「SILICON-NITRIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a manufacturing method for forming an elaborate silicon nitride sintered compact by adding a small amount of a sintering auxiliary to silicon nitride and by sintering at a relatively lower temperature.例文帳に追加

窒化珪素に焼結助剤を少量添加し、比較的低温で焼結して緻密な窒化珪素焼結体を作製する製造方法を得る。 - 特許庁

The cage is constituted of a sintered body mainly composed of alumina, zirconia, an aluminum nitride, a silicon nitride and silicon carbide.例文帳に追加

ケージを、アルミナ・ジルコニア・窒化アルミ・窒化珪素・炭化珪素等を主成分とする焼結体にて構成した。 - 特許庁

To convert the low-pressure phase silicon nitride into a large amount of high-pressure spinel type silicon nitride powder in high conversion rate by one operation of the impact treatment.例文帳に追加

１回の一回の衝撃処理で高い転換率で低圧相窒化を大量の高圧相のスピネル型窒化ケイ素粉末へ転換する。 - 特許庁

Thus, the silicon nitride film 30 in the NMOS region is irradiated with ultraviolet rays, and the tensile stress of the silicon nitride film 30 is increased.例文帳に追加

これにより、ＮＭＯＳ領域におけるシリコン窒化膜３０には紫外線が照射されて、当該シリコン窒化膜３０の引張応力が増加する。 - 特許庁

The ceramic base plate 10a is desirably made of ceramic whose main component is selected from aluminum nitride, silicon nitride and silicon carbide and whose heat conductivity is excellent.例文帳に追加

セラミックス基板１０ａは、主成分が窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素から選択される高熱伝導率のセラミックスが好ましい。 - 特許庁

The protection film 20 is formed into a multi-layer film by alternately laminating silicon nitride layers 15, 16, 17 and hydrogenated silicon nitride layers 15a, 16a.例文帳に追加

保護膜２０は、窒化シリコン層１５，１６，１７と水素化窒化シリコン層１５ａ，１６ａとを交互に積層して多層膜とする。 - 特許庁

A sidewall part of the silicon nitride film N is melted to form a pattern N1 on the silicon nitride film N (Fig.7(e)).例文帳に追加

シリコン窒化膜Ｎの側壁部を溶解して、シリコン窒化膜ＮにパターンＮ１を形成する（図７（ｅ））。 - 特許庁

The buried oxide film 6 on the silicon nitride film 3 and the surface of the silicon nitride film 3 are removed by CMP.例文帳に追加

ＣＭＰによりシリコン窒化膜３上の埋め込み酸化膜６およびシリコン窒化膜３の表面部を除去する。 - 特許庁

A silicon-contained compound is reacted with a nitride-contained compound to form a silicon nitride layer 204.例文帳に追加

シリコン含有化合物と窒素含有化合物とを反応させることにより窒化ケイ素層２０４を形成する。 - 特許庁

After removing the silicon nitride layer, the voids are at least partially filled with a silicon nitride material.例文帳に追加

この窒化ケイ素層の除去後、ボイドは窒化ケイ素材料によって少なくとも部分的に充てんされている。 - 特許庁

In a preferred embodiment, the dielectric film has substantially the same refractive index as that of the silicon nitride and adjoins the silicon nitride film.例文帳に追加

誘電フィルムは望ましくは窒化ケイ素と実質的に同じ屈折率を有し、そして窒化ケイ素フィルムと相接している。 - 特許庁

A silicon nitride film 12 which covers an upper surface and a side surface of the low-dielectric-constant film 11 is formed on the silicon nitride film 10.例文帳に追加

低誘電率膜１１の上面及び側面を覆うシリコン窒化膜１２がシリコン窒化膜１０上に形成されている。 - 特許庁

The intra-film atom density of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the intra-film atom density of the interlayer silicon nitride film 26.例文帳に追加

ゲート窒化シリコン膜16の膜中原子密度を層間窒化シリコン膜26の膜中原子密度より高くする。 - 特許庁

In one embodiment, the ceramic material forming the substrate is selected from the group consisting of a silicon nitride and a self-reinforced silicon nitride.例文帳に追加

１つの実施態様においては、この基材を形成しているセラミック材料は、窒化ケイ素および自己強化性窒化ケイ素からなる群より選択される。 - 特許庁

This silicon-nitride circuit board is constituted by bonding a metal circuit board on one side of a silicon-nitride substrate and bonding a metal heat radiating board on the other side.例文帳に追加

