and high adhesion with the nitride semiconductor and a method for manufacturing the nitride semiconductor device.例文帳に追加

窒化物系半導体とのショットキー接合においてバリア高さが大きく、かつ窒化物半導体との密着性に優れた電極を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce device scale further compared with conventional devices in a semiconductor device which is equipped with MOS transistors and Schottky barrier diodes on a semiconductor substrate.例文帳に追加

同一半導体基板上にＭＯＳトランジスタとショットキーバリアダイオードを備えてなる半導体装置であって、その装置規模を従来のものと比較して更に縮小させる。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 1 includes an n-conductive type GaN substrate 2, an n-GaN epitaxial layer 3, and an ohmic electrode 6.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、導電型がｎ型であるＧａＮ基板２およびｎ−ＧａＮエピタキシャル層３と、オーミック電極６とを備える。 - 特許庁

The emitting element includes an emitter electrode, an extractor electrode, and a solid-state field controlled emitter that utilizes a Schottky metal/ semiconductor junction or barrier.例文帳に追加

その放出素子は、放出電極と、抽出電極と、ショットキー金属−半導体接合あるいは障壁を利用する固体電界制御式放出器とを含む。 - 特許庁

To provide a gallium nitride Schottky-barrier diode containing a gallium nitride semiconductor film being capable of controlling an electron concentration by a donor concentration and having a high resistivity.例文帳に追加

ドナー濃度により該電子濃度を制御可能な高比抵抗の窒化ガリウム系半導体膜を含む窒化ガリウム系ショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

One embodiment is a Schottky barrier diode (10) made from GaN based material whose Fermi level (or surface potential) is not pinned.例文帳に追加

本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位（または表面ポテンシャル）がピン止めされないＧａＮ系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード（１０）である。 - 特許庁

FABRICATING METHOD OF SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SCHOTTKY BARRIER DIODE AND SILICON CARBIDE FILM AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE FABRICATED WITH THIS METHOD例文帳に追加

炭化ケイ素基板の製造方法およびその製造方法により製造された炭化ケイ素基板、ならびに、ショットキーバリアダイオードおよび炭化ケイ素薄膜の製造方法 - 特許庁

A Schottky barrier formed between the silicon carbide 13 and electrode 14 decreases in height and an ohmic contact is formed between the electrode 14 and silicon carbide 13 without using an alloying heat treatment.例文帳に追加

炭化珪素１３と電極１４との間に形成されるショットキー障壁の高さが低くなり、合金化熱処理を用いることなく、電極１４と炭化珪素１３との間にオーミックコンタクトが実現される。 - 特許庁

A plurality of Schottky barrier diode units 10 are formed in an SiC chip 9 and each unit 10 has an independent external output electrode 4.例文帳に追加

ＳｉＣチップ９には、複数個のショットキーバリアダイオードのユニット１０が形成され、各ユニット１０は独立した外部出力電極４を持っている。 - 特許庁

Furthermore, a series connection of a grounded Schottky barrier diode for compressing the signal waveform polarity of an analog switch having a low conduction resistance and a resistor is provided.例文帳に追加

さらに、アナログ切換器の導通抵抗が低い信号波形極性を圧縮する接地されたショトキーバリアダイオードと抵抗の直列接続を有する。 - 特許庁

To improve resistance to reverse voltage of a Schottky barrier diode and characteristics including a forward characteristic in a simple process by adequately setting a poly-silicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜を適切に設定して、簡易な工程によりショットキーバリアダイオードの逆電圧に対する耐性や順方向特性等の特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device which includes a Schottky barrier made of a silicide layer and which can be manufactured while eliminating the need for increasing the number of steps.例文帳に追加

工程を増やすことなく製造することが可能なシリサイド層からなるショットキーバリアを備えた半導体集積回路装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

Among incident lights from the surface of the solar battery, light energy smaller than the semiconductor energy gap, which is not absorbed in a semiconductor, is absorbed with the Schottky barrier junction 5 smaller than the semiconductor energy gap.例文帳に追加

太陽電池表面より入射した光のうち、半導体内で吸収されなかった半導体のエネルギーギャップより小さい光エネルギーを、半導体のエネルギーギャップより小さなショットキー障壁接合５で吸収する。 - 特許庁

An Si substrate 1 is placed on a stage 2, a mercury electrode 3 forming a Schottky barrier with the substrate 1 is contacted with a surface of the substrate 1.例文帳に追加

ステージ２の上にＳｉ基板１が設置され、Ｓｉ基板１の表面にはＳｉ基板１との間でショットキー障壁を構成する水銀電極３が接触している。 - 特許庁

A wide-band gap semiconductor is formed on the Si substrate through the intermediary of a buffer layer to form the Schottky barrier diode, and the buffer layer is a cubic boron phosphide layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されているショットキーバリアダイオードであって、バッファー層は、立方晶リン化ホウ素層である。 - 特許庁

An n-type SiC layer 4 having a relatively high dopant concentration as a buffer film is formed so as to coat the entire face of the Schottky barrier metal 3.例文帳に追加

