「SILICON-NITRIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化けい素焼結体およびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR ETCHING SILICON NITRIDE FILM例文帳に追加

シリコンナイトライド膜のエッチング方法 - 特許庁

SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

窒化珪素焼結体およびその製造方法 - 特許庁

SINTERED SILICON NITRIDE COMPACT AND CIRCUIT BOARD OBTAINED BY USING THE SAME例文帳に追加

窒化珪素焼結体及びそれを用いてなる回路基板 - 特許庁

The electric charge storage layer comprises a two-layer silicon nitride film.例文帳に追加

電荷蓄積層は２層の窒化シリコン膜でなる。 - 特許庁

SILICON NITRIDE-BASED COMPOSITE CERAMIC AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

窒化ケイ素基複合セラミックス及びその製造方法 - 特許庁

At least one kind selected from among alumina, aluminium nitride, boron nitride, silicon nitride, and silicon carbide is appropriately used as the spacer 3.例文帳に追加

スペーサ3としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素および炭化珪素よりなる群から選択される少なくとも１種が好適に利用できる。 - 特許庁

In the silicon nitride wiring board, a conductor layer composed of zirconium nitride is formed integrally on the surface of a silicon nitride substrate.例文帳に追加

窒化けい素基板の表面に窒化ジルコニウムから成る導体層が一体に形成されていることを特徴とする窒化けい素配線基板である。 - 特許庁

Further, the ceramic substrates 2a, 2b are preferably made of at least one kind selected from among aluminum nitride, silicon nitride, acid aluminum nitride and silicon carbide.例文帳に追加

また、セラミックス基板２ａ、２ｂは、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウム、炭化珪素から選ばれた少なくとも１種が好ましい。 - 特許庁

This method for producing a silicon nitride-based porous body comprises forming a mixed powder containing a silicon nitride powder and an iron nitride powder and firing the formed body under a non-oxidizing atmosphere.例文帳に追加

窒化ケイ素粉末と窒化鉄粉末とを含む混合粉末を成形し、非酸化性雰囲気下で焼成する窒化ケイ素質多孔体の製造方法。 - 特許庁

A silicon nitride film 3 and a silicon oxide film 2 are formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上にシリコン窒化膜３、シリコン酸化膜２が形成されている。 - 特許庁

A nitride silicon layer 16 whose dielectric ratio is higher than a silicon oxide layer 15 is laminated on the silicon oxide layer 15.例文帳に追加

酸化シリコン層15より誘電率が高い窒化シリコン層16を酸化シリコン層15上に積層させた。 - 特許庁

A silicon oxide film 102 and a silicon nitride film 103 are formed on a silicon substrate 101.例文帳に追加

シリコン基板１０１にシリコン酸化膜１０２及びシリコン窒化膜１０３を形成する。 - 特許庁

FORMATION METHOD OF SILICON OXIDE FILM, FORMATION METHOD OF SILICON NITRIDE FILM, AND FORMATION METHOD OF SILICON OXYNITRIDE FILM例文帳に追加

シリコン酸化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON OXIDE FILM AND SILICON NITRIDE OXIDE FILM, AND SILICON WAFER例文帳に追加

シリコン酸化膜およびシリコン窒化酸化膜の形成方法ならびにシリコンウエーハ - 特許庁

In this case, the high-refractive-index medium 13 is SOG, silicon oxide, silicon nitride or silicon oxynitride.例文帳に追加

ここで、高屈折率媒質１３は、ＳＯＧ、酸化ケイ素、窒化珪素、酸窒化珪素などである。 - 特許庁

The silicon nitride composite laminate 2 containing carbon fibers 3b and boon nitride is obtained by alternately stacking silicon nitride layers 3 containing carbon fibers and silicon nitride layers 4 containing boron nitride, disposing silicon nitride layers 5 on the top and bottom and incorporating manganese into the respective layers 3, 4, 5.例文帳に追加