窒化珪素回路基板は、窒化珪素基板の一方の面に金属回路板、もう一方の面に金属放熱板を接合してなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a two-layer gate insulating film of silicon oxide nitride film/silicon nitride film, with a low interface level density.例文帳に追加

界面準位密度の低いシリコン酸窒化膜／シリコン窒化膜の２層ゲート絶縁膜を製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for forming silicon carbo-nitride films on a substrate through chemical vapor deposition of a silicon carbo-nitride film forming precursor.例文帳に追加

炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT AND ITS PRODUCTION METHOD AND METHOD FOR ADJUSTING COEFFICIENT OF THERMAL EXPANSION OF SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT例文帳に追加

窒化珪素質焼結体及びその製造方法並びに窒化珪素質焼結体の熱膨張係数の調整方法 - 特許庁

MOLDING PRODUCT FOR SINTERED SILICON NITRIDE HAVING HIGH HEAT CONDUCTIVITY, ITS PRODUCTION, SINTERED SILICON NITRIDE HAVING HIGH HEAT CONDUCTIVITY AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

高熱伝導性窒化ケイ素質焼結体用成形体およびその製造方法ならびに高熱伝導性窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法 - 特許庁

SILICON NITRIDE-BASED POWDER AND ITS MANUFACTURING METHOD, SILICON NITRIDE-BASED SINTERED COMPACT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND CIRCUIT BOARD例文帳に追加

窒化ケイ素質粉末、窒化ケイ素質粉末の製造方法、窒化ケイ素質焼結体、窒化ケイ素質焼結体の製造方法および回路基板 - 特許庁

To provide a silicon nitride sintered compact and a silicon nitride tool, cutting insert and cutting tool excellent in abrasion resistance and chipping resistance.例文帳に追加

耐摩耗性及び耐欠損性に優れた窒化珪素質焼結体、窒化珪素質工具、切削インサート、及び切削工具を提供すること。 - 特許庁

SILICON NITRIDE-BASED SINTERED BODY, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, CERAMIC HEATER BY USING THE SILICON NITRIDE- BASED SINTERED BODY, AND GLOW PLUG HAVING THE CERAMIC HEATER例文帳に追加

窒化珪素質焼結体、その製造方法及び該窒化珪素質焼結体を用いたセラミックヒータ並びに該セラミックヒータを備えるグロープラグ - 特許庁

To reduce the leakage current and obtain a good interfacial characteristic in a laminated film consisting of a silicon nitride film and a silicon oxide (nitride) film.例文帳に追加

シリコン窒化膜／シリコン酸(窒)化膜からなる積層膜において、リーク電流の低減と、良好な界面特性とを両立させる。 - 特許庁

After the silicon oxide nitride layer generated at the upper part is removed with the CMP method, the silicon nitride film 54 is removed using the hot phosphoric acid solution.例文帳に追加

窒化シリコン膜５４は、上部に生じた酸化窒化シリコン層をＣＭＰ法によって除去した後、熱燐酸溶液を用いて除去する。 - 特許庁

The intra-film fixed charge density of the interlayer silicon nitride film 26 becomes larger than the intra-film fixed charge density of the gate silicon nitride film 16.例文帳に追加

層間窒化シリコン膜26の膜中固定電荷密度がゲート窒化シリコン膜16の膜中固定電荷密度より高くなる。 - 特許庁

SINTERING CASE FOR HIGHLY THERMAL-CONDUCTIVE SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND PRODUCTION PROCESS OF HIGHLY THERMAL-CONDUCTIVE SILICON NITRIDE SINTERED BODY USING THE SAME例文帳に追加

高熱伝導窒化珪素質焼結体用焼成ケース及びこれを用いた高熱伝導窒化珪素質焼結体の製造方法 - 特許庁

The silicon nitride sintered compact is characterized in that the size of impurities in the silicon nitride sintered compact is 80μm or less at maximum.例文帳に追加

窒化けい素焼結体中に存在する不純物の大きさが最大８０μｍ以下であることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon nitride filter allowing a firing reaction in a shorter time and even at a lower temperature, and to provide a silicon nitride filter.例文帳に追加

より短時間で、しかもより低温での焼成反応を行えばよい窒化ケイ素フィルターの製造方法及び窒化ケイ素フィルターを提供する。 - 特許庁

SILICON NITRIDE FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE, AND FORMATION METHOD FOR THE SILICON NITRIDE FILM例文帳に追加

窒化ケイ素膜、半導体装置、表示装置、発光装置、発光表示装置及び窒化ケイ素膜の作製方法 - 特許庁

An average particle diameter of the silicon nitride powder is 0.1-20 μm, and the resin is urethane resin with a content of the silicon nitride powder of 1-50 mass%.例文帳に追加

