「SILICON-NITRIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Described herein is: the method for manufacturing the nitride semiconductor layer by stacking, on a silicon nitride layer, a first nitride semiconductor layer having a surface inclined with respect to the surface of the silicon nitride layer and then stacking a second nitride semiconductor layer on the first nitride semiconductor layer; the nitride semiconductor element and nitride semiconductor light-emitting element each including the nitride semiconductor layer; and the method for manufacturing the nitride semiconductor element.例文帳に追加

窒化珪素層上に窒化珪素層の表面に対して傾いた表面を有する第１の窒化物半導体層を積層した後に、第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層を積層する窒化物半導体層の製造方法、その窒化物半導体層を含む窒化物半導体素子および窒化物半導体発光素子ならびにその窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for laminating a silicon oxide film and a silicon nitride film which can suppress an increase in warpage of a substrate having a laminated structure formed by laminating a silicon oxide film and a silicon nitride film formed therein, even when a lamination number of the silicon oxide film and the silicon nitride film is increased.例文帳に追加

シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層数を増やしても、これらの膜を積層した積層構造が形成される基板の反りの増大を抑制することが可能なシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, carbon-doped silicon nitride, carbon-doped silicon oxide and carbon-doped oxynitride films at low deposition temperatures.例文帳に追加

本発明は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭素ドープ窒化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、炭素ドープ酸窒化フィルムを低い堆積温度で形成する方法を開示する。 - 特許庁

The charge storage particle 15 is formed by accumulating silicon on the surface of a silicon nitride film to form a plurality of silicon particles and then segmenting the silicon nitride film for every silicon particle.例文帳に追加

電荷蓄積粒１５は、シリコン窒化膜の表面上にシリコンを堆積させることにより、複数のシリコン粒子を形成した後、シリコン窒化膜をシリコン粒子毎に分断することによって形成されたものである。 - 特許庁

In the silicon substrate with the first silicon oxide film 2 and the silicon nitride film 3 formed in this order from the lower layer at the rear face of the silicon substrate 1, a tantalum oxide film 4 is formed on the silicon nitride film 3.例文帳に追加

シリコン基板１裏面に下層から順に第１のシリコン酸化膜２、シリコン窒化膜３が形成されたシリコン基板において、前記シリコン窒化膜３上にタンタルオキサイド膜４を成膜する。 - 特許庁

A silicon oxide film spacer 27 is formed on the opening part side wall of the silicon nitride film 24, the silicon nitride film 24 and the silicon oxide film spacer 27 are etched and masked, and a trench 28 is formed on a silicon board 21.例文帳に追加

シリコン窒化膜２４の開口部側壁にシリコン酸化膜スペーサ２７を形成し、シリコン窒化膜２４およびシリコン酸化膜スペーサ２７をエッチングマスクとして、シリコン基板２１にトレンチ２８を形成する。 - 特許庁

The silicon nitride film 31 is used as a mask for selective oxidation to form a silicon oxide film 33, and after the silicon nitride film 31 and silicon oxide film 30 are removed, a silicon oxide film 34 is formed over the entire surface.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜３１をマスクとして選択酸化を行ってシリコン酸化膜３３を形成し、シリコン窒化膜３１、シリコン酸化膜３０を除去した後、さらに全面にシリコン酸化膜３４を形成する。 - 特許庁

A protective film of an integrated circuit contains materials deposited by PECVD process in the following order: a thin film of silicon dioxide, a layer of silicon nitride, silicon nitride oxide, or silicon carbide and a very thin topmost layer of silicon oxide.例文帳に追加

集積回路の保護被膜は、ＰＥＣＶＤ処理により堆積された以下の順序の材料を含む：二酸化シリコンの薄膜、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、又は炭化シリコンの層、及び酸化シリコンの大変薄い最上層。 - 特許庁

After a barrier film 40 is formed on a plug 39, a silicon nitride film 41 and a silicon oxide film 42 are formed in order in an silicon oxide film 34, and a hole 43 is formed by etching the silicon oxide film 42 and the silicon nitride film 41.例文帳に追加