ショットキーバリア金属３の全面を覆うように緩衝膜としてのドーパント濃度の比較的高いｎ型のＳｉＣ膜４が形成されている。 - 特許庁

Clamp circuits 2A, 2B which are to be provided in a self- oscillating resonance type converter are formed of Schottky barrier diodes DSBD1, DSBD2 and resistors RD1, RD2.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードＤSBD1，ＤSBD2と抵抗ＲD1，ＲD2とによって、自励式の共振形コンバータに備えられるべきクランプ回路２Ａ，２Ｂを形成する。 - 特許庁

The interface of bonding between the organic electrode 2 and the ZnO-based semiconductor 1 has a Schottky barrier formed thereon, and a rectification action is generated between them.例文帳に追加

有機物電極２とＺｎＯ系半導体１との接合界面は、ショットキー障壁が形成されており、これらの間で整流作用が発生する。 - 特許庁

To selectively form a p^+ region on a p-well and to reduce contact resistance of a metal electrode and the p^+ region without using a hard mask in manufacturing a silicon-carbide junction barrier Schottky diode.例文帳に追加

炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードの製造において、ハードマスクを使用せずに、ｐウェル上に選択的にｐ^+領域を形成し、また金属電極とｐ^+領域とコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

The Schottky barrier electrode 8a is composed of a first layer 11a composed of a titanium film containing nitrogen or oxygen or both elements and a second layer 12 made of a metal.例文帳に追加

ショットキバリア電極８ａを、窒素又は酸素又はこれ等の両方を含有するチタン膜から成る第１の層１１ａと金属から成る第２の層１２とで構成する。 - 特許庁

In a Schottky barrier diode 11, a main surface 13a of an n-type barium nitride semiconductor layer 13 includes first and second areas 13b and 13c.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１では、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の主面１３ａは、第１のエリア１３ｂと第２のエリア１３ｃとを含む。 - 特許庁

Total carrier density is calculated from all-state density calculated from classical state density of the Schottky barrier potential and the tunneling state density is calculated, and compared with the classical carrier density calculated from the classical state density.例文帳に追加

ショットキー障壁ポテンシャルの古典的状態密度とトンネル状態密度から算出される全状態密度で全キャリア密度を計算し、古典的状態密度で計算した古典的キャリア密度と比較する。 - 特許庁

Since the source electrode 151 is connected to the semiconductor substrate by a Schottky barrier, even if a voltage is applied to a drain electrode 155, a normally on characteristic does not generate.例文帳に追加

ソース電極１５１は半導体基体とショットキー接合しているため、ドレイン電極１５５に電圧を印加してもノーマリオン特性は生じない。 - 特許庁

ELECTRODE FILM/SILICON CARBIDE STRUCTURE, SILICON CARBIDE SCHOTTKY BARRIER DIODE, FIELD EFFECT TRANSISTOR OF METAL-SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, OPTIMUM METHOD FOR FORMING ELECTRODE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE FILM/SILICON CARBIDE STRUCTURE例文帳に追加

電極膜／炭化珪素構造体、炭化珪素ショットキバリアダイオード、金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ、電極膜の成膜最適化方法および電極膜／炭化珪素構造体の製造方法 - 特許庁

A gate electrode 16 formed of a metallic layer forming a Schottky barrier, a source electrode 18 and a drain electrode 11 made of ohmic metal are formed on an operating region 15 of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の動作領域１５上にショットキー障壁を成す金属層で形成されたゲート電極１６、およびオーミック金属で形成されたソース電極１８およびドレイン電極１１が形成されている。 - 特許庁

By adjusting a resistance value of the trimmable chip resistor 3, the bias current to flow to the Schottky barrier diode 2 is controlled, thereby tuning mixer characteristics.例文帳に追加

トリマブルチップ抵抗３の抵抗値を調整することにより、ショットキーバリアダイオード２に流れるバイアス電流を制御してミキサー特性をチューニングすることができる。 - 特許庁

To speed up the switching of a Schottky barrier diode having a super junction structure which flows a current in on-state and depletes in off-state.例文帳に追加

オン状態では電流を流し、オフ状態では空乏化する超接合構造を有するショットキーバリアダイオードの、高速スイッチング化を図る。 - 特許庁

To obtain a more correct measurement value by removing an error generated in photoelectric conversion when measuring a temperature change by detecting infrared rays by a thermal sensor using a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ショットキー・バリア・ダイオードを用いた熱型センサを使い、赤外線を検出して温度変化を測定するときに光電変換で起こる誤差を除去し、より正しい測定値を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a transistor of trench gate structure and Schottky barrier diode can be mounted mixedly, inexpensively, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

トレンチゲート構造のトランジスタと、ショットキーバリアダイオードとを、低コストで混載させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device equipped with a schottky diode for controlling a barrier height to suppress the increase in a reverse leakage current value, and its production method.例文帳に追加

バリアハイトを制御し、逆方向リーク電流値が高くなることを抑制できるショットキーダイオードを備えたＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