「SILICON-NITRIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress an unstable phenomenon caused by a silicon-rich silicon nitride film.例文帳に追加

シリコンリッチ窒化シリコン膜に起因した不安定な現象を抑制すること。 - 特許庁

MULTI-PROCESS METHOD FOR CARRYING OUT CHEMICAL MECHANICAL POLISH OF SILICON DIOXIDE AND SILICON NITRIDE例文帳に追加

二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をケミカルメカニカル研磨するための多工程法 - 特許庁

Then a silicon oxide film 212 of 40 nm in thickness is deposited on the silicon nitride film 211.例文帳に追加

その後に、シリコン窒化膜２１１の上に、厚さ４０ｎｍのシリコン酸化膜２１２を堆積する。 - 特許庁

Subsequently, a nitride silicon carbide film 43 is formed on the silicon oxide film 37 including a region on the wiring 41.例文帳に追加

続いて、配線４１上を含む酸化シリコン膜３７上に炭窒化シリコン膜４３を形成する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING ULTRA-THIN CRYSTALLINE SILICON NITRIDE FOR GATE DIELECTRIC ON SILICON (111)例文帳に追加

Ｓｉ（１１１）上にゲ—ト誘電体用の極薄結晶質シリコン窒化物を生成する方法 - 特許庁

The light-emitting element includes an n-type silicon oxide film 2 and a p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。 - 特許庁

To form a silicon nitride film which allows a sufficient selectivity to be taken to a silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜に対して十分な選択比が取れるシリコン窒化膜を形成すること。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM OR SILICON OXYNITRIDE FILM BY CVD例文帳に追加

ＣＶＤ法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法 - 特許庁

The protective insulating film consists of a silicon nitride film 103 and a silicon oxide film.例文帳に追加

保護絶縁膜は、シリコン窒化膜１０３及びシリコン酸化膜から構成されている。 - 特許庁

Each predetermined area of the protective silicon oxide film 2 and the silicon nitride film 3 is opened.例文帳に追加

つぎに、保護酸化シリコン膜２および窒化シリコン膜２の所定領域を開口する。 - 特許庁

It is performed at the ratio of (the polishing speed of the silicon oxide film)/(the polishing speed of the silicon nitride film) of 10 to 100.例文帳に追加

（酸化珪素膜の研磨速度）／（窒化珪素膜の研磨速度）の比が１０〜１００で行われる。 - 特許庁

Them silicon dioxide 28 is planarized with respect to the top face of silicon nitride 22 by using the "CMP".例文帳に追加

次に「ＣＭＰ」の使用により二酸化シリコン２８を窒化シリコン２２の上面に対して平坦化する。 - 特許庁

Finally, the silicon oxide film and the organic films are etched using the silicon nitride film as a mask.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜をマスクにして、シリコン酸化膜、有機膜をエッチングする。 - 特許庁

PRODUCTION METHOD FOR SILICON NITRIDE FILM OR SILICON OXYNITRIDE FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD例文帳に追加

化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法 - 特許庁

Next, the silicon nitride film (7) and the silicon oxide film (6) are etched anisotropically in this order.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜７及びシリコン酸化膜６をこの順に異方性エッチングする。 - 特許庁

The optical thin film 6 of silicon nitride is provided on the surface and the back of a silicon substrate 5.例文帳に追加

シリコン基板５の表面および裏面に、窒化シリコンの光学薄膜６を設ける。 - 特許庁

A silicon nitride film 2 and a silicon oxide film 3 are formed on a glass substrate 1.例文帳に追加

ガラス基板１上にシリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成されている。 - 特許庁

After the second silicon oxide film is removed, a second silicon nitride film that covers the semiconductor substrate is formed.例文帳に追加

第２シリコン酸化膜を除去した後、半導体基板を覆う第２シリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 36 includes a silicon nitride film 50 and a silicon oxide film 53.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３６を窒化シリコン膜５０と酸化シリコン膜５３とで構成する。 - 特許庁

SILICON NITRDIE-BASED SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE-BASED PARTS例文帳に追加

窒化珪素質焼結体とその製造方法、及び窒化珪素質部品の製造方法 - 特許庁

To provide a self-aligned 1-bit SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon) cell and its forming method.例文帳に追加

自己整列型１ビットＳＯＮＯＳセル及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

A releasing agent prepared by mixing silicon nitride with silicon dioxide in the weight ratio of (silicon nitride):(silicon dioxide)=(28:72)-(69:31) and a releasing agent prepared by mixing silicon nitride with silicon oxide in the weight ratio of (silicon nitride):(silicon dioxide)=(70:30)-(94:6) are overlappedly applied on the surface of the casting mold to form two layers.例文帳に追加

黒鉛製鋳型内表面に窒化シリコンと二酸化シリコンを窒化シリコン：二酸化シリコン＝２８：７２〜６９：３１の重量比率で混合した離型材と、窒化シリコンと二酸化シリコンを窒化シリコン：二酸化シリコン＝７０：３０〜９４：６の重量比率で混合した離型材とを重ねて２層に塗布する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SILICON NITRIDE FILM OR SILICON OXYNITRIDE FILM BY THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD例文帳に追加

熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法 - 特許庁

A layer to be formed between the polysilicon layer and the tungsten nitride layer can be a silicon tungsten nitride layer or a silicon germanium layer.例文帳に追加

ポリシリコン層と窒化タングステン層との間に形成される層は、シリコン窒化タングステン層またはシリコンゲルマニウム層であってもよい。 - 特許庁

SILICON NITRIDE-BASED MOLYBDENUM SILICIDE CARBIDE COMPLEX, ITS PRODUCTION AND CERAMIC HEAT USING SILICON NITRIDE- BASED MOLYBDENUM SILICIDE CARBIDE COMPLEX例文帳に追加