炭素繊維３ｂと窒化硼素を含む窒化珪素複合積層体２として、炭素繊維を含む窒化珪素層３と、窒化硼素を含む窒化珪素層４とを交互に積層し、最上面と最下面に窒化珪素層５を積層し、各層３，４，５にはマンガンを含ませる。 - 特許庁

The second light-shieldale film 14 is the film that is primarily composed of a silicon-containing compound that can be etched by F-based dry etching, such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon/transition-metal oxide, silicon/transition metal nitride or silicon/transition metal oxynitride.例文帳に追加

さらに、第２の遮光性膜１４はＦ系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする、珪素や珪素と遷移金属の酸化物、窒化物、または酸化窒化物などの膜である。 - 特許庁

A crystalline silicon film used as the active layer, a first silicon oxide film, a second silicon oxide film, a third silicon oxide film overlying them, further a silicon nitride film overlying the third silicon oxide film, and the silicon nitride film are covered by a resin film in the semiconductor device.例文帳に追加

活性層となる結晶性珪素膜を、第１の酸化珪素膜、第２の酸化珪素膜、それらを覆う第３の酸化珪素膜と、さらに第３の酸化珪素膜を覆う窒化珪素膜、前記窒化珪素膜を樹脂膜で覆う。 - 特許庁

The second light-shieldale film 14 is the film that is primarily composed of a silicon-containing compound that can be etched by F-based dry etching, such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon/transition-metal (such as molybdenum (Mo)) oxide, silicon/transition metal nitride or silicon/transition metal oxynitride.例文帳に追加

さらに、第２の遮光性膜１４はＦ系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする、珪素や珪素と遷移金属（例えば、モリブデン（Ｍｏ））の酸化物、窒化物、または酸化窒化物などの膜である。 - 特許庁

Subsequently, a silicon nitride film is formed on the silicon oxide film and an LOCOS film 2 is formed using the silicon nitride film having an opening as a mask before removing the resist film, the silicon nitride film and the silicon oxide film.例文帳に追加

続いて、シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成し、開口部が形成されたシリコン窒化膜をマスクとして、LOCOSを行うことにより、LOCOS膜２を形成し、レジストマスク，シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

Subsequently, a silicon nitride film is formed on the silicon oxide film, and an LOCOS film 2 is formed using the silicon nitride film having an opening as a mask before removing the resist film, the silicon nitride film and the silicon oxide film.例文帳に追加

続いて、シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成し、開口部が形成されたシリコン窒化膜をマスクとして、LOCOSを行うことによりLOCOS膜２を形成し、レジストマスク，シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

The method successively carries out the steps, without being exposed to the air, of forming a silicon oxide film or a silicon-oxide-nitride film and of forming a silicon nitride film over the silicon oxide film or the silicon oxide nitride film.例文帳に追加

酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜を形成する工程と、前記酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上に窒化珪素膜を形成する工程と、を大気に曝すことなく連続的に行うことを特徴とする。 - 特許庁

An inter-gate insulating film 7 is formed by forming films in the order of a silicon nitride film 7a/ a silicon oxide film 7b/ a high dielectric insulating film 7c/ a silicon nitride film 7d/ a silicon oxide film 7e/ a silicon nitride film 7f viewed from the lower layer side.例文帳に追加

ゲート間絶縁膜７が、下層側からシリコン窒化膜７ａ／シリコン酸化膜７ｂ／高誘電体絶縁膜７ｃ／シリコン窒化膜７ｄ／シリコン酸化膜７ｅ／シリコン窒化膜７ｆの順に形成されている。 - 特許庁

To selectively conduct the plasma etching to silicon nitride under the almost normal pressure for the processing object including silicon nitride and silicon oxide.例文帳に追加

