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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Spontaneous Magnetizationの意味・解説 > Spontaneous Magnetizationに関連した英語例文

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Spontaneous Magnetizationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 27



例文

spontaneous magnetization 例文帳に追加

外部磁界によらずに形成される磁化 - EDR日英対訳辞書

MRAM MEMORY CELL AND METHOD FOR ACCELERATING INVERSION OF SPONTANEOUS MAGNETIZATION例文帳に追加

MRAMメモリセル及び自発磁化反転促進方法 - 特許庁

METHOD OF EVALUATING HARDENING RANGE OF IRON AND STEEL MATERIAL BY SPONTANEOUS MAGNETIZATION例文帳に追加

自発磁化により鉄鋼材料の焼入れ範囲を評価する方法 - 特許庁

Then, the spontaneous magnetization of the material is monitored on occasions in the actual use of the material to compare the intensity of the spontaneous magnetization with the correlation between the number of repetitions of the stress loading and the spontaneous magnetization, thereby evaluating the useful life of the material to prevent fatigue failure of the material from occurring.例文帳に追加

次いで、前記材料の実際の使用において、前記材料の自発磁化を随時モニターし、その自発磁化の大きさを前記応力負荷の繰り返し数と前記自発磁化との前記相関と比較することにより、前記材料の寿命を評価し、前記材料の疲労破壊を未然に防止する。 - 特許庁

例文

An intermediate layer 103 consisting of a substance not having spontaneous magnetization is arranged on the magnetic layer 102.例文帳に追加

磁性層102上に自発磁化を有さない物質から成る中間層103を配する。 - 特許庁


例文

Then, correlation between the number of repetitions of stress loading and the spontaneous magnetization is derived on the material.例文帳に追加

次いで、前記材料の、前記応力負荷の繰り返し数と前記自発磁化との相関を導出する。 - 特許庁

The free ferromagnetic layer 21 is bonded to the tunnel insulating layer 9 and has reversible free spontaneous magnetization.例文帳に追加

自由強磁性層21は、トンネル絶縁層9に接合され、反転可能な自由自発磁化を有する。 - 特許庁

The fixed ferromagnetic layer 20 is bonded to the antiferromagnetic layer 5 and has fixed spontaneous magnetization.例文帳に追加

固定強磁性層20は、反強磁性層5に接合され、固定される固定自発磁化を有する。 - 特許庁

To apply fine machining to a workpiece composed of a magnetic substance apt to form spontaneous magnetization.例文帳に追加

容易に自発磁化を形成するような磁性体よりなる被加工物(ワーク)の加工を良好に行なえるようにする。 - 特許庁

例文

Furthermore, since the difference in spontaneous Hall voltage according to the magnetization states of the memory layers is large, the magnetic RAM has a high data-sensing margin.例文帳に追加

また、メモリ層の磁化状態による自発ホール電圧差が大きいので、高いデータセンシングマージンを有する。 - 特許庁

例文

The magnetic resistance element 7 has spontaneous magnetization, the magnetization direction of which is inverted in accordance with data to be stored and is provided between a ground 24 and the drain of the first Tr 6.例文帳に追加

磁気抵抗素子7は、記憶されるデータに応じて磁化方向が反転される自発磁化を有し、接地24と第1Tr6のドレインとの間に介設される。 - 特許庁

The memory cells 1 are formed at positions on the first signal lines 2 where the first and the second signal lines intersect with each other, and have spontaneous magnetization which reverses magnetization direction according to memorized data.例文帳に追加

メモリセル1は、第1信号線2上の第2信号線3と交差する位置に設けられ、記憶されるデータに応じて磁化方向が反転する自発磁化を有する。 - 特許庁

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは,基板(1)と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層(8)を含み,自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し,且つ,前記基板(1)の上方に形成された磁気抵抗素子(5)と,磁気抵抗素子(5)に印加される磁場を発生する電流を流すための配線(11)とを備えている。 - 特許庁

A first magnetic layer 4 is arranged on a substrate 2, and also there are provided a second magnetic layer 5 in which the maximum absolute magnetization is larger than the first magnetic layer 4 in a range from a room temperature to Curie temperature, and a metal layer 3 consisting of non-spontaneous magnetization metals.例文帳に追加

基板2上に第1磁性層4が設けられているとともに、室温からキュリー温度までの範囲において取り得る磁化の絶対値の最大値が、第1磁性層4よりも大きな第2磁性層5と、非自発磁化性の金属から成る金属層3とを備えている。 - 特許庁

This shim assembly includes a ferromagnetic material and a ferrimagnetic material for indicating an increase in the spontaneous magnetization in response to the temperature rise in the predetermined temperature width.例文帳に追加

このシム・アセンブリは強磁性材料と所定の温度幅において温度上昇に伴って自発磁化の増加を示すフェリ磁性材料とを含む。 - 特許庁

Stress is repeatedly loaded onto the prescribed material to previously monitor changes in spontaneous magnetization from the start of stress loading onto the material to its fracture.例文帳に追加

所定の材料に対して応力を繰り返し負荷し、前記材料に対する前記応力の負荷開始から破断までの自発磁化の変化を予めモニターする。 - 特許庁

The detecting sensitivity of a torque sensor is not lowered as the spontaneous magnetization is generated only near a surface of a groove member 3A by skin effect, even when the groove member 3A is formed by a thin plate member.例文帳に追加