窒化ケイ素質−珪化モリブデン炭化物複合体及びその製造方法、並びに、窒化ケイ素質−珪化モリブデン炭化物複合体を用いたセラミックヒータ - 特許庁

When the chuck plate is made of aluminum nitride and the processed substrate is a silicon wafer, the contact surface 6b is formed of silicon nitride.例文帳に追加

チャックプレートが窒化アルミニウム製であり、被処理基板がシリコンウエハである場合、前記接触面６ｂは窒化シリコンで形成される。 - 特許庁

A silicon nitride film 102 is formed on a semiconductor substrate 100, and a polysilicon 103 is selectively formed on the silicon nitride film 102.例文帳に追加

半導体基板１００上にシリコン窒化膜１０２を形成し、このシリコン窒化膜１０２上にポリシリコン１０３を選択的に形成する。 - 特許庁

Silicon nitride belts are formed with intervals in the row direction, and source line plugs are formed between the adjacent silicon nitride belts.例文帳に追加

行方向に間隔を置いて窒化シリコン帯を形成し、隣接する窒化シリコン帯間にソースラインプラグを形成する。 - 特許庁

The film is preferably made of silicon carbide, diamond, diamond-like carbon, amorphous carbon, silicon nitride, or boron nitride.例文帳に追加

膜は、炭化珪素、ダイヤモンド、ダイヤモンドライク・カーボン、アモルファス・カーボン、窒化珪素、または窒化ホウ素であることが好ましい。 - 特許庁

Another oxidized silicon nitride film is formed between the oxidized silicon nitride film having the tensile stress and the crystalline semiconductor film.例文帳に追加

さらに上記引張り応力を有する酸化窒化シリコン膜と結晶性半導体膜との間に、別の酸化窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 12 is formed on the BPSG film 14, the gate electrodes SG and the silicon nitride film 11.例文帳に追加

ＢＰＳＧ膜１４上、ゲート電極ＳＧ上、シリコン窒化膜１１上にシリコン窒化膜１２が形成される。 - 特許庁

SILICON NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CERAMIC CIRCUIT SUBSTRATE USING IT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化けい素セラミックス基板およびそれを用いた窒化けい素セラミックス回路基板並びにその製造方法 - 特許庁

SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE例文帳に追加

窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュール - 特許庁

A color filter 2 comprises silicon nitride and has a multilayer film structure consisting of silicon nitride layers 21 and air layers 22.例文帳に追加

カラーフィルタ２は窒化ケイ素からなっており、窒化ケイ素層２１と空気層２２とからなる多層膜構造を備えている。 - 特許庁

To expand a nitride film's area in a non-volatile memory device having a SONOS structure (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon).例文帳に追加

ＳＯＮＯＳ（シリコン−酸化物−窒化物−酸化物−シリコン）構造を有する不揮発性メモリデバイスにおいて、窒化膜の面積を広くすること - 特許庁

In a pixel and wiring, protection films 10a, 10b formed of silicon nitride or oxide silicon nitride are formed.例文帳に追加

画素部および配線部には、窒化シリコンあるいは窒化酸化シリコンからなる保護膜１０ａ，１０ｂが形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 13 is formed of nitride oxide silicon and a nitride silicon layer 14 is formed on the buffer layer 13.例文帳に追加

バッファ層１３は窒化酸化シリコンで形成され、バッファ層１３の上に窒化シリコン層１４が形成される。 - 特許庁

The impurities in the silicon nitride film is effectively removed, even when the silicon nitride film is formed using the BTBAS.例文帳に追加

前記シリコン窒化膜が前記ＢＴＢＡＳを用いて形成する場合でも前記シリコン窒化膜内の不純物は有効に除去できる。 - 特許庁

The ceramic base material 2 consists of α-phase silicon nitride particles and β-phase silicon nitride particles and grain boundaries.例文帳に追加

セラミック基材２はα相の窒化珪素粒子とβ相の窒化珪素粒子と粒界相とからなる。 - 特許庁

After forming a silicon nitride film 16 on the main surface of a semiconductor substrate, the organic insulating film 17 is formed on the silicon nitride film 16.例文帳に追加

半導体基板の主面上に窒化シリコン膜１６を形成した後、この窒化シリコン膜１６上に有機絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁

The heater 2 is preferably a ceramics heater made mainly of either of aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide, aluminum oxide, and aluminum oxynitride.例文帳に追加

また、ヒータ２は、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムのいずれかを主成分とするセラミックスヒータが好ましい。 - 特許庁

Continuously, a compression stress silicon nitride film 55c which impresses compression stress to the MTJ element is formed on the tensile stress silicon nitride film 55p.例文帳に追加

続いて、ＭＴＪ素子に圧縮ストレスを印加する圧縮応力シリコン窒化膜５５ｃを引張応力シリコン窒化膜５５ｐ上に成膜する。 - 特許庁

After this groove is formed, the silicon nitride film 3 of a stopper film is etched, and the opening part of the silicon nitride film 3 is widened rather than the groove.例文帳に追加

この溝の形成後、ストッパ膜であるシリコン窒化膜３をエッチングし、シリコン窒化膜３の開口部を溝よりも広くする。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon nitride film of low stress and a method for manufacturing a semiconductor device containing the silicon nitride film of low stress.例文帳に追加

低応力のシリコン窒化膜を形成する方法及び低応力のシリコン窒化膜を含む半導体装置を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

It is preferable that both of the cubic spinel-type silicon nitride and the low pressure phase silicon nitride are powders and the particle diameters of each powder are ≤10 μm.例文帳に追加

また、立方晶スピネル型窒化ケイ素と未反応の低圧相窒化ケイ素とが粉末で、各粉末の粒子径が１０μｍ以下であることが望ましい。 - 特許庁