窒化シリコンと酸化シリコンを有する被処理物において、略常圧下で前記窒化シリコンを選択的にプラズマエッチングする。 - 特許庁

Thereafter, the silicon nitride film is anisotropically dry etched to leave a silicon nitride film 8a only on the side walls of the silicon gate electrodes 6a, 6b.例文帳に追加

その後、窒化シリコン膜を異方性ドライエッチングすることにより、シリコンゲート電極６ａ、６ｂの側壁にだけ窒化シリコン膜８ａを残す。 - 特許庁

The silicon nitride film 22 is formed on the upper surface of the formed genuine amorphous silicon film 21, and a resist film 23 is formed on the upper surface of the silicon nitride film 22.例文帳に追加

成膜された真性アモルファスシリコン膜21の上面には窒化シリコン膜22が成膜され、その上面にはレジスト膜23が形成されている。 - 特許庁

Negative charge (electrons) is stored in an interface between the silicon oxide film 8 and the silicon nitride film 9 or in the silicon nitride film 9.例文帳に追加

酸化シリコン膜８と窒化シリコン膜９の界面あるいは窒化シリコン膜９の膜中には、負電荷（電子）が蓄積されている。 - 特許庁

A silicon nitride film 2 and a silicon nitride oxide film as a reflection preventing film are formed in this order on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上にシリコン窒化膜２と、反射防止膜としてのシリコン窒化酸化膜とを順に形成する。 - 特許庁

After a silicon nitride film 42 has been formed over the entire surface of the substrate 1, a silicon oxide film 43 is formed on the silicon nitride film 42.例文帳に追加

基板１の全面にシリコン窒化膜４２を形成した後、シリコン窒化膜４２上にシリコン酸化膜４３を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 8 is laminated, and a core material pattern 9 is formed of a silicon oxide film on the silicon nitride film.例文帳に追加

シリコン窒化膜８を積層し、その上にシリコン酸化膜からなる芯材パターン９を形成する。 - 特許庁

After the first silicon nitride film is formed, a second silicon oxide film that covers the first silicon nitride film is formed.例文帳に追加

第１シリコン窒化膜を形成した後、第１シリコン窒化膜を覆う第２シリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

The surface nitrification degree of silicon, i.e., the weight ratio of (silicon nitride/silicon) in the nitride is ≥60%.例文帳に追加

遷移金属と珪素または窒化珪素とのターゲットをスパッタして得られる遷移金属と珪素との窒化化合物を有する帯電緩和膜。 - 特許庁

The semiconductor includes a silicon oxide-nitride film whose main components are silicon nitride and silicon oxide, and the dielectric constant of the silicon oxide-nitride film is larger than the dielectric constant which is the simple average of dielectric constants of the silicon oxide and silicon nitride by the rate of composition.例文帳に追加

窒化シリコン及び酸化シリコンを主成分とするシリコン酸窒化膜を含む半導体装置であって、シリコン酸窒化膜の比誘電率が、酸化シリコンの比誘電率及び窒化シリコンの比誘電率を組成比で単純平均した比誘電率よりも大きい。 - 特許庁

An epitaxial layer 12 which comprises a crystalline silicon nitride thin film having crystal orientation and alignment of a single-crystal silicon substrate or a silicon nitride thin film having a crystalline silicon nitride and an amorphous silicon nitride mixed therein is formed on a single-crystal silicon substrate 11 to a thickness of 0.05-2,000 nm.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１１上に単結晶シリコン基板の結晶方位と整合性を有する結晶性窒化シリコン薄膜、又は結晶質窒化シリコンとアモルファス窒化シリコンとが混在した窒化シリコン薄膜からなるエピタキシャル層１２を０．０５〜２０００ｎｍの厚さで形成する。 - 特許庁

To prevent particles from being generated from the rear face of a silicon substrate caused by the lift-off of a silicon nitride film, in the silicon substrate in which a silicon oxide film and the silicon nitride film are formed on the rear face of the silicon substrate from the lower layer of the substrate in this order.例文帳に追加

