「SILICON-NITRIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a film forming method for reducing the generations of gases and particles, by performing after a film forming processing the purging processing of the inside of a reaction container by a purging recipe corresponding to the film forming processing, e.g., when forming a silicon nitride film, and by removing the surface layer of a film whereby the stuck gases and the stuck particles are caused to the inside of the reaction container.例文帳に追加

例えば窒化シリコン膜を形成する際、成膜処理後に当該成膜処理に対応したパージレシピにより反応容器内のパージ処理を行って、反応容器内に付着したガスやパーティクルの原因となる膜の表層部を除去し、ガスやパーティクルの発生を低減する成膜方法を提供する。 - 特許庁

On a field oxide film 2, there are a high-resistance polysilicon film 4b for constituting the resistance element; low-resistance polysilicon films 9a, 9b formed at both the ends of the film 4b; a silicon nitride film 5a formed on the high-resistance polysilicon film 4b; and high-melting-point metal polycide films 7b formed on the low- resistance polysilicon films 9b.例文帳に追加

フィールド酸化膜２上に抵抗素子を構成する高抵抗ポリシリコン膜４ｂ、その両端に低抵抗ポリシリコン膜９ｂ，９ｂ、高抵抗ポリシリコン膜４ｂ上にシリコン窒化膜５ａ及び低抵抗ポリシリコン膜９ｂの上に高融点金属ポリサイド膜７ｂが形成されている。 - 特許庁

This manufacturing method of an optical element, which is formed by providing a color filter on an insulating film, is a method, where the insulating film consisting of a silicon nitride film 8 formed by a plasma CVD(chemical vapor deposition) method is formed and after a surface layer in the film 8 is etched, a color filter 9 consisting of a pigment negative photoresist material is formed on the film 8.例文帳に追加

絶縁層上にカラーフィルタを設けてなる光学素子の製造方法であって、プラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン膜８からなる絶縁層を形成し、窒化シリコン膜８の表面層をエッチングした後、窒化シリコン膜８上に顔料系のネガ型フォトレジスト材料からなるカラーフィルタ９を形成する。 - 特許庁

The film for an EL element has a film existing on a surface of a polymer film, and the film is formed of an inorganic polymer containing silicon, nitride, hydrogen, and oxide, and a film superimposed on the inorganic polymer film includes an organic and inorganic hybrid chemical structure of an organic skeleton at least containing a fluorine group, a siloxane group, and an organic polymer chain, and an inorganic skeleton.例文帳に追加

高分子フィルムの表面に存在する被膜を有するＥＬ素子用フィルムであって、前記被膜がシリコン、窒素、水素、酸素からなる無機ポリマーからなり、この無機ポリマー被膜の上に重ねられる被膜は、少なくともフッ素基、シロキサン基、有機高分子鎖からなる有機骨格部と無機骨格部の有機無機ハイブリッド化学構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

An interlayer dielectric 11 with the copper wire 14 filled in is formed on the semiconductor base material with an electronic component including a transistor and a magnetic tunnel junction element formed on the semiconductor substrate, and a silicon nitride film having a film density of not less than 2.5 g/cm^3 as the liner film 15 is formed on the interlayer dielectric 11.例文帳に追加

半導体基板上にトランジスタと磁気トンネル接合素子とを含む電子部品を形成した半導体基材上に、銅配線１４を埋め込んだ層間絶縁膜１１を形成し、この層間絶縁膜１１上にライナ膜１５として２．５ｇ／ｃｍ^3以上の膜密度を有するシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

To solve a problem of deterioration of transistor characteristics that a in a method for manufacturing a semiconductor device which carries out a self-aligning contact technique, if an offset insulation film, a side wall insulation film, an etching stopper film and the like are formed with a silicon nitride film, there occurs piercing into a substrate made of boron with hydrogen generated when a film is formed.例文帳に追加

自己整合コンタクト技術を行う半導体装置の製造方法において、オフセット絶縁膜、サイドウォール絶縁膜、エッチングストッパ層等を窒化シリコン膜で形成すると、成膜時に発生した水素によって、ホウ素の基板への突き抜けが生じ、それによって、トランジスタ特性を劣化させていた問題の解決を図る。 - 特許庁