プラグ３９上にバリア膜４０を形成後、シリコン酸化膜３４上にシリコン窒化膜４１、シリコン酸化膜４２を順次堆積し、シリコン酸化膜４２およびシリコン窒化膜４１をエッチングして孔４３を形成する。 - 特許庁

Specifically, the sidewall SW is composed of a silicon oxide film OX1, a silicon nitride film SN1 formed on the silicon oxide film OX1, and a silicon oxide film OX2 formed on the silicon nitride film SN1.例文帳に追加

具体的に、サイドウォールＳＷは、酸化シリコン膜ＯＸ１と、酸化シリコン膜ＯＸ１上に形成された窒化シリコン膜ＳＮ１と、窒化シリコン膜ＳＮ１上に形成された酸化シリコン膜ＯＸ２から構成されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device, a silicon nitride film 12 on a polycrystalline silicon layer 6 is removed after a silicon nitride film 14 is formed on a silicon oxide film 8 and adjacent to a side surface of the polycrystalline silicon layer 6.例文帳に追加

シリコン酸化膜８上で且つ多結晶シリコン層６の側面位置にシリコン窒化膜１４を形成した後、多結晶シリコン層６上のシリコン窒化膜１２を除去している。 - 特許庁

To form a silicon nitride film in which silicon is surplus to nitrogen stoichiometrically.例文帳に追加

化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

Here, the second silicon nitride layer (112) contains a low silicon-hydrogen SiN material.例文帳に追加

ここで第２窒化シリコン層（１１２）は低シリコン−水素ＳｉＮ材料を含む。 - 特許庁

A silicon nitride layer is then formed by nitriding the silicon layer 120.例文帳に追加

その後、シリコンナイトライド層が、シリコン層を窒化すること１２０によって形成される。 - 特許庁

A silicon oxide film 10 and a silicon nitride film 11 are sequentially formed on a semiconductor substrate 1 (Fig. 1 (a)).例文帳に追加

半導体基板１にシリコン酸化膜１０及びシリコン窒化膜１１を順次形成する(図１（ａ）)。 - 特許庁

One or more kinds among silicon nitride, boron carbide, and silicon carbide are contained in potassium zirconium phosphate.例文帳に追加

リン酸ジルコニウムカリウムに、窒化珪素、炭化ホウ素、炭化珪素のうち少なくとも１種を含有させる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METAL SILICON NITRIDE/OXIDE INTERFACE ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコンとの結晶性アルカリ土類金属窒化／酸化シリコン・インタフェースを有する半導体構造 - 特許庁

An amorphous silicon film doped with phosphorus and a silicon nitride film are sequentially grown.例文帳に追加

リンがドーピングされたアモルファスシリコン膜及びシリコン窒化膜を順次成長させる。 - 特許庁

The silicon oxide film 3 and the silicon nitride film are processed through the antireflection film and the resist as a mask.例文帳に追加

反射防止膜とレジストをマスクにしてシリコン酸化膜３とシリコン窒化膜を加工する。 - 特許庁

The nitride silicon film 60 is formed at ≥1.47 of a composition ratio of nitrogen to silicon.例文帳に追加

窒化シリコン膜６０は、窒素／シリコンの組成比を１．４７以上として形成される。 - 特許庁

A polycrystal silicon film 4 and a tungsten nitride film 13 are formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に多結晶シリコン膜４、窒化タングステン膜１３を形成する。 - 特許庁

SILICON CARBIDE LAYER MANUFACTURING METHOD, GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

炭化珪素層製造方法、窒化ガリウム系半導体素子およびシリコン基板 - 特許庁

The titanium changes to TiSi2 (60) during silicon diffusion from the silicon nitride layer 8.例文帳に追加

このチタンは、窒化珪素層８からのシリコン拡散の間に、TiSi_2(６０)に変化する。 - 特許庁

A silicon nitride film 23 is formed above the copper wiring 22 and the silicon oxide film containing carbon.例文帳に追加

銅配線２２および炭素含有シリコン酸化膜の上方にはシリコン窒化膜２３が形成されている。 - 特許庁

The ceramic is preferably zirconia type, alumina type, silicon nitride type or silicon carbide type ceramics.例文帳に追加