シリコン基板裏面に下層から順にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜が形成されたシリコン基板において、シリコン窒化膜のリフトオフに起因するシリコン基板裏面からのパーティクル発生を抑制する。 - 特許庁

In a silicon nitride circuit substrate having a structure that the resin layer is directly adhered to both or one surface(s) of the silicon nitride substrate, the silicon nitride substrate contains at least one of an aluminum nitride powder or a silicon nitride powder in the resin layer.例文帳に追加

窒化珪基板の両面または片面に、樹脂層が直接密着した構造を有する窒化珪素回路基板において、当該樹脂層内に窒化アルミニウム粉末または窒化珪素粉末の少なくとも一方が含有されていることを特徴とする窒化珪素基板。 - 特許庁

To provide an etchant highly selectively etching silicon nitride and producing no precipitate after etching, in a process of removing silicon nitride from an electronic substrate having silicon dioxide and silicon nitride simultaneously.例文帳に追加

二酸化ケイ素と窒化ケイ素を同時に有する電子基板から窒化ケイ素を除去する工程において、窒化ケイ素のエッチングを高選択的に行い、かつエッチング後に析出物が発生しないエッチング液を提供することを目的とする。 - 特許庁

This fiber-reinforced silicon nitride sintered compact 10 comprises silicon nitride particles 2, an oxynitride particle boundary phase 4 containing silicon 3, a silicon nitride layer 5, and reinforcing fibers 6.例文帳に追加

繊維強化窒化珪素焼結体１０は窒化珪素粒子２と、珪素３を含む酸窒化物粒界相４と、窒化珪素層５と、強化繊維６とからなる。 - 特許庁

To provide a method of forming a silicon nitride film having not electrons or a hole trap in its film in the formation of the silicon nitride film on the surface of a silicon wafer and to provide an apparatus for forming the silicon nitride film.例文帳に追加

シリコンウェハ表面への窒化珪素膜の形成において、膜中の電子またはホールトラップのない窒化珪素膜を形成する方法及びその装置の提供。 - 特許庁

The gate electrode 8 has a multilayer sidewall structure composed of a silicon oxide film 10a, a silicon nitride film 10b, a silicon oxide film 10c, and a nitride film 10d of a plasma silicon nitride, for example, arranged sequentially from the sidewall.例文帳に追加

ゲート電極８の側壁構造は側壁に近い順にシリコン酸化膜１０ａ・シリコン窒化膜１０ｂ・シリコン酸化膜１０ｃ・プラズマシリコン窒化物などの窒化膜１０ｄの積層膜からなる。 - 特許庁

The ceramic board is an aluminum nitride board or a silicon nitride board.例文帳に追加

セラミックス基板が、窒化アルミニウム基板又は窒化ケイ素基板である該セラミックス二層回路基板。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE LAYER ON GATE OXIDE FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND ANNEALING THE NITRIDE LAYER例文帳に追加

半導体装置のゲート酸化膜上に窒化珪素層を形成し、窒化物層を熱処理する方法 - 特許庁

The ceramic substrate board is made of a material selected from a group consisting of alumina, aluminum nitride, and silicon nitride.例文帳に追加

セラミックス基板はアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素から選ばれる一種とする。 - 特許庁

A silicon nitride film 23 of several nm in thickness, the cavity 24 of 50 nm in width, a silicon nitride film 23, a silicon oxide film 25 containing carbon, a silicon nitride film 23, a cavity 24, a silicon nitride film 23, and copper wiring 22, are formed in order between the copper wirings 22.例文帳に追加

銅配線２２の間には、数ｎｍのシリコン窒化膜２３、幅５０ｎｍの空洞２４、シリコン窒化膜２３、炭素含有シリコン酸化膜２５、シリコン窒化膜２３、空洞２４、シリコン窒化膜２３、銅配線２２が順に形成されている。 - 特許庁