窒化珪素粉末は、平均粒径が０．１〜２０μｍであり、樹脂はウレタン樹脂であり窒化珪素粉末の含有量が１〜５０質量％である。 - 特許庁

To provide a composition for polishing silicon nitride capable of improving a polishing speed by the CMP of a silicon nitride film in a semiconductor process.例文帳に追加

半導体プロセスにおいて窒化ケイ素膜のＣＭＰによる研磨速度を向上することができる窒化ケイ素研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The silicon oxide nitride film which is thus obtained has a higher insulation-proof characteristic than the silicon nitride film formed by a sputtering method.例文帳に追加

得られたシリコン酸窒化膜は、スパッタリング法で成膜されたシリコン窒化膜よりも高い絶縁耐圧特性を有する。 - 特許庁

In the silicon nitride wiring substrate, the surface roughness Rz of the silicon nitride substrate 11 is in a rtange of value which is larger than 3 μm and equal to or less than 20 μm.例文帳に追加

この場合、窒化珪素基板１１の表面粗さＲｚが３μｍより大きく２０μｍ以下である。 - 特許庁

To provide a method of producing a silicon nitride filter having high strength and suitable for removing dust or eliminating dust, in which silicon nitride particles are used as a starting material.例文帳に追加

窒化ケイ素粒子を出発原料とし、高強度で、除塵や脱塵に最適な窒化ケイ素フィルタの製造法を提供する。 - 特許庁

SILICON NITRIDE-BASED SINTERED PRODUCT, TOOL AND SLIDING MEMBER USING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE-BASED SINTERED PRODUCT例文帳に追加

窒化珪素質焼結体、それを用いた工具ならびに摺動部材、及び窒化珪素質焼結体の製造方法 - 特許庁

To provide a method of producing a silicon nitride filter suitable for removing dust or eliminating dust, in which silicon nitride particles are used as a starting material.例文帳に追加

窒化ケイ素粒子を出発原料とし、除塵や脱塵に最適な窒化ケイ素フィルタの製造法を提供する。 - 特許庁

An aluminum gallium nitride/gallium nitride layer 12 (a III-V nitride semiconductor layer) is formed on a surface of a silicon carbide substrate 11.例文帳に追加

炭化ケイ素基板１１の表面にアルミ窒化ガリウム／窒化ガリウム層１２（III−Ｖ族窒化物半導体層）を形成する。 - 特許庁

In a third embodiment, the coating comprises a nitride selected from the group consisting of silicon nitride, sialon, titanium nitride and mixtures thereof.例文帳に追加

第三の実施態様では、被覆は、窒化ケイ素、サイアロン、窒化チタン、およびこれらの混合物から成る群より選択される窒化物を含む。 - 特許庁

The ceramic material is at least one chosen from boron nitride, silicon nitride, aluminum nitride and silica.例文帳に追加

前記セラミックス材料が窒化ホウ素、窒化珪素、窒化アルミニウムおよびシリカから選ばれる少なくとも1種である。 - 特許庁

METHOD OF FORMING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, TRANSFER METHOD OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND SILICON SUBSTRATE TO WHICH GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR IS BONDED例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体層の形成方法、移設方法、及び窒化ガリウム系化合物半導体層が接合されたシリコン基板 - 特許庁

The light-emitting element also comprises a nitride film (e.g. a silicon nitride film or a titanium nitride film) 6 of a semiconductor material or a metal on the uppermost layer of the mask layer 4.例文帳に追加

マスク層４の最上層に、半導体材料または金属の窒化膜（たとえば、窒化シリコン膜または窒化チタン膜）６を有する。 - 特許庁

METHOD OF PROCESSING SILICON NITRIDE WITH PLASMA, USING ARGON, NITROGEN AND SILANE GAS例文帳に追加

アルゴン、窒素、およびシランガスを使用した窒化珪素プラズマ処理方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MAGNESIUM SILICON NITRIDE POWDER AND ITS PRODUCT例文帳に追加

窒化ケイ素マグネシウム粉末の製造方法及びその製品 - 特許庁

The first hydrogen barrier film 15 is made of silicon nitride containing fluorine.例文帳に追加

第１の水素バリア膜１５は、フッ素を含む窒化シリコンからなる。 - 特許庁

A high permittivity thin film 6b is formed on the silicon nitride film 6a.例文帳に追加

高誘電率薄膜６ｂはシリコン窒化膜６ａ上に形成されている。 - 特許庁