In a semiconductor device in which a plurality of fuse wires 2 are formed on an interlayer insulating film 3 in an upper layer on a semiconductor substrate 1, grooves 7 are formed on the interlayer insulating film 3 between adjacent fuse wires 2, and a silicon nitride film 8 of a specified thickness is so formed as to cover the sides and the upper face of each fuse wire 2.例文帳に追加

半導体基板１の上層において層間絶縁膜３上に形成された複数のヒューズ用配線２を備えた半導体装置であって、層間絶縁膜３には、隣接するヒューズ用配線２間において溝７が形成されており、ヒューズ用配線２の側面から上面にかけてを覆うように所定の膜厚のシリコン窒化膜８が形成されている。 - 特許庁

In a plasma CVD method using high frequency discharge, the amorphous silicon nitride film is formed by using mixed gas containing silane gas, hydrogen gas, and at least one of ammonium gas or nitrogen gas while the distance between electrodes is 50-100 mm, and the flow rate ratio (H_2/SiH_4) of hydrogen gas to silane gas is 0.5-3.0.例文帳に追加

高周波放電を利用したプラズマＣＶＤ法において、シランガスと、水素ガスと、アンモニアガスまたは窒素ガスの少なくとも一方とを含む混合ガスを用いて、電極間距離を５０〜１００ｍｍとし、シランガスに対する水素ガスの流量比（Ｈ_2／ＳｉＨ_4）を０．５〜３．０として非晶質窒化珪素膜を成膜する。 - 特許庁

In the fabrication process, a silicon nitride film 9 is left only on a region for forming the gate electrode 8A (word line WL) of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM, and not left on the gate electrode 8B of an MISFET constituting a logic LSI and on the gate electrodes 8C and 8D constituting the memory cell of an SRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極８Ａ（ワード線ＷＬ）を形成する領域の上部のみに窒化シリコン膜９を残し、ロジックＬＳＩを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極８Ｂの上部およびＳＲＡＭのメモリセルを構成するゲート電極８Ｃ、８Ｄの上部には窒化シリコン膜９を残さないようにする。 - 特許庁

A plastic lens has the antireflection film made by forming a hard coat layer directly on a base material, wherein the antireflection film is a multilayer film comprising a low-refractive index film or a middle-refractive index film and high-refractive index films, and at least one of the high-refractive index films is formed of a layer consisting of a simple compound of silicon nitride.例文帳に追加

レンズ基材の上に直にハードコート層が形成された反射防止膜を有するプラスチックレンズであって、反射防止膜は、低屈折率の層または中屈折率の層と、高屈折率の層とを含む多層膜であり、高屈折率の層は、少なくとも１つの層は、窒化シリコンの単純化合物からなる層により形成する。 - 特許庁

The ceramic masher roll is used for flattening the flashes and burrs generated at both ends of the trimmed metallic bands, At least the portions to mash the metallic band are composed of a sintered compact composed of silicon nitride as a principal component and the thermal conductivity at ordinary temperature of the sintered compact is ≥50 W/(mxK).例文帳に追加

トリミングした金属帯の両端部に生じたバリ部や返り部を押し潰して平坦化するのに用いられるセラミックス製マッシャーロールであって、少なくとも金属帯を押し潰す部分が窒化ケイ素を主成分とする焼結体からなり、該焼結体の常温における熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The resin product containing a bright and discontinuously structured metal film 12 comprising a resin base material 11 and indium on the resin base material 11, is characterised by having an under anti-corrosive protection film 13 for improving the corrosion resistance of the metal film 12 comprising silicon oxonitride, aluminum nitride, aluminum oxonitride or chromium oxide formed by a physical vapor deposition method only under the metal film 12.例文帳に追加

樹脂基材１１と、樹脂基材１１上にインジウムからなる光輝性でかつ不連続構造の金属皮膜１２とを含む樹脂製品であって、金属皮膜１２の下にのみ、物理的蒸着法により形成された、酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム又は酸化クロムからなる金属皮膜１２の耐食性を向上させる下耐食保護膜１３を有することを特徴とする。 - 特許庁

The deviated abrasion is prevented by hardening the insulation layer with addition of chromium, titanium, silicon or the like and by disposing a hard film composed of aluminum nitride, diamond-like carbon, tetrahedral amorphous carbon or the like between the insulation layer and a metal layer or between the substrate and the insulation layer.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、基板上に電磁変換のための磁気回路層、絶縁層を形成してなるが、絶縁層をクロム、チタン、シリコンなどの添加によって硬質化、また、絶縁層と金属層との間、基板と絶縁層との間に、窒化アルミニウム、ダイヤモンド状炭素、テトラヘドラルアモルファス状炭素などの硬質膜を設置することなどで偏摩耗量を抑制する。 - 特許庁