溝部材3Aを薄板部材により形成しても、表皮効果によって、その表面近傍にのみ自発磁化が生じるので、トルクセンサの検出感度が低下することがない。 - 特許庁

Also, a ground surface layer consisting of a substance not having the spontaneous magnetization is used in combination between the substrate 101 and the magnetic layer 102, thereby the high squareness ratio can be maintained even at a high temperature and the high-density recording can be performed.例文帳に追加

また、基板101と磁性層102との間に自発磁化を有さない物質から成る下地層を併せて用いることで高温下でも高い角型比を維持して高密度記録できる。 - 特許庁

One side of the lens holder 11 and the optical fiber holder 13 comprises a ferromagnetic material in which spontaneous magnetization is induced and the other side comprises a ferromagnetic material or a paramagnetic material with high permeability.例文帳に追加

レンズホルダ11及び光ファイバーホルダ13の一方は自発磁化が誘起された強磁性体から構成し、他方は強磁性体又は高透磁率常磁性体から構成する。 - 特許庁

In the MRAM, tunnel insulating layers (5-1 through 5-3), are provided so as to be sandwiched between first to (n+1)-th magnetic material layers (4 and 6-1 through 6-3) and an i-th magnetic material layer, which have spontaneous magnetization respectively.例文帳に追加

本発明による磁性メモリは、トンネル絶縁層(5−1〜5−3)が自発磁化をそれぞれ有する第1〜第(n+1)磁性体層(4、6−1〜6−3)第i磁性体層の間に介設されている。 - 特許庁

The shims 24, 34 and 54 are adapted so as to change a magnetic field of magnets 12, 14 and 36, and include a first material for indicating an increase in spontaneous magnetization in response to a temperature rise in a predetermined temperature width.例文帳に追加

マグネット(12、14、36)の磁場を変更するように適合させたシム(24、34、54)は所定の温度幅において温度上昇に伴って自発磁化の増加を示す第1の材料を含む。 - 特許庁

A method for changing the magnetic field of the magnets, includes a process of arranging the shims including the first material for indicating an increase in the spontaneous magnetization in response to the temperature rise in the predetermined temperature width, inside the magnetic field.例文帳に追加

本発明のさらに別の実施形態では、マグネットの磁場を変更するための方法は、所定の温度幅において温度上昇に伴って自発磁化の増加を示す第1の材料を含んだシムを前記磁場の内部に配置する工程を含む。 - 特許庁

The waveguide type magnetooptical device includes at least: a ring type optical waveguide 102 which is formed on a substrate 101 and composed of a magnetooptical material having spontaneous magnetization; and an optical waveguide 103 which is optically coupled with the ring type optical waveguide 102 by an input/output coupler 104.例文帳に追加

基板101の上に形成され、自発磁化を有する磁気光学材料から構成されたリング型光導波路102と、リング型光導波路102と入出力結合器104で光結合する導波路103とを少なくとも備える。 - 特許庁

In the MRAM with this constitution, the resistant value between the first magnetic material layer and the (n+1)-th magnetic material layer can be different values of {(n^2+n+2)/2} pieces or more, according to the direction of the first-(n+1)-th spontaneous magnetization.例文帳に追加

このような構成を有する当該磁性メモリでは、第1〜第(n+1)自発磁化の方向に応じて、第1磁性体層と第(n+1)磁性体層との間の抵抗値が、少なくとも{(n^2+n+2)/2}個以上の互いに異なる値をとり得る。 - 特許庁

The magneto-optical recording medium with a recording layer composed of a perpendicular magnetized film and an auxiliary magnetic film having spontaneous magnetization and having a magnetic property in which a squareness ratio of an M-H loop changes from a state of 1 to an intermediate state between 1 and 0 at a temperature below a Curie temperature in the case of warm-up is used.例文帳に追加

垂直磁化膜からなる記録層と自発磁化を有する補助磁性膜とを備え、昇温時にキュリー温度以下の温度でM−Hループの角形比が1の状態から1と0の中間状態に変化する磁気特性を有する光磁気記録媒体を用いる。 - 特許庁

In a magnetic sensor employing a Faraday effect of a Faraday rotation element, the Faraday rotation element is configured such that a magnetic body layer having a large Verdet constant and small magnetostriction is formed on both sides of a thin light transmissive member so as to have a thickness that is less than or equal to spontaneous magnetization and allows light to transmit therethrough.例文帳に追加

ファラデー回転素子が有するファラデー効果を用いた磁気センサにおいて、 前記ファラデー回転素子は、薄い光透過部材の両面に、ベルデ定数が大きくて磁歪が小さな磁性体層が、自発磁化以下の厚さで光が透過できる厚さに形成されていることを特徴とするもの。 - 特許庁

例文

On the other hand, the large phase delay of the magnetic field is not generated at a part furthermost from the surface of the groove member 3A, that is, an amount of spontaneous magnetization generated by the total groove member 3A is not canceled, which increases the detecting sensitivity of the torque sensor.例文帳に追加

一方、溝部材3Aの最も表面から遠い部分においても、大きな磁界の位相遅れが生じないことから、溝部材3A全体で発生する自発磁化量を相殺することがないので、むしろトルクセンサの検出感度は増大することとなる。 - 特許庁

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