| 意味 | 例文 |
UBMを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 57件
The ratio r2/r1 of an aperture radius (UBM diameter) r1 where the solder bump 11 is in contact with the semiconductor chip 10 and the solder resist aperture radius (SRO diameter) r2 where the backup solder 21 is in contact with the package base board 20 is made to be 0.8 or greater and 1.2 or smaller.例文帳に追加
半導体チップ１０に半田バンプ１１が接する開口半径（ＵＢＭ径）ｒ１と、パッケージ基板２０に予備半田２１が接するソルダレジスト開口半径（ＳＲＯ径）ｒ２との比ｒ２／ｒ１を０．８以上で１．２以下とする。 - 特許庁
To provide a stress reducing structure by an under barrier metal (UBM) on a step part of a pad part for a flip-chip, which is a stress lowering structure for setting stress in order to prevent stress on the step part, suppressing a step as a structure, and suppressing contraction of an insulation film.例文帳に追加
フリップチップ用のパッド部の段差部上のアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）による応力低減構造として、段差部に応力が発生しにくい応力設定、および構造として段差の抑制、絶縁膜の収縮抑制を行い低応力化構造とする。 - 特許庁
When bumps are formed by heating a substrate mounting conductive balls on a UBM coated with flux to fuse the conductive balls and then cooling and solidifying the fused conductive balls, at least a part of the surface of the conductive balls arranged on the electrodes of the substrate is coated with flux.例文帳に追加
フラックスが塗布されたＵＢＭ上に導電性ボールを搭載した基板を加熱して導電性ボールを溶融し、冷却固化させてバンプを形成する際、基板の電極上に配列された導電性ボールの表面の少なくとも一部をフラックスで被覆する。 - 特許庁
To provide a semiconductor apparatus having a wiring structure under a bump for reducing the probability of the occurrence of a crack in a semiconductor chip to solve the problem of delamination of interlayer film due to the occurrence of a crack in an LSI wiring layer in a UBM lower layer immediately under the solder bump in an outer periphery of the LSI chip.例文帳に追加
ＬＳＩチップ外周の半田バンプ直下のＵＢＭ下層の、ＬＳＩ配線層に、クラックが発生し、層間膜の剥離が発生する問題を解決するため、半導体チップに発生するクラックの確率を低減する、バンプ下の配線構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
This method forming a flip-chip bump or UBM for a high-speed copper internal wiring chip, and this method has a step (a) of plating a copper pad with copper, to form a copper plated layer through nonelectrodepositional metal precipitated plating, and a step (b) of plating the plated layer with nickel so as to form a nickel plated layer through electroless plating.例文帳に追加
高速銅内部配線チップ用フリップチップバンプまたはＵＢＭを形成するための方法であって、（ａ）銅パッドに非電着性金属析出メッキを介して銅メッキ層を形成すべく銅をメッキするステップと、（ｂ）前記銅メッキ層上に無電解メッキを介してニッケルメッキ層を形成すべくニッケルをメッキするステップとを有する方法。 - 特許庁
The bump pad structure includes a substrate with an upper layer, a reinforcement pad formed on the upper layer, an intermediate layer formed above the upper layer, an intermediate connection pad formed on the intermediate layer, an outer layer formed above the intermediate layer, and a UBM connected to the intermediate connection pad through an opening formed on the outer layer.例文帳に追加
バンプパッド構造は、上層を有する基板と、上層上に形成された強化パッドと、上層の上方に形成された中間層と、中間層上に形成された中間接続パッドと、中間層の上方に形成された外層と、外層に形成された開口を介し、中間接続パッドに接続されたＵＢＭとを備える。 - 特許庁
In an SBD element including an active region of an SBD formed on a principal surface of a semiconductor substrate and a PSG film coating region formed from an end thereof to an outer peripheral part thereof, a boundary part between an organic final passivation film complementarily formed on an aluminum-based metal film constituting an anode electrode and a UBM layer is formed in the PSG film coating region.例文帳に追加
本願発明は、半導体基板の主面に設けられたＳＢＤの活性領域および、その端部から外側の周辺部に設けられたＰＳＧ膜被覆領域を有するＳＢＤ素子において、アノード電極を構成するアルミニウム系メタル膜上に相補的に設けられた有機系ファイナル・パッシベーション膜とＵＢＭ層の境界部分をＰＳＧ膜被覆領域に設けたものである。 - 特許庁
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