A prescribed portion of a silicon nitride film formed on the conductive layer on a semiconductor substrate is exposed to fluorine radical generated from a gas containing NF3 introduced into a plasma to expose the prescribed portion of the conductive layer and then an upper conductive layer electrically connected to the exposed conductive layer is formed thereon.例文帳に追加

導電層の上にシリコン窒化膜を形成した半導体基板に対して、シリコン窒化膜の所定部分をプラズマ中に導入したＮＦ_3を含むガスにより生成されたフッ素ラジカルに曝して導電層の所定部分を露出させ、引続いて、導電層の露出した部分の上にこれに電気的に接続する上層の導電層を形成する。 - 特許庁

In the process for fabricating a semiconductor device where the shape of skin surface is detected by detecting the capacitance of the skin surface and a conductive film through a silicon nitride and polyimide film of passivation film, a polyimide film having a thickness of 400-700 nm is formed on the uppermost layer of the semiconductor device at a temperature of 350-380°C.例文帳に追加

パシベーション膜である窒化シリコン及びポリイミド膜を介して皮膚表面と導電膜との容量を検出し、皮膚表面の形状を検出する半導体装置の製造方法において、その半導体装置の最上層に膜厚が４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下のポリイミド膜を硬化温度を３５０℃以上３８０℃以下で形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of subjecting a semiconductor substrate having a region where a silicide film is formed on a surface to a plasma treatment in a gas atmosphere containing an oxygen element to form an oxide film on the silicide film and a process of forming a silicon nitride film covering the surface of the semiconductor substrate after the oxide film is formed.例文帳に追加

表面にシリサイド膜が形成された領域を有する半導体基板を、酸素元素を含むガス雰囲気中でプラズマ処理してシリサイド膜の上に酸化膜を形成する工程と、その酸化膜を形成した後、半導体基板の表面を覆うシリコン窒化膜を形成する工程と、を備えた。 - 特許庁

The electrostatic chuck is formed by baking an insulative ceramics and an electrode integrally, and as the insulative ceramics, a composite material is used, and it includes a first element made of at least one kind selected from magnesium oxide and magnesium spinel oxide and a second element made of silicon nitride at a combination in volume percentage of 80:20 to 30:70.例文帳に追加

絶縁性セラミックスと電極とを一体焼成した静電チャックにおいて、絶縁性セラミックスとして、酸化マグネシウムおよび酸化マグネシウムスピネルから選んだ少なくとも１種からなる第１成分と、窒化珪素からなる第２成分とを、80：20〜30：70の体積比で配合した複合材料を用いる。 - 特許庁

A source-electrode contact hole 14 and an external-connection-terminal contact hole 32 for a drain line are formed in an overcoat film 13 made of a silicon nitride by dry etching, as well as, external-connection terminal contact hole 22 is continuously formed in the overcoat film 13 and in a gate insulating film 4, respectively.例文帳に追加

ドライエッチングにより、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１３にソース電極用コンタクトホール１４およびドレインライン用外部接続端子用コンタクトホール３２を形成し、且つ、オーバーコート膜１３およびゲート絶縁膜４にゲートライン用外部接続端子用コンタクトホール２２を連続して形成する。 - 特許庁

The cutting tool realizes a long service life in high speed cutting of cast iron, compared with a conventional silicon nitride sintered compact cutting tool.例文帳に追加

Ｙ_2Ｏ_3：１．２〜１．８重量％と、Ａｌ_2Ｏ_3：０．３〜０．８重量％と、Ｓｉ_3Ｎ_4：残りとからなり、鋳鉄との摩擦係数は０．６以下であり、熱伝導率は４０Ｗ／ｍＫ以上である窒化珪素焼結体切削工具およびその表面に被膜を被覆した被覆窒化珪素焼結体切削工具は、鋳鉄の高速切削において、従来の窒化珪素焼結体切削工具よりも長寿命を実現する。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 22 composed of silicon nitride film of 20-50 nm is laminated by a sputtering method using an RF power supply.例文帳に追加