セラミックスは、ジルコニア系、アルミナ系、窒化珪素系、炭化珪素系のセラミックスが好ましい。 - 特許庁

A protective silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3 are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に保護酸化シリコン膜２および窒化シリコン膜３を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 2 and a silicon oxide film 3 are formed on a glass substrate 1.例文帳に追加

ガラス基板１上にシリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成されている。 - 特許庁

Silicon nitride layers 22 and conductive polysilicon layers 23 are sequentially formed on a silicon substrate 21.例文帳に追加

シリコン基板２１上に窒化シリコン層２２及び導電性ポリシリコン層２３を順次形成する。 - 特許庁

A groove TR is formed at the side of the silicon substrate SB where the silicon nitride film ST1 is formed.例文帳に追加

シリコン基板ＳＢのシリコン窒化膜ＳＴ１が形成された側に溝部ＴＲが形成される。 - 特許庁

COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF SILICON DIOXIDE AND SILICON NITRIDE例文帳に追加

二酸化ケイ素および窒化ケイ素のケミカルメカニカルポリッシングのための組成物 - 特許庁

A polycrystal silicon film 7a and a silicon nitride film 8 are formed on the n-type diffusion layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリコン窒化膜８を形成する。 - 特許庁

The silicon oxide film 6a and the silicon nitride film 6b function as a liner film.例文帳に追加

シリコン酸化膜６ａ及びシリコン窒化膜６ｂはライナ膜として機能する。 - 特許庁

A silicon nitride film 3, having an opening 3h, is formed on a main surface 1f in a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の主表面上１ｆに開口部３ｈを有するシリコン窒化膜３を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3 are formed on the front and rear surfaces of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表面および裏面にシリコン酸化膜２、シリコン窒化膜３を形成する。 - 特許庁

The insulating film 130 is formed by laminating a silicon nitride film 131 and a silicon oxide film 132.例文帳に追加

絶縁膜１３０は、シリコン窒化膜１３１およびシリコン酸化膜１３２を積層して形成する。 - 特許庁

COMPOSITIONS AND METHODS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SILICON DIOXIDE AND SILICON NITRIDE例文帳に追加

二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をケミカルメカニカル研磨するための組成物及び方法 - 特許庁

Next, a silicon oxide film 32 and a silicon nitride film 33 are formed around the Al wiring 30.例文帳に追加

次に、Ａｌ配線３０の周囲にシリコン酸化膜３２及びシリコン窒化膜３３を形成する。 - 特許庁

On a silicon substrate 1, a pad oxide film 2 and a silicon nitride film 3 are formed.例文帳に追加

シリコン基板１上に、パッド酸化膜２及びシリコン窒化膜３を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON CARBIDE FILM ON ALUMINUM NITRIDE, COATING FILM STRUCTURE, AND SILICON CARBIDE FILM例文帳に追加

窒化アルミニウム上への炭化珪素膜の形成方法、被膜構造体および炭化珪素膜 - 特許庁

ORGANOSILANE COMPOUNDS FOR MODIFYING DIELECTRIC PROPERTY OF SILICON OXIDE FILM AND SILICON NITRIDE FILM例文帳に追加

酸化ケイ素および窒化ケイ素膜の誘電的特性を変更するための有機シラン化合物 - 特許庁

The silicon nitride film is used as an antireflection film of the solar cell composed of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板からなる太陽電池の反射防止膜として窒化シリコン膜を用いる。 - 特許庁

The side 3s of the silicon nitride film is deteriorated for forming a silicon oxide film 3b.例文帳に追加

シリコン窒化膜３の側面３ｓを変質させてシリコン酸化膜３ｂを形成する。 - 特許庁

A groove is formed in the silicon oxide film and a second silicon nitride film 10 is formed.例文帳に追加

シリコン酸化膜に溝を形成し、第２のシリコン窒化膜１０を形成する。 - 特許庁

On the flank of the resistor element 22, a silicon nitride film 30 is formed across a silicon oxide film 28.例文帳に追加

抵抗素子２２の側面にシリコン酸化膜２８を介してシリコン窒化膜３０が形成されている。 - 特許庁

At first, the amorphous silicon film 23 formed on the silicon nitride film 17 is polished.例文帳に追加

最初に、窒化シリコン膜１７上に形成された非晶質シリコン膜２３を研磨する。 - 特許庁