ソース領域またはドレイン領域１２ｂ、１３ｂ、１４ｂに達するコンタクトホールを形成した後、層間絶縁膜２０上に上端部に曲面を有する感光性の有機絶縁物材料から成る層間絶縁膜２１を形成し、さらに、ＲＦ電源を用いたスパッタ法により２０〜５０ｎｍの窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜２２を積層する。 - 特許庁

The generation step of the metallization track 7 comprises an etching step of the track insulation material 1 forming a clearance 4 in the position of the track, a step for depositing a conduction barrier layer 5 in the clearance, a step for filling the clearance with copper, and a step for depositing a silicon nitride layer 8 on the predetermined metallization level.例文帳に追加

この金属トラック７の生成ステップは、前記トラックの位置に空隙４を形成するトラック間絶縁材料１のエッチング・ステップと、空隙に伝導バリア層５を堆積するステップと、銅で空隙を充填するステップと、予め定めたメタライゼーション・レベル上に窒化珪素層８を堆積するステップと、を含む。 - 特許庁

As a method for manufacturing it, after forming the photo diode and the transistor, etc. in the pixel array 10 and the peripheral circuit 11, the region of the transistor of the pixel array is so covered with a silicon nitride etc. that no silicide is formed therein, and the silicide layer 140 is formed in the region of the transistor constituting the peripheral circuit 11.例文帳に追加

その製法としては、画素アレイ部１０および周辺回路部１１にフォトダイオードやトランジスタを形成した後、画素アレイ部のトランジスタの領域にはシリサイドが形成されないように窒化シリコンなどで覆って、周辺回路部１１を構成するトランジスタの領域にシリサイド層１４０を形成する。 - 特許庁

To provide an inner tube for a glassy carbon CVD device and a manufacturing method thereof whereby excellent adhesion is obtained with a CVD deposit accumulated on an inner surface, particularly with a silicon nitride deposit, and thus a cleaning pitch for removing the CVD deposit can be extended so as to reduce the load of the maintenance of the inner tube.例文帳に追加

内周面に堆積するＣＶＤ付着物、特に窒化シリコン付着物との密着性に優れ、これによってＣＶＤ付着物の除去を行うクリーニングのピッチの延長を図ることでインナーチューブのメンテナンスの負担を軽減することができるようにした、ガラス状炭素製のＣＶＤ装置用インナーチューブ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for preparing the silicon nitride powder through a reduction-nitriding method, a composite particle powder is used as a starting material, wherein the composite particle powder comprises a silica particle powder whose surface is coated with a surface modifier, and a carbon powder is further deposited onto the surface of the surface modifier-coated silica particle.例文帳に追加

還元窒化法における窒化ケイ素粉末の製造法において、出発原料としてシリカ粒子粉末の粒子表面が表面改質剤によって被覆されていると共に該表面改質剤被覆シリカ粒子表面に炭素粉末が付着している複合粒子粉末を用いる窒化ケイ素粉末の製造法である - 特許庁

The electro-optical device is provided with a thin film transistor formed on a substrate, an insulating film formed on the thin film transistor and containing silicon nitride oxide, an electrode formed on the insulating film and electrically connected to the thin film transistor, and an EL layer formed on the electrode.例文帳に追加

本発明に係る電気光学装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された、窒化酸化珪素を含む絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された電極と、前記電極上に形成されたＥＬ層を有することを特徴とする。 - 特許庁

In this abrasive material for grinding with a tribologic chemical reaction of silicon nitride or sialon ceramics as a material to be ground and in the manufacturing method thereof, the abrasive material is formed of a ceramic sintered compact, and at least one kind of intergranular part, inner granular part and holes of the sintered compact contains an element for dissolving the ceramics to be ground for reaction.例文帳に追加

被研磨材である窒化ケイ素セラミックスあるいはサイアロンセラミックスのトライボケミカル反応による研磨を行うための研磨材料であって、当該研磨材料は、セラミックス焼結体で構成されており、その焼結体の粒界、粒内、気孔の１種類以上の部分に上記被研磨セラミックスを溶解反応させる元素を含むことを特徴とする上記研磨材料、及びその製造方法。 - 特許庁

The ceramic heater comprises an insulator of sintered silicon nitride, and a U-shaped heater buried in the insulator wherein the insulation resistance of the insulator, interposed between one part of the heater and the other facing part, is 400 Ω or above, especially 1 kΩ or above at 1400°C on the transverse section at a part of highest temperature.例文帳に追加

窒化珪素質焼結体からなる絶縁体と、この絶縁体に埋設されるＵ字状の発熱抵抗体とを備え、最高温となる部位において横断面をとった場合に、発熱抵抗体の一の部分と、それに相対向する他の部分との間に介在する絶縁体の１４００℃における絶縁抵抗値が４００Ω以上、特に１ｋΩ以上のセラミックヒータを得る。 - 特許庁

The application liquid for the undercoating layer for manufacturing the electrophotographic photoreceptor formed sequentially with the undercoating layer and a photosensitive layer, on the conductive support body, contains a binder resin, and a titanium oxide fine particle and silicon nitride fine particle as inorganic compounds, in the application liquid for the electrophotographic photoreceptor undercoating layer.例文帳に追加

導電性支持体上に、下引き層、感光層を順次形成してなる電子写真感光体を製造するための下引き層用塗布液が、バインダー樹脂と、無機化合物として酸化チタン微粒子及び窒化ケイ素微粒子とを含有することを特徴とする電子写真感光体下引き層用塗布液により課題を解決する。 - 特許庁

Prior to forming the bottom electrode 121 of the capacitor, a side wall 119 having a positive curvature in the upper part while having a negative curvature in the lower part, is formed between the bottom electrode of the capacitor and the stack cell, using a silicon nitride film deposited by atomic layer deposition wherein a dry etching rate becomes lower in the depthwise direction.例文帳に追加

キャパシタ下部電極１２１形成前に、深さ方向によってドライエッチングレートが低くなる原子層蒸着で成膜されたシリコン窒化膜を用い、キャパシタ下部電極とスタックセル側壁の間に、上部が正の曲率を有し、下部が負の曲率を有する形状のサイドウォール１１９を形成する。 - 特許庁

At least an end of the gate oxide film 15 on the side of the photoelectric transfer part 12 forms a monolayer gate oxide film which does not contain the silicon nitride film 16.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された光電変換部１２と、前記光電変換部に近接した、電荷転送素子（ＣＣＤ）の転送路のゲート酸化膜が、酸化シリコン膜（ＳｉＯ）１５と、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）１６との積層構造膜で構成され、少なくとも前記ゲート酸化膜１５の光電変換部側端部が窒化シリコン膜１６を含有しない単層構造のゲート酸化膜をなすことを特徴とする。 - 特許庁

Further, second polycrystalline semiconductor layers 122 and 124 and third polycrystalline semiconductor layer 126 are selectively grown on the portion of the p-type polycrystalline semiconductor film 106 exposed in the lower surface of the visor section without contacting the silicon nitride film 108, while the second semiconductor layers 112 and 114 and the third semiconductor layer 116 are grown, so that the third semiconductor layer is in contact with the third polycrystalline semiconductor layer.例文帳に追加

さらに第二の半導体層１１２、１１４、第三の半導体層１１６を成長させつつ、庇部の下面に露出したｐ型多結晶シリコン膜１０６の下方に第二の多結晶半導体層１２２、１２４、第三の多結晶半導体層１２６を、シリコン窒化膜１０８に接触しないように選択的に成長させ、第三の半導体層と、第三の多結晶半導体層を接触させる。 - 特許庁

A ball 3 is made of silicon nitride and a shot blasting process for introducing dislocation into a ceramic crystal formed on the surface of the ball 3 is carried out by blasting a shot comprising particles having specific gravity of ≥3.0, Vickers hardness of ≥400 and an average particle diameter of ≥200 μm and ≤1,000 μm and after that, a polish finishing work is carried out.例文帳に追加

玉３を窒化珪素製とし、その表面に、比重が３．０以上で、ビッカース硬さが４００以上で、平均粒径が２００μｍ以上１０００μｍ以下の粒子からなるショットを投射することにより、前記表面をなすセラミックス結晶に転位を導入するショットブラスト工程を行った後に、仕上げ研磨加工を行う。 - 特許庁

The ceramics circuit board 10 comprises a ceramics board 11 serving as an insulating layer such as a silicon nitride plate (Si_3N_4 plate) 11a; a circuit pattern forming metal plate 12 joined via a brazing material with one surface of the ceramics board 11; and the heat dissipating metal plate 13 joined via a brazing material with the other surface of the ceramics board 11.例文帳に追加

セラミックス回路基板１０は、窒化珪素板（Si_3N_4板）１１ａ等の絶縁層として機能するセラミックス基板１１と、セラミックス基板１１の一方の面にろう材を介して接合された回路パターン形成用金属板１２と、セラミックス基板１１の他方の面にろう材を介して接合された放熱用金属板１３とを有している。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal display, capable of enhancing reflection efficiency by forming a rugged reflection plate, utilizing BCB to be a general organic insulating substance or an silicon nitride to be an inorganic insulating substance and manufacturing a reflection-type or semi-transmission type liquid crystal display, utilizing the ordinary manufacturing line of the liquid crystal display, as it is.例文帳に追加

一般的な有機絶縁物質であるＢＣＢまたは無機絶縁物質である窒化シリコンを利用して、凹凸状の反射板を構成して反射効率が高めることができ、かつ通常の液晶表示装置の製作ラインをそのまま利用して反射型または半透過型液晶表示装置を製造することができる液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate; and comprises the semiconductor substrate, an impurity diffusion layer formed on one main surface of the semiconductor substrate, an insulating film formed on the impurity diffusion layer, and a silicon nitride film which is formed on the insulating film and in which the amount of positive charges is changed by a given heat treatment to control impurity concentration near the surface of the impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

To provide a roll for continuous hot-dip metal plating capable of preventing a roll shaft part from coming off from a roll body part during the use, suppressing cracks caused in a joined part of the roll shaft part and the roll body part, enhancing the thermal shock resistance of silicon nitride ceramic, and preventing a roll from being fractured by thermal shock during the use.例文帳に追加

使用中にロール軸部がロール胴部から抜けることを防止するとともに、ロール軸部とロール胴部との接合部に割れが発生することを抑えた、また窒化ケイ素系セラミックスの耐熱衝撃性を向上させ、使用時に熱衝撃によりロールが破壊することを防止した連続溶融金属めっき用ロールを提供する。 - 特許庁

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

Spherical or elliptical magnetic powder containing iron, palladium and nitrogen, further containing at least one element selected from a rare earth element, silicon and aluminum, including an iron nitride phase represented by general formula Fe_16N_2 and having 5 to 30 nm average particle size is used as the magnetic powder incorporated in a magnetic layer.例文帳に追加

磁性層に含有させる磁性粉末として、鉄とパラジウムと窒素とを含有し、かつ希土類元素、シリコンおよびアルミニウムの中から選ばれる少なくともひとつの元素を含有し、さらに一般式Ｆｅ_16Ｎ_2 で表される窒化鉄相を少なくとも含む、平均粒子サイズが５〜３０ｎｍの球状ないし楕円状の磁性粉末を使用する。 - 特許庁

The photoresists contain the adhesion promotion component including the Si containing group, exhibit good resolution and adhesion to underlying inorganic surfaces such as SiON, silicon oxide, silicon nitride and other inorganic surfaces, and particularly useful for the ion lithography applications and are useful for sub 300 nm, sub 200 nm, and a short wavelength image formation such as 248 nm, 193 nm, and EUV.例文帳に追加

本発明のフォトレジストは、Ｓｉ含有基を含む接着促進成分を含有するフォトレジストであり、これを用いることでＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素および他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な解像度、接着性を示し、イオン注入リソグラフィ用途に特に有用であり、サブ３００ｎｍ、および２００ｎｍ、例えば２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよびＥＵＶをはじめとする短波長像形成に有用である。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁

The non-oxide ceramic material, as a ceramic material such as ceramic composite material, enables chemical bonding between structure strengthening ceramic parts formed of silicon nitride or silicon carbide for example, by spraying powdered vanadium oxide used as a reaction bonding material on the bonding surfaces, applying in paste-like form or pasting cut pieces of sheets together, and heating the fixed reaction bonding surfaces to a specified temperature.例文帳に追加

非酸化物系セラミックスはセラミックス複合材等のセラミックス材料として、例えば窒化珪素、炭化珪素等にて形成された構造強度用のセラミックス部品同士を、バナジウム酸化物を反応接合材としてその粉末を接合面に噴霧、ペースト状にして塗布、或いはシート状に形成したものを切断して張り合わせ、反応接合面を固定して所定温度に加熱することで、化学反応により接合せしめるようにした。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.1-1.2, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．１を越え１．２以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.0-1.1, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．０を越え１．１以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.2-1.3, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．２を越え１．３以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.3-1.4, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．３を越え１．４以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